模拟电子技术基础中的常用公式(1)

模拟电子技术基础中的常用公式(1)
模拟电子技术基础中的常用公式(1)

7.1 半导体器件基础

GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:

式中,i D 为流过二极管的电流,u D 。为加在二极管两端的电压,V T 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度,单位是K ;q 是电子的电荷量,q=1.602×10-19C ;k 为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J /K 。室温下,可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D

直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即

R D 的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是,使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间,反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大,二极管的单向导电性能越好。

GS0103 交流等效电阻r d

r d 亦随工作点而变化,是非线性电阻。通常,二极管的交流正向电阻在几~几十欧姆之间。

需要指出的是,由于制造工艺的限制,即使是同类型号的二极管,其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的,使用时应注意条件。

GS0104 I Zmin <Iz <I Zmax

其中稳定电流I Z 是指稳压管正常工作时的参考电流。I Z 通常在最小稳定电流I Zmin 与最大稳定电流I Zmax 之间。其中I Zmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流,电流低于此值时,稳压效果差;I Zmax 是指稳压管稳定工作时的最大允许电流,超过此电流时,只要超过额定功耗,稳压管将发生永久性击穿。故一般要求I Zmin <Iz <I Zmax 。

I C = I NC + I CBO ≈ I NC

I B = I PB + I PE - I CBO ≈I PB - I CBO

I E =I NE +I PE ≈I NE

I NE = I NC +I PB

I E =I C + I B

C U BE B CE U f I ==|)( (C 表示常数)

C I CE C B U f I ==|)( (C 表示常数)

P CM =I C U CE

2)1(P

GS DSS D V U I I -=,I DSS 是U GS =0时的漏极饱和电流,V P 称为夹断电压。 2 基本放大电路

b

C b BE C B R E R U E I ≈-= B CEO B C I I I I ββ≈+= C C C CE R I E U -= 静态工作点求解公式。

电子技术基础知识点

- 71 -

i i i I U r = o

o o I U r = L c ce R i u '-= (L c L R R R =') 为了避免瞬时工作点进入截止区而引起截止失真,则应使:CEO CM c I I I +≥

为了避免瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真,则应使:CES OM CE U U U +≥

式中 'bb r 表示晶体管基区的体电阻,对于一般的小功率管约为300Ω左右(计算时,若未给出,可取为300

Ω),I E 为通过管于发射极的静态电流,单位是mA 。在I E ≤5mA 范围内,式GS0220计算结果与实际测量值基本一致。

C b b b B E R R R U 2

12+≈分压式直流电流负反馈放大电路,分压点电压U B 计算公式。 R B b I U R /2= R B C b I U E R )(1-= E B E E e I U I U R ≈= 偏置电路元件参数的计算。

估算结型场效应管自给偏压电路的静态工作点计算公式

2)1(P

GS DSS D V U I I -=,()0(≤≤GS P U V 结型场效应管的转移特性。式中I DSS 为饱和漏电流,V P 为夹断电压。联立求解GS0231~GS0233各式,便可求得静态工作点Q(I D ,U GS ,U DS )。

s D DD GS R I V R R R U -+=

212结型场效应管分压式偏置电路,栅源回路直流负载线方程。 un u u n o o o o i o i o u A A A U U U U U U U U A ???=????==-21)

1(121式中A u1、A u2 、…、A un 为各级的电压放大倍数。 )()()()(21dB A dB A dB A dB A un u u u +++= 多级放大电路电压放大倍数的分贝值等于各级之和。 )()()(ωφφωωj u j i

O

i O

u

e A e

U U

U U j A === 放大电路的频率特性或频率响应。其中Au (ω)称为幅频特性,反映)(ωj A u 大小与频率的关系。φ(ω)为相频特性,反映输出信号与输入信号的相位差与频率之间的关系。

180'-∠==be L i

O u r R U U A β中频段单级放大电路的电压放大倍数。 dB A A A A uo uH uo uL 32

1lg 20lg 20lg 20-=== A uL 、A uH 和A uo 分别是低、高和中频段的电压放大倍数。 L H f f B -=式中:B 放大电路的通频带,下限频率f L 和上限频率f H 。

1211-=n H H f f 121

1

-=n L L f f f H 、f L 是多级放大电路上、下限频率,f H1、f L1是单级上、下限频率

7.3 负反馈放大电路

'i

O X X A = 基本放大电路的放大倍数O f X X F =基本放大电路的传输系数,也称为反馈系数。 F

A A X X A i O f +==1反馈放大电路的闭环放大倍数 FA

A A f +=1当工作信号在中频范围,且反馈网络具有纯电阻性质F 、A 均可用实数表示。

F

A f 1≈ 当 |1+FA| >>1时 u u u uf f A F A A A +=

=1 O f u U U F F == 电压串联负反馈,A uf 、F u 称为闭环电压放大倍数和电压反馈系数。 i i i i O if f A F A I I A A +==

=1 O

f i I I F F == 电流并联负反馈,A if 、F i 称为闭环电流放大倍数和电流反馈系数。

g r g i O gf f A F A U I A A +===1O

f r I U F F ==电流串联负反馈,A gf 、F r 称为闭环互导放大倍数和互阻反馈系数。

A

dA FA A dA f f

?+=11 该式表明,闭环放大倍数的稳定性比开环放大倍数的稳定性提高了(1+FA)倍。 B :未引入负反馈放大电路的通频带,B f :引入负反馈放大电路的通频带。 i i X i i i I U I U r f '0|=== 开环输入电阻r i (即基本放大电路的输入电阻)计算公式。 i

f i i i if I U U I U r +=='闭环输入电阻r if 计算公式。 i i

i if r FA FA I U r )1()1('+=+= 表明,串联负反馈使闭环输入电阻增加到开环输入电阻的(1+FA)倍。 '0|i

i X i i i I U I U r f === 并联负反馈电路的开环输入电阻计算公式。 'i f i i i if I I U I U r +==

并联负反馈电路的闭环输入电阻计算公式。 i r g if r A F r +=

11 电压并联负反馈输入电阻计算公式。 i i i if r A F r +=

11电流并联负反馈输入电阻计算公式。 O O X R O O O r F A I V r i L +===∞=11|0, 表明,电压负反馈使放大电路的闭环输出电阻减小到开环的 F

A O +11。 O S X R O O Of r F A I V r i L )1(|0,+==

=∞=引入电流负反馈后,电路的闭环输出电阻增加到开环输出电阻的(1+AsF)倍。对于电流串联负反馈有 O r gS Of r F A r )1(+=;对于电流并联负反馈则为O i iS Of r F A r )1(+= 。

7.4 功率放大电路

7.5 直接耦合放大电路

GS0501 温度变化产生的零点漂移,称为温漂。它是衡量放大电路对温度稳定程度的一个指标,定义为: )(C T A U U O u op

ip ??=?

电子技术基础知识点 - 73 - 即温度每升高1℃时,输出端的漂移电压△U OP 折合到输入端的等效输入电压△U iP 。式中A u 为放大电路总的电压放大倍数,△To(℃)为温度变化量。

GS0502 e E W e E E R E R R E I 22

121≈+≈,Re 》R W 。 GS0503 βCI BI I I =

C CI C CI R I E U -= (对地)

基本差动放大电路的静态分析。

GS0504

2

12

1

i i

O O

id od id U U U U U U A --== 差动放大电路对差模信号的放大能力用差模放大倍数表示。

GS0505 )(211221121i i u i u i u o o od U U A U A U A U U U -=-=-=

差动放大电路的输出电压。

GS0506 12

1211)(u i i i i u id od Od A U U U U A U U A =--== 在差模输入时,U i1 – U i2 = U id ,由式GS0504和式GS0505可得。这表明差动放大电路双端输入一双端输出时的差模电压放大倍数等于单管放大电路的放大倍数。

GS0507 W be S L C u ud R r R R R A A )1(2)

2

1//(1ββ+++-== 单管放大电路的放大倍数。

GS0508 W be S L C ud R r R R R A )1(21)2

1//(21

ββ+++-= (单端输出:T 1集电极输出) 若输出信号取自差动放大电路某一管的集电极即单端输出方式,此时,输出信号有一半没有利用,即U od = U o1(双端输出时U od = 2U o1 ),放大倍数必然减小一半。

GS0509 e

C i O uc R R U U A 2-≈=(单端输出时的共模放大倍数) 只要2Re>>Rc ,则Auc(单)<<1,电路对共模信号就有较强的抑制能力。 GS0510 ||||uc ud A A CMRR =

共模抑制比的定义式。CMRR 越大,说明差动放大电路的质量越好。

GS0511 双端输入—双端输出时,若电路完全对称,则∞==

ud A CMRR ,它表明对称性越高,抑制比越高。

GS0512 be S e e

C be S C r R R R R r R R CMRR +=-+-

=ββ221。 双端输入—单端输出时的共模抑制比。它表明Re 越大,共模负反馈越强,共模抑制比越高。

GS0513 ])1(2

1[2W be S i id id R r R I U r β+++==。 差动放大电路的差模输入电阻是指差模输入时,从两输入端看进去的等效电阻。

GS0514 )]2

12)(1([21W e be S iC R R r R r ++++=β 共模输入电阻是指共模输入时,从输入端看进去的等效电阻。

GS0515 o r (双)C R 2=

电路的输出电阻是从放大器输出端看进去的电阻。此为双端输出时的差模输出电阻。

GS0516 o r (单) C R =

单端输出时的差模输出电阻。

7.6 集成运算放大电路

)221(2+-

=βR C I I “镜像”恒流源电路计算公式。 R U E I I BE R C -≈≈2 222e BE E C

R U

I I ?=≈ 微电流恒流源电路计算公式。 i f O U R R U 1-

=反相输入组态U O 计算公式。 1R R A f

uf -=反相输入组态闭环电压放大倍数计算公式。

S f O U R R U ???? ?

?+=1同相输入组态U O 计算公式。 ???? ?

?+=R R A f uf 1同相输入组态闭环电压放大倍数。 O f

f i f f U R R R U R R R U +++=-111差动输入组态反相端电位。 212233i f

f i U R R R U R R R U +=+=+差动输入组态同相端电位。 )(211i i f

O U U R R U --=差动输入组态输出电压。

)(

332211R U R U R U R R I U i i i f f f O ++-=-= 加法器输出电压。 dt

du C R u i f O -=微分器输出电压。

电子技术基础知识点

- 75 - ??

-

=

-

=dt

u

RC

dt

i

C

u

i

C

O

1

1

积分器输出电压。

S

i

T

BE

O RI

U

V

U

U ln

-

=

-

= (U i>0)对数运算输出电压。

T

i

V

V

f

S

f

f

O

e

R

I

R

I

U-

=

-

=反对数运算输出电压。

7.7 直流电源

?

=πω

ω

π

2

02

)

(

2

2

1

t

td

Sin

U

U

L

)

(

2

2

1

2

t

td

Sin

ω

π

π

?

=

2

2

45

.0

2

U

U=

=

π

半波整流输出电压平均值

L

L

L

L R

U

R

U

I2

45

.0

=

=半波整流电路流过负载的平均电流。

L

L

L

L

D R

U

R

U

I

I2

45

.0

=

=

=半波整流电路流过二极管D平均电流(即正向电流)。

2

2U

U

RM

=半波整流电路加在二极管两端的最高反向电压。

?

=πω

ω

π02

)

(

2

1

t

td

Sin

U

U

L2

2

9.0

2

2

U

U=

=

π

全波整流电路输出电压的平均值。

L

L

L

L R

U

R

U

I2

9.0

=

=全波整流电路流过负载的平均电流。

L

L

L

L

D

D R

U

R

U

I

I

I2

2

1

45

.0

2

1

=

=

=

=全波整流电路流过二极管D平均电流(即正向电流) ,与半波整流相同。

2

2

1

2

2U

U

U

RM

RM

=

=(比半波整流大了一倍)全波整流电路加在二极管两端的最高反向电压。

2

9.0U

U

L

=桥式整流电路输出电压的平均值。

L

L

R

U

I

2

9.0

=桥式整流电路流过负载的平均电流。

2

2U

U

RM

=(为全波整流的电压一半)桥式整流电路每个二极管所承受的最高反向电压。

全波整流输出电压u L的付氏级数展开式。

3(

C

R

L

~T)5 (半波) 电容滤波放电时间常数)

(C

R

L

=

τ实际中常按此式来选取C值。

3(

C

R

L

~2

)5T (全波、桥式) 电容滤波放电时间常数)

(C

R

L

=

τ实际中常按此式来选取C值。

电容滤波电路输出电压的佑算。如果电容滤波电路的放电时间常数按式I0714或I0715 取值的话,则输出电压分别为:9.0(

=

L

U~

2

)0.1U (半波) 1.1(

=

L

U~

2

)2.1U (全波)

2

9.0U

U

L

=

'

L

L

L

L

U

R

R

R

U

+

=RCπ型滤波电路,它实质上是在电容滤波的基础上再加一级RC滤波电路组成的。其

滤波原理可以这样解释:经过电容C1滤波之后,C1两端的电压包含一个直流分量'

L

U与交流分量'

L

u,作为

RC2滤波的输入电压。对直流分量'

L

U而言,C2可视为开路,R L上输出的直流电压。

'

2

1

L

L

u

RC

j

u

ω

≈RCπ型滤波电路,它实质上是在电容滤波的基础上再加一级RC滤波电路组成的。其

滤波原理可以这样解释:经过电容C 1滤波之后,C 1两端的电压包含一个直流分量'L U 与交流分量'

L u ,作为RC 2滤波的输入电压。对直流分量'L U 而言,C 2 可视为开路,R L 上对于交流分量'L u 而言,其输出的交流电压。 C

R O O i

i r L U U U U S ==?? 稳压系数Sr 表示在负载电流和温度不变的条件下,输入电压的相对变化量△Ui /Ui 与输出电压的相对变化量△Uo /Uo 之比。式中值愈大,反映稳压效果愈好,即稳定度愈高(式中C 表示常数)。

i

O r U U n A S 2= 在输出电压可调的串联型稳压电路中,稳压系数Sr 的计算。式中:A 2为比较放大电路的放大倍数[β2R 4/(r be2 +β2r Z )],n 为取样电路的分压系数[R 2/(R l +R 2)]。

L

L O I U r ??= 输出电阻r O 是指输入电压及环境温度不变的条件下,负载电流变化 △I L 引起输出电压变化△U L 的程度;也就是输出电压变化量△U L 与负载电流变化量△I L 的比值。 2114A n r R r be O β+=

在输出电压可调的串联型稳压电路中,输出电阻的计算公式。式中,n 是取样电路的分压系数、β1是调整管的电流放大系数、A 2是比较放大电路的放大倍数愈大。

7.8 正弦波振荡电路

f

U =i U 维持自激振荡必须满足的条件。 1=F A 由于i

O f U A F U F U == ,代入上式,可得维持自激振荡的条件。 设φA 和φF 分别为A 与F 的相位角,于是1||||||)(==?=+F A F A i i i e F A e F

e A F A φφφφ 振幅平衡条件 1||=F A

相位平衡条件 φA +φF = 2n π (n = 0,1,2,……) 1||>F A

电路的起振条件。 M C R r be /'>β 变压器反馈式振荡电路的起振条件。式中M 为绕组L 1与L 2之间的互感系数,r be 为三极管b 、e 间的等效电阻,R '为折合到L 1C 回路中与电感串联的等效总损耗电阻。

LC

C M L L f ππ21)2(21210=++= 电感三点式振荡电路,又称哈特莱振荡电路, 当它的回路Q 值较高时,该电路的振荡频率基本上等于LC 回路的谐振频率。式中L = L1+L2+2M 为回路总电感。 C

L L f )(21210+=π用集成运放构成的电感三点式振荡电路的振荡频率。 LC f π21

0≈

,其中 2

121C C C C C += 电容三点式振荡电路在LC 谐振回路Q 值足够高的条件下的振荡频率 2

12

1021C C C C L f +≈π 用集成运放构成的电容三点式振荡电路的振荡频率。

电子技术基础知识点

- 77 - LC

f π21

0≈ 克拉泼振荡电路的振荡频率。 021021

'0R C C R C C R ???

? ??≈???? ??=∑ 克拉泼振荡电路中的LC 回路谐振电阻R 0反射到三极管集、射极的等效负载电阻。 )(2130C C L f +=

π席勒振荡电路的频率调节范围较克拉泼电路要宽当C 3《C 1、C 3《C 2时的振荡频率。 g

g S C L f π21=从石英谐振器的等效电路可知,它有两个谐振频率,一个是串联谐振频率f S ,它是Lg 、Cg 、Rg 支路谐振时的频率。另一个是并联谐振频率f p ,它是等效电路的谐振频率。 S g

f LC f =≈π210 并联型晶体振荡电路的谐振频率。 R r RC R r RC f be

i

46214621

0+≈+≈

ππ 超前型RC 相移振荡电路的振荡频率。 RC

f 6210π≈ 超前型RC 相移振荡电路,当r be <

j F 通常取R 1 = R 2 = R ,C 1 = C 2 = C ,若令ω0=1/ RC ,则GS0821可简化为GS0822。

RC

f π210= 文氏电桥振荡电路的振荡频率。 3>A

文氏电桥振荡电路的起振条件。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为:321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA , β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

东北大学《模拟电子技术基础》期末考试必备真题集(含答案)01

模拟电子技术基础 一.计算分析题 1.已知放大电路如图8所示,三极管的β=50,U BE =。回答下列问题:(1) 求I CQ =?U CEQ =?(2)画微变等效电路 (3)求?==i o u U U A ? ==s o usm U U A (4)R i =?R o =? 图8 (1) I CQ ≈I EQ = (mA) +V R C e R R R C C + _ _ R e U U o R U 20k Ω 2 10kΩ 2kΩ4k 30μF 30100μ F (+12V) 1+ ++ _ _ ) (410 2012 102b1CC 2BQ V R R V R U b b =+?=+= )mA (65.12 7 .04e BE BQ EQ =-= -= R U U I

U CEQ = V CC ―I CQ ( R c +R e )= ×4 = (V) (2) (3) (4)R i ≈r be =(k Ω) R o = R c = 2 (k Ω 2.已知电路如图9所示,β1=β2=60,U BE1=U BE2=,ΔU I1=1V ,ΔU I2=。 求:①双端输出时的ΔU o=?②从T 1单端输出时的ΔU O1=? )k (1.165 .126 6130026) 1(EQ bb'be Ω≈?+=++=I r r β微变等效电路 U 6 .601.1)4//2(50'be L i o u -=?-=-==r R U U A β 5.311.11)4//2(50'be s L i s i u s o us -=+?-=+-≈+==r R R R R R A U U A β R R R R r R R + _ + _ U I U s β I I R

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

模拟电子技术基础试题(1)

浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题(1) 一、填空(共30分,1分/空) 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体,加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中,测出某三极管三个管脚对地电位:①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ,则①端为 极、②端为 极、②端为 极,该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻,应引入 负反馈;为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示,已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大,最大输出电压幅值为±14V 。填空:电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈,电路的输入电阻趋近于 ,电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=,则=O U ;若1R 开路,则O U 变为 V ;若1R 短路,则O U 变为 V ;若2R 开路,则O U 变为 V ;若2R 短路,则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零,而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英品体呈 ;其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示,电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ;直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题(20分,1分/题) 1、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 ( ) 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 ( ) 4、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 ( ) 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 ( ) 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 ( ) 7、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 ( ) 8、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 ( ) 9、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。 ( ) 10、放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。 ( ) 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 ( ) 12、在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 ( )

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

东大18年6月考试《模拟电子技术基础I》考核作业

https://www.360docs.net/doc/5d17394728.html, ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷(作业考核 线下) B 卷(共 4 页) 注:请您单面打印,使用黑色或蓝色笔,手写完成作业。杜绝打印,抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止,并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、(10分)电路如图所示,设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波,试画出u o 的波形。(设二极管D 1,D 2为理想二级管)。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示,已知V CC =12V ,R bl =40k Ω,R b2=20k Ω,R c =R L =2k Ω,U BE =0.7V ,β=50,R e =2k Ω, U CES ≈0V 。求:(1)计算静态工作点;(2)随着输入信号i U 的增大,输出信号o U 也增大,若输出o U 波形出现失真,则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R , 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示,负载R L =8Ω,晶体管T1和T2的饱和压降为2V ,输入u i 为正弦波。求:(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率?(2)此时的效率和管耗各是多少? 五、填空题:(每空1分 共30分) 1、PN 结正偏时( ),反偏时( ),所以PN 结具有( )导电性。 2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加 电压( )。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结 电阻为( ),等效成断开; 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 5、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic ( ),发射结压降( )。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( )负反馈,为了稳定交流输出电流采 用( )负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( )信号,而加上 大小相等、极性相反的两个信号,称为( )信号。

东北大学 考试《模拟电子技术基础I》考核作业

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 I 试 卷(作业考核 线下) B 卷(共 4 页) 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 注:请您单面打印,使用黑色或蓝色笔,手写完成作业。杜绝打印,抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止,并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、(10分)电路如图所示,设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波,试画出u o 的波形。(设二极管D 1,D 2为理想二级管)。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示,已知V CC =12V ,R bl =40kΩ,R b2=20kΩ,R c =R L =2kΩ,U BE =,β=50,R e =2kΩ, U CES ≈0V。求:(1)计算静态工作点;(2)随着输入信号i U 的增大,输出信号o U 也增大,若输出o U 波形出现失真,则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R , 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示,负载R L =8Ω,晶体管T1和T2的饱和压降为2V ,输入u i 为正弦波。求:(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少 五、填空题:(每空1分 共30分) 1、PN 结正偏时( ),反偏时( ),所以PN 结具有( )导电性。 2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与 外加电压( )。 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T 1 T 2 R L CC + +_ _ (+12V (-12V

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

《模拟电子技术基础》考试试卷一_附答案_模电

模拟电子技术基础试卷一附答案 一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。 (a) (b) 二.(10分)放大电路如图所示。已知: R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K, R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ, V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态, 画出该电路的直流通路;(5分) 2.计算该电路的静态工作点。(5分) 3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入 电阻,输出电阻。 4.说明电路属于何种组态, 三.(18分)放大电路如图所示。已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。(4分) 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。(10分) 3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。(4分)

四.(12分)反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。(4分) 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分) (a ) (b ) 五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。 1.求出电路(a )的输出电压。(4分) 2.在电路(b )中,设t =0时v c =0,此时加入v i =1V ,求t =40ms 时v o =?(6分) (a ) (b ) 六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要 求在电路中应标出i V ,o V ,f V 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 (a ) (b ) 七.(10分)比较器电路如图所示,设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ,并画出比较器的电压传输特性

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 (一)课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课,是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础,以集成电路为主体,通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用;通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解,掌握基本电路的设计与调试方法,便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析和解决问题的能力。(二)基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求: 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点:

放大电路的模型,放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点: 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容: 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍,引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解,待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求: 了解集成运放的主要结构,掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路,包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件-PSPICE。 教学重点: 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点: 对理想放大器的理解,“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容: (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下,放大器的电路参数及其物理意义。

东北大学考试《模拟电子技术基础ⅠX》考核作业参考240

东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础IX试卷(作业考核线上2)A 卷(共6 页) 总分题号一二三四五六七八九十得分 一、(40分) 单项选择题(选一个正确答案填入括号里,每题2分) 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。( C ) A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素 2.稳压管的稳压区是其工作在( C )。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 3.二极管电路如图1所示,设二极管均为理想的,则电压Uab为( A )。 图1 A、-12V B、-6V C、0V D、+6V 4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、和-6V,则这只三极管属于( C )。 AC、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型 5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、提高输入电阻 6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的( A ), A、差 B、和 C、平均值 7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的(B )。 A、差 B、和 C、平均值 8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用( A )。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第二级应采用( A )。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用( B )。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第二级应采用( A )。

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷1答案

院(系)_________________专业_______________________班级___________姓名__________________学号_________________ ……………………密………………………封……………………线………………………… 《模拟电子技术基础》试卷1 答案 一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分) 1.在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体。 2.当温度升高时晶体管的反向饱和电流CBO I 将 增大 。(填“增大”或者“减 小”或者“不变”)。 3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压D 0.7U =V ,则该电路的输出电压值U = V 。 4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压O u 与输入电压I u 的关系为 I O -du u RC dt = 。 5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数um ||A ? 为 100 ,电路的下限频率L f = 10 Hz 。 I ? 图1-1 图1-2 图1-3 6.按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为 带通 滤波器。 7.正弦波振荡电路的平衡条件为 1A F ? ? = 。 8.正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC 、RL 和石英晶体三种电路,其中 石英晶体 振荡电路的振荡频率最为稳定。 9.直流稳压电源由 整流 电路、滤波电路和稳压电路组成。 10.在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和 比较放大 电路是基本组成部分。

东大21年1月考试《模拟电子技术基础X》考核作业【标准答案】

学习中心: 院校学号: 姓名 课程名称: 模拟电子技术基础X 1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础X 试 卷(作业考核 线上2) A 卷(共 8 页) 1.N 型半导体是在本征半导体中加入( D )后形成的。 A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 2.其它条件不变,若放大器输入端电阻减小应引入 ( D ) A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 ( B ) A 、 B 、 C 、 4.在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压,输出波形如图1所示, 说明电路中出现的失真是( C ) 失真。 A 、饱和 B 、截止 C 、交越 5.在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入( A )。 A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6.当PN 结加正向电压时,其空间电荷区 ( B )。 A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 7.对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是( A )。 A 、输出电压与输入电压相位相同 B 、输入电阻,输出电阻适中 C 、电压放大倍数大于1 D 、电流放大倍数大于1 8.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ,则这只三极管属于( B )。 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 9. 场效应管与双极型晶体管相比,具有( A )。 A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10.二极管电路如图2所示,设二极管均为理想的,则电压U o 为 ( C )。 A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 1=F A 1 -=F A 1|1|>>+F A

相关文档
最新文档