MSP430F149单片机

MSP430F149单片机基础知识

1、FCTL1寄存器

该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程的控制位。其中高8位为安全键值，该字段读出的内容总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。

下面分别对低8位进行介绍：

BLKWRT B it7 按块写模式位。复位值为0，在进行块写操作时，WRT位必须置1；当

设置EMEX位时，BLKWRT自动复位。

0块写模式关闭；

1块写模式开启。

WRT B it6 写模式使能位。复位值为0，当设置EMEX位时，WRT自动复位。

0不能进行写操作；

1写操作允许。

MERAS、ERASE Bits2-1 该两位用来控制擦除方式选择位。复位值为0。当设置EMEX位时，这

两位自动复位。

00不擦除；

01只擦除单个段；

10擦除所有的主程序区；

11擦除所有的主程序区和信息区。

2、FCTL2寄存器

该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程所需要的时序时错钟。其中高8位为安全键值，该字段读出的内容总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。

下面分别对低8位进行介绍：

FSSELx B it7~6 该两位用来定义Flash模块控制器时钟源的选择。复位值为01。

00 ACLK；10 SMCLK；

01 MCLK；11 SMCLK。

FNx B it5~0 这6位定义了分频系数。分频系数为FN5~FN0的值。如当FN5~FN0

的值为2时，其分频系数为3。复位值为1,分频系数为2.。

3、FCTL3寄存器

该寄存器定义了Flash模块的擦除和编程操作的一些标志位。其中高8位为安全键值，该字段读出的内容总是96H，写入时必须为A5H，否则不能进行操作。

下面分别对低8位进行介绍：

EMEX B it5 紧急退出位。当该位为1时，则产即退出对Flash的操作。

LOCK B it4 保护位。

0不加锁，可以对Flash操作；

1加锁，这时不能对Flash进行写和擦除操作。

WAIT Bit3 等待指示位。该位显示Flash正在进行写操作。

0还没准备好，此时不能进行写操作；

1Flash准备好下一次写操作。

ACCVIFG Bit2 违反访问中断标志。该位只能软件清零。

0没有中断挂起；

1有中断挂起。

KEYV Bit1. 安全值错误标志。

0安全值正确；

1安全值错误。

BUSY Bit0 忙标志。

0不忙；

1忙。

4、IE1寄存器

rw-0

该位是用来允许违反中断访问的控制位。当该位为1时，中断允许；当该位为0时，中断禁止。

下面的程序为具体的写内部Flash的实例，往内部信息段的三个地址写入数据1、2、3,三个地址分别为0x1080、0x1083、0x1085。在芯片写入数据前首先要把Flash擦除，擦除后的Flash数据全部为0xFF，之后才能进行写操作。程序运行后，读者可以通过IAR IDE 查看内部Flash的数据。

#include

#define uchar unsigned char

#define uint unsigned int

void write_Seg (unsigned char value,unsigned int add)

unsigned char temp[128]

void int_clk()

{

uchar I;

BCSCTL1&=~XT2OFF; //打开XT振荡器

BCSCTL2|=SELM1+SELS; //MCLK为8MHz，SMCLK为1MHz

{

IFG1&=~OFIFG; //清除振荡错误标志

for(i=0;i<100;i++)

_nop() //延时等待

}

While ((IFG1&OFIFG)!=0); //如果标志为1,则继续循环等待

IFG1&=~OFIFG;

}

Delay()

{

Unsigned int i=0;

For(i=0;i<=1000;i++)

;

}

Void eraseFlashSegment(unsignged int add)

{

Unsigned char *ptrFlash;

ptrFlash=(unsignge char *)add;

FCTL1= FWKEY+WRASE; //使能擦除位

FCTL3=FWKEY; //清除锁定位

*ptrFlash=0x00;

Delay()

Delay()

FCTL3=FWEY+LOCK; //置锁定位为1

}

Void write_Sen(unsigned char value,unsigned int add)

{

Unsigned char *Flash_prt; //Flash访问指针

Flash_prt=(unsigned char *)add; //初始化指针

FCTL3=FWKEY; //清除锁定位

FCTL1=FWKEY+WRT; //使能写使能位

While(BUSY&FCTL3);

*Flash_prt=value;

FCTL1=FWKEY; //清除写使能

FCTL3=FWKEY+LOCK; //置锁定位为1

}

Void main(void)

{

WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD; //禁止看门狗

Int_clk();

FCTL2=FWKEY+FSSEL0+FN0; //MCLK/2作为Flash操作时序的时钟Generator

eraseFlashSegment(ox1080); //擦除SegmentA Flash

write_Seg(1,0x1080); //写地址0x1080为1

write_Seg(2,0x1083); //写地址0x1083为2

write_Seg(3,0x1085); //写地址0x1085为3

while(1);

}

通过上面的程序可以看出，只要设置好FCTL1、FCTL2、FCTL3和IE1就可以对Flash模块进行适当的读/写操作。