半导体器件附答案
第一章、半导体器件（附答案）
一、选择题
1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________
A. B. C.
3．稳压管的稳压是其工作在 ________
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿区
4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________
A. 结型场效应管
B. 增强型 MOS 管
C. 耗尽型 MOS 管
5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 既有多数载流子又有少数载流子
6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____
A. 增加
B. 减少
C. 不变
7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测
量结果 ______
A. 相同
B. 第一次测量植比第二次大
C. 第一次测量植比第二次小
8．面接触型二极管适用于 ____
A. 高频检波电路
B. 工频整流电路
9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____
A. 2CZ11
B. 2CP10
C. 2CW11
D.2AP6
10．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。若其他参数不变，当温度上
升到40℃，则D U 的大小将 ____
A. 等于 0.7V
B. 大于 0.7V
C. 小于 0.7V
11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____
A. 两种
B. 三种
C. 四种
12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输
出电压O U 为 _____
A. 6V
B. 7V
C. 0V
D. 1V
13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）
A. 两种
B. 三种
C. 四种
14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __
（2）__有很大关系。
（1）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
（2）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
15．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当 PN 结
外加反向电压时，扩散电流 __（3）__漂移电流，耗尽层 __（4）__。
（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变
（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变
（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变
（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F . 不变
16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最
好？
表 1.6
管号
加 0.5V 正向 电压时的电流 加反向电压 时的电流 哪个性能好？ 甲
0.5mA 1uA （） 乙
5 Ma 0.1 uA （） 丙 2 mA 5 uA （）
A. 甲
B. 乙
C. 丙
17. 一个硅二极管在正向电压V U D 6.0=时，正向电流mA I D 10=。若D U 增大到0.66V
（即增加10%），则电流D I ________
A. 约为11mA （也增加10%）
B. 约为20mA （增大1倍）
C. 约为100mA （增大到原先的10倍）
D. 仍为10 mA （基本不变）
18. 在如下图所示的电路中，当电源V1=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整V1=10V ，
则电流的大小将V1=5V 是 ________。
A. I =2mA
B. I 〈2mA
C. I 〉2mA
21. 在P 型半导体中，多数载流子是 _（1）_，在N 型半导体中，多数载流子是 _（2）
（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴
（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴
23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。
A. 自由电子数目增加，空穴数目不变
B. 空穴数目增加，自由电子数目不变
C. 自由电子和空穴数目等量增加
24. N 型半导体__（1）__， P 型半导体__（2）__。
（1）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性
（2）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性
26. PN 结外加反向电压时，其电场________。
A. 减弱
B. 不变
C. 增强
27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。
A. 大于
B. 小于
C. 等于
28. 在本征半导体中加入__（1）__ 元素可形成N 型半导体，加入__（2）__ 元素可形成P 型半导体。
（1） A. 五价 B. 四价 C. 三价
（2） A. 五价 B. 四价 C. 三价
29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _________
A. 增大
B. 不变
C. 减小
30. 工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12μA 增大22μ A 时，C I 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 __________
A. 83
B. 91
C. 100
31. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。
（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V
（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V
二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)
1. P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（Y ） （N ）
2. 在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P 型半导体。（Y ） （N ）
3. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（Y ） （N ）
4. PN 结的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（Y ） （N ）
5. 漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（Y ） （N ）
6. 由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（Y ） （N ）
7. PN 结方程可以描述 PN 结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。（Y ） （N ）
8．N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。（Y ） （N ）
11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（Y ） （N ）
12．当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。（Y ） （N ）
13．通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（Y ） （N ）
14．通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。 （Y ） （N ）
15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。 （Y ） （N ）
16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。（Y ） （N ）
17． P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。（Y ） （N ）
18． PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （Y ） （N ）
19． 半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。（Y ） （N ）
21．当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由P 型和N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。（Y）（N）
22．用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。（Y）（N）
24．用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用R × 1 档测出的电阻值和用R × 100 挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。（Y）（N）
25．漂移电流是少数载流子形成的。（Y）（N）
26．当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P 型和N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（Y）（N）
27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。（Y）（N）
28. 正偏时二极管的动态阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。（Y）（N）
29. 发光二极管部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V 。（Y）（N）
30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。（Y）（N）
31. 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。（Y）（N）
32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。（Y）（N）
33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。（Y）（N）
34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。（Y）（N）
35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。（Y）（N）
36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为P 型半导体。（Y）（N）37．漂移电流是在电场作用先形成的。（Y）（N）
38．导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（Y）（N）
39．导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。（Y）（N）
40．施主杂质成为离子后是正离子。（Y）（N）
41．受主杂质成为离子后是负离子。（Y）（N）
43．极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。（Y）（N）
题目系电力高等专科学校精品课程—电子技术基础
211.82.16.84/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp
其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。liuyj_chuxi163.
答案：
选择题：
1~5. ACCAB 6~10. ACBDC
第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。
11~15. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D
11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2，若都正接即导通状态时，稳定电压为07V+0.7V＝1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4个稳压值。
13题中，稳压管D1和普通二极管D2，D1的稳定电压是V1，二者的正向导通电压都是0.7V，
当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若D1反接，D2正接，则稳压值为V1+0.7V ，当二者都正接，则稳压值为0.7+0.7＝1.4V ，若D1正接，D2反接，则输出仍为输入电压。 故只有两种稳压值。
16.B 17.C 18.C
17题中，正向电流与正向电压的关系为第2题C 中的公式，电流随电压按指数形式增加。 18题中，原题无图，故从别的资料中找到的一幅图，序号不相对应。
21.（1）D （2）B 23.C 24.（1）C （2）C
26.C 27.A 28.（1）A （2）C 29.A 30.C
31.（1）C （2）B
注意：锗二极管和硅二极管的正向压降、死区电压和反向饱和电流的取值围如下所示：
一般典型值锗管V V on 3.0=，V V th 1.0=，硅管V V on 7.0=，V V th 5.0=
此处选项只有0.2V ，故第（2）选B 。
判断题：
1~5. NYNYY 6~8. NNN
11.N 12.N 13.N 14.N 15.N
11题与选择题第5题类似，对PN 结加正向电压，扩散运动大于漂移运动，PN 结的电流便由起支配地位的扩散电流所决定；对PN 结加反向电压，漂移运动大于扩散运动，PN 结的电流便由起支配地位的漂移电流所决定。
12题中PN 结的结电容是势垒电容和扩散电容的总效果，结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN 结处于正向偏置时，正向电阻很小，结电容较大，主要取决于扩散电容；当PN 结处于反向偏置时，反向电阻很大，结电容较小，主要取决于势垒电容。当反向电压增加时，PN 结厚度增大，PN 结厚度跟势垒电容的关系，类似平板电容器跟极间距离成反比的关系。故PN 结的结电容应该是减小。
16.Y 17.N 18.N 19.Y
18题半导体的电导率很高，但掺入微量杂质后，电阻率会发生很大的变化，导电能力可增加几十万乃至几百万倍。
21.Y 22.N 24.N 25.Y
26~30.YNYNY
29题中
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V ，锗管正向管压降为0.3V ,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
1. 直插超亮发光二极管压降
主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下： 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V
绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V
正常发光时的额定电流约为20mA。
2. 贴片LED压降
红色的压降为1.82-1.88V，电流5-8mA
绿色的压降为1.75-1.82V，电流3-5mA
橙色的压降为1.7-1.8V，电流3-5mA
兰色的压降为3.1-3.3V，电流8-10mA
白色的压降为3-3.2V，电流10-15mA.
LED压降及电流
1﹑黃綠(565-575nm)﹑黃(585-595nm)﹑紅(600-650nm) led的壓降在1.8-2.4v(平均2.0v)﹔
工作電流20ma = (5.0-2.0)v/150Ω
2﹑藍(465-475nm)﹑綠(500-535nm)﹑白光
led的壓降在2.8-4.0v(平均3.3v)﹔
工作電流20ma = (5.0-3.3)v/85Ω
3.1﹑5.0指led和限流電阻兩端的輸入電壓﹔
3.2﹑被減去的壓降是led的壓降﹔
3.3﹑阻值是根據led 20ma工作時﹐電阻需要承擔的
壓降計算得知的
以上計算都是根據led 的20ma工作平均壓降計算的
LED的正向壓降:不同光(波長),會不同.
最大工作電流:30mA/25℃:一般亮度的可見光;
50-300mA/℃:高亮度的可見光LED；
31~35.NYNNN
36~40.YYYYY
41.Y 43.N.