覆晶技术(Flip-Chip)介绍
Available Flip Chip Tutorials
Tutorial 1. Introduction to Flip Chip
Tutorial 2. Solder Bump Flip Chip
Tutorial 3. Stud Bump Flip Chip
Tutorial 4. Polymer Bump Flip Chip
Tutorial 5. Anisotropic Conductive Film (ACF)Flip Chip
Tutorial 6. A Brief History of Flipped Chips
Tutorial 7. Electroless Nickel-Gold Flip Chip
Tutorial 8. Reworking Underfilled Flip Chip
Tutorial 9. Thermosonic Flip Chip Assembly
Tutorial 10. Flip Chip Interconnection for Detector Arrays
Tutorial 11. Under Bump Metallization (UBM)
Tutorial 12. Solder Bumping Step by Step
Tutorial 14. Bonding Edge Emitting Laser Diodes Using Gold/Tin Preforms Tutorial 15. Substrates for Flip Chip
Tutorial 16. Packaging, Handling, and Storing of Solder Spheres
Tutorial 17. SOC, SOP, and WLSCP
Tutorial 18. Fluxing for Flip Chip
Tutorial 20. Causes of Misalignment
Tutorial 21. Probing Bumped Flip Chips
Tutorial 22. Controlling Stress in Thin Films
Tutorial 23. Reworking Anisotropic Conductive Film (ACF) Flip Chip Assemblies
Tutorial 24. Gold Stud Bump Applications
Tutorial 25. Low Temperature Flip Chip for Flexible Displays
Tutorial 26. The Coming of Copper UBM
Tutorial 27. Shaping Gold Ball Bumps
Tutorial 28. Copper Bumps for Flip Chip Assembly
Tutorial 29. Micro-Posts: Tall, Slender, Stud Bumps.
Tutorial 30. Measuring thin films by spectral reflectance, Part 1
Tutorial 31. Wafer level hermetic cavity chip scale packages for RF
Tutorial 32. Gold Stud Bumping - the Other Flip-Chip Process
Tutorial 33. Conductive Polymer Assembly of High Pin Count Flip Chip Tutorial 34. Sputtered nickel UBM for lead-free solder bumping
Tutorial 35. Measuring thin films by spectral reflectance, Part 2
Tutorial 36. MEMS Special Packaging Needs
Tutorial 37. Too much gold can be a bad thing.
Tutorial 38. Evaporated Indium Bumps for Flip Chip
Tutorial 39. Electromigration and Thermomigration in Flip Chip Solder Joints Tutorial 40. Nano-embossing reaches production.
Tutorial 41. Hermeticity: much to do about nothing.
Tutorial 42. Evaluating Wafer Level Solder Reflow Options to Maximize Yield Tutorial 43. Wafer-level Hermetic Cavity Packaging.
Tutorial 44. Advanced Wafer-level Cleaning Method.
Tutorial 45. Lead-Free Facts and Myths.
Tutorial 46. Alloy Electroplating: The best solution for Au-Sn solder?
Tutorial 47. Flip Chip Bonder for Assembling 3D MEMS
Tutorial 48. Drop-in Lead-free solder
Tutorial 49. Wafer-level Nano-optics
Tutorial 50. Gold Stud Bump Update
Tutorial 51. Solder Bumping Single Die
Tutorial 52. New Generation Nano-Imprint Lithography System Tutorial 53. Probe testing differences in lead-free bumps
Tutorial 54. Nano Particle Adhesives
Tutorial 55. The Promise of C4NP
Tutorial 56. Injection Molding Solder Bumps
Tutorial 57. Thermosonic Bonding of 1,000-bump Flip Chips
Tutorial 58. Nanosoldering electronic components at room temperature Tutorial 59. Lower temperature lead-free flip chip
Tutorial 60. Nanotube Heat Sinks
Tutorial 61. Lead-Free Solder Bumping Methods
Tutorial 62. Vapor Jet Deposition of Multi-Metal Films
Tutorial 63. C4NP Test Data
Tutorial 64. Silver Nano-platelet Precursors for Ultra-Thin Conductors Tutorial 65. Cleaning microelectronic devices by Vacuum Cavitational Streaming
Tutorial 66. The Folly of RoHS
Tutorial 67. Underfilling Processes
Tutorial 68. Plasma pretreatment of Flip Chip and CSP assemblies Tutorial 69. Resonance Sensor Technology for Bump Inspection
Tutorial 70. Controlled-expansion substrates for WLP Tutorial 71. Nailing ICs Together
Tutorial 72. Redistribution Layers
Tutorial 73. Advanced Rework
Tutorial 74. High Conductivity Nickel-Fiber ACF Tutorial 75. Unique Polished Polyimide Substrate Tutorial 76. Jet Dispensing of Underfills
Tutorial 77. Solderless Copper Assembly
Tutorial 78. Quilt Packaging
Tutorial 79. Bump Cooling
Tutorial 80. Nano-particle Solder Paste
Tutorial 81. Wafer-level CSP with Integrated Passives Tutorial 82. Putting Photons on the Chip
Tutorial 83. Soldering Stud Bumps
Tutorial 84. Avoiding Lead-Free Brittle Fractures Tutorial 85. Chip to Wafer Hermetic Cavity Sealing Tutorial 86. 3D Silicon Chips
Tutorial 87. Laminated Chip Packages
Tutorial 88. ElectroChemical Pattern Replication
几种特殊的晶闸管
特殊的晶闸管 双向晶闸管TRIAC：TRIode AC semiconductor switch 双向可控硅为什么称为“TRIAC”? 三端：TRIode(取前三个字母) 交流半导体开关：ACsemiconductor switch (取前两个字母)
以上两组名词组合成“TRIAC” 中文译意“三端双向可控硅开关”。 由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。 双向：Bi-directional(取第一个字母) 控制：Controlled(取第一个字母) 整流器：Rectifier(取第一个字母) 再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。 双向：Bi-directional(取第一个字母) 三端：Triode(取第一个字母) 由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。 代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅； Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。 而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如： 三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等； 四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等； ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。 至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA， 型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA； PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明 一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值
实验13 木马捆绑与隐藏
木马捆绑与隐藏 12.2.1背景描述 木马并不是合法的网络服务程序，如果单纯以本来面目出现，很容易被网络用户识别。为了不被别人发现，木马制造者必须想方设法改换面貌；为了诱使网络用户下载并执行它，黑客将木马程序混合在合法的程序里面，潜入用户主机。在受害主机里，为了逃避杀毒软件的查杀，木马也会将自己“乔装打扮”；为了防止用户将其从系统里揪出来，木马则采取一切可能的手法进行隐藏自己。总之，现在的木马制造者是越来越狡猾，他们常用文件捆绑的方法，将木马捆绑到图像、纯文本等常见的文件中，然后通过网页、QQ、Email或MSN等将这些文件传送给受害者，而用户一旦不慎打开这些文件，木马就自动执行了，主机就中木马了。 12.2.2工作原理 1．木马捆绑 木马捆绑即是文件捆绑，黑客将木马或者病毒等恶意程序与其它正常文件组合成的一个整体。这是一种最简单也是最可行和最常用的一种方法，当受害者下载并运行捆绑了木马等恶意程序的文件时，其中的木马等恶意程序就会被激活。 木马捆绑的手段归纳起来共有四种： （1）利用捆绑机软件和文件合并软件捆绑木马； （2）利用WINRAR、WINZIP等软件制作自解压捆绑木马； （3）利用软件打包软件制作捆绑木马； （4）利用多媒体影音文件传播。 2．木马隐藏 隐藏是一切恶意程序生存之本。以下是木马的几种隐藏手段： （1）进程隐蔽：伪隐藏，就是指程序的进程仍然存在，只不过是让它消失在进程列表里。真隐藏则是让程序彻底的消失，不以一个进程或者服务的方式工作，做为一个线程，一个其他应用程序的线程，把自身注入其他应用程序的地址空间。 （2）伪装成图像文件：即将木马图标修改成图像文件图标。
电力电子课l练习题答案
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于
RVIS数据采集实验指导书2013
预备知识 DAQmx子选板常用节点简介 a. DAQmx创建虚拟通道——在多态VI 选择器中指定该VI 创建的虚拟通道类型为模拟输入>>电压；右击“DAQmx创建虚拟通道物理”的“通道输入”接线端，选择创建?输入控件，并将控件命名为“AI Channel” b. DAQmx 开始任务—该VI 执行之后才能启动测量任务 c.While循环——将DAQmx 开始任务的错误输出接线端连接至While 循环的左侧，右击隧道，选择替换为移位寄存器，在While 循环的条件接线端创建停止输入控件 d. DAQmx读取——注意多态VI选择器应选择模拟?单通道?单采样?DBL, 该选项是从一条通道返回一个双精度浮点型的模拟采样。右击数据输出接线端，选择创建?显示控件 e. 等待下一个整数倍毫秒——用该函数控制循环每隔100 ms执行一次，该函数可从函数选板的编程>>定时中找到 f. DAQmx清除任务——在清除之前，VI 将停止该任务，并在必要情况下释放任务占用的资源 g. 简易错误处理器——程序出错时，该VI 显示出错信息和出错位置. 该函数可以从函数选板的编程>>对话框与用户界面中找到 使用NI-DAQmx API进行模拟数据采集实验 Lab 1 电压表——软件定时的单点模拟采集 目标： 使用DAQmx API 采集信号，执行连续的软件定时测量
硬件连线： 将ELVIS Prototyping Board上Variable Power Supplies的Supply+连接至Analog Input Signals中的AI 0+; 将Variable Power Supplies的Ground连接至AI 0- 实现： 1. 打开一个空白VI，将VI 保存为Voltmeter.vi 2. 按课堂讲授方法，创建连续软件定时采集的程序框图， 3. 修改程序界面 在前面板右击显示控件，选择替换>>数值>>仪表，然后按照下图排列前面板元素，保存VI 测试： 1. 用ELVIS的可变电源作为测试源信号 首先检查ELVIS和Prototyping Board的电源均已开启. 然后通过Windows中的开始>>所有程序>>National Instruments>>NI ELVISmx for NI ELVIS & NI myDAQ>>NI ELVISmx Instrument Launcher打开NI ELVISmx Instrument Launcher 点击VPS打开可变电源软面板，勾选Supply + 下方的Manual，将ELVIS的可变电源的正向输出变为手动调节，然后将ELVIS平台上右上方的旋钮调至最小（模拟输入通道最高输入电压为10V，如果可变电源最大电压12V可能会损坏通道），然后点击软面板下方的Run按钮
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路
可控硅-晶闸管的几种典型应用电路 描述： ＳＣＲ半波整流稳压电源。如图４电路，是一种输出电压为＋１２Ｖ的稳压电源。该电路的特点是变压器Ｂ将２２０Ｖ的电压变换为低压（１６～２０Ｖ），采用单向可控硅ＳＣＲ半波整流。ＳＣＲ的门极Ｇ从Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ点取出约１３．４Ｖ的电压作为ＳＣＲ门阴间的偏置电压。电容器Ｃ１起滤波和储能作用。在输出ＣＤ端可获得约＋１２Ｖ的稳压。晶闸管，又称可控硅（单向ＳＣＲ、双向ＢＣＲ）是一种４层的（ＰＮＰＮ）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，笔者介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。 １．锁存器电路。图１是一种由继电器Ｊ、电源（＋１２Ｖ）、开关Ｋ１和微动开关Ｋ２组成的锁存器电路。当电源开关Ｋ１闭合时，因Ｊ回路中的开关Ｋ２和其触点Ｊ－１是断开的，继电器Ｊ不工作，其触点Ｊ－２也未闭合，所以电珠Ｌ不亮。一旦人工触动一下Ｋ２，Ｊ得电激活，对应的触点Ｊ－１、Ｊ－２闭合，Ｌ点亮。此时微动开关Ｋ２不再起作用（已自锁）。要使电珠Ｌ熄灭，只有断开电源开关Ｋ１使继电器释放，电珠Ｌ才会熄灭。所以该电路具有锁存器（Ｊ－１自锁）的功能。 图２电路是用单向可控硅ＳＣＲ代替图１中的继电器Ｊ，仍可完成图１的锁存器功能，即开关Ｋ１闭合时，电路不工作，电珠Ｌ不亮。当触动一下微动开关Ｋ２时，ＳＣＲ因电源电压通过Ｒ１对门极加电而被触发导通且自锁，Ｌ点亮，此时Ｋ２不再起作用，要使Ｌ熄灭，只有断开Ｋ１。由此可见，图２电路也具有锁存器的功能。图２与图１虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：（１）图１的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其Ｊ线圈和Ｌ的电流，但图２中，是利用ＳＣＲ自身导通完成锁存功能。（２）图１的Ｊ与控制器件Ｌ完全处于隔离状态，但图２中的ＳＣＲ与Ｌ不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图１和图２电路混合使用，完成所需的锁存器功能。 ２．单向可控硅ＳＣＲ振荡器。图３电路是利用ＳＣＲ的锁存性制作的低频振荡器电路。图中的扬声器ＬＳ（８Ω／０．５Ｗ）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过Ｒ１对Ｃ１充电，初始时，Ｃ１电压很低，Ａ、Ｂ端的电位器Ｗ的分压不能触发ＳＣＲ，ＳＣＲ不导通。当Ｃ１充得电压达到一定值时，Ａ、Ｂ端电压升高，ＳＣＲ被触发而导通。一旦ＳＣＲ导通，电容器Ｃ１通过ＳＣＲ和ＬＳ放电，结果Ａ、Ｂ端的电压又下降，当Ａ、Ｂ端电压下降到很低时，又使ＳＣＲ截止，一旦ＳＣＲ截止，电容器Ｃ１又通过Ｒ１充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ＬＳ发出响声。电路中的Ｗ可用来调节ＳＣＲ门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，Ｃ１取值为０．２２～４μＦ，电路均可正常工作。 ３．ＳＣＲ半波整流稳压电源。如图４电路，是一种输出电压为＋１２Ｖ的稳压电源。该电路的特点是变压器Ｂ将２２０Ｖ的电压变换为低压（１６～２０Ｖ），采用单向可控硅ＳＣＲ半波整流。ＳＣＲ的门极Ｇ从Ｒ１、Ｄ１和Ｄ２的回路中的Ｃ点取出约１３．４Ｖ的电压作为ＳＣＲ门阴间的偏置电压。电容器Ｃ１起滤波和储能作用。在输出ＣＤ端可获得约＋１２Ｖ的稳压。电路工作时，当Ａ点低压交流为正半周时，ＳＣＲ导通对Ｃ１充电。当充电电压接近Ｃ点电压或交流输入负半周时，ＳＣＲ截止，所以Ｃ１上充得电压（即输出端ＣＤ）不会高于Ｃ点的稳压值。只有储能电容Ｃ１输出端对负载放电，其电压低于Ｃ点电压时，在Ａ点的正半周电压才会给Ｃ１即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图４电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达２～３Ａ。
提高服务器高可用性的双网卡绑定聚合技术的应用
提高服务器可用性的多网卡绑定聚合技术的应用 王和平 摘要：通过NICExpress软件对服务器多网卡进行捆绑聚合，以实现增加带宽、负载均衡、故障自动转移等，从而达到服务器的高可靠性和高可用性。 关键词：网卡聚合；服务器；高可用性 一、引言 现今几乎各行各业内部都建立了自己的服务器，由于服务器的特殊地位，它的可靠性、可用性及其I/O速度就显得非常的重要，保持服务器的高可用性和安全性是企业IT环境的重要指标，其中最重要的一点是服务器网络连接的高可用性。本文通过NICExpress软件，通过实际部署服务器多网卡，以提高服务器网络连接的可用性，配合实现构建高可靠性的网络环境。 二、网卡聚合绑定的特点 网卡绑定聚合就是通过软件将多块网卡绑定为一个IP地址，使用起来就好象在使用一块网卡。网卡是计算机和外部联系的主要通道。个人计算机默认安装一块网卡，服务器基本配置应该安装两块网卡。如果服务器上仅安装一块网卡，建议管理员至少增加一块网卡。一块为主网卡，其他为备用网卡，然后再通过网线将对应的网卡连接到同一交换机上。在服务器和交换机之间建立主连接和备用连接。通过NICExpress虚拟网卡软件将多块网卡绑定为一块网卡，或称之为虚拟网卡组，然后为虚拟网卡组设置一个唯一的IP地址。安装多块网卡后，通过多网卡并发方式传输数据，有利于提高网络传输效率，提高系统性能。一旦网卡组中的任何一个物理连接断开，比如网卡出现故障或链路断开，系统软件将自动监测连接状态，出现故障的网卡将自动切换到其他网卡的物理连接上。 在服务器中部署多块网卡聚合绑定后，将具备如下特点： 1.增加带宽。假如网卡的带宽100Mbps，那么理论上两块网卡聚合绑定后的带宽就是200Mbps，三块网卡聚合绑定后的带宽就是300Mbps。当然实际上的效果是不会这样简单相加的，不过经实际测试使用多个网卡绑定对于增加带宽，保持带宽的稳定性肯定是有益的。经过实际测量，三块带宽为100Mbps的网卡绑定后传输总带宽可以达到260Mbps。 2.均衡负载。多块网卡聚合绑定，可以形成网卡冗余阵列、分担负载。多块网卡被聚合绑定成“一块网卡”之后，网卡之间同步工作，对服务器的访问流量被均衡分配到不同网卡上，从而减轻每块网卡的网络负载，增强服务器的并发访问能力，服务器性能。 3.故障自动切换。如果服务器中的任一网卡出现故障，那么其他网卡将自动接管全部负载，过程是无缝的，数据传输不会中断。服务器中的系统服务或者应用不会中断，增强服务器的可用性。 三、网卡绑定聚合的原则 在服务器中部署多块网卡绑定聚合应该遵循以下原则： 1.聚合绑定的网卡型号应该相同、性能指标要一致，否则运行过程中不稳定，容易出错甚至蓝屏。 2.最大网卡数量原则。绑定的网卡越多，总带宽的增加效果似乎就越明显；但其实还应该考虑到网卡绑定聚合后在运行过程中会过多占用服务器资源，反过来会在一定程度影响服务器的运行速度。所以，管理员可以参考计算机配置和管理软件所支持的最大网卡数量。 3.所有的网卡建议连接到同一台交换机上。 四、部署过程 下面以NICExpress软件实际部署为例，说明多网卡的绑定聚合过程。
晶闸管直流调速系统参数和环节特性的测定
晶闸管直流调速系统参数和环节特性的测定一、实验目的 （1）熟悉晶闸管直流调速系统的组成及其基本结构。 （2）掌握晶闸管直流调速系统参数及反馈环节测定方法。 二、实验原理 晶闸管直流调速系统由整流变压器、晶闸管整流调速装置、平波电抗器、电动机-发动机组等组成。 在本实验中，整流装置的主电路为三相桥式电路，控制电路可直接由给定电压U g作为触发器的移相控制电压U ct，改变U g的大小即可改变控制角α，从而获得可调直流电压，以满足实验要求。实验系统的组成原理如图1所示。 图1 晶闸管直流调速试验系统原理图
三、实验内容 （1） 测定晶闸管直流调速系统主电路总电阻值R 。 （2） 测定晶闸管直流调速系统主电路电感值L 。 （3） 测定直流电动机-直流发电机-测速发电机组的飞轮惯量GD 2。 （4） 测定晶闸管直流调速系统主电路电磁时间常数T d 。 （5） 测定直流电动机电势常数C e 和转矩常数C M 。 （6） 测定晶闸管直流调速系统机电时间常数T M 。 （7） 测定晶闸管触发及整流装置特性()ct d U f U =。 （8） 测定测速发电机特性()n f U TG =。 四、实验仿真 晶体管直流调速实验系统原理图如图1所示。该系统由给定信号、同步脉冲触发器、晶闸管整流桥、平波电抗器、直流电动机等部分组成。图2是采用面向电气原理图方法构成的晶闸管直流调速系统的仿真模型。下面介绍各部分的建模与参数设置过程。 4.1 系统的建模和模型参数设置 系统的建模包括主电路的建模与控制电路的建模两部分。 （1）主电路的建模与参数设置 由图2可见，开环直流调速系统的主电路由三相对称交流电压源、晶闸管整流桥、平波电抗器、直流电动机等部分组成。由于同步脉冲触发器与晶闸管整流桥是不可分割的两个环节，通常作为一个组合体来讨论，所以将触发器归到主电路进行建模。 ①三相对称交流电压源的建模和参数设置。首先从电源模块组中选取一个交流电压源模块，再用复制的方法得到三相电源的另两个电压源模块，并用模块标题名称修改方法将模块标签分别改为“A 相”、“B 相”、“C 相”，然后从元件模块
晶闸管的结构以及工作原理
一、晶闸管的基本结构 晶闸管（SemiconductorControlled Rectifier 简称SCR ）是一种四层结构（PNPN ）的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极，即阳极（A ）、阴极（K ）和门极（G ）。其符号表示法和器件剖面图如图1所示。 图1 符号表示法和器件剖面图 普通晶闸管是在N 型硅片中双向扩散P 型杂质（铝或硼），形成211P N P 结构，然后在2P 的大部分区域扩散N 型杂质（磷或锑）形成阴极，同时在2P 上引出门极，在1P 区域形成欧姆接触作为阳极。 图2、晶闸管载流子分布 二、晶闸管的伏安特性 晶闸管导通与关断两个状态是由阳极电压、阳极电流和门极电流共同决定的。通常用伏安特性曲线来描述它们之间的关系，如图3所示。 图3 晶闸管的伏安特性曲线 当晶闸管AK V 加正向电压时，1J 和3J 正偏，2J 反偏，外加电压几乎全部降落在2J 结上，2J 结起到阻断电流的作用。随着AK V 的增大，只要BO AK V V <，通过阳极电流A I 都很小，因而称此区域为正向阻断状态。当AK V 增大超过BO V 以后，阳极电流突然增大，特性曲线过负阻过程瞬间变到低电压、大电流状态。晶闸管流过由负载决定的通态电流T I ，器件压降为1V 左右，特性曲线CD 段对应的状态称为导通状态。通常将BO V 及其所对应的BO I 称之为正向转折电压和转折电流。晶闸管导通后能自身维持同态，从通态转换到断态，通常是不用门极信号而是由外部电路控制，即只有当电流小到称为维持电流H I 的某一临界值以下，器件才能被关断。 当晶闸管处于断态（BO AK V V <）时，如果使得门极相对于阴极为正，给门极通以电流G I ，那么晶闸管将在较低的电压下转折导通。转折电压BO V 以及转折电流BO I 都是G I 的函数，G I 越大，BO V 越小。如图3所示，晶闸管一旦导通后，即使去除门极信号，器件仍然然导通。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数 作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】 晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。 （一）正向转折电压VBO 晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。 （二）断态重复峰值电压VDRM 断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。 （三）通态平均电流IT 通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。（四）反向击穿电压VBR 反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。 （五）反向重复峰值电压VRRM 反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。此
电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。 （六）正向平均电压降VF 正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。 （七）门极触发电压VGT 门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。 (八)门极触发电流IGT 门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。 （九）门极反向电压 门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。 （十）维持电流IH 维持电流IH是指维持晶闸管导通的最小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。（十一）断态重复峰值电流IDR 断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向最大平均漏电电流值，一般小于100μA （十二）反向重复峰值电流IRRM 反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向最大漏电电流值，一般小于100μA。
Microsoft SQL Server 2012 Express 简体中文版套件介绍
Microsoft SQL Server 2012 Express 简体中文版套件介绍Microsoft? SQL Server? Express 是一个功能强大且可靠的免费数据管理系统，它为lightweight 网站和桌面应用程序提供丰富和可靠的数据存储。此下载具有易于部署以及可以快速设计原型的特点，它包括对Sysprep(用于Microsoft Windows 操作系统部署的Microsoft 的系统准备实用工具)的支持。 LocalDB(MSI 安装程序)LocalDB 是Express 系列中新增的一种轻型版本的Express，该版本具备所有可编程性功能，但在用户模式下运行，并且具有快速的零配置安装和必备组件要求较少的特点。如果您需要通过简单方式从代码中创建和使用数据库，则可使用此版本。此版本可与Visual Studio 之类的应用程序和数据库开发工具捆绑在一起，也可以与需要本地数据库的应用程序一起嵌入。Express(仅包含数据库引擎)核心Express 数据库服务器。如果您需要接受远程连接或以远程方式进行管理，则可使用此服务器。Express with Tools(带LocalDB)包含数据库引擎和SQL Server Management Studio Express此包包含将SQL Server 作为数据库服务器进行安装和配置所需的全部内容。根据您的上述需求来选择LocalDB 或Express。SQL Server Management Studio Express(仅包含工具)此版本不包含数据库，只包含用于管理SQL Server 实例的工具(包括LocalDB、SQL Express、SQL Azure 等)。如果您拥有数据库且只需要管理工具，则可使用此版本。该包包含LocalDB。Express with Advanced Services(包含数据库引擎、Express Tools、Reporting Services 和全文搜索)此包包含SQL Express 的所有组件。此包的下载大小大于“带有工具”的版本，因为它还同时包含“全文搜索”和Reporting Services。 ?LocalDB（MSI 安装程序） o LocalDB 是Express 系列中新增的一种轻型版本的Express，该版本具备所有可编程性功能，但在用户模式下运行，并且具有快速的零配置安装和 必备组件要求较少的特点。如果您需要通过简单方式从代码中创建和使用 数据库，则可使用此版本。此版本可与Visual Studio 之类的应用程序和数 据库开发工具捆绑在一起，也可以与需要本地数据库的应用程序一起嵌入。 ?Express（仅包含数据库引擎） o核心Express 数据库服务器。如果您需要接受远程连接或以远程方式进行管理，则可使用此服务器。 ?Express with Tools（带LocalDB）包含数据库引擎和SQL Server Management Studio Express o此包包含将SQL Server 作为数据库服务器进行安装和配置所需的全部内容。根据您的上述需求来选择LocalDB 或Express。 ?SQL Server Management Studio Express（仅包含工具） o此版本不包含数据库，只包含用于管理SQL Server 实例的工具（包括LocalDB、SQL Express、SQL Azure 等）。如果您拥有数据库且只需要管 理工具，则可使用此版本。该包包含LocalDB。 ?Express with Advanced Services（包含数据库引擎、Express Tools、Reporting Services 和全文搜索） o此包包含SQL Express 的所有组件。此包的下载大小大于“带有工具”的版本，因为它还同时包含“全文搜索”和Reporting Services。 o Microsoft SQL Server 2012 Express 简体中文版下载地址
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示 图1 可控硅等效图解图 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 状态条件说明 从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位 2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 2 可控硅的基本伏安特性见图2 图2 可控硅基本伏安特性 （1）反向特性 当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
电力电子技术考前模拟题(有答案)
电力电子技术考前模拟题 一、选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°，c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度，B，60度，C，30度，D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为 （B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D ) A、0o-90° B、0o-120° C、0o-150° D、0o-180° 15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。 A 、180度；B、60度；C、360度；D、120度； 16、可实现有源逆变的电路为A。 A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 17、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选A 时系统工作才可靠。 A、300~350 B、100~150 C、00~100 D、00 18、α= B度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度； B、60度； C、30度； D、120度； 19、变流装置的功率因数总是C。 A、大于1； B、等于1； C、小于1； 20、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在D 度。 A、0°-90°； B、30°-120°； C、60°-150°；。 D、90°-150°； 2、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围D。 A、0o--60o； B、0o--90o；。 C、0o--120o； D、0o--150o； 23、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是A。 A、0°～90° B、0°～180° C、90°～180° 24、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为D。 A、0.45U2； B、0.9U2； C、1.17U2； D、2.34U2； 26、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是A度。 A、0°-90°； B、30°-120°； C、60°-150°； D、90°-150°； 二、判断题 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
虚拟仪器实验 labviEW
实验一储液罐状态监控系统设计 一、实验目的 通过该系统设计，初步了解LabVIEW虚拟仪器设计软件的前面板、程序框图及各个选项板的功能。 二、实验内容 设计储液罐状态监控仿真系统，要求如下 1、监测一个储液罐的实际液位、温度、进口压力、出口压力 2、用曲线图显示被测量液位随时间的变化情况 3、液位超标时用指示器报警 4、手动和自动两种方式调节储液罐的液位高度 5、用调节步长按钮决定自动调节的快慢程度 6、设计储液罐状态监控系统前面板 三、实验步骤 1、前面板设计 整个贮液罐监控系统前面板需要的控件有：停止键、手自动切换、液位超标指示灯、步长调节旋钮、高度设定、实际高度显示、进出口压力显示、温度显示和实际液位高度波形图。 停止键、手自动切换、液位超标在新式布尔量控件中进行选择，步长调节旋钮在数值控件中选择旋钮、压力表在数值中选择量表控件，设定高度、实际高度、温度在数值控件中分别选择垂直指针滑动杆垂直填充滑动杆和温度计，液位高度波形图选择波形图表。 2、程序框图设计 程序采用While循环结构，结束用停止布尔按钮结束，除设定高度和调节步长是手动设置外，其他输入如压力和温度的设定均采用编程—数值—随机数的方式给定，手自动切换布尔量连接比较选项中的选择节点，用于切换手自动，液位超标将实际高度和超标高度比较，输出一布尔量。 四、实验结果
五、思考题 1、将整个VI设计成一个子VI。在另一个VI中调用。 在前面板右上角，编辑连线板，对VI的输入和输出对应控件进行编辑，然后保存，即可生成VI，可在其他VI中调用，在其他VI中的调用图如下：
实验二分组数据的练习 一、实验目的 通过该实验，熟悉LabVIEW中常用的分组数据：数组、簇及波形的使用。 二、实验内容 习题4-3到4-11。 三、实验步骤 4-3.4.5 前面板只有三个数组的显示控件，分别为原数组显示、原数组大小显示和转置后的数组显示,程序框图中建立一二维数组常量，将要显示的数组填入，并添加一二维显示控件，在数组中分别选择数组大小和二维数组转置节点，其后分别连接显示控件。 4-6 前面板中选择簇输入控件，并在簇中加入字符型输入控件，数值型输入控件，布尔型输入控件，然后添加一布尔型显示控件，用于提取簇元素注册的显示。程序框图中从簇与变体函数子选板中选择按名称解除捆绑函数，输入端连接簇输入控件的输出，然后选择“注册”后输出端连接布尔控件的输入端。 4-7 前面板中在“字符串与路径”控件中选择组合框控件，然后在它的属性编辑项中编辑5个人的姓氏拼音首字母，它们的值分别为各自的中文姓名，编辑好后建立一字符串显示控件，程序框图中将组合框的输出端与字符串显示控件连接即可。 4-8 前面中中建立一字符串显示控件，程序框图中在定时函数子选板中选择“获取日期时间/字符串”函数，然后放置两个字符串常量分别为班级和姓名，将日期、时间、班级、姓名四个字符串接入字符串选板中的“连接字符串”函数节点，该节点的输出端接入字符串显示控件的输入端。 4-9 前面板中建立一字符串显示控件，程序框图中建立五个随机数，然后均与常数10相乘得到0-10的随机数，选择字符串选板中的“连接字符串”函数节点，将相乘后的随机数接入输入端，在“连接字符串”的格式字符串端建立字符串常量定义格式为两位小数点，数之间用逗号隔开。 4-10 前面板中建立一个一维数组输入控件，建立一个一维数组输出控件，程序框图中建立一个For循环，用数组选板中的“一维数组移位”和“替换数组子集”，每次替换数组最后一个元素并进行移位，替换的新元素值为0-10的随机数，For循环建立移位寄存器，使移位后的数组能进入下次循环中。 4-11 已知标定数据，前面板中建立电压的数值输入控件和压力的数值输出控件，程序框图中用数组选板中的“以阈值插值一维数组”进行电压对压力的插值找到索引值，然后进行显示。 四、实验结果 4-3.4.5
晶闸管的结构及性能特点
晶闸管的结构及性能特点 (一）普通晶闸管 普通晶闸管（SCR）是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。 普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管组成的组合管，如图8-5所示。 当晶闸管反向连接（即A极接电源负端，K极接电源正端）时，无论门极G 所加电压是什么极性，晶闸管均处于阻断状态。当晶闸管正向连接（即A极接电源正端，K极接电源负端）时，若门极G所加触发电压为负时，则晶闸管也不导通，只有其门极G加上适当的正向触发电压时，晶闸管才能由阻断状态变为导通状态。此时，晶闸管阳极A极与阴极K极之间呈低阻导通状态，A、K 极之间压降约为1V。 普通晶闸管受触发导通后，其门极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K 之间仍保持正向电压，晶闸管将维持低阻导通状态。只有把阳极A电压撤除或
阳极A、阴极K之间电压极性发生改变（如交流过零）时，普通晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻阻断状态。普通晶闸管一旦阻断，即使其阳极A与阴极K 之间又重新加上正向电压，仍需在门极G和阴极K之间重新加上正向触发电压后方可导通。 普通晶闸管的导通与阻断状态相当于开关的闭合和断开状态，用它可以制成无触点电子开关，去控制直流电源电路。 （二）双向晶闸管 双向晶闸管（TRIAC）是由NPNPN五层半导体材料构成的，相当于两只普通晶闸管反相并联，它也有三个电极，分别是主电极T1、主电极T2和门极G。图8-6是双向晶闸管的结构和等效电路，图8-7是其电路图形符号。
双向晶闸管可以双向导通，即门极加上正或负的触发电压，均能触发双向晶闸管正、反两个方向导通。图8-8是其触发状态。
晶闸管的基本检测方法
晶闸管的基本检测方法 1.判别单向晶闸管的阳极、阴极和控制极 脱开电路板的单向晶闸管，阳极、阴极和控制极3个引脚一般没有特殊的标注，识别各个脚主要是通过检测各个引脚之间的正、负电阻值来进行的。晶闸管各个引脚之间的阻值都较大，当检测出现唯一一个小阻值时，此时黑表笔接的是控制极(G)，红表笔接的是阴极(K)，另外一个引脚就是阳极(A)。 2.判别单向晶闸管的好坏 脱开电路板的单向晶闸管，阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)明确标示；正常的单向闸管，阳极(A)、阴极(K)两个引脚之间的正、反向电阻，阳极(A)、控制极(G)两个引脚之间的正、反向电阻的阻值应该都很大，阴极(K)、控制极(G)两个引脚之间的正向电阻应该远小于反向电阻。并且阳极(A)、阴极(K)两个引脚之间的正向电阻越大，单向晶闸管阳极的正向阻断特性越好;反向电阻越大，单向晶闸管阳极的反向阻断特性越好。 3.判别双向晶闸管的好坏 脱开电路板的双向晶闸管，第一电极(T1)、第二电极(T2)、控制极(G)明确。判断双向晶闸管的好坏，主要是看短路前第二电极(T2)和第一电极(T1)之间阻值接近无穷大，第二电极（T2)与控制极(G)引脚短路，短路后晶闸管触发导通，第二电极(T2)·和第一电极（T1）之间的电阻变小，有固定值。可以断定该双向晶闸管具备双向触发能力，性能基本良好。 4.晶闸管的代换原则 晶闸管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，采用不同类型的晶闸管。选用与代换晶闸管时，主要应考虑其额定峰值电压、额定电流、正向压降、门极触发电流及触发电压、开关速度等参数，额定峰值电压和额定电流均应高于工作电路的最大工作电压和最大工作电流1.5～2倍，代换时最好选用同类型、同特性、同外形的晶闸管替换。 普通晶闸管一般被用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源，开关电源保护等电路。 双向晶闸管一般被用于交流开关、交流调压、交流电动机线性凋速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路。 逆导晶闸管一般被用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能贮存系统及开关电源等电路。 光控晶闸管一般被用于光电耀合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路等。 BTC晶体管一般被用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等。 门极关断晶闸管一般被用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等。
KGPF(S)晶闸管中频电源简介
西普公司简介 西安西普电力电子有限公司系西安电力电子技术研究所和台湾普传股份有限公司于1991年合资兴办的高新技术企业，专门从事各种电力电子产品的开发、生产、销售以及相关领域的工程配套、系统设计、技术咨询、技术服务。 西普公司注册资本360万元。经过几年的经营积累和投资者的股利重投，目前公司总资产为1200万元。公司拥有能够满足各种电力电子产品开发和生产要求的先进仪器设备，适合规模化生产经营的标准厂房2500平方米。 西普公司现有员工33人，高级工程师7人，工程师10人，大专以上学历者占公司总人数的90%。技术实力较为雄厚，更有中方投资者、技术一流的西安电力电子技术研究所强大的技术人才后盾。 西普公司不仅拥有能满足不同层次用户需求的交流变频调速器，可与任何进口品牌相媲美的交流电动机软起动器，技术性能达到国际先进水平的高频感应加热电源，技术先进成熟可靠的电化学电源、中频感应加热电源以及与上述产品相关的成套电气控制产品外；还拥有为用户专门设计、制造各种特殊技术要求的电力电子装置的专业技术能力和商业运行经验。因此，产品行销各个行业，被众多用户所肯定，并在许多重大工程项目中屡屡中标。 西普公司与LENZE、SIEMENS、ROCKWELL、ABB、MEIDEND、MITSUBISHI ELECTRIC等国际一流公司保持长期的技术交流和业务合作，是国内技术实力和服务能力最强的进口电气传动、工业控制类产品的系统集成商之一。 西普公司是西安科委于九一年首批核准进入高新开发区的高新技术企业，多次被开发区评为优秀企业，九二年又被市外经贸委认定为三资企业的两类企业——先进技术企业。西普公司始终以市场为导向，以高新技术为依托，不断地研制开发出符合市场需求的高新技术产品，自成立以来一直业绩骄人，获得各界人士关注，新闻媒体多次宣传报导。九三年六月十四日，江泽民主席在国家及省市领导的陪同下饶有兴致地视察了西普公司并给予良好的评价。 辉煌已成历史，脚下依然坎坷，但自豪与成就将激励着西普人，一往无前，踏坎坷成大道，对社会做出更大贡献。结合本公司实际，建立健全质量体系，提高管理水平；以优良的产品，一流的服务，报效顾客，服务社会。