IC芯片的检测方法大全

IC芯片的检测方法大全
IC芯片的检测方法大全

芯片的检测方法

一、查板方法:

1.观察法:有无烧糊、烧断、起泡、板面断线、插口锈蚀。

2.表测法:+5V、GND电阻是否是太小(在50欧姆以下)。

3.通电检查:对明确已坏板,可略调高电压0.5-1V,开机后用手搓板上的IC,让有问题的芯片发热,从而感知出来。

4.逻辑笔检查:对重点怀疑的IC输入、输出、控制极各端检查信号有无、强弱。

5.辨别各大工作区:大部分板都有区域上的明确分工,如:控制区(CPU)、时钟区(晶振)(分频)、背景画面区、动作区(人物、飞机)、声音产生合成区等。这对电脑板的深入维修十分重要。

二、排错方法:

1.将怀疑的芯片,根据手册的指示,首先检查输入、输出端是否有信号(波型),如有入

无出,再查IC的控制信号(时钟)等的有无,如有则此IC坏的可能性极大,无控制信号,追查到它的前一极,直到找到损坏的IC为止。

2.找到的暂时不要从极上取下可选用同一型号。或程序内容相同的IC背在上面,开机观察是否好转,以确认该IC是否损坏。

3.用切线、借跳线法寻找短路线:发现有的信线和地线、+5V或其它多个IC不应相连的

脚短路,可切断该线再测量,判断是IC问题还是板面走线问题,或从其它IC上借用信号焊接到波型不对的IC上看现象画面是否变好,判断该IC的好坏。

4.对照法:找一块相同内容的好电脑板对照测量相应IC的引脚波型和其数来确认的IC是

否损坏。

5.用微机万用编程器(ALL-03/07)(EXPRO-80/100等)中的ICTEST软件测试IC。

三、电脑芯片拆卸方法:

1.剪脚法:不伤板,不能再生利用。

2.拖锡法:在IC脚两边上焊满锡,利用高温烙铁来回拖动,同时起出IC(易伤板,但可保全测试IC)。

3.烧烤法:在酒精灯、煤气灶、电炉上烧烤,等板上锡溶化后起出IC(不易掌握)。

4.锡锅法:在电炉上作专用锡锅,待锡溶化后,将板上要卸的IC浸入锡锅内,即可起出IC又不伤板,但设备不易制作。

5.电热风枪:用专用电热风枪卸片,吹要卸的IC引脚部分,即可将化锡后的IC起出(注意吹板时要晃动风枪否则也会将电脑板吹起泡,但风枪成本高,一般约2000元左右)作为专业硬件维修,板卡维修是非常重要的项目之一。拿过来一块有故障的主板,如何判断具体哪个元器件出问题呢?

引起主板故障的主要原因

1.人为故障:

带电插拨I/O卡,以及在装板卡及插头时用力不当造成对接口、芯片等的损害

2.环境不良:

静电常造成主板上芯片(特别是CMOS芯片)被击穿。另外,主板遇到电源损坏或电网电压瞬间产生的尖峰脉冲时,往往会损坏系统板供电插头附近的芯片。如果主板上布满了灰尘,也会造成信号短路等。

3.器件质量问题:

由于芯片和其它器件质量不良导致的损坏。清洗首先要提醒注意的是,灰尘是主板最大的敌人之一。最好注意防尘,可用毛刷轻轻刷去主板上的灰尘,另外,主板上一些插卡、芯片采用插脚形式,常会因为引脚氧化而接触不良。可用橡皮擦去表面氧化层,重新插接。当然我们可以用三氯乙烷--挥发*能好,是清洗主板的液体之一。还有就是在突然掉电时,要马上关上计算机,以免又突然来电把主板和电源烧毁。流程。 BIOS 由于BIOS设置不当,如果超频……可以跳线清处,摘重新设置。如果BIOS损坏,如病毒侵入……,可以重写BIOS。因为BIOS是无法通过仪器测的,它是以软件形式存在的,为了排除一切可能导致主板出现问题的原因,最好把主板BIOS刷一下。拔插交换主机系统产生故障的原因很多,例如主板自身故障或I/O总线上的各种插卡故障均可导致系统运行不正常。采用拔插维修法是确定故障在主板或I/O设备的简捷方法。该方法就是关机将插件板逐块拔出,每拔出一块板就开机观察机器运行状态,一旦拔出某块后主板运行正常,那么故障原因就是该插件板故障或相应I/O总线插槽及负载电路故障。若拔出所有插件板后系统启动仍不正常,则故障很可能就在主板上。采用交换法实质上就是将同型号插件板,总线方式一致、功能相同的插件板或同型号芯片相互芯片相互交换,根据故障现象的变化情况判断故障所在。此法多用于易拔插的维修环境,例如内存自检出错,可交换相同的内存芯片或内存条来确定故障原因。观看拿到一块有故障主板先用眼睛扫一下,看看没有没烧坏的痕迹,外观有没损坏,看各插头、插座是否歪斜,电阻、电容引脚是否相碰,表面是否烧焦,芯片表面是否开裂,主板上的铜箔是否烧断。还要查看是否有异物掉进主板的元器件之间。遇到有疑问的地方,可以借助万能表量一下。触摸一些芯片的表面,如果异常发烫,可换一块芯片试试。(1).如果连线断,我们可以用刀把断线处的漆刮干净,在露出的导线处涂上蜡,再用针顺着走线把蜡划去,接下来就是在上面滴上硝酸银溶液。接着就要用万能表来确认是否把断点连接好。就这样一个一个的,把断点接好就可以了。注意要一个一个的连,切不要心急,象主板上有的地方的走线间的距离很小,弄不好就会短路了。(2).如果是电解电容,可以找匹配的换掉。万能表、示波器工具用示万能表、波器测主板各元器件供电的情况。一个是检测主板是否对这部分供电,再有就是供电的电压是否正常。电阻、电压测量:电源故障包括主板上+12V、+5V及+3.3V电源和Power Good信号故障;总线故障包括总线本身故障和总线控制权产生的故障;元件故障则包括电阻、电容、集成电路芯片及其它元部件的故障。为防止出现意外,在加电之前应测量一下主板上电源+5V与地(GND)之间的电阻值。最简捷的方法是测芯片的电源引脚与地之间的电阻。

未插入电源插头时,该电阻一般应为300Ω,最低也不应低于100Ω。再测一下反向电阻值,略有差异,但不能相差过大。若正反向阻值很小或接近导通,就说明有短路发生,应检查短的原因。产生这类现象的原因有以下几种:(1)系统板上有被击穿的芯片。一般说此类故障较难排除。例如TTL芯片(LS系列)的+5V连在一起,可吸去+5V引脚上的焊锡,使其悬浮,逐个测量,从而找出故障片子。如果采用割线的方法,势必会影响主板的寿命。(2)板子上有损坏的电阻电容。(3)板子上存有导电杂物。当排除短路故障后,插上所有的I/O卡,测量+5V,+12V与地是否短路。特别是+12V与周围信号是否相碰。当手头上有一块好的同样型号的主板时,也可以用测量电阻值的方法测板上的疑点,通过对比,可以较快地发现芯片故障所在。当上述步骤均未见效时,可以将电源插上加电测量。一般测电源的+5V和+12V。当发现某一电压值偏离标准太远时,可以通过分隔法或割断某些引线或拔下某些芯片再测电压。当割断某条引线或拔下某块芯片时,若电压变为正常,则这条引线引出的元器件或拔下来的芯片就是故障所在。程序、诊断卡诊断通过随机诊断程序、专用维修诊断卡及根据各种技术参数(如接口地址),自编专用诊断程序来辅助硬件维修可达到事半功倍之效。程序测试法的原理就是用软件发送数据、命令,通过读线路状态及某个芯片(如寄存器)状态来识别故障部位。此法往往用于检查各种接口电路故障及具有地址参数的各种电路。但此法应用的前提是CPU及基总线运行正常,能够运行有关诊断软件,能够运行安装于I/O总线插槽上的诊断卡等。编写的诊断程序要严格、全面有针对性,能够让某些关键部位出现有规律的信号,能够对偶发故障进行反复测试及能显示记录出错情况。

IC集成电路的好坏判别方法

一、不在路检测这种方法是在IC未焊入电路时进行的,一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值,并和完好的IC进行较。二、在路检测这是一种通过万用表检测IC各引脚在路(IC在电路中)直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换IC的局限性和拆卸IC的麻烦,是检测IC最常用和实用的方法。2.直流工作电压测量这是一种在通电情况下,用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量;检测IC各引脚对地直流电压值,并与正常值相较,进而压缩故障范围,出损坏的元件。

测量时要注意以下八:

(1)万用表要有足够大的内阻,少要大于被测电路电阻的10倍以上,以免造成较大的测量误差。

(2)通常把各电位器旋到中间位置,如果是电视机,信号源要采用标准彩条信号发生

(3)表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏IC。可采取如下方法防止表笔滑动:取一段自行车用气门芯套在表笔尖上,并长出表笔尖约0.5mm左右,这既能使表笔尖良好地与被测试点接触,又能有效防止打滑,即使碰上邻近点也不会短路。

(4)当测得某一引脚电压与正常值不符时,应根据该引脚电压对IC正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析,能判断IC的好坏。

(5)IC引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时,或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器,则电位器滑动臂所处的位置不同,都会使引脚电压发生变化。

(6)若IC各引脚电压正常,则一般认为IC正常;若IC部分引脚电压异常,则应从偏离正常值最大处入手,检查外围元件有无故障,若无故障,则ic很可能损坏。

(7)对于动态接收装置,如电视机,在有无信号时,IC各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大,该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化,就可确定IC损坏。

(8)对于多种工作方式的装置,如录像机,在不同工作方式下,IC各引脚电压也是不同的。

还要补充二的是:交流工作电压测量法为了掌握IC交流信号的变化情况,可以用带有db插孔的万用表对IC的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡,正表笔插入DB插孔;对于无DB插孔的万用表,需要在正表笔串接一只0.1~0.5μf隔直电容。该法适用于工作频率较低的IC,如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同,波形不同,所以所测的数据是近似值,只能供参考。总电流测量法该法是通过检测IC电源进线的总电流,来判别IC好坏的一种方法。由于IC内部绝大

多数为直接耦合,IC损坏时(如某一个pn结击穿或开路)会引起后级饱和与截止,使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判别IC的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降,用欧姆定律计算出总电流值。

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点: (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大,如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼,硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm,变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如:温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时,电阻率只增加4%左右。

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号,第7位是附加的备注或特 殊的识别标记(除电容的命名方式外) 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明: XX-XX-XXXXXX-XXX-X | | | | | 空位(环保区分时备 用) | | | | 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 | | | | | | 元件种类/电气参数/型号 | | 供应商名代码 | 物品代码 注:编码长度一至,编码中间的“—”不纳入ERP系统,例: RE0120000061280 2.1、电子元器件物品(电子元器件的命名字母缩写): 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL

电子元器件的命名

电子元器件命名- - (资料是刚工作时前辈们留给我的,仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/5c7461157.html,掌柜) 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1,常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1,2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 (箔 ) 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2,电容器 第一部分(材 料) 第二 部分 分类 (第 三部 分) (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第四 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第五 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质

元器件封装命名规范

元器件封装命名规范

前言 概述:本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词:封装、命名

1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC (不含贴装钽电容) (5) 1.2贴装二极管(含发光二极管)SD (5) 1.3贴装保险管(含管座)SF (5) 1.4贴装电感SL(不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体(含晶体振荡器)SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ(不含引脚外展式IC) (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体(含插座)PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管(含管座)FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)

2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2,电容器

5,半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

电气元件命名规则

一、互感器命名 互感器的种类: 油浸式电流互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电流互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 发电机组用电流互感器发电机组用电流互感器 发电机母线用电流互感器发电机母线用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 干式电流互感器干式电流互感器 油浸式电压互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电压互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 组合式互感器组合式互感器 零序电流互感器零序电流互感器 电容式电压互感器电容式电压互感器 SF6气体电流互感器 SF6气体电流互感器 互感器型号字母含义: LCZ-35Q L 电流互感器 Current transformer C 手车式 Handcart type Z 浇注式 Casting type 35 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDZB6-10Q L 电流互感器 Current transformer D 单匝式 Z 浇注式 Casting type B 带保护级 Wity protective class 6 设计序号 Design Number 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDJ2-10 L 电流互感器 Current transformer D 带触头盒 J 加强型 Reinforced type 6 设计序号 Design Number 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) LFSQ-10Q L 电流互感器 Current transformer F 封闭式 Hermetical type S 手车式 Handcart type Q 加强型 Reinforced type 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点:

元器件封装命名规则

1框架结构:分为原理图元件库和PCB元件库两个库,每个库做为一个单独的设计项目 1.1依据元器件种类,原理图元件库包括以下16个库: 1.1.1单片机 1.1.2集成电路 1.1.3TTL74系列 1.1.4COMS系列 1.1.5二极管、整流器件 1.1.6晶体管:包括三极管、场效应管等 1.1.7晶振 1.1.8电感、变压器件 1.1.9光电器件:包括发光二极管、数码管等 1.1.10接插件:包括排针、条型连接器、防水插头插座等 1.1.11电解电容 1.1.12钽电容 1.1.13无极性电容 1.1.14SMD电阻 1.1.15其他电阻:包括碳膜电阻、水泥电阻、光敏电阻、压敏电阻等 1.1.16其他元器件:包括蜂鸣器、电源模块、继电器、电池等 1.2依据元器件种类及封装,PCB元件封装库包括以下11个库: 1.2.1集成电路(直插) 1.2.2集成电路(贴片) 1.2.3电感 1.2.4电容 1.2.5电阻 1.2.6二极管整流器件 1.2.7光电器件 1.2.8接插件 1.2.9晶体管 1.2.10晶振 1.2.11其他元器件 2PCB元件库命名规则 2.1集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm

如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3电阻 2.3.1SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4电容 2.4.1无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电 路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名 作为封装名 2.7晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9光电器件

(整理)常用电子元器件命名

常用电子元器件型号命名法一.电阻器 1.电阻器型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差

图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的(1.5~2)倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范,无法用上面的特征判断,这时只能借助万用表判断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图2 三位有效数字阻值的色环表示法

电子元器件命名规则

Q/NT 天津住美信息技术有限公司企业标准 Q/NTJ006—2018 电子元器件 命名规则

电子元器件命名规则 Q/NTJ006-2018 1目的 为使公司研发产品使用的电子元器件名称统一化、规范化,方便设计、采购、和生产,以及ERP录入工作,提高工作效率,特制定了本规则。 2范围 本标准规定了电子元器件命名规则。 3职责 研发部输出的元件清单应严格按此规则命名。 采购部ERP电子元器件的录入应严格按此规则命名。 4基本要求 4.1总则 4.1.1元件名称的表述及要求 表述形式:贴装形式+元件名称+封装 贴装形式:直插或贴片,当元件既非贴片也非直插时,可根据实际情况留空或填写。 封装:表述元器件的外形和封装形式,如果前面已经清楚的表述封装形式,此处可留空。 元件名称:要求能直观的体现出器件的特点,在元器件的使用过程中不应出现一个产品器件多个名称现象。 天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施

4.1.2元件规格型号的表述及要求 以能够清楚直观的表述元器件的各项参数和信息为原则。所有元器件应具备以下表述形式。 表述形式:型号-主要参数(可选)-精度(可选)。 元件型号:表述元器件生产厂家规定的型号。 主要参数:表述元器件的表征值、功率、耐压等详细参数。当元件型号不能明确元件时,需要填写元件的主要参数。 精度:表述元器件的精度等级。 注意:当有些元件型号无法直接给出元件型号时,元件的主要参数必需详细填写。 4.2元器件参数说明 4.2.1电阻精度表示: F:±1%;G:±2%;J:±5%;K:±10% 4.2.2贴片电阻封装与功率对应表: 0201:1/20W;0402:1/16W;0603:1/10W; 0805:1/8W;1206:1/4W;1210:1/3W 4.2.3贴片电容容值表述方法: 容值由三位数字表示,前两位表示有效数字,第三位表示0的个数。 注意:为统一贴片电容容值表述方法,规定100PF以上容值电容,均要求按三位数字表示法表示容值。 4.2.4接线端子 配套的接线端子统一命名为:接线端子头、接线端子座 天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施

通用电子元器件命名规则

上海忠成天野轻工有限公司 通 用 元 器 件 命名规则 2006-12-18发布 2006-12-26实施 上海忠成天野轻工有限公司部品表推行小组 发布

前 言 目前,由于公司产品使用的元器件来自多个不同厂家,原有品番均以数字表示,既不规则也不直观,甚至有些混乱,特制定一个适合本公司情况的通用规则,尽可能从器件品番中提供直也观的参数和信息,便于设计、采购、制造等各环节的工作。 另外,从2006年12月起我们向欧、美洲出口产品要求必须是无铅产品,执行ROHS指令,公司ROHS和部品表推行小组确定了无铅产品的标志:尾缀-R0.今后将推行的ERP系统,因ERP所存在的弊端,如系统录入字符越长则影响系统速度,从而影响工作效率,经部品表推行小组决定,系统录入字符最长为20位,有些IC及排线,尤其是FLASH、SDRAM的供应商品番不能完整录入,我们将会为其量身定制了相应规则)。 因部品表推行小组人员对元器件的认识程度有限,此规则可能有遗漏或不太恰当之处,敬请指出。 部品表推行小组: 上海忠成天野:黎虹蔚 齐华军 深圳研发中心:李艳红 中国华录集团:王爱华 2006.12.18

目录 1.目的 (1) 2.适用范围 (1) 3.参考资料 (1) 4.职责 (1) 5.通用元器件命名规则 (1) 5.1 电阻 (1) 5.1.1 贴片电阻 (1) 5.1.2 插件电阻 (2) 5.2 电容 (3) 5.2.1 贴片电容 (3) 5.2.2 插件铝电解电容 (6) 5.2.3 瓷片电容 (7) 5.2.4 聚酯膜电容 (8) 5.2.5 轴向色环电容 (8) 5.3 电感 (9) 5.3.1 贴片电感 (9) 5.3.2 插件电感 (10) 5.4 接插件 (12) 5.4.1 插座 (12) 5.4.2 连接器 (13) 5.5 稳压二极管 (15) 5.5.1 小型玻封稳压二极管 (15) 5.5.2 1N系列稳压二极管整形规则 (15) 5.6 保险丝 (15) 5.7 石英晶体谐振器 (16) 5.8 其它 (16)

元器件的完整型号说明和命名方法

元器件的完整型号说明和命名方法 完整的器件型号,一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号,而会忽略后缀,甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然,并不是所有器件一定有前缀和后缀,但是,只要这个器件有前缀和后缀,就不可以忽略。 器件前缀一般是代表器件比较大的系列,比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如,2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同,一个是插件的(TO-92),一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管,那肯定不知道是哪个。 忽略前缀的现象一般稍少一点,但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说,后缀有以下这些用处: 1、 区分细节性能 比如,拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说,同样是706,但是有几种阀值电压,比如MAX706S的阀值电压为2.93V,MAX706T的阀值电压为3.08V,这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。 2、区分器件等级和工作温度 比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级),TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级),其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。 3、 区分器件封装形式 比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431CP代表的是PDIP封装,TL431CD代表的是SOIC封装,其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装(“C”代表温度,在上面已经解释)。 4、区分订货包装方式

比如,TI公司的基准电压芯片TL431 CD,如果要求是按盘装(2500PCS/盘)的采购,那么必须按TL431 CDR的型号下单,这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则,按TL431 CD下单,买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。 5、区分有铅和无铅 比如,ON公司的比较器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封装),如果要用无铅型号,必须按LM393DG下单,这里的后缀“G”就表示无铅型号,没这个后缀就是有铅型号。 后缀可能还有其他特殊的用处,总之,后缀的信息不能省略,否则买回来的可能就不是你想要的物料。 不同的公司的前缀和后缀可能是不同的(也有少数公司的一些前缀后缀一致),这需要参考实际选用厂家的具体情况。 各国半导体元器件型号的命名方法 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、

元器件命名规则V1.0

元器件命名规则V1.0 拟制:胡胜双 审核:谢建军 签发:张鹏超 2012-12-26 研发本部-产业中心-数字设计部

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元器件的命名总表一、器件命名简表

元器件命名规则1. 接插件命名 1.1、使用字母代表其物理含义 卧/弯焊:用W表示直焊:用H表示 贴片:用T 表示直插:用D表示 立式:用L表示卧式:用O表示 插座:用Z表示插针/头:用C表示 上接触: Up 下接触:Down 加长:用J表示 绿端子:DZ 航插座:HCZ 组合器件用: + 表示 白色接插件:CJZ 网座:RJ “-”后面带表他的属性所有都是拼音如-Bai 代表白色 1.2 连接器的位号标识 J? :(各种插座、FPC 座等) SW?: (拨码开关,按键类) 1.3 接插件命名方式 1.3.1普通插座和插座的命名方式 CON_排数*每排的个数_间距mm_插针/插座直焊/弯焊如: CON_3*25_2.54mm_CW 表示: 3排每排25针间距是2.54mm的插针焊接方式为弯焊(实际规格:SPM-针-3*25pin*2.54mm-方针-弯焊) 1.3.2 其他器件的命名方式 CON_ USB/BNC/RJ45*个数_直焊/弯焊 如: CON_USB*2_W 表示:双层USB座弯焊 (实际规格:双层USB插座-90°-弯焊-雅斯) CON_FPC/CJZ/DZ_排数*每排的个数_间距mm_特性 如 CON_FPC_50*0.5mm_LT

表示:FPC座50pin间距是0.5mm的立式贴片 (实际规格:FPC座-50*0.5mm-立式贴片-Molex) 1.4 特殊说明 1.4.1 “-”后面接的是型号(或属性) 例1:CON_FPC_50*0.5mm_TL-D 表示:PCF座间距为0.5mm的50pin的立式贴片的 D型 例2: CON_BNC*2_8_DZW-Bai 表示:双层BNC座8引脚的直插弯焊的白颜色的 (实际规格:BNC座-双层-弯焊-白色塑料封装) 2. 电阻的命名 2.1 水泥电阻用RS表示(水泥电阻属于特殊分装命名里不再体现其封装) RSM_阻值_RS 2.2 普通的电阻的表示方法 RSM_阻值_封装 3. LED二极管的命名 LED_颜色_贴片/直插 注释:红色: RED 蓝色: BLUE 绿色: GREEN 橙色: ORANGE 贴片: T 直插: D 4. 电容的命名 CAP_容值_封装_耐压值 CE_容值_封装_耐压值 注释: CE表示的是电解电容 CAP表示的是其他电容 5. 晶振的命名 CRY_匹配电容值_引脚数_直插/贴片 OSC_匹配电容值_引脚数_直插/贴片 注释:CRY: 表示无源晶振 OSC: 表示的是有源晶振 直插:D 贴片:T

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