中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

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学院

专业班级

学号

姓名

………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………

中南大学考试试卷(1)

20 ~20 学年 1 学期电子技术课程时间110分钟

80学时， 5 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 % 20 年月日

题号一二三四五六七八合计满分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得分

评卷人复查人

一、选择题(本题10分，每小题2分)

1．三极管工作在饱和状态时，发射结和集电结处于（ A ）。 A ．两者均正偏； B ．前者正偏，后者反偏；

C ．两者均反偏；

D ．前者反偏，后者正偏；

2．电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。 A ．D1导通，D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止；

3．欲使放大电路的输入电阻增加，带负载能力强，应引入（ B ）。

A ．电流串联负反馈；

B ．电压串联负反馈；

C ．电流并联负反馈；

D ．电压并联负反馈；

4．能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是（ A ）。 A ．1101，0001，0100，1000 B ．1100，1110，1010，1011 C ．1110，0110，0111，1111 D ．1111，1001，1010，0000

4．右图所示波形反映的逻辑函数是（ AB ）。（其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非； B ．异或； C ．同或； D ．或；

5．对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（ B ）。 A ．尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移得分评卷人

二、简答题（24分）

1．测得放大电路中晶体管的直流电位如图，在圆圈中画出

管子，标出各电极的名称，并指出是硅管还是锗管？（4分）2．写出下图电路输出逻辑表达式。（8分）

3．图中各触发器的初始状态Q＝0，试画出在CP信号连续作用下

各触发器Q端的电压波形。（4分）

4．下图电路中，变压器副边电压有效值为2U2。

（1）画出u2、u D1和u O的波形；

（2）求出输出电压平均值U O（AV）（8分）

得分

评卷人

得

分

评卷人

三、电路如图所示，晶体管的β＝80，be r =1.3k Ω。（16分）

（1）求电路的Q 点、u

A 、R i 和R o ；（2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

（1）212

4.77CC

B B B B V V R V R R =

?=+

mA R R U V I E E BE

B E 7.22

1=+-=

A I I E

B μβ

341=+=

V R R R I V U E E C E CC CE 7)(21=++-≈

（2）

（3

）

Ω=++=k R r R R r E be B B i 7.11))1(//(//121β

Ω==k R r C o 3.3

（4）25.9)1()

//(1

-=++-=E be L C u

R r R R A ββ

（5）21E E R R 和引入直流负反馈，可以稳定Q 点；1E R 引入交流串联负反馈。

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学院

专业班级

学号

姓名

………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………

四、下图是译码器74LS138构成的电路。（12分） 1. 写出F 1和F 2的表达式； 2. 列出真值表；

3．说明电路的逻辑功能；

4. 改用最少与非-与非门电路实现电路的功能。

1. 742174211m m m m m m m m F +++=???= 755376532m m m m m m m m F +++=???=

2. 真值表

A B C F1 F2 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1

1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1

3. 电路的逻辑功能为全加器；

4. 用最少与非门实现的表达式如下：（图略）

ABC BC A C B A C B A F ???=1

AB BC AC F ??=2

得分评卷人

五、电路如图所示，计算u o1、u o2及u o （10分）

V u u u R

R u f O 1)(3211-=++-

V u u O 5.042==

u u k u u O

O O O 2010221-=-， V u O 5.3=

得分评卷人

六、分析图时序电路的逻辑功能：

1. 写出电路的驱动方程；

2. 状态方程；

3.输出方程；

4. 画出电路的状态转换图；

5. 说明电路能否自启动。（12分）

1. 驱动方程

2. 状态方程

3. 输出方程

4. 状态转换图

5. 五进制计数器，且有自启动能力。

得分评卷人

?????======Q K Q Q J Q K J Q K J 3

32131

22311,???????=+=⊕=+=?=+=?+++Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q n

n n 2313323113

121211213131311

Q Y 3=

七、试用异步二-五-十进制计数器74LS290的置“9”端设计一个六进制计数器。（10分） 1．画出状态转换图； 2．画出线路连接图。

得

分评卷人

八、已知下图（a ）所示方框图各点的波形如图（b ）所示。（10分） 1．指出各电路的名称（用模拟电路的方法实现）；

2．如果电路4用555定时器组成的应用电路实现，指出电路的名称。

得分评卷人

电子技术试卷第1套答案

一、选择题 1. （A ）； 2. （A ）； 3. （B ）； 4. （A ）； 5. （A 、B ）； 6. （B ）；

二、简答题 1. Si 管

2.（a ）C Y 1＝（b ）CD AB Y 2?＝

3. 见解图

4. （2）2)(9.0U U AV O =

三、（1）212

4.77CC

B B B B V V R V R R =

?=+

mA R R U V I E E BE

B E 7.22

1=+-=

A I I E

B μβ

341=+=

V R R R I V U E E C E CC CE 7)(21=++-≈

（2）

（3

）

Ω=++=k R r R R r E be B B i 7.11))1(//(//121β

Ω==k R r C o 3.3

（4）25.9)1()

//(1

-=++-=E be L C u

R r R R A ββ

（5）21E E R R 和引入直流负反馈，可以稳定Q 点；1E R 引入交流串联负反馈。四、

1. 742174211m m m m m m m m F +++=???= 755376532m m m m m m m m F +++=???=

2. 真值表

A B C F1 F2 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1

1 1 1 1 1

3. 电路的逻辑功能为全加器；

4. 用最少与非门实现的表达式如下：（图略）

ABC

V u u u R

R u f O 1)(3211-=++-

V u u O 5.042==

u u k u u O

O O O 2010221-=-， V u O 5.3=

六、1. 驱动方程 2. 状态方程

3. 输出方程

4. 状态转换图

5. 五进制计数器，且有自启动能力。

?????======Q K Q Q J Q K J Q K J 3

32131

22311,???????=+=⊕=+=?=+=?+++Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q n n n 2313323113

121211213131311Q Y

1. 状态转换图

中南大学

模拟电子技术试卷（第2套）

一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）

1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.

2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。

3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。

4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？

（1）希望提高从b1端看进去的输入电阻，接Rf从_______到________；

（2）希望输出端接上负载RL后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf从_______到________；（用A～F的字符表示连接点）。

5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。

6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，U BE=0.7V。求

（1）I CQ1=I CQ2=__________mA；（2分）

（2）U CQ1=U CQ2=__________V（对地）；（2分）

（3）Ro = __________KΩ。（2分）

二、OCL电路如图3所示，已知Vcc=12V，R L = 8Ω，vi为正弦电压。（10分）

1．求在Vces = 0的情况下，电路的最大输出功率Pmax、效率η和管耗P T。

2．求每个管子的最大允许管耗P CM至少应为多少？

1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？

2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？

3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号

)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ??+??=ππ时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。

四、如图5所示电路，设已知各元件参数，包括T1的gm 和T2的β及r be ，试求两级增益Aui 、Aus 、输入和输出电阻（用表达式表示）。（12分）

五、在图示6电路中，设R 1 = R F =10K Ω，R 2=20K Ω，R’= 4K Ω，两个输入电压U i1和U i2的波形如图7所示，试写出Uo 的表达式，并在对应的坐标上画出输出电压Uo 的波形，且标上相应电压数值。（10分）

六、用集成运放构成的串联型稳压电路如图8所示。在Dz 的稳压值Uz ＝＋6V ，R1＝2k Ω，R2＝1k Ω，R3＝l k Ω时，电源电压为220V ，电路输出端接负载电阻R L 。

1．计算输出电压Uo 的范围为多少？（12分） 2．若T1管的最低管压降为3V ，则变压器副边电压有效值U 2应为多少伏？

3．在（1）和（2）的条件下，若R L 变化范围为100～300Ω，试说明三极管T1在什么时候功耗最大？其值如何？ `

七、理想运放组成如图9所示的电压比较电路。已知运放输出±Uomax ＝± 12V ，二极管导通压降为0.7V ，发光二极管LED 导通压降为1.4V 。（12分） 1．试回答在什么条件下，LED 亮；

2．设LED 工作电流为5mA ～30mA ，确定限流电阻R 的范围；

3．若将运放Al 、A2的同相、反相输入端位置对换，电路其他接线都不变，画出变换后的Uo = f （Ui ）曲线。

八、试用集成运放和乘法器设计，实现以下关系：

3222!25

10i i i O U U U U +-= 设模拟乘法器系数K=0.5 V -1。画出电路原理图；估算电阻元件的阻值。所选用的电阻值希望在20K ～200K Ω的范围内。（12分）

1． 1．反向击穿；

2． 2．甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3． 3．零点漂移；

4． 4．（串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5． 5．差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6． 6．（1）0.5；（2）5；（3）20；二、 1． W R V P

L CC

o 922

max

== L oM

oM AV C R U I I πππ==?0)(Sin ωinωt 21 W

R V I V P L CC

AV C CC V 46.11222

)(===π %

5.78max ==V

o P P η W

P P P P o V T T 23.1)(21

max 21=-==

2．W P P

o T 8.12.0max max == 三、 1． 10=um

A 2．

)101)(101(10

10)

1)(1()(5f

j f j

f j

f f j f f j f f

A j A H

L L

u ++?=++= ω

3．输出电压会失真。输入信号中有两个频率成分150Hz 和50KHz ，这两种信号的放大倍数均为10，所以幅度为2V 的输入信号被放大后，将超过最大不失真输出幅度om U 2=14V 而产生非线性失真。四、

1． e be c

e be c i g m i g m I

o o o ui R r R R r R R R g R R g U U U U A )1()1()//(1)

//(232311ββββ++-≈

++-?

c o g g i R R R R R ==21// i s i u s

I u s I I o s o us R R R A U U A U U U U U U A +?=?=?== 五、 t

0.5sin 12

11ω--=--=I f I f o u R R u R R u

六、

1． V

U R R R R U R R R R R U Z

Z 24~12~3

321233210=+++++=

2． V U U V U U U I

o CE I 5.222.1272max min =≈

=+=

3．

I o 12.0min ==

1． 1．当U I >6V 或 U I <3V 时，U O ＝11.3V ，LED 亮； 2． 2． Ω

=-=

K K I

U R o 98.1~33.04

3．

八、

115.0I f I f o u R R U R R U -

2212242213121224

2132225.0I f f I f I f f I f o f o U R R R R U R R U R R R R U R R U R R U +-=?--=5

2,2,1024

2213

1===∴

R R R R R R R R R R f f f f f

取R 4＝20K ，则R f2＝200K ，R f1＝20K ， R 1=10K ， R 2=100K ， R 3＝100k ，

Ω=='K R R R R f 2.6////1211 Ω=='K R R R R f 15////2432

模拟电子技术试卷

一. 一. 填空题 (每空1分,共20分) （注：同一题中可能只给出部分“空”的选项） 1. 1. U GS = 0时，能够工作在恒流区的场效应管有：。 A. JFET ； B.增强型MOSFET ； C.耗尽型MOSFET ；

2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V ， V 2 =11.3V ， V 3 =0V ，则该BJT 的基极电位等于，由材料制成，管型为。

3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A

均为 –100，将它们连成两级放大电路后，其电压放大倍数应 10000，且与级间耦合方式。

A.大于；

B. 等于；

C.小于； E. 有关； F. 无关；

4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的，等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的。 A.差； B.和； C.平均值；

5. 互补输出级通常采用接法，是为了提高。“互补”是指两个类型三极管交替工作。

A. 负载能力；

B.最大不失真输出电压；

6. 通用型集成运放通常采用耦合方式；适合于放大频率信号；输入级一般为放大器，其目的是为了。

7. 恒流源在集成运放中有两个作用：一是为各级提供，二是作为有源负载用来提高。

8. 信号处理电路中，为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应该选用滤波器；欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号，应该选用滤波器。

9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法，与BJT 的三种接法相比，共源放大器相当于放大器。

二. 二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。设U BEQ =U CES = 0.7V 。 (10分) 1．用图解法确定静态工作点I CQ ，U CEQ ；

2．确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。

1. 1. 试指出该放大电路的接法(或称为组态)；

2. 2. 画出该电路的微变等效电路；

3. 3. 分别写出u A

、 R i 和R o

的表达式并计算。

四. 四. 已知某电路的频率特性为 (10分)

53210(1)(1)10u

A f

j jf -=+

1. 1. 试画出对应Bode 图(包括幅频和相频特性)；

2. 2. 在图中标出f L 和f H 的位置，说明产生f L 和f H 的主要因素是什么?

3. 3. 该放大电路有几级? 耦合方式是什么?

五. 五. 由理想运放构成的电路如图所示。 (10分) 1. 1. 试判断电路的反馈极性和反馈类型(或称为反馈组态)； 2. 2. 说明这种反馈类型对放大电路的哪种性能指标产生何种影响? 3. 3. 估算相应的闭环放大倍数

A 和闭环放大电压倍数uf A

。

六. 六. 如图所示电路，已知： U I1= 4V 和U I2 = 1V 。 (12分) 1. 1. 当开关S 打开时，写出U O3和U O1之间的关系式； 2. 写出U O4 与U O2和U O3之间的关系式；

3. 当开关S 闭合时，分别求U O1 U O2 U O3 U O4 值（对地的电位）；

4. 设t = 0时将S 打开，问经过多长时间U O4 =0 ?

七. 小功率直流稳压电源如图所示。(10分)

1. 试画出下列情况下输出端u o的波形，并标明幅度：

(1)(1)K1和K2均断开；

(2)(2)K1合，K2断开；

(3) K2合，K1断开；

2. 写出上述（1）（2）情况下输出电压平均值U O(A V) 与变压器副边电压有效值U2之间的关系式（忽略R 的分压作用）；

中南大学往届电子技术试卷及答案

---○---○--- ---○---○--- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期电子技术课程时间100分钟一、选择题(本题10分，每小题2分) 1、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 A ．D1导通，D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止； 2、存储器的电路结构中包含（）、存储电路和输入/输出电路（或读写控制电路）这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（）条，数据线（）条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是（）。（其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非； B ．异或； C ．同或； D ．或； 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（）。 A ．尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v ；当输入为10001000，则输出电压为（）v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（）。

二、简答题（24分） 1．写出下图电路输出逻辑表达式。 2．图中各触发器的初始状态Q＝0，试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路（1）说明该电路的功能；（2）试画出电路的电压传输特性曲线。 4．下图电路中，变压器副边电压有效值为2U2。（1）画出u2、u D1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。

A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

中南大学往届电子技术试卷及答案

￥ ---○---○--- ~ 学院专业班级学号姓名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期电子技术课程时间100分钟 80学时， 5 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 60 % 题号一】二三四五六七八合计 ; 满分 10 19 16 12 8 15 10 10 < 100 得分 — 评卷人复查人一、选择题(本题10分，每小题2分) 1、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 A ．D1导通，D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止；《 2、存储器的电路结构中包含（）、存储电路和输入/输出电路（或读写控制电路）这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（）条，数据线（）条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是（）。（其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非； B ．异或； C ．同或； D ．或； 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（）。 A ．尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 | C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量为5v 。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）得分 …

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模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高；基区做得很薄，且掺杂浓度低。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏；而集电结反偏。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的发射结正向偏置，三极管的集电结反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为微变等效法和图解法。 4、基本放大电路有三种组态，即共发射极、共基极和共集电极。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的代数乘积。 13、电压负反馈使输出电压稳定，因而降低了放大电路的输出电阻；电流负反馈使输出电流稳定，因而提高了电路的输出电阻。串联负反馈增大放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈。二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ；得分评卷人

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变

中南大学往届电子技术试卷及答案

. ---○---○--- ---○---○--- 学院专业班级学号姓名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期电子技术课程时间100分钟 80学时， 5 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 60 % 题号一二三四五六七八合计满分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得分评卷人复查人一、选择题(本题10分，每小题2分) 1、电路如图所示，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 A ．D1导通，D2、D3截止； B ．D1、D2截止，D3导通； C ．D1、D3截止，D2导通； D ．D1、D2、D3均截止； 2、存储器的电路结构中包含（）、存储电路和输入/输出电路（或读写控制电路）这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（）条，数据线（）条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是（）。（其中A 、B 为输入波形，Y 为输出波形） A ．与非； B ．异或； C ．同或； D ．或； 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（）。 A ．尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v ；当输入为10001000，则输出电压为（）v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（）。得分评卷人

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

中南大学电子技术2试卷及答案-第4套

---○---○ --- ---○---○ --- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷（4）时间100分钟 20 ~20 学年学期电子技术课程期末考试试题 80 学时，闭卷，总分100分，占总评成绩60 % 一、填空题（共20分，每空1分） 1、场效应管是（）控制元件，而双极型三极管是（）控制元件。晶体管在模拟电路中工作在（）区；在数字电路中工作在（）区。 2、在一个交流放大电路中，测出某双极型三极管三个管脚对地电位为： (1)端为1.5V (2)端为4V (3)端为2.1V 则(3)端为（）极； (3)该管子为（）型。 3、若某一逻辑函数有n 个逻辑变量，则输入逻辑变量有（）种不同取值的组合。 4、一个逻辑函数全部最小项之和恒等于（）。 5、触发器按动作特点可分为基本型、同步型、（）和边沿型。 6、稳压管工作在（）区，一般要与（）串联使用。 7、已知某与非门的电压传输特性如图所示，由图可知：输出高电平OH V ＝；输出低电平OL V ＝；阈值电平 TH V ＝； 8、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是（）。 (A) 编码器； (B) 数据选择器； (C) 计数器。 9、集成运算放大器采用（）耦合方式，既可以放大（）信号，又可以放大（）信号。 10、七段LED 数码管的结构分为共阴极和（）两种。 11、可用于总线结构进行分时传输的门电路是（）。 (A) 异或门；(B) 同或门；(C) OC 门；(D) 三态门。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（）

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

电力电子技术模拟卷答案

华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电容 C.电感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性

负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件

中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变

中南大学模电试卷及答案分解

1 + j A 中南大学模拟电子技术试卷（第 1 套）一、一、填空题（20 分，每空 1 分） 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。 3．在三极管多级放大电路中，已知 A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为： A u1 是放大器，A u2 是放大器，A u3 是放大器。 4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极 R e 公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR ＝。 5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。 6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。二、基本题：（每题 5 分，共 25 分） 1．如图所示电路中 D 为理想元件，已知 u i = 5sin ωt V ，试对应 u i 画出 u o 的波形图。

2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。三、如图所示电路中，β＝100，r bb'=100Ω，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题开卷（）闭卷（√）考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻；反向电阻。

模拟电子技术课程设计(Multisim仿真)

《电子技术Ⅱ课程设计》报告姓名 xxx 学号院系自动控制与机械工程学院班级指导教师 2014 年 6 月18日

目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)

一、目的和意义该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。二、任务和要求本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。第3章直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；