模拟电子技术第二章课后习题答案

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第二章基本放大电路

自测题

一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()

(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()

(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()

(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()

(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()

(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()

(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×

二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2

解:(a)不能。因为输入信号被V B B短路。

(b)可能。

(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e)不能。因为输入信号被C2短路。

(f)不能。因为输出信号被V C C短路,恒为零。

(g)可能。

(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。

(i)不能。因为T截止

R=

三、在图T2.3所示电路中,已知V C C=12V,晶体管的 =100,'

b 100kΩ。填空:要求先填文字表达式后填得数。

U =0V时,测得U B E Q=0.7V,若

(1)当

i

要基极电流I B Q=20μA,则'

b

=≈kΩ;而若测得U C E Q

=6V,则R c=≈kΩ。

(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'

o U =0.6V , 则

电压放大倍数

u

A = ≈ 。 若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载

后输出电压有效值o U = = V 。

解:(1)3 )

( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ,;,I U V I U V β-- 。

(2)0.3

120 '

o L

C L i o U R R R U U ?-+;- 。

四、已知图T2.3所示电路中V C C =12V ,R C =3k Ω,静态管压降U C E Q =6V ;并在输出端加负载电阻R L ,其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。

(1)该电路的最大不失真输出电压有效值U o m ≈ ; A.2V

B.3V

C.6V

(2)当i

U =1mV 时,若在不失真的条件下,减小R W ,则输出电压的幅值将 ;

A.减小

B.不变

C.增大

(3)在i

U =1mV 时,将R w 调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将 ;

A.顶部失真

B.底部失真

C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将 。 A.R W 减小

B.R c 减小

C.V C C 减小

解:(1)A (2)C (增大BQ I 使CQ I 增大,进而使V A 增大) (3)B (4)B

五、现有直接耦合基本放大电路如下: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路

E.共漏电路

它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示;设图中R e

选择正确答案填入空内,只需填A 、B 、……

(1)输入电阻最小的电路是 ,最大的是 ; (2)输出电阻最小的电路是 ; (3)有电压放大作用的电路是 ;

(4)有电流放大作用的电路是;

(5)高频特性最好的电路是;

(6)输入电压与输出电压同相的电路是;反相的电路是。

解:(1)C,D E (2)B (3)A C D

(4)A B D E (5)C (6)B C E, A D

六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大。要求给出两种方案。

解:根据电路接法,可分别采用耗尽型N沟

道和P沟道MOS管,如解图T2.6所示。

图T2.6 解图T2.6

习题

2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

图P2.2

解:(a)将-V C C改为+V C C。

(b)在+V C C与基极之间加R b。

(c)将V B B反接,且在输入端串联一个电阻。

(d)在V B B支路加R b,在-V C C与集电极之间加R c。

2.2 画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流

信号均可视为短路。

图P2.2

解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。

图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示;

解图P2.2

2.4 电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时U B E Q =0.7V。利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m(有效值)。

图P2.4

解:空载时:I B Q=20μA,I C Q=2mA,U C E Q=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。

带载时:I B Q=20μA,I C Q=2mA,U C E Q=3V;最大不失真输出电压峰

值约为2.3V ,有效值约为1.63V 。

如解图P2.4所示。

解图P 2.4

2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,r b e =1k Ω,i

U =20mV ;静态时U B E Q =0.7V ,U C E Q =4V ,I B Q =20μA 。判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

图P 2.5

(1)200102043

-=?-=-u

A ( ) (2)71.57.04-≈-=u

A ( ) (3)4001

580-=?-=u A ( ) (4)2001

5.280-=?-=u

A ( )

(5)Ω=Ω=k 1k )2020(

i R ( ) (6) Ω=Ω=k 35k )02

.07.0(i R ( ) (7)Ω≈k 3i R ( ) (8)Ω≈k 1i R ( )

(9)Ω≈k 5o R ( ) (10)Ω≈k 5.2o R ( )

(11)s U ≈20mV ( ) (12)s

U ≈60mV ( )

解:(1)× (2)× (3)× (4)√ (5)× (6)× (7)× (8)√ (9)√ (10)× (11)× (12)√

2.6 电路如图P2.6所示,已知晶体管β=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设V C C =12V ,晶体管饱和管压降U C E S =0.5V 。

(1)正常情况 (2)R b 1短路 (3)R b 1开路

(4)R b 2开路 (5)R C 短路

图P 2.6

解:设U B E =0.7V 。则 (1) 基极静态电流

V

4.6mA 022.0c C CC C b1BE

b2BE CC B ≈-=≈--=

R I V U R U R U V I

(2)由于U B E =0V ,T 截止,U C =12V 。 (3)临界饱和基极电流 mA 045.0 c

CES

CC BS ≈-=R U V I β

实际基极电流

mA 22.0 b2

BE

CC B ≈-=

R U V I

由于I B >I B S ,故T 饱和,U C =U C E S =0.5V 。 (4)T 截止,U C =12V 。

(5)由于集电极直接接直流电源,U C =V C C =12V

2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80,'bb r =100Ω。分别计算R L =∞

和R L =3k Ω时的Q 点、u

A 、R i 和R o 。

图P 2.7

解 2.7 在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r b e 均相等,它们分别为

Ω≈++=≈=≈-

-=

k 3.1mV

26)

1(mA

76.1 A

μ 22EQ

bb'be BQ CQ BEQ b

BEQ

CC BQ I r r I I R

U R U V I ββ

空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为

Ω

==-≈?+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308

V 2.6 c o be

s be

be

be b i be

c

c CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U u

us

u

∥β

R L =5k Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为

47115

V

3.2)(be

s be

be

'L

L c CQ L

c L

CEQ -≈?+≈-≈-=≈-+=

u

us

u

A r R r A r R A R R I R R R U β∥

Ω

==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥

2.9 已知图P2.9所示电路中晶体管的β =100,r b e =1k Ω。 (1)现已测得静态管压降U C E Q =6V ,估算R b 约为多少千欧;

(2)若测得i U 和o

U 的有效值分别为1mV 和100mV ,则负载电阻R L 为多少千欧?

图P 2.9

解:(1)求解R b

Ω

≈-=

==

=-=

k 565μA

20mA

2BQ

BEQ

CC b CQ

BQ c CEQ

CC CQ I U V R I I R U V I β

(2)求解R L :

Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L L

c 'L be

'

L i o R R R R r R A U U A u u β

2.10 在图P2.9所示电路中,设静态时I C Q =2mA ,晶体管饱和管压降U C E S =0.6V 。试问:当负载电阻R L =∞和R L =3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?

解:由于I C Q =2mA ,所以U C E Q =V C C -I C Q R c =6V 。

空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故 V 82.32

CES

CEQ om ≈-=

U U U

Ω=k 3L R 时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故

V 12.22

'

L

CQ om ≈=

R I U

2.11 电路如图P2.11所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。

(1)求电路的Q 点、u

A 、R i 和R o ; (2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?

图P 2.11

解:(1)静态分析:

V

7.5)( A μ 101mA

1

V 2e f c EQ CEQ

EQ

BQ e f BEQ

BQ EQ CC b2b1b1

BQ =++-≈≈+=≈+-=

=?+≈

R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β

动态分析:

Ω

==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7

.7)1()(k 73.2mV

26)

1(c o f be b2b1i f

be L c EQ

bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥

(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A 减小,e

f 'L R R R A u

+-≈ ≈-1.92。

2.3 试求出图P2.2(a )所示电路Q 点、u

A 、R i 和R o 的表达式。 解:Q 点为

c

BQ CC CEQ BQ CQ c

21BEQ CC BQ )1(

)1(R I V U I I R R R U V I βββ+-==+++-=

u

A 、R i 和R o 的表达式分别为 3

2o 1be i be

32 , , R R R R r R r R R A u ∥∥∥==-=β

2.3 试求出图P2.2(b )所示电路Q 点、u

A 、R i 和R o 的表达式。设静态时R 2中的电流远大于T 的基极电流。

解: Q 点:

BEQ

c CQ CC CEQ BQ CQ 132BEQ CC 3

22

BQ

]

)1([)(

U R I V U I I R R R U V R R R I +-==-+=ββ++∥

u

A 、R i 和R o 的表达式分别为

4

o be

1i be

4 1 R R r R R r R A u

=+==β

β∥

2.3 试求出图P2.2(c )所示电路Q 点、u

A 、R i 和R o 的表达式。设静态时R 2中的电流远大于T 2管的基极电流且R 3中的电流远大于T 1管的基极电流。 解:两只晶体管的静态电流、管压降分析如下:

BEQ2

BQ2CQ2CEQ2BEQ2

BQ2CEQ1BEQ1

BEQ1CC 2

12

BQ24CQ2CC CQ2BQ1

CQ1CQ23

BEQ12

1BEQ1

CC BQ1)(

U U U U U U U U U V R R R U R I V U I I I R U R R U V I +==+-+≈

-==≈-

+-≈

--β

u

A 、R i 和R o 的表达式分析如下: 4

o be132i 2

1be2

422

be1

2be2

11

1R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ====+?

-=∥∥ βββ

2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,r b e =1k Ω。 (1)求出Q 点;

(2)分别求出R L =∞和R L =3k Ω时电路的u

A 和R i ; (3)求出R o 。

图P 2.12

解:(1)求解Q 点:

V

17.7mA

61.2)1(A

μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e

b BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=

R I V U I I R R U V I ββ

(2)求解输入电阻和电压放大倍数: R L =∞时

996

.0)1()1(k 110])1([e

be e

e be b i ≈+++=

Ω

≈++=R r R A R r R R u βββ

R L =3k Ω时

992

.0)

)(1()

)(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω

≈++=R R r R R A R R r R R u

∥∥∥∥βββ

(3)求解输出电阻: Ω≈++=371be

b s e o β

r R R R R ∥∥

2.13 电路如图P2.13所示,晶体管的β=60,'bb r =100Ω。

(1)求解Q 点、u

A 、R i 和R o ;

(2)设s U =10mV (有效值),问i U =?o U =?若C 3开路,则i U =?o U =?

图P 2.13

解:(1)Q 点:

V

56.4)(mA

86.1 A

μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e

b BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=

R R I V U I I R R U V I ββ

u

A 、R i 和R o 的分析:

Ω

==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95

)

( 952 952mV

26)

1( c o be

L c be b i EQ

bb'be R R r R R A r R R I r r u

∥∥ββ

(2)设s U =10mV (有效值),则

mV 304 mV

2.3 i

o s i s i

i ≈=≈?+=

U A U U R R R U u 若C 3开路,则

mV 4.14mV

6.95.1k 3.51])1([i

o i

s i

i e L c e be b i ≈=≈?+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u

∥∥β

2.14改正图P2.14所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

图P 2.14

解:(a )源极加电阻R S 。 (b )漏极加电阻R D 。 (c )输入端加耦合电容。

(d )在R g 支路加-V G G ,+V D D 改为-V D D

改正电路如解图P2.14所示。

解图P2.14

2.15已知图P2.15(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)

(c)所示。

(1)利用图解法求解Q点;

A 、R i和R o。

(2)利用等效电路法求解

u

解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。如解图P2.21(a )所示。

解图P 2.21

在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。如解图P2.21(b )所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。 mA/V 12DQ DSS GS(off)

GS

D

m DS

=-=

??=

I I U u i g U

Ω

==Ω==-=-=k 5

M 1 5D o i D

m R R R R R g A g u

2.16 已知图P2.16(a )所示电路中场效应管的转移特性如图(b )所示。

求解电路的Q 点和u

A 。

解:(1)求Q 点:

根据电路图可知, U G S Q =V G G =3V 。 从转移特性查得,当U G S Q =3V 时的漏极电流 I D Q =1mA

因此管压降 U D S Q =V D D -I D Q R D =5V 。 (2)求电压放大倍数:

20V

mA 22D

m DO DQ GS(th)

m -=-===

R g A I I U g u

2.17电路如图P.2.17所示,已知场效应管的低频跨导为g m ,试写出u

A 、R i 和R o 的表达式。

解:u

A 、R i 和R o 的表达式分别为 D

o 2

13i L

D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥

图P 2.17

2.18 图P2.18中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NPN 型、PNP 型、N 沟道结型……)及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s )。

解:(a)不能。(b)不能。

(c)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。

(d)不能。(e)不能。

(f)PNP型管,上端为发射极,中端为基极,下端为集电极。

(g)构成NPN型管,上端为集电极,中端为基极,下端为发射极。

《基础会计学》第二章课后习题及参考答案

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模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V ) 2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V ) 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。 A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题:(每小题4分,共28分) 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

高数课后习题及答案 第二章 2.3

2.2)1 ()3,0 x f x x ==; 解: 11 lim 11 lim lim ()lim 3330 lim ()lim 333 x x x x x x x x x x f x f x - →--+ →++-∞ →→+∞ →→========+∞ 因为0 lim ()lim ()x x f x f x - + →→≠,所以3 lim ()x f x →-不存在。 3)2 11(),02x f x x - ?? == ? ?? ; 解: 2 10000 11lim ()lim ()lim ()lim 22x x x x x f x f x f x -+- -∞ →→→→?? ??=====+∞ ? ??? ?? 所以3 lim ()x f x →-不存在。 4)3,3 9)(2 -=+-= x x x x f ; 解:63 ) 3)(3(lim )(lim )(lim 3 3 3 -=+-+==+ + - -→-→-→x x x x f x f x x x 故极限6)(lim 3 -=-→x f x 2 2 2 2 2 5).lim ()224,lim ()3215, lim ()lim (),lim ()x x x x x f x f x f x f x f x -+-+→→→→→=?==?-=≠解:因为所以不存在。 ()0 6.lim ()lim 21,lim ()lim cos 12,lim ()lim (),lim ()x x x x x x x x f x f x x f x f x f x --++-+→→→→→→→===+=≠)解:因为所以不存在。 7)1()arctan ,0f x x x ==;

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》(第二版)节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答: 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换;电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂,电路元件是理想的,电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向,但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说,某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出,因此在求解电路列写方程式时,各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向,方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时,参考方向下某电量前面取正号,即假定该电量的实际方向与参考方向一致,若参考方向下某电量前面取负号,则假定该电量的实际方向与参考方向相反;求解结果某电量为正值,说明该电量的实际方向与参考方向相同,求解结果某电量得负值,说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在,参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为:在图1-5中,五个二端元件 分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的 参考方向已标出,在参考方向下通过测量得到:I 1=- 2A ,I 2=6A ,I 3=4A ,U 1=80V ,U 2=-120V ,U 3= 30V 。试判断哪些元件是电源?哪些是负载? 解析:I 1与U 1为非关联参考方向,因此P 1=-I 1×U 1=-(-2)×80=160W ,元件1获得正功率,说明元件1是负载;I 2与U 2为关联参考方向,因此P 2=I 2×U 2=6×(-120)=-720W ,元件2获得负功率,说明元件2是电源;I 3与U 3为关联参考方向,因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ,元件3获得正功率,说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知,元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压,因此可得:U 4=40V ,左高右低;U 5=90V ,左低右高。则元件4上电压电流非关联,P 4=-40×(-2)=80W ,元件4是负载;元件5上电压电流关联,P 5=90×4=360W ,元件5是负载。 验证:P += P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P -= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率,符合功率平衡。 第16页检验题解答: 1、电感元件的储能过程就是它建立磁场储存磁能的过程,由2/2L LI W =可知,其储能仅取决于通过电感元件的电流和电感量L ,与端电压无关,所以电感元件两端电压为零时,储能不一定为零。电容元件的储能过程是它充电建立极间电场的过程,由2/2C CU W =可知,电容元件的储能只取决于加在电容元件两端的电压和电容量C ,与通过电容的电流无关,所以电容元件中通过的电流为零时,其储能不一定等于零。 2、此电感元件的直流等效电路模型是一个阻值等于12/3=4Ω的电阻元件。 3、根据dt di L u =L 可知,直流电路中通过电感元件中的电流恒定不变,因此电感元件两端无自感电压,有电流无电压类似于电路短路时的情况,由此得出电感元件在直流情况下相当于短路;根据 图1-5检验题4电路图 U 3

模拟电子技术(第2版)课后习题答案第二章

第二章 放大电路基础 2.1 放大电路如图P 3.1所示,电流电压均为正弦波,已知Ω=600S R 、mV U S 30=、 mV U i 20=、Ω=k R L 1、V U 2.10=。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻i R ;当L R 开路时,测得V U 8.10=,求输出电阻R 。 解:1、 S i S i i U R R R U += Ω =-?=-=k U U R U R i S S i i 2.12030600 20 2、 6002.02 .1=== i O u U U A dB A dB A u u 6.3578.12060log 20||log 20)(=?=== 3、 uA R U I i i i 7.162.120=== uA mA A R U I L 12002.10012.01012 .1300===?== 9.717.161200=== i O i I I A dB A dB A i i 2.3786.1209.71log 20log 20)(=?=== 4、uW I U P i i i 334.07.1602.0=?== uW I U P 1440 12002.1000=?== 4311334.01440=== i O P P P A dB A dB A P P 9.3669.3104311log 10log 10)(=?=== 5、其等效电路如图P3.1.2: 根据等效电路可得: 8 .12.10?+= L L R R R Ω=k R 5.00

2.2 放大电路如图P 3.2.1所示,已知三极管100=β、Ω=200'bb r 、V U BEQ 7.0=。试: (1)计算静态工作点CQ I 、CEQ U 、BQ I ;(2)画出H 小信号等效电路,求u A 、i R 、 0R (3)求源电压增益uS A 。 解:1、 V V R R R V CC B B B B 315104010 212=?+=+= mA R R R V I E E BEQ B CQ 1.21.017 .032 1=+-= +-= uA I I CQ BQ 211001 .2== = β V R R R I V U E E C C CC CEQ 4.6)1.013(1.215)(21=++?-=++-= 2、H 小信号等效电路如图P3.2.2: Ω=?++=++=14501.226 )1001(20026) 1('0EQ bb be I r r β 9 .151.010145.13 //7.4100)1('1-=?+?-=++-=E be L u R r R A ββ []Ω=?+=++=k R r R R R E be B B i 73.4)1.010145.1//(40//10)1(////121β Ω≈=k R R C 30 3、 35.1451.073.473 .49.1500-=+?-=+==== S i i u S i u S i i S uS R R R A U U A U U U U U U A 2.3 放大电路如图P 3.3.1所示,已知三极管80=β、Ω=200'bb r 设各电容对交流的容抗

模拟电子技术第4章习题答案

4基本放大电路 自我检测题 一.选择和填空 1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中,希望电压放大倍数绝对值大,可选 用 A 或 C ;希望带负载能力强,应选用 B ;希望从信号源索取电流小,应选用 B ;希望既能放大电压,又能放大电流,应选用 A ;希望高频响应性能好,应选用 C 。 ( A .共射组态, B .共集组态, C.共基组态) 2.射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法,它的电压放大倍数接近 1 ,输入电阻很大,输出电阻很小。 3.H参数等效电路法适用低频小信号情况。 4.图解分析法适用于大信号情况。 5.在线性放大条件下,调整图选择题 5 所示电路有关参数,试分析电路状态和性能指 标的变化。 ( A .增大, B.减小, C.基本不变) ( 1)当 R c增大时,则静态电流 I CQ将 C ,电压放大倍数A v将A,输入电阻R i将C,输出电阻 R o将 A ; ( 2)当 V CC增大,则静态电流 I CQ将 A ,电压放大倍数A v将A,输入电阻R i将B,输出电阻 R o将 C 。 6.在图选择题5所示电路中,当输入电压为 1kHz 、 5mV 的正弦波时,输出电压波形 出现底部削平失真。回答以下问题。 (1)这种失真是 B 失真。 (A .截止, B.饱和, C.交越, D.频率) (2)为了消除失真,应 B 。 (A .增大R C,B.增大R b,C.减小R b,D .减小 +V CC R b Rc C2 C 1 T v o v i V CC,E.换用 β 大的管子)。R L 图选择题5 7.随着温度升高,晶体管的电流放大系数_A_ ,穿透电流I CEO _A_ ,在 I B不变的情况 下b-e 结电压 V BE_ B_。 ( A .增大, B.减小, C.不变) 8.随着温度升高,三极管的共射正向输入特性曲线将 C ,输出特性曲线将 A ,输出特性曲线的间隔将 E 。 ( A .上移,B.下移, C.左移, D .右移, E.增大, F.减小, G.不变) 9.共源极放大电路的v o与 v i反相位,多作为中间级使用。 10.共漏极放大电路无电压放大作用,v o与 v i同相位。 11.共栅极放大电路v o与 v i反相位。

电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌

第14章 晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2.晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下: C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3.晶体管的特性曲线和三个工作区域 (1)晶体管的输入特性曲线: 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现B I ,且B I 随BE U 线性变化。 (2)晶体管的输出特性曲线: 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时,C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下, 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区,当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 (3)晶体管的三个区域: 晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,C I =b I β,C I 与b I 成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,B I =0,C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即CE U 很小时,晶体管工作在饱和区。此时,C I 虽然很大,但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态,集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14.3 典型例题 例14.1 二极管电路如例14.1图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压D U =0.7V 。

(完整版)微观经济学第二章课后习题答案

第二章需求、供给和均衡价格 1.解: (1)将需求函数Q d= 50-5P和供给函数Q s=-10+5P代入均衡条件Q d=Q s ,有:50- 5P= -10+5P 得: Pe=6 以均衡价格Pe =6代入需求函数Q d=50-5p ,得: Qe=50-5×6 或者,以均衡价格 Pe =6 代入供给函数Q s =-10+5P ,得:Qe=-10+5×6 所以,均衡价格和均衡数量分别为Pe =6 , Qe=20 图略. (2)将由于消费者收入提高而产生的需求函数Q d=60-5p和原供给函数Q s=-10+5P, 代入均 衡条件Q d=Q s有: 60-5P=-10+5P 解得Pe =7 以均衡价格Pe =7代入Q d=60-5p ,得 Qe=25 或者,以均衡价格Pe =7代入Qs =-10+5P, 得Qe=25 所以,均衡价格和均衡数量分别为Pe =7,Qe=25 (3)将原需求函数Q d=50-5p 和由于技术水平提高而产生的供给函数Q s=-5+5p ,代入均衡条件Q d=Q s,有: 50-5P=-5+5P得 P e=5.5 以均衡价格Pe=5.5代入Q d=50-5p, 得Qe=50-5×5.5=22.5 所以,均衡价格和均衡数量分别为Pe=5.5,Qe=22.5图略。 (4)(5)略 2.解: (1)根据中点公式计算,e d=1.5 (2)由于当P=2时,Q d=500-100*2=300,

所以,有: 22 .(100)3003 d dQ P dP Q e =- =--*= (3)作图,在a 点P=2时的需求的价格点弹性为:e d =GB/OG=2/3或者e d =FO/AF=2/3 显然,利用几何方法求出P=2时的需求的价格弹性系数和(2)中根据定义公式求出结果是相同的,都是e d =2/3 3解: (1) 根据中点公式 求得:4 3 s e = (2) 由于当P=3时,Qs=-2+2×3=4,所以 3 .2 1.54 s dQ P dP Q e = =?= (3) 作图,在a 点即P=3时的供给的价格点弹性为:e s =AB/OB=1.5 显然,在此利用几何方法求出的P=3时的供给的价格点弹性系数和(2)中根据定义公式求出的结果是相同的,都是e s =1.5 4.解: (1)根据需求的价格点弹性的几何方法,可以很方便地推知:分别处于不同的线性需求曲线上的a 、b 、e 三点的需求的价格点弹性是相等的,其理由在于,在这三点上都有: e d =FO/AF (2)根据求需求的价格点弹性的几何方法,同样可以很方便地推知:分别处于三条线性需求曲线上的a 、e 、f 三点的需求的价格点弹性是不相等的,且有e da

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。 (1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。(√) (2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。(×) (3)线性电路一定是模拟电路。(√) (4)模拟电路一定是线性电路。(×) (5)放大器一定是线性电路。(√) (6)线性电路一定是放大器。(×) (7)放大器是有源的线性网络。(√) (8)放大器的增益有可能有不同的量纲。(√) (9)放大器的零点是指放大器输出为0。(×) (10)放大器的增益一定是大于1的。(×) 2 填空题: (1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。 (2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。 (3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。 (4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。 (5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。 (6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。 (7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。 (8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 (10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。 解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降得到。 4. 现有:宽频信号发生器1个,示波器1个,互导型放大器1个,1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。 解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从0HZ开始不断加大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录,绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

模拟电子技术答案

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四川农业大学网络教育课程考试 模拟电子技术试卷 注意:答案直接填写在word试卷上,保存后再上传到机考平台,点交卷完成考试。 一、问答题(每题4分,共24分) 1、PN结是如何形成的? 答:在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合, 载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一 边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩 散 ,达到平衡. 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P 型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性. PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定 程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁. 反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于,有负的温度系数,后者击穿电压大于,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变. 2、二极管正、负极性的判断方法? 答:(1)观察法 查看管壳上的符号标记,通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。对于点接触型玻璃外壳二极管,可透过玻璃看触针,金属触针的一头为正极。另外,在点接触型二极管的外壳上,通常标有色点(白色或红色),一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端为负极。 (2)万用表检测法 将万用表置于“R×100Ω,”挡或“R×1kΩ,”挡,然后将万用表两表笔分别接到二极管的两端引脚上,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

大物第二章课后习题答案

简答题 什么是伽利略相对性原理什么是狭义相对性原理 答:伽利略相对性原理又称力学相对性原理,是指一切彼此作匀速直线运动的惯性系,对于描述机械运动的力学规律来说完全等价。 狭义相对性原理包括狭义相对性原理和光速不变原理。狭义相对性原理是指物理学定律在所有的惯性系中都具有相同的数学表达形式。光速不变原理是指在所有惯性系中,真空中光沿各方向的传播速率都等于同一个恒量。 同时的相对性是什么意思如果光速是无限大,是否还会有同时的相对性 答:同时的相对性是:在某一惯性系中同时发生的两个事件,在相对于此惯性系运动的另一个惯性系中观察,并不一定同时。 如果光速是无限的,破坏了狭义相对论的基础,就不会再涉及同时的相对性。 什么是钟慢效应 什么是尺缩效应 答:在某一参考系中同一地点先后发生的两个事件之间的时间间隔叫固有时。固有时最短。固有时和在其它参考系中测得的时间的关系,如果用钟走的快慢来说明,就是运动的钟的一秒对应于这静止的同步的钟的好几秒。这个效应叫运动的钟时间延缓。 尺子静止时测得的长度叫它的固有长度,固有长度是最长的。在相对于其运动的参考系中测量其长度要收缩。这个效应叫尺缩效应。 狭义相对论的时间和空间概念与牛顿力学的有何不同 有何联系 答:牛顿力学的时间和空间概念即绝对时空观的基本出发点是:任何过程所经历的时间不因参考系而差异;任何物体的长度测量不因参考系而不同。狭义相对论认为时间测量和空间测量都是相对的,并且二者的测量互相不能分离而成为一个整体。 牛顿力学的绝对时空观是相对论时间和空间概念在低速世界的特例,是狭义相对论在低速情况下忽略相对论效应的很好近似。 能把一个粒子加速到光速c 吗为什么 答:真空中光速C 是一切物体运动的极限速度,不可能把一个粒子加速到光速C 。从质速关系可看到,当速度趋近光速C 时,质量趋近于无穷。粒子的能量为2 mc ,在实验室中不存在这无穷大的能量。 什么叫质量亏损 它和原子能的释放有何关系 答:粒子反应中,反应前后如存在粒子总的静质量的减少0m ?,则0m ?叫质量亏损。原子能的释放指核反应中所释 放的能量,是反应前后粒子总动能的增量k E ?,它可通过质量亏损算出20k E m c ?=?。 在相对论的时空观中,以下的判断哪一个是对的 ( C ) (A )在一个惯性系中,两个同时的事件,在另一个惯性系中一定不同时;

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 =,试写出各电路的输出电压Uo值。1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on) =(6—V= V。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U

数字电子技术课后答案

数字电子技术基础答案 第1章 自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数 卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法 卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时,就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB F ++=1 (b )B A AB F +=2 (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) )(B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) )(B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3

(4) )()(4D A B A C E A F +++=)( ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1(多种答案) (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6(多种答案) (7) C A D B F +=7(多种答案) (8) BC D B F +=8(多种答案) (9) B D C F +=9 1.13 略 第2章 自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1.A B 2.C D 3.A 4.B 5.B 6.A B D 7.C 8.A C D 9.A C D 10.B 习题 2.1解:ABC Y =1

第二章课后习题与答案

第2章人工智能与知识工程初步 1. 设有如下语句,请用相应的谓词公式分别把他们表示出来:s (1)有的人喜欢梅花,有的人喜欢菊花,有的人既喜欢梅花又喜欢菊花。 解:定义谓词d P(x):x是人 L(x,y):x喜欢y 其中,y的个体域是{梅花,菊花}。 将知识用谓词表示为: (?x )(P(x)→L(x, 梅花)∨L(x, 菊花)∨L(x, 梅花)∧L(x, 菊花)) (2) 有人每天下午都去打篮球。 解:定义谓词 P(x):x是人 B(x):x打篮球 A(y):y是下午 将知识用谓词表示为:a (?x )(?y) (A(y)→B(x)∧P(x)) (3)新型计算机速度又快,存储容量又大。 解:定义谓词 NC(x):x是新型计算机 F(x):x速度快 B(x):x容量大 将知识用谓词表示为: (?x) (NC(x)→F(x)∧B(x)) (4) 不是每个计算机系的学生都喜欢在计算机上编程序。 解:定义谓词 S(x):x是计算机系学生 L(x, pragramming):x喜欢编程序 U(x,computer):x使用计算机 将知识用谓词表示为: ? (?x) (S(x)→L(x, pragramming)∧U(x,computer)) (5)凡是喜欢编程序的人都喜欢计算机。 解:定义谓词 P(x):x是人 L(x, y):x喜欢y 将知识用谓词表示为:

(?x) (P(x)∧L(x,pragramming)→L(x, computer)) 2 请对下列命题分别写出它们的语义网络: (1) 每个学生都有一台计算机。 解: (2) 高老师从3月到7月给计算机系学生讲《计算机网络》课。 解: (3) 学习班的学员有男、有女、有研究生、有本科生。 解:参例2.14 (4) 创新公司在科海大街56号,刘洋是该公司的经理,他32岁、硕士学位。 解:参例2.10 (5) 红队与蓝队进行足球比赛,最后以3:2的比分结束。 解:

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