大学物理试题库 608-杭州电子科技大学
608--一维无限深势阱
2. 判断题
题号：60821001
分值：2分
难度系数等级：1级
在一维无限深势阱中粒子运动的能量不能连续地取任意值，只能取分立值，即能量是量子化的。
答案：对
题号：60821002
分值：2分
难度系数等级：1级
在一维无限深势阱中粒子运动的能量的量子化是强行引入的。
答案：错
题号：60822003
分值：2分
难度系数等级：2级
在一维无限深势阱中粒子运动的能量的最小值为零。
答案：错
题号：60821004
分值：2分
难度系数等级：1级
在一维无限深势阱中微观粒子在各处出现的概率不均匀。
答案：对
题号：60822005 分值：2分
难度系数等级：2级
微观粒子在一维无限深势阱中各能级的阱壁处出现的概率为零
答案：对
3．填空题
题号：60834001 分值：2分
难度系数等级：4级
一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a
x n a
x n πψsin
2)(=。则粒子处在基态时，
在x ＝0到3
a x =
之间被找到的概率 。
( C x x x x +-=?2sin )4/1(2
1d sin
2
)
答案：π
433
1-
（或0.19）
题号：60834002 分值：2分
难度系数等级：4级
一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a
x n a
x n πψsin
2)(=。则粒子处于第一激发态
时，在x ＝0到3
a x =
之间被找到的概率 。
(
C x x x x +-=
?2sin )4/1(2
1d sin
2
)
答案：π
833
1+
（或0.40）
题号：60833003 分值：2分
难度系数等级：3级
一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a
x n a
x n πψsin
2)(=。则粒子处于第一激发态
时，在4
a x =处粒子的概率密度 。
答案：a
2
题号：60832004 分值：2分
难度系数等级：2级
一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a
x n a
x n πψsin
2)(=。则粒子处于基态时各处
的概率密度 。 答案：a
x
a π2
sin
2
题号：60832005 分值：2分
难度系数等级：2级
一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a
x n a
x n πψsin
2)(=
。则粒子处于基态时，在
4a x =
处粒子的概率密度 。
答案：
a
1
4．计算题：
题号：60844001 分值：10分 难度系数等级：4级
已知粒子在无限深势阱中运动，其波函数为
)/sin(/2)(a x a x π=
ψ (0 ≤x ≤a )
求发现粒子的概率为最大的位置．
解答及评分标准：
先求粒子的位置概率密度
)/(sin )/2()(2
2
a x a x π=ψ)]/2cos(1)[2/2(a x a π-= 4分
当 1)/2c o s (-=πa x 时， 2
)(x ψ有最大值． 3分 在0≤x ≤a 范围内可得 π=πa x /2
∴ a x 2
1=． 3分
题号：60843002 分值：10分 难度系数等级：3级
粒子在一维矩形无限深势阱中运动，其波函数为： )/s i n (/2)(a x n a x n π=
ψ (0 若粒子处于基态，它在 x=a/2的概率密度及在0－a /4区间内的概率是多少？ [提示： C x x x x +-= ?2sin )4/1(2 1d sin 2 ] 解答及评分标准： n =1 x=a/2的概率密度 a a x a 2s i n 22 2 = π= ψ 3分 而 x a x a x P d sin 2d d 2 2 π= =ψ 3分 粒子位于0 – a /4内的概率为： x a x a P a d s i n 24 /0 2 ? π= )d( sin 24 /0 2 a x a x a a a πππ = ? 2分 4 /0 2 1] 2s i n 4 1[ 2 a a x a x πππ - =)]4 2sin( 4 14 [ 22 1a a a a π- ππ = =0.091 2分 题号：60844003 分值：10分 难度系数等级：4级 一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a x n a x n πψsin 2)(= 。试求：粒子在x ＝0到 3 a x = 之间被找到的概率，当 （1）粒子处于基态时； （2）粒子处于第一激发态时。 ( C x x x x +-= ?2sin )4/1(2 1d sin 2 ) 解答及平分标准： （1） 粒子处于基态时n =1 a x a x πψsin 2)(1= 2分 粒子在x =0到x =a /3之间的概率为 19.0433 1sin 2 )(30 2 3 2 1=- = = = ?? π πψdx a x a dx x P a a 3分 （2） 粒子处于第一激发态时n =2 a x a x πψ2sin 2)(2= 2分 粒子在x =0到x =a /3之间的概率为 40.0833 12sin 2)(3 2 3 2 2=+ = = =? ? π πψdx a x a dx x P a a 3分 题号：60843004 分值：10分 难度系数等级：3级 宽度为a 的一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a x n C x n πψsin )(=， 试求 （1） 根据波函数条件确定C 值 （2） 计算粒子处于第一激发态时，在x=a/4处的概率密度。 ( C x x x x +-= ?2sin )4/1(2 1d sin 2 ) 解答及评分标准： （1）由波函数的归一化条件 12 =? dx a n ψ 2分 1]sin [2 =? dx a x n C a π a C 2= 3分 （2） n ＝2 a x a x πψ2sin 2)(2= 2分 粒子在 x =a /4 处的概率密度 a a x a 22sin 22 2 2= = *πψ ψ 3分 题号：60844005 分值：10分 难度系数等级：4级 一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a x n a x n πψsin 2)(= ，当n =2时，粒子在势阱 壁附近的概率密度有多大？x =a /8处概率密度为多大？哪里的概率密度最大？ 解答及评分标准： 粒子在势阱壁附近的概率密度 x =0 x =a 02sin 22 2 2== *a x a πψ ψ 2分 x =a /8处概率密度 a a x a 1 2s i n 22 2 2== *πψ ψ 2分 最大概率密度由 02c o s 2s i n 8d d 2 2 2== *a x a x a x πππψψ 由于粒子在阱内，各处概率密度不可能均为零，故02sin ≠a x π， 即只有 02cos =a x π 3分 于是 2,1,0 2 )12(2=+=k k a x π π )12(4 +=k a x 0 故有 k =0 x =a /4 k =1 x =3a /4 处概率密度最大 3分 题号：60841006 分值：10分 难度系数等级：1级 一维无限深势阱中粒子的定态波函数为a x n a x n πψsin 2)(= . （1）当n =2时，粒子在势阱壁附近的概率密度有多大？x =a /8处概率密度为多大？ （2）当n =4时，粒子在势阱壁附近的概率密度有多大？x =a /8处概率密度为多大？ 解答及评分标准： （1）粒子在势阱壁附近的概率密度 x =0 x =a 02sin 22 2 2== * a x a πψ ψ 3分 x =a /8处概率密度 a a x a 1 2s i n 22 2 2== *πψψ 3分 （2）粒子在势阱壁附近的概率密度 x =0 x =a 04sin 22 2 2== *a x a πψ ψ 2分 x =a /8处概率密度 a a x a 2 4s i n 22 2 2== *πψψ 2分 第一章 质点运动学 1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v,t 至(t ＋Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ｜r ｜),平均速度为v ,平均速率为v ． (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜Δr ｜= Δs = Δr (B) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d s ≠ d r (C) ｜Δr ｜≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r ≠ d s (D) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜v ｜= v ,｜v ｜= v (B) ｜v ｜≠v ,｜v ｜≠ v (C) ｜v ｜= v ,｜v ｜≠ v (D) ｜v ｜≠v ,｜v ｜= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t ＋Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs ＝PP′, 位移大小｜Δr ｜＝PP ′,而Δr ＝｜r ｜-｜r ｜表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注：在直线运动中有相等的可能)．但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有｜d r ｜＝d s ,但却不等于d r ．故选(B)． (2) 由于｜Δr ｜≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即｜v ｜≠v ． 但由于｜d r ｜＝d s ,故t s t d d d d =r ,即｜v ｜＝v ．由此可见,应选(C)． 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)t d d r ； (3)t s d d ； (4)2 2d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ． 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷 课程成绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分 一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？ 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？ 图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10kΩ。求电阻R E和R G。 图2 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47k Ω，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。 一、单项选择题(每题2分，共30分) 1．以下描述正确的是（ C ） A．goto语句只能用于退缩出多层循环。 B．switch语句中不能出现continue语句。 C．只能用continue语句中来终止本次循环。 D．在循环语句中break语句不独立出现。 2.一个C程序的执行是从（ A ） A．C程序的main函数开始，到main函数结束。 B．本程序的第一个函数开始，到本程序最后一个函数结束。 C．本程序的main函数开始，到本程序文件的最后一个函数结束。 `D．本程序的第一个函数开始，到本程序main函数结束。 3．C语言中，要求运算数必须都是整数的运算符是（ C ）。 A.* B.- C.% D.+ 4．假定 int i=3,j=4; 执行语句: printf("%d,%d,%d\n",i+++j,i,j); 之后，其输出结果为：（ C ） A.7,4,4 B. 8,4,4 C. 7,3,4 D.7,3,5 5．对break语句的正确描述。（ A ） A．break语句在while语句中，立即终止执行while语句。 B．break语句不能用于循环语句之外的语句。 C．break语句与continue语句功能相同。 D．b reak语句可以带参数，也可以不带。 6．在C语言中,下面那一个不是正确的概念( A ) A. 所有循环语句都要求至少要执行一次循环体。 B. goto和if语句能构成循环语句。 C．循环过程只能包含，不能交叉。 D．循环体可以是一条语句。 7．以下对二维数组a的正确说明是（ C ） Ａ. int a[ 3 ] [ ]; B. float a( 3, 4); C. int a[ 3 ] [ 4 ] D.float a( 3, )( 4 ); 8．对函数的正确描述（ C ） A．在Ｃ语言中可以嵌套定义函数。 B．自定义函数和调用函数可以不在一个源文件中。 C．函数定义都是平行的，独立的。 D．不能嵌套调用函数。 9．若用数组名作为函数调用的实参，传给形参的是（ A ） A．数组的首地址 B.数组的第一个元素值 C．数组的全部元素值 D．数组中元素的个数 10．对于 int *p; int a[]; p=a; 的合法运算( C ) A． a++; B． p=a; p++; 相当于 a++; C． ++p; 相当于 a[1]; D．若p中的地址为100则p++; 运算后，则其值为100 11．假设int x[] = {1,3,5,7,9,11}, *ptr; ptr = x; 以下那些是对数组元素的正确引用 ( D ) 1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3，则该质点作 （ D ） （A ）匀加速直线运动，加速度为正值 （B ）匀加速直线运动，加速度为负值 （C ）变加速直线运动，加速度为正值 （D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间内合力作功 为A 1，32t t →时间内合力作功为A 2，43t t → （C ） （A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ） （A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。 （B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。 （C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于 零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间内，其平 均速度的大小和平均速率分别为（B ） （A ） ， （B ） 0， （C ）0， 0 （D ）T R π2， 0 5、质点在恒力F ρ作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?内，速率由0增加到υ； 在2t ?内，由υ增加到υ2。设该力在1t ?内，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?内， 冲量大小为2I ，所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直 线运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力 F 的大小和方向分别为（D ） 轴正向相反与、轴正向相同 与、轴正向相同 与、轴正向相反 与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t 2017年秋|微机原理及应用|专科 1. 有如下定义VAR1 DB 1，2，3，4，5 VAR2 DB '12345' NUM4 EQU VAR2–VAR1 则 NUM4=（）。 (A) 5 (B) 4 (C) 3 (D) 2 分值：2 2. 下列四个寄存器中，不能用来作为间接寻址方式的寄存器是（）。 (A) BP (B) BX (C) D I (D) CX 分值：2 3. 相对查询传送来说，无条件传送工作可靠。（） (A) 正确 (B) 错误 分值：2 4. 指令“CMP AX，CX”和“SUB AX，CX”的实现功能完全一样，可以互相替换。（） (A) 正确 (B) 错误 分值：2 5. BUFFER DB 100 DUP(?) ；表示BUFFER为（）的存储空间，其内容为随机数，通常 作为程序的工作单元。 (A) 200个字节 (B) 200个字 (C) 100个字 (D) 100个字节 分值：2 6. 用来定义字节变量的伪指令是（）。 (A) WORD (B) DWORD (C) B YTE (D) QWORD 分值：2 7. 乘法运算是双操作数运算，但是，在指令中却只指定一个操作数，另一个操作数是隐 含规定的，隐含操作数为（）。 (A) AL/AX (B) BL/BX (C) C L/CX (D) DL/DX 分值：2 8. 指令“LOOP Lable ”与“DEC CX JNZ Lable ”的功能是等价的。（） (A) 错误 (B) 正确 分值：2 9. 非循环算术移位指令在执行时，实际上是把操作数看成（）符号数来进行移位。 (A) 不确定 (B) 带 (C) 都可以 (D) 无 分值：2 10. 计算机存储容量的基本单位：1 B（Byte）＝（bits），1TB＝GB。 (A) 8，1000G B (B) 8，1000K (C) 8，1024M (D) 8，1024G 分值：2 11. DEC 指令不能影响标志寄存器的（）位。 (A) IF (B) SF 1 一个半径为R 的均匀带点球面，电量为Q ，若规定该球面上电势值为零，则无限远处电势多少？ 解：带电球面在外部产生的场强为2 04Q E r πε= ， 由于 d d R R R U U E r ∞ ∞ ∞-= ?=??E l 2 0d 44R R Q Q r r r πε πε∞ ∞ -= = ? 04Q R πε= 当U R = 0时，04Q U R πε∞=- 2 均匀带点球壳内半径为6cm ，外半径为10cm ，电荷体密度为2×10-5，求距球心为5cm ，8cm 及12cm 各点的场强。 解: 高斯定理 d ε∑ ? = ?q S E s ,0 2 π4ε ∑ = q r E 当5=r cm 时，0=∑q ,0=E 8=r cm 时，∑q 3 π4p =3 (r )3 内r - ∴ () 2 2 3 π43 π 4r r r E ε ρ 内-= 4 10 48.3?≈1 C N -?， 方向沿半径向外． 12=r cm 时,3 π4∑=ρ q -3(外r ）内3 r ∴ () 4 2 3 3 10 10.4π43 π 4?≈-= r r r E ε ρ 内 外 1C N -? 沿半径向外. 3两条长直载流导线与一长方形线圈共面，如图，已知a=b=c=10，I=10m，I1=I2=100A，求通过线圈的磁通量。 4把折射率n=1.632的玻璃片，放入到麦克斯韦干涉仪的一臂上，可观察到150条干涉条纹向一方移动，若所用的单色光波长为=5000A，求玻璃片的厚度。 5使一束自然光通过两个偏振化方向成60°角的偏振片后，透射光的强度为I1，今在两个偏振之间再插入另一个偏振片，使它的偏振化方向与原来两个偏振片的偏振化方向的夹角均成30°，求此时透射光的强度为多大？ 实验一 一．实验名称： 范德瓦尔斯方程分析 二．实验目的： 熟练运用Mathcad, 对理想气体方程和范德瓦尔斯方程比较分析。 三．实验原理： 理想气体物态方程只适用于压强不太大，温度不太低的气体。但当气体压强比较大，温度比较低即气体分子的数密度n 比较大时，气体分子间的实际间距没有理想气体间距那么大，分子间的相互作用力和分子本身的体积就加以考虑，所以需要找出实际气体的物态方程。 荷兰物理学家范德瓦耳斯改进了气体的状态方程，把分子间的作用力和分子的有限体积放进方程中去。他论证了，分子间距离较远时，它们间必定存在吸引力，这一作用附加到容器壁施加的压强上去。他进一步提供论据，假设附加产生的压强反比于气体比容的平方。还有，由于分子占有体积，它们可利用的空间必须减少，或者说，减少的总体积就正比于分子在相互接触时所占有的体积。于是一摩尔真实气体的状态方程变成 2V V m m a b RT p --= 或 RT b m a p V V m =-+))(2（ 这简单方程包含两个常数，即 a 和 b ，对于每一种物质它们可由 实验确定。R 是普适气体数学。后来人们称之为范德瓦耳斯方程。他还导出了b 是分子体积的4 倍。这个方程不仅能解释安德纽斯的实验结果及J ．汤姆生的见解，而且能从常数a 、b 值计算出临界参数。 范德瓦尔斯方程的引出，是从理论分析出发导出气体状态方程的一个典型例子。范德瓦尔斯方程只不过是用两个常数很粗略地考虑了气体内分子运动的行为，所以还不能精确地表述气体的p-v-t 关系。但是，它为用理论方法研究状态方程开拓了道路。特别是它在定性上能反映出物质气—液相变的性质。按照范德瓦尔斯状态方程在p-v 图上作出的定温线称为范德瓦尔斯定温线。因为该方程可以展开成摩尔体积V m 的三次方程: 0)(2 3=-++-ab a m RT pb m p V V V m 将范德瓦尔斯方程代入式 式中T c ,p c 是临界点的温度和压力值，称为物质的临界温度和压力 马文蔚（ 112 学时） 1-9 章自测题 第 1 部分：选择题 习题 1 1-1 质点作曲线运动，在时刻t质点的位矢为r ，速度为 v ，t 至 t t 时间内的位移为r ，路程为s，位矢大小的变化量为r （或称r ），平均速度为v ，平均速率为v 。 （1）根据上述情况，则必有（） （A ）r s r （B ）（C）（D ）r s r ，当t0 时有 dr ds dr r r s ，当t0 时有 dr dr ds r s r ，当t0 时有 dr dr ds （2）根据上述情况，则必有（） （A ）（C）v v, v v（ B）v v, v v v v, v v（D ）v v, v v 1-2 一运动质点在某瞬间位于位矢r ( x, y) 的端点处，对其速度的大小有四种意见，即 （1）dr ；（ 2） dr ；（3） ds ；（4）( dx )2( dy )2 dt dt dt dt dt 下列判断正确的是： （A ）只有（ 1）（2）正确（B ）只有（ 2）正确 （C）只有（ 2）（3）正确（D ）只有（ 3）（ 4）正确 1-3 质点作曲线运动，r 表示位置矢量，v 表示速度， a 表示加速度，s表示路程，a t表示切向加速度。对下列表达式，即 （1）dv dt a ；（2） dr dt v ；（3） ds dt v ；（4）dv dt a t。 下述判断正确的是（） （A ）只有（ 1）、（ 4）是对的（B ）只有（ 2）、（4）是对的 （C）只有（ 2）是对的（ D）只有（ 3）是对的 1-4 一个质点在做圆周运动时，则有（） （A ）切向加速度一定改变，法向加速度也改变 （B ）切向加速度可能不变，法向加速度一定改变 （C）切向加速度可能不变，法向加速度不变 （D ）切向加速度一定改变，法向加速度不变 1-5 如图所示，湖中有一小船，有人用绳绕过岸上一定高度处的定滑轮拉湖中的船向岸边 大学电磁学习题1 一．选择题（每题3分） 1.如图所示，半径为R 的均匀带电球面，总电荷为Q ，设无穷远处的电势为零，则球内距离球心为r 的P 点处的电场强度的大小和电势为： (A) E =0，R Q U 04επ= ． (B) E =0，r Q U 04επ= ． (C) 204r Q E επ= ，r Q U 04επ= ． (D) 204r Q E επ= ，R Q U 04επ=． ［ ］ 2.一个静止的氢离子(H +)在电场中被加速而获得的速率为一静止的氧离子(O +2)在同一电场中且通过相同的路径被加速所获速率的： (A) 2倍． (B) 22倍． (C) 4倍． (D) 42倍． ［ ］ 3.在磁感强度为B ?的均匀磁场中作一半径为r 的半球面S ，S 边线所在 平面的法线方向单位矢量n ?与B ? 的夹角为? ，则通过半球面S 的磁通量(取弯面向外为正)为 (A) ?r 2B ． . (B) 2??r 2B ． (C) -?r 2B sin ?． (D) -?r 2B cos ?． ［ ］ 4.一个通有电流I 的导体，厚度为D ，横截面积为S ，放置在磁感强度为B 的匀强磁场中，磁场方向垂直于导体的侧表面，如图所示．现测得导体上下两面电势差为V ，则此导体的霍尔系数等于 (A) IB VDS ． (B) DS IBV ． (C) IBD VS ． (D) BD IVS ． (E) IB VD ． ［ ］ 5.两根无限长载流直导线相互正交放置，如图所示．I 1沿y 轴的正方向，I 2沿z 轴负方向．若载流I 1的导线不能动，载流I 2的导线可以自由运动，则载流I 2的导线开始运动的趋势 ? y z x I 1 I 2 1某质点的运动学方程x=6+3t-5t 3 ，则该质点作 （ D ） （A ）匀加速直线运动，加速度为正值 （B ）匀加速直线运动，加速度为负值 （C ）变加速直线运动，加速度为正值 （D ）变加速直线运动，加速度为负值 2一作直线运动的物体，其速度x v 与时间t 的关系曲线如图示。设21t t →时间合力作功为 A 1，32t t →时间合力作功为A 2，43t t → 3 C ） （A ）01?A ，02?A ，03?A （B ）01?A ，02?A ， 03?A （C ）01=A ，02?A ，03?A （D ）01=A ，02?A ，03?A 3 关于静摩擦力作功，指出下述正确者（ C ） （A ）物体相互作用时，在任何情况下，每个静摩擦力都不作功。 （B ）受静摩擦力作用的物体必定静止。 （C ）彼此以静摩擦力作用的两个物体处于相对静止状态，所以两个静摩擦力作功之和等于 零。 4 质点沿半径为R 的圆周作匀速率运动，经过时间T 转动一圈，那么在2T 的时间，其平均 速度的大小和平均速率分别为（B ） （A ） ， （B ） 0， （C ）0， 0 （D ） T R π2， 0 5、质点在恒力F 作用下由静止开始作直线运动。已知在时间1t ?，速率由0增加到υ；在2t ?， 由υ增加到υ2。设该力在1t ?，冲量大小为1I ，所作的功为1A ；在2t ?，冲量大小为2I ， 所作的功为2A ，则（ D ） A ．2121;I I A A <= B. 2121;I I A A >= C. 2121;I I A A => D. 2121;I I A A =< 6如图示两个质量分别为B A m m 和的物体A 和B 一起在水平面上沿x 轴正向作匀减速直线 运动，加速度大小为a ，A 与B 间的最大静摩擦系数为μ，则A 作用于B 的静摩擦力F 的 大小和方向分别为（D ） 轴正向相反与、轴正向相同 与、轴正向相同 与、轴正向相反 与、x a m D x a m x g m x g m B B B B ,,C ,B ,A μμT R π2T R π2T R π2t ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分 一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？ ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？ 图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。 图3 一、选择题 （每小题2分，共20分） 1. 关于瞬时速率的表达式，正确的是 （ B ） (A) dt dr =υ； (B) dt r d = υ; (C) r d =υ; (D) dr dt υ= r 2. 在一孤立系统内，若系统经过一不可逆过程，其熵变为S ?，则下列正确的是 （ A ） (A) 0S ?>; (B) 0S ?< ; (C) 0S ?= ; (D) 0S ?≥ 3. 均匀磁场的磁感应强度B 垂直于半径为r 的圆面，今以该圆面为边界，作以半球面S ，则通过S 面的磁通量的大小为 （ B ） （A ）2πr 2B; (B) πr 2B; （C ）0; （D ）无法确定 4. 关于位移电流，有下面四种说法，正确的是 （ A ） （A ）位移电流是由变化的电场产生的； （B ）位移电流是由变化的磁场产生的； （C ）位移电流的热效应服从焦耳—楞次定律； （D ）位移电流的磁效应不服从安培环路定律。 5. 当光从折射率为1n 的介质入射到折射率为2n 的介质时，对应的布儒斯特角b i 为 （ A ） 2 1 1 2 (A)( );(B)( );(C) ;(D)02 n n arctg arctg n n π 6. 关于电容器的电容，下列说法正确．．的是 （ C ） (A) 电容器的电容与板上所带电量成正比 ; (B) 电容器的电容与板间电压成反比; (C)平行板电容器的电容与两板正对面积成正比 ;(D) 平行板电容器的电容与两板间距离成正比 7. 一个人站在有光滑转轴的转动平台上，双臂水平地举二哑铃。在该人把二哑铃水平收缩到胸前的过程中，人、哑铃与转动平台组成的系统 （ C ） （A ）机械能守恒，角动量不守恒； （B ）机械能守恒，角动量守恒； （C ）机械能不守恒，角动量守恒； （D ）机械能不守恒，角动量也不守恒； 8. 某气体的速率分布曲线如图所示，则气体分子的最可几速率v p 为 （ A ） (A) 1000 m ·s -1 ; （B ）1225 m ·s -1 ; (C) 1130 m ·s -1 ; (D) 1730 m ·s -1 得分 2019年春|计算机应用基础|专科 1. 函数Round（1 2.452，1）计算的结果是（） (A) 12 (B) 12.4 (C) 12.5 (D) 12 分值：2 完全正确得分：2 2. 下列关于表格的说法错误的是（） (A) 对于不需要的表格可以选中整个表格用“删除表格”命令删除 (B) 可以根据需要绘制指定行列数的表格 (C) Word文档中用空格分隔的文字可以转换成表格 (D) Word文档中只能插入固定行数的表格 分值：2 答题错误得分：0 3. 为了方便用户记忆和使用，采取域名来命名IP地址，下列域名代码表示教育机构的是（） (A) GOV (B) ORG (C) EDU (D) COM 分值：2 答题错误得分：0 4. 以下编码技术属于有损压缩的是（） (A) 行程编码 (B) 变换编码 (C) 算术编码 (D) 霍夫曼编码 分值：2 完全正确得分：2 5. 下列各类存储器中，断电后其息会丢失的是（） (A) ROM (B) RAM (C) 光盘 (D) 硬盘 分值：2 答题错误得分：0 6. 在公式中需要计算一个单元格区域A1，B1，C1，D1，则下列表示该区域方式正确的是（） (A) A1,D1 (B) A1:D1 (C) A1!D1 (D) A1+D1 分值：2 答题错误得分：0 7. 能同时显示多幻灯片缩略图的视图是（） (A) 普通视图 (B) 幻灯片浏览视图 (C) 备注页视图 (D) 幻灯片放映视图 分值：2 完全正确得分：2 8. 已知字符‘A’的ASCII码是1000001，则字符‘C’的ASCII值是（） (A) 100 (B) 67 (C) 70 (D) 无法计算 分值：2 完全正确得分：2 9. 计算机的特点不包括（） (A) 具有网络处理能力 (B) 具有逻辑判断能力 (C) 运算精度高 (D) 运算速度快 分值：2 完全正确得分：2 10. Word中文字格式可以利用“字体”对话框设置，以下格式不能在“字体”对话框中设置的是（） 普通物理Ⅲ 试卷（ A 卷） 一、单项选择题 1、运动质点在某瞬时位于位矢r 的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)dt r d ； (3)t s d d ； (4)22d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ． 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确 (C) 只有(2)(3)正确 (D) 只有(3)(4)正确 2、一个质点在做圆周运动时,则有( ) (A) 切向加速度一定改变,法向加速度也改变 (B) 切向加速度可能不变,法向加速度一定改变 (C) 切向加速度可能不变,法向加速度不变 (D) 切向加速度一定改变,法向加速度不变 3、如图所示,质量为m 的物体用平行于斜面的细线联结置于光滑的斜面上,若斜面向左方作加速运动,当物体刚脱离斜面时,它的加速度的大小为( ) (A) g sin θ (B) g cos θ (C) g tan θ (D) g cot θ 4、对质点组有以下几种说法： (1) 质点组总动量的改变与内力无关； (2) 质点组总动能的改变与内力无关； (3) 质点组机械能的改变与保守内力无关． 下列对上述说法判断正确的是( ) (A) 只有(1)是正确的 (B) (1) (2)是正确的 (C) (1) (3)是正确的 (D) (2) (3)是正确的 5、静电场中高斯面上各点的电场强度是由：（ ） (A) 高斯面内的电荷决定的 (B) 高斯面外的电荷决定的 (C) 空间所有电荷决定的 (D) 高斯面内的电荷的代数和决定的 6、一带电粒子垂直射入均匀磁场中，如果粒子的质量增加为原来的2倍，入射速度也增加为原来的2倍，而磁场的磁感应强度增大为原来的4倍，则通过粒子运动轨道所围面积的磁通量增大为原来的：（ ） (A) 2倍 (B) 4倍 (C) 0.5倍 (D) 1倍 7、一个电流元Idl 位于直角坐标系原点 ，电流沿z 轴方向，点P (x ，y ，z )的磁感强度沿 x 轴的分量 是： （ ） 成都电子科技大学物理电子学院团队介绍 目录 物电学院“超宽带电子学及应用”团队介绍 (2) 物理电子学院“大功率毫米波行波管研究”团队介绍 (3) 物理电子学院“高功率毫米波”团队介绍 (4) 物理电子学院“毫米波电路与系统”团队介绍 (5) 物理电子学院“计算电磁学及其应用”团队介绍 (6) 物理电子学院“理论物理”团队介绍 (8) 物理电子学院“理论与计算机模拟”团队介绍 (8) 物理电子学院“强辐射实验室”团队介绍 (10) 物理电子学院“太赫兹”团队介绍 (10) 物理电子学院“微波仿真”团队介绍 (12) 物理电子学院“微纳光学研究”团队介绍 (12) 物理电子学院“先进材料制备及其物理性质研究”团队介绍 (13) 物理电子学院“真空微电子及微波能应用研究”团队介绍 (15) 注：团队排列先后按照团队名称首字母。 物电学院“超宽带电子学及应用”团队介绍 一、团队简介 超宽带电子学及应用现有教师机工程技术人员8名，其中，教授1名，副教授3名，讲师3名，工程技术人员1名；有博士学位的教师3名，正在攻读博士学位的教师2名；50-60岁教师2名，40-50岁教师3名，30-40岁教师2名。 超宽带电子学团队的主要研究方向包括： (1) 新型光控光电导器件 研究激光与半导体相互作用理论与技术，新型光控光电导器件工作机理、研制工艺及应用。 (2) 电波传输与天线 研究瞬态电磁脉冲传输理论与技术，超宽带天线理论与技术。 (3) 生物电磁学 研究肿瘤电穿孔疗法的机理及应用，电穿孔效应在污水治理等领域的应用。(4) 微波电路与系统 研究高功率微波电路与系统在冲击雷达、探地雷达等领域中的应用。 二、团队导师介绍 三、毕业学生就业去向 团队培养的硕士研究生就业情况较好，主要去向包括国内一些研究所(如南京14所、成都29所、中国工程物理研究院等)和一些知名公司、企业(贝尔、华为、中兴等)。 一、 选择题（每题4分，打“ * ”者为必做，再另选做4题，并标出选做记号“ * ”，多做不给分，共40分） 1* 某间接测量量的测量公式为4323y x N -=，直接测量量x 和y 的标准误差为x ?和y ?,则间接测 量量N 的标准误差为？B 2 2 N x y N N x y ???????=??+?? ? ??????? ； 4322(2)3339N x x y x x x ??-==?=??， 3334(3)2248y N y y y y x ??==-?=-??- ()()[] 2 1 23 2 289y x N y x ?+?=? 2* 。 用螺旋测微计测量长度时，测量值=末读数—初读数（零读数），初读数是为了消除 ( A ) （A ）系统误差 （B ）偶然误差 （C ）过失误差 （D ）其他误差 3* 在计算铜块的密度ρ和不确定度ρ?时，计算器上分别显示为“8.35256”和“ 0.06532” 则结果表示为：（ C ） (A) ρ=（8.35256 ± 0.0653） （gcm – 3 ）， (B) ρ=（8.352 ± 0.065） （gcm – 3 ）， (C) ρ=（8.35 ± 0.07） （gcm – 3 ）， (D) ρ=（8.35256 ± 0.06532） （gcm – 3 ） (E) ρ=（2 0.083510? ± 0.07） （gcm – 3 ）， (F) ρ=（8.35 ± 0.06） （gcm – 3 ）， 4* 以下哪一点不符合随机误差统计规律分布特点 （ C ） （A ） 单峰性 （B ） 对称性 （C ） 无界性有界性 （D ） 抵偿性 5* 某螺旋测微计的示值误差为mm 004.0±，选出下列测量结果中正确的答案：（ B ） A ． 用它进行多次测量，其偶然误差为mm 004.0； B ． 用它作单次测量，可用mm 004.0±估算其误差； 22 20B A B B =?=?++?=?? C. 用它测量时的相对误差为mm 004.0±。 100%E X δ = ?相对误差：无单位；=x X δ-绝对误差：有单位。 电子科技大学二零零六至二零零七学年第 二学期期末考试 固体电子学课程考试题卷（分钟）考试形式：考试日期200 7 年7 月日 课程成绩构成：平时20 分，期中10 分，实验0 分，期末70 分 一．填空（共30分，每空2分） 1．Si晶体是复式格子，由两个面心立方结构的子晶格沿体对角线位移1/4套构而成；其固体物理学原胞包含8个原子， 其固体物理学原胞基矢可表示)(21k j a a +=，)(22k i a a +=, )(23j i a a +=。假设其结晶学原胞的体积为 a 3，则其固体物理学原胞体积为 341a 。 2． 由完全相同的一种原子构成的格子，每个格点周围环境相同称为布拉菲格子； 倒格子基矢与正格子基矢满足 )(2)(0{2j i j i ij j i b a ==≠==?ππδ ，由倒格子基矢332211b l b l b l K h ++=（l 1, l 2, l 3为整数）,构成的格子，是正格子的傅里叶变换，称为倒格子格子；由若干个布拉菲格子套构而成的格子称为复式格子。最常见的两种原胞是固体物理学原胞和结晶学原胞。 3．声子是格波的能量量子，其能量为?ω，动量为?q 。 二．问答题（共30分，每题6分） 1.晶体有哪几种结合类型？简述晶体结合的一般性质。 答：离子晶体，共价晶体，金属晶体，分子晶体及氢键晶体。 晶体中两个粒子之间的相互作用力或相互作用势与两个粒子的距离之间遵从相同的定性规律。 2.晶体的结合能, 晶体的内能, 原子间的相互作用势能有何区别? 答：自由粒子结合成晶体过程中释放出的能量，或者把晶体拆散成一个个自由粒子所需要的能量称为晶体的结合能；原子的动能与原子间的相互作用势能之和为晶体的内能；在0K时，原子还存在零点振动能，但它与原子间的相互作用势能的绝对值相比小很多，所以，在0K时原子间的相互作用势能的绝对值近似等于晶体的结合能。 3.什么是热缺陷？简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。答：在点缺陷中，有一类点缺陷，其产生和平衡浓度都与温度有关，这一类点缺陷称为热缺陷，热缺陷总是在不断地产生和复合，在一定地温度下热缺陷具有一定地平衡浓度。肖特基缺陷是晶体内部格点上的原子（或离子）通过接力运动到表面格点的位置后在晶体内留下空位；弗仑克尔缺陷是格点上的原子移到格点的间隙位置形成间隙原子，同时在原来的格点位置留下空位，二者成对出现。 4.简述空穴的概念及其性质. 第一章 质点运动学 1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v,t 至(t ＋Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ｜r ｜),平均速度为v ,平均速率为v ． (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜Δr ｜= Δs = Δr (B) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d s ≠ d r (C) ｜Δr ｜≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r ≠ d s (D) ｜Δr ｜≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有｜d r ｜= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) ｜v ｜= v ,｜v ｜= v (B) ｜v ｜≠v ,｜v ｜≠ v (C) ｜v ｜= v ,｜v ｜≠ v (D) ｜v ｜≠v ,｜v ｜= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t ＋Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs ＝PP′, 位移大小｜Δr ｜＝PP ′,而Δr ＝｜r ｜-｜r ｜表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注：在直线运动中有相等的可能)．但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有｜d r ｜＝d s ,但却不等于d r ．故选(B)． (2) 由于｜Δr ｜≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即｜v ｜≠v ． 但由于｜d r ｜＝d s ,故t s t d d d d =r ,即｜v ｜＝v ．由此可见,应选(C)． 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ； (2)t d d r ； (3)t s d d ； (4)2 2d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x ． 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确 2017 年秋|电子工艺基础|专科 4. 波动光学测试题 一.选择题 1. 如图3.1所示，折射率为n 2 、厚度为e 的透明介质薄膜的上方和下方的透明介质的折射率分别为n 1和n 3，已知 n 1 ＜n 2 ＞n 3，若用波长为λ的单色平行光垂直入射到该薄膜上，则从薄膜上、下两表面反射的光束（用①②示意）的光程差是 (A) 2n 2e . (B) 2n 2e －λ/(2 n 2 ). (C) 2n 2e －λ. (D) 2n 2e －λ/2. 2. 如图 3.2所示，s 1、s 2是两个相干光源，它们到P 点的距离分别为r 1和 r 2，路径s 1P 垂直穿过一块厚度为t 1，折射率为n 1的介质板，路径s 2P 垂直穿过厚度为t 2，折射率为n 2的另一介质板，其余部分可看作真空，这两条路径的光程差等于 (A) (r 2 + n 2 t 2)－(r 1 + n 1 t 1). (B) [r 2 + ( n 2－1) t 2]－[r 1 + (n 1－1)t 1]. (C) (r 2 －n 2 t 2)－(r 1 －n 1 t 1). (D) n 2 t 2－n 1 t 1. 3. 如图3.3所示，平行单色光垂直照射到薄膜上，经上下两表面反射的两束光发生干涉，若薄膜的厚度为e ，并且n 1＜n 2＞n 3，λ1 为入射光在折射率为n 1 的媒质中的波长，则两束反射光在相遇点的位相差为 (A) 2 π n 2 e / (n 1 λ1 ). (B) 4 π n 1 e / (n 2 λ1 ) +π. (C) 4 π n 2 e / (n 1 λ1 ) +π. (D) 4π n 2 e / (n 1 λ1 ). 4. 在如图3.4所示的单缝夫琅和费衍射实验装置中，s 为单缝，L 为透镜，C 为放在L 的焦面处的屏幕，当把单缝s 沿垂直于透镜光轴的方向稍微向上平移时，屏幕上的衍射图样 (A) 向上平移.(B) 向下平移.(C) 不动.(D) 条纹间距变大. 5. 在光栅光谱中,假如所有偶数级次的主极大都恰好在每缝衍射的暗纹方向上,因而实际上不出现,那么此光栅每个透光缝宽度a 和相邻两缝间不透光部分宽度b 的关系为 (A) a = b . (B) a = 2b . (C) a = 3b . (D) b = 2a . 二.填空题 1. 光的干涉和衍射现象反映了光的 性质, 光的偏振现象说明光波是 波. 2. 牛顿环装置中透镜与平板玻璃之间充以某种液体时,观察到第10级暗环的直径由1.42cm 变成1.27cm,由此得该液体的折射率n = . 3. 用白光(4000?～7600?)垂直照射每毫米200条刻痕的光栅,光栅后放一焦距为200cm 的凸透镜,则第一级光谱的宽度为 . 三.计算题 1. 波长为500nm 的单色光垂直照射到由两块光学平玻璃构成的空气劈尖上，在观察反射光的干涉现象中，距劈尖棱边 l = 1.56cm 的A 处是从棱边算起的第四条暗条纹中心. (1) 求此空气劈尖的劈尖角θ . (2) 改用600 nm 的单色光垂直照射到此劈尖上仍观察反射光的干涉条纹,A 处是明条纹，还是暗条纹？ 2. 设光栅平面和透镜都与屏幕平行，在平面透射光栅上每厘米有5000条刻线，用它来观察波长为λ=589 nm 的钠黄光的光谱线. (1) 当光线垂直入射到光栅上时,能看到的光谱线的最高级数k m 是多少? (2) 当光线以30?的入射角(入射线与光栅平面法线的夹角)斜入射到光栅上时，能看到的光谱线的最高级数k m 是多少? 3．在杨氏实验中，两缝相距0.2mm ，屏与缝相距1m ，第3明条纹距中央明条纹7.5mm ，求光波波长？ 4．在杨氏实验中，两缝相距0.3mm ，要使波长为600nm 的光通过后在屏上产生间距为1mm 的干涉条纹，问屏距缝应有多远？ 5．波长为500nm 的光波垂直入射一层厚度e=1μm 的薄膜。膜的折射率为1.375。问： ⑴光在膜中的波长是多少？ ⑵在膜内2e 距离含多少波长？ s s 图 3.2 图3.3 图3.4大学物理试题库及答案详解【考试必备】
电子科技大学模拟电路考试题及答案
电子科技大学网络教育专科C语言在线考试答案
大学物理期末考试题库
秋专科 微机原理及应用 电子科技大学在线考试
大学物理B2考试题及答案v
电子科技大学大物上机实验(滕保华)
大学物理考试题库-大学物理考试题
大学物理电磁学考试试题及答案
大学物理期末考试题库
电子科技大学模拟电路考试题及答案
大学物理考试试题
电子科技大学在线考试2019年春计算机应用基础专科
大学物理考试题库完整
成都电子科技大学物理电子学院团队介绍
大学物理实验理论考试题及答案
电子科技大学固体物理期末试题
大学物理试题库及答案详解【考试必备】
2017年秋专科 电子工艺基础-电子科技大学在线考试
一、单项选择题 1. （）价格低，阻燃强度低，易吸水，不耐高温，主要用在中低档民用品中，如收音机、录 音机等。 (A) 酚醛纸敷铜板 (B) 环氧纸质敷铜板 (C) 聚四氟乙烯敷铜板 (D) 环氧玻璃布敷铜板 分值：2.5 完全正确得分：2.5 2. 表面贴装元器（）件是电子元器件中适合采用表面贴装工艺进行组装的元器件名称，也是 表面组装元件和表面组装器件的中文通称。 (A) SMC／SMD (B) SMC (C) 以上都不对 (D) SMD 分值：2.5 完全正确得分：2.5 3. （）是电子元器件的灵魂和核心，在元器件封装中封装形式最多、发展速度最快。 (A) 集成电路 (B) 三极管 (C) 电路板 (D) 阻容元件 分值：2.5 完全正确得分：2.5
EDA 是（）。 (A) 电子设计自动化 (B) 都不对 (C) 现代电子设计技术 (D) 可制造性设计 分值：2.5 完全正确得分：2.5
5.
人体还是一个非线性电阻，随着电压升高，电阻值()。 (A) 不确定 (B) 不变 (C) 减小 (D) 增加 分值：2.5 完全正确得分：2.5
6.
（）指电流通过人体，严重干扰人体正常生物电流，造成肌肉痉挛(抽筋)、神经紊乱，导 致呼吸停止、心脏室性纤颤，严重危害生命。 (A) 灼伤 (B) 电烙伤 (C) 电击 (D) 电伤 分值：2.5 完全正确得分：2.5
7.
将设计与制造截然分开的理念，已经不适应现代电子产业的发展。一个优秀的电子制造工 程师如果不了解产品（），不能把由于设计不合理而导致的制造问题消灭在设计阶段，就 不能成为高水平工艺专家。大学物理测试题及答案