电子系毕业设计模板
摘要
随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash仍是非挥发存储技术的主流，占据了非挥发存储器市场约90%的份额，但随着半导体工艺技术代的不断推进，Flash遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄。
关键词：非挥发存储器; 阻变存储器; 灵敏放大器;
Abstract
With the growing popularity of portable electronic devices, people’s requirement for high-density, high-speed, low-power and low-cost nonvolatile memory is also increasing.
Keywords: Nonvolatile Memory; Resistive Random Access Memory
目录
摘要................................................................................................. I Abstract ............................................................................................ II 目录.............................................................................................. I II 第1章绪论. (1)
1.1 研究意义 (1)
1.2 新兴非挥发存储器 (1)
第6章总结和展望 (1)
6.1 总结 (1)
6.2 展望 (1)
参考文献 (2)
附录1 英文原文
附录2 中文译文
附录3 电路原理图
附录4 关键程序
正文之前的页码用希腊字母，从绪论开始使用数字表示页码
第1章绪论
1.1 研究意义
二十一世纪的社会是信息化的社会，而信息化社会的重要标志就是电子化，虚拟化的生活逐渐在社会中其主导作用，以‘0’和‘1’为表征。
1.2 新兴非挥发存储器
随着制作工艺的限制，传统flash的研究遇到很大的瓶颈，下面介绍四种新兴非挥发存储器。
1.2.1 磁阻式随机存取存储器
MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）的设计十分具有吸引力，作为一种非易失性存储器，它拥有低压操作的潜能，耐循环擦写能力强，同DRAM比较同样能进行高速操作，集成度高。MRAM使用一个磁性隧道结存储器单元结构，放大隧道式磁阻（Tunneling Magneto Resistance，TMR）效应[1]。这个结构利用根据磁通量方向增加电阻的原理在写操作过程中，通过磁通量的存在和缺省对电阻级别进行控制，然后，在读操作过程中，电流以磁通量阻值为依据，存储为0或1，如图1.1所示。
图1.1 隧穿结的基本结构和原理
表1.1对各种上文介绍的不挥发存储器的比较，可以得出如下结论：RRAM的存储材料相比其他不挥发存储器具有更好的CMOS工艺兼容性，因此，比较容易实现高密度、低成本生产制造。它同时具有低功耗的优点，另外在疲劳特性、速度、按比例缩小等方面都具有相当的潜力。
表1.1各种不同不挥发存储器性能比较
()
注意事项
1．正文之前的页码使用I, II, III 等希腊字母，从第一章开始使用数字作为页码
2．正文中的括号使用（），不能使用()
3．子标题的级别：
1. 当前级别
（）下一级别
①更低一级
4．参考文献前面使用[1], [2], [3] 等作为序号
5．表的标题是五号字体，放在表的上面，标题与正文的行距比正文的行距多0.5行，例如，正文的行距为1.5倍行距，则标题与正文的行距为2倍行距。
6．图的标题是五号字体，放在图的下面，标题与正文的行距比正文的行距多0.5行，例如，正文的行距为1.5倍行距，则标题与正文的行距为2倍行距。
7．图和表的标题，每章单独排序，
如第二章的第三张表为表2.3 数据比较
如第三章的第四张图为图3.4 硬件架构
8．论文中的式子居中，式号在最右边，式子使用mathtype插入，如：
s
v
（4.1）
t
引用的时候，如下规范：是速度可采用式（4.1）进行计算。9．编辑word 文档的时候要打开“显示/隐藏文档标记”，如图3.1 所
示。
图 3.1 打开文档标记
10．整片文档中，英文数字使用Time New Roman
11．整篇文档中药注意中文逗号（，，，，，，，）和英文逗号“,,,,,,,,,,,”的区别。
12．论文中不能出现“我”、“我们”、“本人”等人称代词，应使用“本文”
13 对于英文缩写的解释整个论文中只能出现一次，以后不需要重复解
释。对英文缩写的解释既要有英文全称，也要有中文名称，如：MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器）
14．参考文献的格式学校规定篇数不能少于8篇，英文不少于2篇。
期刊要有年份，期、卷和页码，标记为[J]. 书刊的标志为[M]，具体可参照学校的标准。
期刊后面的页码是指文章在所在当前期刊的页码，不是指在毕业论文中的页码
第6章总结和展望
6.1 总结
自己做的东东。
6.2 展望
存在的不足和下一步要做的东西。
参考文献
[1] Yang J. J., Pickett M. D., Li X. M., et al. Memristive switching mechanism for metal oxide metal nano devices [J]. Nature Nano technology, 2008, 160(3) : 429-433.
[2] Wei Z., Kanzawa Y., Arita K, et al. Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanism[C]. IEDM Tech Dig, 2008: 293-296.
[3] 李萌, 陈刚, 林殷茵,一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案[J],半导体检测与测试技术, 2012, 2(4): 1003-3536.
[4] 万海军.电阻存储器RR脚的可靠性研究[D], 上海：复旦大学，2010.