掩孔法工艺流程简要介绍

光刻工艺流程

光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言：光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微

光刻工艺简要流程介绍

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。

目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120℃,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。

尿素的工业发展过程

尿素的工业发展过程化学工程 2008级工程硕士摘要对尿素工业发展历史进行介绍，简述了尿素工业化过程、体系结构与发展趋势 1、尿素简介尿素，H2NCONH2学名碳酰二胺化学名称为脲，或者碳酰胺，以氨和二氧化碳合成的一种主要的氮肥。因人及哺乳动物的尿液中含有这种物质而得名，白色针状或柱状结晶，熔点132.7℃，常压下温度超过熔点即分解。现在是一种常见而普通的化工产品，但是它的发现特别是人工合成、工业化一系列过程却非常有意义，即体现近代工业发展的情况，更是对人类哲学、宗教理念的一次冲击。当然现在尿素不仅作为肥料给我们带来的是农作物的高产，同时也广泛应用与工业作为高聚合材料、多种添加剂、医药、试剂等方面。 2、尿素的发展史尿素最先在动物的排泄物中发现。第一次得到尿素结晶是1773年，化学家鲁埃勒（Rouelle）蒸干人尿而得。第一次得到纯尿素是1798年富克拉伊（Rourcray）等人从尿素硝酸盐中制的。人类历史上，第一次用人工的方法从无机物中制的尿素，是在1824年，德国化学家武勒(Friedrich Wohler)使用氰酸与氨反应，产生了白色的尿素，而且证明其与从尿液中提取的尿素一样。打破了当时生命力论的理论，即有机体内的含碳化合物是由奇妙的“生命力”造成，无法用人力取得，只能由有机物产生有机物。这次实验的成功，成为现代有机化学兴起的标志。同时在哲学上也是一场革命。在这之后，又出现了50多种制备尿素的方法。但是这些方法或者原料难取、或者有毒、或者难以控制、或者不经济，最终都未工业化。1868年俄国化学家巴扎罗夫找到工业化的基础反应办法，即将氨基甲酸铵和碳酸铵长期加热而达到尿素。现代工业都是以氨与二氧化碳为原料生产尿素。世界上第一座这样的工厂是德国的法本公司于1922年在Oppau建成投产的，采用热混合气压缩循环。

尿素工艺流程简述(副本)

尿素工艺流程简述 1、尿素的合成 CO压缩机五段出口CO气体压力约20.69MPa（绝），温度约125C，进入尿素合成塔的量决定系统生产负荷。从一吸塔来的氨基甲酸铵溶液温度约90 C左右，经一甲泵加压至约20.69MPa （绝）进入尿素合成塔，一般维持进料"O/CO （摩尔比）0.65?0.70。从氨泵来的液氨经预热器预热至40?70C进入尿素合成塔，液氨用量根据生产负荷决定，塔顶温度控制在186?190C，进料NH/CC2分子比控制3.8?4.2。尿塔压力由塔顶减压阀PIC204 （自调阀）自动控制，一般维持19.6MPa（表）物料在塔内停留时间为40分钟，CO转化率》65% 为防止尿塔停车时管路堵塞，设置高压冲洗泵，将蒸汽冷凝液加压到19.6?25.0MPa送到合成塔进出口物料管线进行冲洗置换。 2、中压分解出合成塔气液混合物减压至1.77MPa（绝）进入预分离器，合成液中的氨大部分被分离闪蒸出来，通过气相管道进入一吸外冷却器，液相进入预蒸馏塔上部，在此分离出闪蒸气后溶液自流至中部蒸馏段，与一分加热器来的热气逆流接触，进行传质、传热，使液相中的部分甲铵与过剩氨分解、蒸出进入气相，同时，气相中的水蒸汽部分冷凝降低了出塔气相带水量。出预蒸馏塔中部的液体进入一分加热器，经饱和蒸汽加热后，出一分加热器温度控制在155?160C，保证氨基甲酸铵的分解率达到88%总氨蒸出率达到90% 加热后物料进入预蒸馏塔下部的分离段进行气液分离，分离段液位由LICA302 摇控控制，物料减压后送至二分塔。在一分加热器液相入口用空压机补加空气，防止一段分解系统设备管道的腐蚀, 加入空气量由流量计指示（约2m i/TUr）通过旁路放空阀调节流量。 3、二段分解（低压分解）出预蒸馏塔的液体经LRC302减压至0.29?0.39MPa （绝），进入二分塔上部进行闪蒸，液体在填料精馏段与塔下分离段来的气体进行传质、传热，以降低出塔气体温度和提高进二分塔加热器的液体温度。出二分塔加热物料温度为135?145C，该温度由TRC303自动控制，物料被加热后进入二分塔分离段进行气液分离，二分塔液位由LIC303自动控制。 4、闪蒸

项目流程图

部门职责我单位把本项目做为重点组织施工，组建一支强有力的专业施工队伍和管理机构，建立健全必要的施工管理规章制度。本工程拟成立项目经理部，实行项目经理负责制，实行项目经理负责制，由项目经理、项目副经理、项目技术负责人、施工员、专职质检员、安全员、材料员、试验员、财务人员、后勤管理人员等组成管理班子，做到分工明确，责任到人，对工程施工进度、质量、技术、安全、物资供应、成本核算等全面负责。项目经理部下设经理室、总工室、工程科、质安科、物供科、计财科、办公室。生产层下设：开挖填筑施工队、基础施工队、混凝土施工队、砌筑施工队、电工组、修配组、劳务队等，实行岗位职责分工负责制。一、项目经理部职责（1）工程在项目经理部的领导下，对该工程的施工全过程进行全面管理，严格按照招标文件、设计图纸、有关规定、规范、工程合同的要求组织施工。（2）项目经理每周举行一次工程施工协调会，传达业主及监理指令，协调施工过程中出现的各种问题。（3）项目经理部配备足够的管理力量。制定明确的岗位职责，各岗位人员必须严格履行各自的岗位职责，对项目经理负责,协调好各道工序的施工进度与配合关系。（4）项目经理定期组织有关人员进行对工程进度、工程质量、

文明施工、安全生产、治安保卫、防台防汛等工作检查，并将检查结果与有关管理人员及作业人员的经济利益挂钩，促进工程顺利进行。（5）在工程总进度目标指导下，合理安排各分项和各月的施工进度。调配好材料、机具，协调各工序的施工力量，促进工程均衡进展。（6）认真协调好各道工序之间的先后施工顺序，做到流水作业。并协调好业主、设计、监理等各方关系，同时协调好各施工工序及各专业工种的配合关系。（7）抓工程计划管理，在总进度计划的控制下，编制旬、月工程进度计划、报经业主、监理审批后，严格执行，并将执行结果与有关人员的经济利益挂钩。（8）认真做好工程图纸的自、会审工作和施工组织设计的编制工作，做到在开工之前将有关设计、施工工艺等问题逐一消化、解决、确保工程顺利进展。二、分工及各职能部门的职责（1）项目经理：由富有施工经验持有贰级项目经理资质证书的工程师任项目经理，其主要职责为：全权指挥工地施工，协调各种关系，组织完成合同规定的任务，为工程质量、安全、进度、环保的第一责任人，是工程项目经理部的最高决策者。（2）项目副经理：是项目经理的助手，负责项目施工中的各项生产工作，对进度、质量、安全负责直接责任，分管工程科和物供科。（3）项目技术负责人：由富有施工经验的工程师任项目技术负

尿素生产工艺流程简介

经蒸发、造粒后包装销售。粗甲醇经精馏得到精甲醇销售。二氧化碳经净化和压缩后，与氨一起送入尿素合成塔，在适当的温度和压力下，合成尿素，的氮氢混合气压缩到高压，并在高温、有催化剂存在的情况下合成为氨。脱碳解吸出来的换、二次脱硫、脱碳、精脱硫、甲醇、烃化等工艺将气体净化，除去各种杂质后，将纯净原料煤利用蒸汽和空气为气化剂，在煤气发生炉内产生半水煤气，经一次脱硫、变生产流程说明一分厂生产流程一分厂生产流程及说明 1、造气工段工艺流程说明：采用间歇式固定常压气化法，即在煤气发生炉内，以无烟块煤或焦炭为原料，并保持一定的炭层，在高温下，交替地吹入空气和蒸汽，使煤气化，以制取合格的半水煤气。经除尘、热量回用降温后送入气柜。自上一次开始送风至下一次开始送风为止，称为一个工作循环，每个循环分吹风、上吹、下吹、二次上吹和吹净五个部分。各工段流程 2、一脱工段除去焦油等杂质后送往压缩一入。目前使用的脱硫方法为栲胶脱硫法。 S，然后进入冷却清洗塔上段降温后，经静电除焦2后进入脱硫塔,脱除部分H 油等杂质并降低一定温度后由萝茨风机加压送到冷却清洗塔下段降温、除尘来自造气的半水煤气，经半水煤气气柜出口冷洗塔除去部分粉尘，煤焦

3、变换工段流程说明：半水煤气经除油器除去气体挟带的油等杂质后，一氧化碳与水蒸汽借助于催化剂的作用，在一定的温度下变换成二氧化碳和氢气。通过变换既除去了一氧化碳，又得到了制合成氨的原料气氢和制尿素所需的原料气二氧化碳,使热量得到有效回收。本工段采用全低变工艺进行变换。 4.二次脱硫流程说明：变换气经过气液分离器后进入脱硫塔脱除变换气中的H2S后送往压缩三入。并经溶液再生，提取单质硫。采用栲胶脱硫法脱硫。利用二氧化碳气体在碳丙液中溶解度大的特点，除去变换气中的二氧化碳，净化气经精脱硫脱除微量硫后送往压缩四段。二氧化碳气体经净化、压缩，送至尿素合成塔。碳丙液对CO2的吸收在低压下符合亨利定律，因此采用加压吸收，减压再生。

工艺流程及优势介绍

云南意构建筑装饰工程有限公司企业简介 2012年12月

第一部分、企业简介云南意构建筑装饰工程有限公司成立于2005年7月，注册资金1000万元整，持有铝合金门窗施工壹级、装饰装修施工壹级、幕墙施工贰级、钢结构施工贰级资质。公司拥有两条意大利进口飞幕设备、两条国产金皇宇设备，年产铝合金门窗40万平米，为承接各类大型工程奠定了坚实的基础。随着产业的发展，公司积极学习国内优秀同行业的工艺流程，通过几年的学习积累，我们已熟练掌握了优质门窗的加工工艺。近年来已承接了南亚风情第壹城、星耀水乡、中航云玺大宅、汇都中心二期、长丰星云园等大型铝合金门窗工程，并在施工过程中及售后维修过程中得到了业主方一致好评。

第二部分、施工工艺我公司常年从事铝合金门窗工程施工，对铝合金门窗严格执行以下施工工艺流程，一、加工工艺流程基体表面清理→放样→开料→下料→钻铣→组件拼装→成品检验→包装→出厂二、安装工艺流程放线→铝合金外框安装→框底填充发泡剂→固定玻璃安装→窗扇的定位及安装→五金件安装→拆除保护膜→框与墙体的防水处理→调试→清洁卫生→交验三、铝合金门窗制作的关键工艺部分 1、下料：我公司拥有目前行业内最先进的意大利飞幕下料设备，保证了铝合金型材下料尺寸的精度。 2、组角：我公司在组角工艺上采用平整钢片，这样做的好处能让45度对角处理的平整。组角前打胶防渗漏，三元乙丙胶条采用四角无缝烫接。 3、打胶：我公司有固定的人员负责打胶，长时间从事单一工作，确保了打胶的品质。 4、密封处理：因铝合金门窗是由杆件组装而成，有接缝就存在渗漏隐患，我公司专人负责质量，严格把关杜绝了隐患发生。确保工程质量。在胶条的街头处我公司采取烫接，确保了铝合金门窗的密封。 5、现场安装的横平竖直：公司培养了大批专业从事铝合金门窗安装

尿素生产工艺流程简介

一分厂生产流程及说明一分厂生产流程生产流程说明原料煤利用蒸汽和空气为气化剂，在煤气发生炉内产生半水煤气，经一次脱硫、变换、二次脱硫、脱碳、精脱硫、甲醇、烃化等工艺将气体净化，除去各种杂质后，将纯净的氮氢混合气压缩到高压，并在高温、有催化剂存在的情况下合成为氨。脱碳解吸岀来的二氧化碳经净化和压缩后，与氨一起送入尿素合成塔，在适当的温度和压力下，合成尿素, 经蒸发、造粒后包装销售。粗甲醇经精馏得到精甲醇销售。各工段流程 1造气工段工艺流程说明：采用间歇式固定常压气化法，即在煤气发生炉内，以无烟块煤或焦炭为原料，并保持一定的炭层，在高温下，交替地吹入空气和蒸汽，使煤气化，以制取合格的半水煤气。经除尘、热量回用降温后送入气柜。自上一次开始送风至下一次开始送风为止，称为一个工作循环，每个循环分吹风、上吹、下吹、二次2、一脱工段上吹和吹净五个部分。来自造气的半水煤气，经半水煤气气柜出口冷洗塔除去部分粉尘，煤焦油等杂质并降低一定温度后由萝茨风机加压送到冷却清洗塔下段降温、除尘后进入脱硫塔，脱除部分H 2S,然后进入冷却清洗塔上段降温后，经静电除焦除去焦油等杂质后送往压缩一入。目前使用的脱硫方法为栲胶脱硫法。

3、变换工段流程说明：半水煤气经除油器除去气体挟带的油等杂质后，一氧化碳与水蒸汽借助于催化剂的作用，在一定的温度下变换成二氧化碳和氢气。通过变换既除去了一氧化碳，又得到了制合成氨的原料气氢和制尿素所需的原料气二氧化碳，使热量得到有效回收。本工段采用全低变工艺进行变换。 4.二次脱硫流程说明：变换气经过气液分离器后进入脱硫塔脱除变换气中的H 2S 后送往压缩三入。并经溶液再生，提取单质硫。米用栲胶脱硫法脱硫。利用二氧化碳气体在碳丙液中溶解度大的特点，除去变换气中的二氧化碳，净化气经精脱硫脱除微量硫后送往压缩四段。二氧化碳气体经净化、压缩，送至尿素合成塔。碳丙液对CO的吸收在低压下符合亨利定律，因此采用加压吸收，减压再生

工艺流程及其描述

xx 有限公司沙棘籽油软胶囊生产工艺流程图及其说明生产工艺流程图注：※号为CCP 点表示洁净区表示普通工序表示洁净加工工序

生产工艺流程描述 2.1原料的采购采购计划初步拟定：由销售部根据市场需要和产品库存制定生产计划，并确认原辅料库存，若原辅料库存数量不能满足生产需要时，应及时通知采购人员进行采购。 2.2原料验收：库管员及时通知质量部取样，质量部依据《原辅料检验标准》进行检测，库管员凭质量部出具的检验报告单，办理入库手续，不合格则通知采购员作退货处理。 2.3组织生产： 2.3.1由销售部向质量部下达《生产、包装指令》，质量部根据产品工艺配方向生产部下达《生产指令》，由生产工艺员再次确认工艺配方，然后向生产各工序下达分解指令。 2.3.2混料：工序接到生产指令后，根据指令领取物料，在进入洁净区前进行脱包灭菌（用紫外灯或臭氧发生器进行灭菌），称量放入乳化罐混匀，乳化好后用200目的筛网过滤，将其中可能存在的杂质过滤清除，混好料液贮存于料液罐中置于药液区存放待生产。 2.3.3溶胶：溶胶工序操作人员接到指令领取明胶、甘油等，首先在进入洁净区前进行脱包灭菌，灭菌后按工艺要求将明胶、甘油、纯化水按比例称量入罐溶胶，溶好的胶液抽真空后对其黏度检测（2-4OE）放胶。放胶时要用120目的筛网过滤将其中可能存在的杂质滤除，在溶胶过程中因溶胶温度在76℃-80℃，此温度足可以杀死原料中可能存在的细菌。将溶好的胶液放置在胶罐中保温静置待用。 2.3.4压丸：压丸工序根据指令选择模具，安装调试后，把混好的料液和备好的胶液进行上机操作，上机时要注意胶皮的厚度、内容物的装量等，同时要随时监视胶丸的丸形、装量，防止胶丸漏夜。 2.3.5 定型干燥：胶囊压丸后进入转笼内经过一定时间风吹干燥，失去部分水分，使胶丸定形，定形时间：≥3小时，转笼转速：40-50r/min。 2.3.6排盘干燥：将在干燥笼中初步干燥后的软胶囊，放在一定尺寸的干燥盘上使其分布均匀，再在风室中通过一定的温度、湿度，进行干燥，使软胶囊的水分达到要求（胶皮水分≤14%）。风室温度：20-27℃、相对湿度：≤50% 2.3.7选丸：干燥后的软胶囊对其外观进行挑选，将有缺陷的胶囊剔除，同时将其表面可能存在的杂质去除。 2.3.8抛光：擦去胶丸表面的油脂，使胶丸表面光滑有光泽。 2.3.9上工序处理好的软胶囊质量部对其进行取样检测，若合格交下工序包装；不合格交上工序处理。（微生物不合格由上工序用酒精清洗，清洗后由质量部重

第九章_基本光刻工艺流程-显影到最终检验

第九章基本光刻工艺流程-曝光到最终检验概述在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法。本章末尾将涉及膜版工艺的使用和定位错误的讨论。目的完成本章后您将能够： 1.划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。 2.列出显影的方法。 3.解释硬烘焙的方法和作用。 4.列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个原因。 5.划出显影-检验-重做工作过程的示意图。 6.解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。 7.列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器 8.解释最终检验的方法和作用。显影晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上（图9.1）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的膜版上图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是不完全显影，它会导致开孔的不正确尺寸，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下，显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第三个问题是过显影它会过多地从图形边缘或表面上去除光刻胶。要在保证开孔的直径一致和由于清洗深孔时液体不易进入而造成的清洗困难的情况下保持具有良好形状的开孔是一个特殊的挑战。负和正的光刻胶有不同的显影性质并要求不同的化学品和工艺。负光刻胶显影在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理。负光刻胶暴露在光时会有一个聚合的过程它会导致光刻胶聚合在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率以使聚合的区域只失去很小部分光刻胶。对于大多数的负光刻胶显影二甲苯是受欢迎的化学品。它也在作负光刻胶中作溶液使用。显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶，通常使用n-丁基醋酸盐作为冲洗化学品，因为它既不会使光刻胶

光刻工艺流程及未来发展方向

集成电路制造工艺光刻工艺流程作者：张少军陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班 24 号 710300 摘要：摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景 Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects 基本光刻工艺流程— 1 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光 1.1 光刻十步法表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检。 1.2 基本的光刻胶化学物理属性 1.2.1 组成聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶（optical resist），还

项目流程图

（4）项目经理定期组织有关人员进行对工程进度、工程质量、文明施工、安全生产、治安保卫、防台防汛等工作检查，并将检查结果与有关管理人员及作业人员的经济利益挂钩，促进工程顺利进行。（5）在工程总进度目标指导下，合理安排各分项和各月的施工进度。调配好材料、机具，协调各工序的施工力量，促进工程均衡进展。（6）认真协调好各道工序之间的先后施工顺序，做到流水作业。并协调好业主、设计、监理等各方关系，同时协调好各施工工序及各专业工种的配合关系。（7）抓工程计划管理，在总进度计划的控制下，编制旬、月工程进度计划、报经业主、监理审批后，严格执行，并将执行结果与有关人员的经济利益挂钩。（8）认真做好工程图纸的自、会审工作和施工组织设计的编制工作，做到在开工之前将有关设计、施工工艺等问题逐一消化、解决、确保工程顺利进展。二、分工及各职能部门的职责（1）项目经理：由富有施工经验持有贰级项目经理资质证书的工程师任项目经理，其主要职责为：全权指挥工地施工，协调各种关系，组织完成合同规定的任务，为工程质量、安全、进度、环保的第一责任人，是工程项目经理部的最高决策者。（2）项目副经理：是项目经理的助手，负责项目施工中的各项生产工作，对进度、质量、安全负责直接责任，分管工程科和物供科。

项目介绍及工艺流程

项目介绍及生产工艺流程 1电站简介本电站规划总量50MWp，一次建成，共设置50个光伏发电单元，每个光伏发电单元产生直流电源通过一组逆变器（2台）及一台箱式变压器逆变升压至一回35kV集电线路，50个光伏发电单元通过5回35kV集电线路汇集到1回35kV母线上，经主变压器（1台）升压至110kV，再以一回110kV线路并网。（1）项目名称：中电投沧州渤海新区50兆瓦光伏电站项目。（2）项目性质：该工程属光伏发电新建项目。（3）建设规模：光伏发电，装机容量50MWp。 2生产工艺系统 2.1光伏发电工艺简介太阳能通过光伏组件转化为直流电能，再通过并网型逆变器将直流电能转化为与电网同频率、同相位的正弦波交流电，经箱式变压器升压至35kV后经集电线路汇入变电站35kV母线，再经主变升压至110kV后,由1回110kV线路T接至徐郭Ⅲ线（徐庄站-郭庄站）。光伏发电工艺流程示意图如下：

2.2光伏发电单元光伏发电单元包括太阳能电池组件至箱式变压器之间的所有电气设备，其中主要由太阳能电池组件、直流汇流箱、（直、交流）电缆、逆变器、升压变压器及相应的配电监控单元等组成。每1MW为一个光伏发电单元，每个光伏发电单元由4280块245W多晶硅组件构成，容量1048.6kWp，整个光伏电站有50个上述单元组成。 2.2.1光伏组件该工程选用多晶硅太阳能电池组件。技术参数见下表所示。表2-1 光伏组件技术性能一览表

2.2.2光伏阵列的设置本工程光伏阵列采用固定式安装方式，基础采用 250mmx250mm预制钢筋混凝土方桩，固定式支架朝正南方向放置，光伏组件的倾角为33°。（1）光伏电池组件阵列间距本工程每个光伏阵列由40块组件构成，每个阵列长20180mm，宽2684mm。阵列东西向间距为220mm，每2个阵列间设置820mm 宽通道，阵列南北向间距5.2m。一个完整的光伏发电单元由107个上述阵列组成。（2）太阳能光伏电池组件串、并联每个光伏发电单元由214串组串（每20块组件组成1个光伏组串组成），容量为1048.6kWp；每个光伏发电单元配备14个汇流箱

光刻工艺介绍

光刻工艺介绍一、定义与简介光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。

二、光刻工艺流程介绍光刻与照相类似，其工艺流程也类似：实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：

1)Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质，使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。 2)Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。 3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是在90℃的热板中完成。 4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focus offset)尤为重要. 5)Post Exposure Bake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步。在 I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，

光刻工艺问答

PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。

机械加工工艺流程描述

机械加工工艺流程详解 1.机械加工工艺流程机械加工工艺规程是规定零件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件之一，它是在具体的生产条件下，把较为合理的工艺过程和操作方法，按照规定的形式书写成工艺文件，经审批后用来指导生产。机械加工工艺规程一般包括以下内容：工件加工的工艺路线、各工序的具体内容及所用的设备和工艺装备、工件的检验项目及检验方法、切削用量、时间定额等。 1.1 机械加工艺规程的作用 (1)是指导生产的重要技术文件工艺规程是依据工艺学原理和工艺试验，经过生产验证而确定的，是科学技术和生产经验的结晶。所以，它是获得合格产品的技术保证，是指导企业生产活动的重要文件。正因为这样，在生产中必须遵守工艺规程，否则常常会引起产品质量的严重下降，生产率显著降低，甚至造成废品。但是，工艺规程也不是固定不变的，工艺人员应总结工人的革新创造，可以根据生产实际情况，及时地汲取国内外的先进工艺技术，对现行

工艺不断地进行改进和完善，但必须要有严格的审批手续。 (2)是生产组织和生产准备工作的依据生产计划的制订，产品投产前原材料和毛坯的供应、工艺装备的设计、制造与采购、机床负荷的调整、作业计划的编排、劳动力的组织、工时定额的制订以及成本的核算等，都是以工艺规程作为基本依据的。 (3)是新建和扩建工厂（车间）的技术依据在新建和扩建工厂（车间）时，生产所需要的机床和其它设备的种类、数量和规格，车间的面积、机床的布置、生产工人的工种、技术等级及数量、辅助部门的安排等都是以工艺规程为基础，根据生产类型来确定。除此以外，先进的工艺规程也起着推广和交流先进经验的作用，典型工艺规程可指导同类产品的生产。 1.2 机械加工工艺规程制订的原则工艺规程制订的原则是优质、高产和低成本，即在保证产品质量的前提下，争取最好的经济效益。在具体制定时，还应注意下列问题： 1)技术上的先进性在制订工艺规程时，要了解国内外本行业工艺技术的发展，通过必要的工艺

光刻工艺

光刻工艺一、提示: 光刻工艺是集成电路制造中最关键的工艺之一。光刻是一种复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术。光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和掺杂的晶圆上。这些结构首先以图形形式制作在被称为光刻掩膜版的石英膜版上，光刻工艺首先将事先做好的光刻掩膜版上的图形精确地、重复地转移到涂有光刻胶的待腐蚀层上，然后利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形层进行选择性化学腐蚀，从而在表面形成与光刻版相同或相反的图层。二、概要: 光刻实际是将图形转移到一个平面的任一复制过程。本章先介绍了光刻的概念，接着介绍了光刻工艺的基本步骤，并相继介绍了光刻过程中的必备的两种材料，即掩膜版和光刻胶，然后对多种光刻设备做了简要介绍。本章需重点掌握光刻工艺、光刻胶及光刻设备等。三、关键知识: 光刻的概念：光刻处于晶圆加工过程的中心，一般认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。光刻过程实际是图形由掩膜版转移到晶圆表面的过程。光刻工艺的基本步骤：光刻工艺是一个复杂的过程，其中有很多影响其工艺宽容度的工艺变量。为了方便起见，这里将光刻工艺分成8个基本操作：气相成底膜、旋转涂胶、软烘（前烘）、曝光、烘焙、显影、坚膜（后烘）、显影检查。光刻胶的分类：光刻包括两个基本的工艺类型，即正性光刻和负性光刻，因此用于光刻的光刻胶也有正胶和负胶之分。正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上，负性光刻是把与掩膜版上图形的相反图形复制到晶圆表面。光刻设备：从早期的晶圆制造以来，光刻设备经历了几代的发展，每一代又以当时获得的特征尺寸分辨率所需的设备类型为基础。主要的光刻设备认为以下五代：接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复光刻机和步进扫描光刻机。四、重点讲解: 1、光刻的主要参数：（1）特征尺寸：一般是指MOS管的最小栅长，减小特征尺寸可以在单个晶圆上布局更多的芯片。光刻技术决定了在晶圆上的特征尺寸数值。（2）分辨率：是指将晶圆上两个邻近的特征图形区分开来的能力。焦深是光焦点周围的一

项目实施流程及说明

项目实施与维护流程 1、流程图实施流程售后维护流程 2、工作流程说明施工流程 1、进行项目准备会参加部门：技术部，行政部，财务部需明确的会议议题：成立项目小组并且明确分工、职责与负责人确立施工的起始时间制订项目准备阶段的时间计划表项目施工人力资源计划（项目实施部、行政人事部）项目实施时间计划（销售部、项目实施部）材料及设备采购与运输计划（财务部）车辆及后勤支持计划（行政人事部）资金使用计划（财务部、项目实施部）工程外包计划（项目实施部）内部到货验收、采购入帐计划（项目实施、财务部）相关管理表格： XXX项目人员一览表材料设备采购申请单外包工程预算表内部到货验收单需要确认，是否需要网讯公司参与施工，如参与施工，则涉及到施工费用及项目分工事宜，需要根据项目具体情况，人网公司与网讯公司具体协商 2、项目实施部门施工前准备会由项目经理明确外出施工人员名单，需外出的施工人员向不需要外出的员工交半手头遗留的工作，项目经理对施工人员进行分工、分组，安排负责人。向施工人员讲解施工方案、施工组织计划与施工安排，强调施工组织纪律。准备施工工具。准备施工用管理表格。

后勤、车辆的准备。填写出差申请单。施工管理表格：出差申请单车辆申请表工程用工具清单综合布线材料明细单信息模块安装记录线缆敷设安装记录施工现场情况考察表综合布线工程测试记录综合布线工程检测报告设备到货内部验收单施工人员工作日志施工情况报告表工具（材料）出\入库单 IP地址分配表网络设备安装记录网络设备调试报告内部阶段工程质量抽查表 3、到达甲方施工现场首次与甲方项目负责人接洽，向甲方申请施工用休息区与库房，进行施工材料与设备的接货，填写内部到货验收单，并且以最短的时间以EMAIL或传真的形式发给公司物流部门与财务部门。组织外包施工人员进场，项目经理向全体施工参与人员宣布注意事项，提出施工工期、工程进度、工程流水作业、工程质量等各方面的要求。我方技术人员向土木工程承包方的负责人与具体施工人员讲解对本次项目施工过程中的施工工艺、施工技术以及施工纪律等方面的要求。在项目经理向甲方项目负责人提供并详细介绍我方施工方案、施工计划、施工图纸，得到甲方书面同意的基础上开始进行项目施工。 4、综合布线施工阶段根据施工组织计划与施工分组情况开展各分阶段工程的施工，分段工程施工负责人及时向项目经理报告施工进行情况，施工中出现的问题由分段项目负责人以书面的形式报告给项目经理，项目经理进行问题的处理。如问题的解决需要甲方进行配合，由项目经理以书面的形式提交甲方负责人，并将甲方的处理意见与结果同样通过书面的形式返回给相关分段项目负责人安排解决。分段项目负责人在项目进行过程中必须随时对以下问题进行抽查，并且即使上报项目经理，并由项目经理加以解决：没有按照综合布线施工的各项标准、工艺要求进行施工的施工中违反施工组织纪律的。施工中浪费施工材料的。外包工程人员施工过程中懒散、窝工的。施工工具乱丢、乱放，并且造成丢失的。施工过程中破坏、偷窃甲方公共财产的。施工过程中与甲方人员发生冲突的。施工中存在安全隐患的环节。

第八章_基本光刻工艺流程-表面准备到曝光

第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光概述最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。目的完成本章后您将能够： 1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。 2．解释正胶和负胶对光的反应。 3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。 5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。 6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。 7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。 9．比较每一种对准和曝光设备的优点。介绍光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。这个工艺过程的目标有两个。首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。很容易想象，如果建筑物每一层和每一层不能很好地对准，那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的