光电器件特性实验

光电器件特性实验
光电器件特性实验

实验一光电转换特性测试

一、实验目的

熟悉MOS图象传感器工作原理,初步掌握SSPA器件光电转换特性曲线的测试方法。

二、实验原理

1、熟悉SSPA 驱动电路板。

2、波形观察和记录。

按规定给驱动板加上直流电源,用均匀直流光源照明SSPA 器件,用脉冲示波器观察并记录器件工作波形及其相互位相关系、高低电平或幅度,包括 S t、1、2、V o 、Eos 等信号。

3、光电转换特性测试(见图1)。

图1 光电转换特性测试装置图

测试条件:① 光源: 2856 K 钨灯(用白炽小灯泡代替)

② R L 10K,C L 51pF

③ f v 100KHz

④ 记录积分时间 T int ms

三、使用仪器、材料稳压源,光源(白炽灯),照度计,SSPA驱动电路板,示波器,滑座支架

四、实验步骤

1、由小到大改变光源(改变光强与器件之间的距离以及白炽灯本身自带的控制亮度的开关来实现),用示波器观测记录各光强下的视频输出 V o幅度(mV )及对应的照度H 的值( L x ),列表记录(线性区至少取5 个点,饱和区取3 个点)。

2、用坐标纸做出散点图,拟合并绘出H ~V o 光电转换曲线,标出曲线上的特征点。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)

1、连接好电路及各实验装置,观察并记录SSPA 器件工作波形(结果如

下图所示:

2、实验测得的原始数据如表1 所示:

1

H Lx 3.76 4.16 5.23 6.25 6.949.4711.4413.89

V o mV1012141518222222由实验数据得到H ~V o 的曲线图:S t 、 1 、 2 、

V o 、Eos等),

24mV V

12mV EOS

?1

48mV

?2

48mV

5μs 5μs

图 2 SSPA 器件工作波形

图 3 H ~V o 光电转换曲线

3、由曲线图可以得到 V os 22mV , H s 9.47 Lx 。

(1)记录的积分时间:

T (2.5 1.5) 0.5ms 2ms 。

(2)饱和曝光量

E s H s T int 9.47 2 103 1.894 10 2L x s

(3)灵敏度

S

E s

22

1.894 10

2 1.161 10 mV

(Lx s )

4、通过 H~V o 曲线,简要分析 SSPA 工作特性。

由H ~V o 曲线得出,当 H

称为饱和电压。

实验二不均匀性、暗信号及动态范围测试

、实验目的

了解SSPA器件参数的定义,初步掌握其简单的测试方法。

、实验原理

1.不均匀性NU 测试。

图1 不均匀性测试装置框图

测试条件:① 光源:直流日光灯(用白炽灯代替) 。②视频信号经驱动板放大后测试。

③记录视频信号频率 f v(KHz),积分时间 T int ( ms) 。

三、使用仪器、材料

SSPA驱动电路板,白炽灯,照度计,电源,示波器等。

四、实验步骤

1、不均匀性NU 测试:

①加大照射在SSPA光敏面上的光强,使视频输出达到饱和值 V os ,记录 f v 、 T int 、V、V

,取其平均值

V =

(V V )/2

osmax osmin os osmax osmin

②减小光强(拉大光源与器件之间的距离)使器件输出幅度为V os = (V osmax V osmin )/2,记录视频信号中的 V omax、V omin(不记第1,2位和末2位),平均值V o。

③计算不均匀性NU 值: NU (V osmax V osmin ) V o 100%。

2、暗信号及动态范围测试

①无光照条件下,用示波器灵敏档测试SSPA的视频输出即为暗信号 V d(V p p 值),记录其中的最大最小值 V dmax、V dmin ,即暗信号差值。

②机器可读的动态范围DR 按下式计算:DR V os V d 。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)

1、不均匀性NU 测试

①加大照射在SSPA光敏面上的光强,使视频输出达到饱和值 V os ,记录T v 0.5 20 s 10 s ,则

f v 100 KHz T int (5.5 0.8) 0.2ms 1.26 ms

其每格为50 m,所以头发的长度为150 m

实验五光电二极管的特性测试

、实验目的

1.了解光电二极管的工作原理。

2. 掌握光电二极管基本性能的测试方法。

3. 掌握光电二极管的使用方法。

二、实验原理光电二极管的基本特性分为以下三方面:

1. 光照特性:在一定工作偏压下,光电二极管的输出电流I 和照度E v 之间的关系测试电路如图1。

三、实验器材:

白炽灯1 台,光电二极管2CU 1支,照度计1台,万用表1台,电阻若干,实验板1 块,导线若干。

四、实验步骤:

1. 光电二极管光照特性的测试。

错误!未找到引用源。判断光电二极管的极性,按图1 连接电路。

②选择适当的偏压V c ,和负载电阻R L。按表1的要求将测试换算结果逐点填入表中。

③改变偏压V c或负载R L ,观察光电二极管光照特性的变化2.光电二极管伏安特性的测试。

错误!未找到引用源。按图1接线,将电流计串入回路中② 调定合适的R L ,记录结果。

五、实验过程原始记录(数据、图表、计算等)

1.光电二极管的光照特性测试的实验记录

表1 光电二极管在V c =10V ,R L =3K 条件下的光照特性实验记录

光电二极管在V c=10V ,R L=3K 条件下

E V( Lx)13320930341553263580092910651234

2.伏安特性:指在定照度下,光电二极管的光电流与偏压的关系。测试如图1。

图 1 光照、伏安特性测试电路

光电二极管的光照特性测试数据所得E- V 、E-I 曲线如图:

图2 光电二极管在V c =10V ,R L =3K 条件下的光照特性测试结果

表2 光电二极管在V c=10V ,R L=75 条件下的光照特性实验记录

图3 光电二极管在V c =10V ,R L =75 条件下的光照特性测试结果表3 光电二极管的光照特性实验记录

光电二极管伏安特性曲线如下:

图4 光电二极管伏安特性曲线

3、回答下列问题:

(1) R L 固定,V c 改变,光照特性曲线变化否?V c 固定,R L 改变,光电二极管光照特性曲线变化否?

答:R L 固定,V c改变时,光电二极管耗尽层厚度随着V c改变而改变,V c增大时光电流也将变大,最后趋于一个稳定值。故光照特性曲线随着的V c 减小而上移,最终趋于一条稳定的曲线;V c固定,R L 改变时,负载电阻R L 增大,电阻的时间常数变大,光电二极管的响应速度变慢,即单位时间流过的载流子减少,导致光电流减小。在光照不变情况下,曲线斜率变小,即曲线变得较平缓。

(2) 光电二极管偏压为零时,为什么有光电流输出?

由于光电二极管PN 结存在内建电场,即使光电二极管偏压为零,光照时产生的电子-空穴对,仍然能在内建电场的作用下形成漂移电流以及形成与漂移电流相同方向的扩散电流。对于反偏的二极管,总有一定的电流流过它,即暗电流,其随温度升高而增大。

(3) 光电二极管反向偏压进一步加大后,为什么光电流趋于饱和,与所加电压几乎无关,而仅取决于光照强度?

在低反向电压下,光电流随电压变化很敏感,这是由于反向偏置电压使耗尽层加宽并使电场强度加强,从而提高了光吸收率及对载流子的搜集。电压进一步加大,对光生载流子收集已达极限,光生电流趋于饱和,这样光生电流与外加反向电压大小几乎无关,仅取决于光照强度。

实验六 光电三极管的特性测试

、实验目的

1.了解光电三极管的工作特点。

2. 掌握光电三极管基本性能的测试。

3. 学会使用光电三极管。

二、实验原理 光电三极管的基本特性分为以下三个方面: 1.光照特性:光电三极管在一定偏压下, 受光的照度 E V 与产生的光电流 I s 之间的关 系。

2. 伏安特

性:

三、实验器材: 白炽灯 1 台,光电三极管 块,导线若干。

四、实验步骤: 1.光电池光照特性

测试。 ○1

按图 1 连接线路; ○2

选择适当的偏压 V c 和负载电阻 R L ,测试当照度 E v 变化时,

V o 和I

相对应的值。 2.伏安特性的测试:

○1

按图 1 连接线路,将电流计串入回路中; ○2

记录实验结果。

五、实验记录:

1. 光电三极管的光照特性测试的实验记录

光电三极管的光照特性测试数据:

表 1 光电三极管 在V c =10V , R L =3K 条件下 的光照特性实验记录

光电三极管

在V c =10V , R L =3K 条件下

E v (Lx )

145 207 306

406 501

615 742

830

929

1129

1 个,照度计 1 台,万用表 1 台,电阻若干,实验板 1

随偏压的变化。

V o( mV) 0.9 1.8 6.2 15.2 23.5 28.7 30.8 31.7 32.8 36

I (mA) 0.3 0.6 2.07 5.07 7.83 9.57 10.27 10.57 10.93 12.0

光电三极管的光照特性测试数据曲线:

图 2 光电三极管在V c=10V ,R L=3K 条件下的光照特性测试结果

表2 光电三极管在V c =10V ,R L =75 条件下的光照特性实验记录光电三极管在V c =10V ,R L =75 条件下

E v(Lx) 143 196 242 282 400 500 624 815 954 1164

V o( mV ) 0.05 0.09 0.15 0.2 0.37 0.47 0.72 0.81 0.86 0.93

I ( mA) 0.67 1.2 2.0 2.67 4.93 6.27 9.6 10.8 11.47 12.4

光电三极管的光照特性测试数据曲线:

图3 光电三极管在V c=10V ,R L=75 条件下的光照特性测试结果2. 光电三极管伏安特性的实验记录

表 3 光电三极管在V c=10V ,R L=75 条件下的光照特性实验记录光电三极管在V c =10V ,R L=3K 条件下

I mA V

E v Lx

500 10.9 12.2 14.2 17.2 20.4

光电三极管伏安特性测试数据曲线:

图4 光电三极管伏安特性测试数据曲线

六、思考1.总结光电三极管与光电二极管各有什么优缺点。

它们都具有高频性能好、量子效率高、灵敏度高、偏置电压低、功耗小、线性范围大、体积小、质量轻和价格便宜等优点。两者比较而言,(1)光电二极管光照特性的线性比较好,而光电三极管光照特性曲线的线性比较差。(2)由于光电三极管有放大作用,在相同照度下,它的光电流和灵敏度要比光电二极管的大几十倍。

(3)在零偏值时,光电二极管能产生光生电动势,电路中有电流,而这时光电三极管的集电结虽然也能产生光生电动势,但因为集电结无反向偏压,就没有电流放大作用。

(4)光电三极管响应时间要比光电二极管长,频率响应较低,一般不易在宽带的光通信等系统中作探测器。

2.光电三极管若采用较小的发射区面积,是有利于对弱光的检测还是强光的检测?反之则如何?

光电三极管若采用较小的发射区面积,则有利于对强光的检测。因为发射区面积小,PN 结获得的光能少,弱光可能无法激励出足够的空穴-电子对。反之,光电三极管若采用较大的发射区面积,则有利于对弱光的检测。

实验七光电池的特性测试

、实验目的1.了解光电池的工作特点。2.掌握光电池基本性能的测试方法。

3. 学会使用光电池。

、实验原理光照特性:光电池的光生电动势和光电流与照度的关系

三、使用仪器、材料

白炽灯1 台,光电池1块,照度计1台,万用表1 台,不同阻值的电阻2-3个,实验板1 块,导线若干。

四、实验步骤

1.光电池光照特性的测试

○1光电池的两端不接负载,测试 E V 变化时,开路电压的值。

○2按图1接线路,选择适当的R L,一般取很小,测试 E V变化时,短路电流的值。

○3增大R L ,观察短路电流的变化情况。

五、实验记录:

光电池光照特性的测试:

1.开路电压测试

表1 光电池的两端不接负载,E V变化开路电压的值

开路电压测试数据曲线:

图 2 光电池的两端不接负载, E V 变化时开路电压与照度的关系

2.按图 1接线路,选择 R L =75 ,测试 E V 变化时,短路电流的值如下表。 表 2 短路电流数据记

图 3 照度与短路电流之间的关系

3. 增大 R L ,短路电流的变化数据见表 3

3

短路电流数据记录

图3 增大R L 后,照度与短路电流之间的关系

3、回答下列问题

(1)根据实验说明,负载电阻的大小,对光电流与照度之间的线性度有什么影响?答:负载电

阻越小,光电流与光照度的线性越好。

(2)光电池的响应速度与负载电阻R L 有什么关系?

答:负载R L 越大频率特性越差,负载电阻越大,响应时间越长。

光敏电阻特性测试实验

实验系列二、光敏电阻特性测试实验 光通路组件 图1-2 光敏电阻实验仪光通路组件 功能说明: 分光镜:50%透过50%反射镜,将平行光一半给照度计探头,一半给等测光器件,实验测试方便简单,照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。 1、实验之前,J4通过彩排线缆与光通路组件的光源接口相连,连接之后电路部分方可对光源对行控制。光照度计与照度计探头相连(颜色要相对应) 2、BM2拨向上时,光源发光为脉冲光,脉冲宽度由“脉冲宽度调节电位器”进行调节(用于做光敏电阻时间响应特性实验)。 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 二、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验; 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 8、精密的暗激发开关电路设计实验 三、实验仪器 1、光敏电阻综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm ) 10 根 5、2#迭插头对(黑色,50cm ) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性。无光照时,光敏电阻值很大,电路中电流很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值急剧减小,电路中电流迅速增大。 2. 光敏电阻的主要参数 光敏电阻的主要参数有: (1)光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻, 此时流过的电流称为暗电流。 (2)光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。 (3)亮电流与暗电流之差称为光电流。 3. 光敏电阻的基本特性 (1) 伏安特性 在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。图2-2为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由图可见,光敏电阻在一定的电压范围内,其I-U 曲线为直线。 (2)光照特性 光敏电阻的光照特性是描述光电流I 和光照强度之间的关系,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。图2-3为硫化镉光敏电阻的光照特性。 (3) 光谱特性 光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用,即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性,亦称为光谱响应。图2-4 为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。 对应于不同波长,光敏电阻的灵敏度是不同的,而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。 五、实验步骤 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 (1)将光敏电阻完全置入黑暗环境中(将光敏电阻装入光通路组件,不通电即为完全黑暗),使用万用表测试光敏电阻引脚输出端,即可得到光敏电阻的暗电阻R 暗。 (注:由于光敏电阻个性差异,某些暗电阻可能大于200M 欧,属于正常。) (2)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 4030 2010 I / m A 10010001 x 500 mW 1001 x 200 101 x 0.05 0.100.150.200.250.300.350.40I / m A S r / (%) 20 40 60 80 100 0 1.53

实验报告 光敏电阻基本特性的测量

告验报实 号:实验成绩:班级:学姓名:同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 2.了解简单光路的调整原则和方法. 3.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。4. 在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 5. 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏 电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量 使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个 数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空 为电子的为空穴的迁移率;为电子浓度的改变量;穴浓度的改变量; U后,光电流为 (2) 迁移率。当光敏电阻两端加上电压式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的 距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动

化技术 中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹 ,其中:为不加偏振片时的光照,角为D时,光照为为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图: 表中记录的数据为的值,单位为

实验10(光敏电阻)实验报告

实验十-光敏电阻及光敏二极管的特性实验 实验1:光敏电阻的特性实验 一、实验目的 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。实验原理图如图10-1。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流 表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏电阻、发光二极管、庶光筒。 四、实验接线图 五、实验数据记录和数据处理 1:亮电阻和暗电阻测量

实验数据如下: 2:光照特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 3:伏安特性测量 实验数据如下: 实验数据拟合图像如下: 六、实验思考题

1:为什么测光敏电阻亮阻和暗阻要经过10 秒钟后读数,这是光敏电阻的缺点,只能应用于什么状态? 答:稳定态 实验2:光敏二极管的特性实验 一、实验目的 了解光敏二极管工作原理及特性。 二、实验原理 当入射光子在本征半导体的p-n 结及其附近产生电子—空穴对时,光生载流子受势垒区电场作用,电子漂移到n 区,空穴漂移到p 区。电子和空穴分别在n 区和p 区积累,两端便产生电动势,这称为光生伏特效应,简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把p-n 短接,就产生反向的短路电流,光照时反向电流会增加,并且光电流和照度基本成线性关系。 三、实验器械 主机箱中的转速调节0~24V 电源、±2V~±10V 步进可调直流稳压电源、电流表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏二极管、发光二极管、庶光筒 四、实验接线图 将上图中的光敏电阻更换成光敏二极管(注意接线孔的颜色相对应即+、-极性),按上图安装接线,测量光敏二极管的暗电流和亮电流。 五、实验数据记录和数据处理 1:光照特性 亮电流测试实验数据如下: 实验数据拟合图像如下:

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验—实验总结 姓名:赵儒桐 学号:S1******* 指导教师:王彩霞 专业:信息与通信工程 学院:电子信息工程 2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1: 表2-1 光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 图2.1 光敏电阻光照特性实验曲线 表2-2 光敏电阻伏安特性实验数据

通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的,得到数据如表2-2。 得到的伏安特性如下: 图2.2 光敏电阻伏安特性曲线 由光敏电阻的光谱特性可知光敏电阻对不同波长的光,接收的光灵敏度是不一样的,测量对应各种颜色的光透过狭缝时的电流值,得到数据如下表: 得到的光谱特性曲线如图:

实验报告-光敏电阻基本特性的测量

实验报告 姓名:班级:学号:实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为 (2) 式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中.

本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性

光敏传感器的光电特性研究 (FB815型光敏传感器光电特性实验仪) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1.光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体PN结内部有自建电场。当光照射在PN结及其附近时,在能量足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场E的作用,电子漂移到N区,空穴漂移到P 区。结果使N区带负电荷,P区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动势,此现象称为光生伏特效应。 2.光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

光敏电阻基本特性测量

光敏电阻基本特性测量 教学目的: 光传感器是测量端与信息处理系统的中间环节,可以理解为把光信息变换为电信息的一个元件, 光敏电阻 就是基于内光电效应的一种光传感器,光敏电阻具有灵敏度高,光谱特性好,使用寿命长,稳定性高,体积小以及制造工艺简单等特点,因此作为开关式光电信号传感器广泛应用在自动化技术中。自然界中有很多信息是通过光辐射形式传播的,用常规的仪器无法检测,而通过光电器件则可获得这些信息;光敏电阻体型小,灵敏度高,价格便宜,灵敏度峰值Gds(520mm),根据其特性可实际用于摄像机的露点计﹑光控制器﹑光联结器﹑光电继电器等方面。 制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物,硒化物和锑化物等半导体材料,在可见光范围内,常用的光敏电阻是硫化镉(CdS)本实验即采用该种光敏电阻,光敏电阻的主要参量有暗电阻,亮电阻,光谱范围,峰值波长和时间常量等,基本特性有伏安特性,光谱特性,光照特性等 通过本次实验,学生不仅能对光敏电阻的特性有一定的了解,还可以学习到光路的调整方法,有助于学生动手能力的培养. 教学安排: 本实验学时数为4学时。 原理综述: 光照下物体电导率改变的现象称为内光电效应(光导效应)光敏电阻是基于内光电效应的光电元件,当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带留下空穴,由于材料中载流子数目增加,材料的电导率增加,电导率的改变量为 p n pe ne σμμ?=?+? (1) 式中e 为电荷电量, △P 为空穴浓度的改变量, △n 为电子浓度的改变量, μΡ为空穴的转移率, μn 为电子的迁移率. 当光敏电阻两端加上电压U 之后,光电流为 ph A I U d σ=? (2) 其中A 为与电流垂直的截面积,d 为电极间的距离,由(1)和(2)可知,光照一定时,光敏电阻两端电压与光电流为线性关系,呈电阻特性,该直线经过零点,其斜率反映在该光照下的阻值状态. 光照特性是指在一定的外加电压下,光敏电阻的光电流与光通量之间的关系.。光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏电阻的光照特性不同,当入射光很强或很弱时,光敏电阻的光电流与光照之间会呈现非线性关系。其他照度区域近似呈线性关系"不同类型的光敏电阻的光照特性不同,但大多数光敏电阻的光照特性是非线性的。 仪器平台: 本仪器是一种测量光敏电阻基本特性的实验装置,包括伏-安特性和光照特性。结构如图(一)所 示,在导轨上安置五个磁力滑座,分别将光源、两个聚光镜、偏振器、接收器插入滑座內。打开光源,调整聚光镜,使平行光均匀入射到偏振片上,调整聚光镜及接收器使它们处于同一光轴。旋转偏振器的手轮刻度为零时通过的光能最强、刻度为90°时通过的光能最弱。通过旋转手轮改变入射到接收器的光强。根据光敏电阻特性:在一定照度下测

实验一光敏电阻特性测量实验

光电子技术基础实验报告 实验题目光敏电阻特性测量实验日期2020.09.04 姓名组别04 班级18B 学号 【实验目的】 1、了解光敏电阻的工作原理和使用方法; 2、掌握光强与光敏电阻电流值关系测试方法; 3、掌握光敏电阻的光电特性及其测试方法; 4、掌握光敏电阻的伏安特性及其测试方法; 5、掌握光敏电阻的光谱响应特性及其测试方法; 6、掌握光敏电阻的时间响应特性及其测试方法。 【实验器材】 光电技术创新综合实验平台一台 特性测试实验模块一块 光源特性测试模块一块 连接导线若干 【实验原理】 光敏电阻在黑暗的室温条件下,由于热激发产生的载流子使它具有一定的电导,该电导称为暗电导,其倒数为暗电阻,一般的暗电导值都很小(或暗电阻阻值都很大)。当有光照射在光敏电阻上时,电导将变大,这时的电导称为光电导。电导随光照量变化越大的光敏电阻,其灵敏度就越高,这个特性就称为光敏电阻的光电特性,也可定义为光电流与照度的关系。 光敏电阻在弱辐射和强辐射作用下表现出不同的光电特性(线性和非线性),实际上,它的光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流IP ,与作用到光敏电阻上的光照度 E 的关系曲线来描述,不同材料的光照特性是不同的,绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。光敏电阻的本质是电阻,因此它具有与普通电阻相似的伏安特性。在一定的光照下,加到光敏电阻两端的电压与流过光敏电阻的亮电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。 光敏电阻的符号和连接

【实验注意事项】 1、打开电源之前,将“电源调节”处旋钮逆时针调至底端; 2、实验操作中不要带电插拔导线,应该在熟悉原理后,按照电路图连接,检查无误后,方可打开电源进行实验; 3、若照度计、电流表或电压表显示为“1_”时说明超出量程,选择合适的量程再测量; 4、严禁将任何电源对地短路。 5、仪器通电测试前,一定要找老师检查后方可通电测试。 【主要实验步骤】 基础实验: 组装好光源、遮光筒和光探结构件,如下图所示: 1、打开台体电源,调节照度计“调零”旋钮,至照度计显示为“000.0”为止。 2、特性测试模块的 0-12V(J5)和 GND 连接到台体的 0-30V 可调电源的 Vout+和 Vout- 上。 3、J5连接电流表+极,电流表-极连接光敏电阻套筒黄色插孔,光敏电阻套筒蓝色插孔连接J6,电压表+极连接光敏电阻套筒黄色插孔,电压表-极连接光敏电阻套筒蓝色插孔。光敏电阻红黑插座与照度计红黑插座相连。(RP1的值可根据器件特性自行选取) 4、将光源特性测试模块+5V,-5V和GND连接到台体的+5V,-5V和GND1上,航空插座FLED-IN与全彩灯光源套筒相连接。打开光源特性测试模块电源开关K101,将S601,S602, S603开关向下拨(OFF档),使光照强度为0,即照度计显示为0。 5、将S601,S602,S603开关向上拨(ON档),将可调电源电压调为5V,光源颜色选为白光,按“照度加”或“照度减”,测量照度为100Lx、150Lx、200Lx、250Lx、300Lx、350Lx、400Lx、450Lx、500Lx、550Lx、600Lx电压表对应的电压值U,电流表对应的电流值I,光敏电阻值 RL=U/I。且将实验数据记录于表1-1中: 6、改变电源供电偏压,分别记录电压为 7V 和 9V 时,不同光照度下对应的电流值,并分别记录于表 1-2 及表 1-3 中: 7、保持照度为 100Lx 不变,调节电源供电偏压,使供电偏压为 1V、2V、3V、4V、5V、 6V、7V、8V、9V、10V,分别记录对应的电流值,并记录表 1-4 中: 8、按“照度加”,调节使光照为 200Lx、400Lx,记录同一光照不同电压下对应的电流值,并分别记录表 1-5 至表 1-9 中: 9、使可调电源偏压调为 5V 分别测量不同颜色光在 200 Lx 光照强度下,光敏电阻的电流值,将各个光源 200 lx 照度下光敏电阻的电流值记录在表 1-10 中: 10、将S601,S602,S603开关向下拨(OFF档),将可调电源电压调为5V。将光源特性测试模块的J701与光源特性测试模块的J601,J602,J603插座相连接。观察光源特性测试模块的J701点波形和特性测试模块J6点波形,分析光敏电阻的时间响应特性。 11、将“电源调节”旋钮逆时针旋至不可调位置,关闭实验台电源。

光电管特性研究

光电管特性的研究 光电效应是指在光的作用下,从物体表面释放电子的现象,所逸出的电子称为光电子。这种现象是1887年赫兹研究电磁波时发现的。在光电效应中,光不仅在被吸收或发射时以能量h 的微粒出现,而且以微粒形式在空间传播,充分显示了光的粒子性。 1905年爱因斯坦引入光量子理论,给出了光电效应方程,成功地解释了光电效应的全部实验规律。1916年密立根用光电效应实验验证了爱因斯坦的光电效应方程,并测定了普朗克常量。爱因斯坦和密立根都因为光电效应方面的杰出贡献,分别获得1921年和1923年诺贝尔物理学奖。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,例如利用光电效应制成的光电管、光电倍增管等光电转换其间,把光学量转换成电学量来测量。光电元件已成为石油钻井、传真电报、自动控制等生产和科研中不可缺少的元件。 一、教学目的 1、了解光电效应实验的基本规律和光的量子性。 2、测定光电管的伏安特性,研究光电流强度与加在光电管两极间电压的关系。 3、测定光电管的光电特性,研究光电流强度与照在光电管阴极上光通量的关系。 二、教学要求 1、实验三小时完成。 2、观察光电管结构和光电效应现象,理解光的量子性。 3、测定光电管的伏安特性,研究光电流强度与加在光电管两极间电压的关系。 4、测定光电管的光电特性,研究光电流强度与照在光电管阴极上光通量的关系。 5、用所学过的知识解释本次实验所测得的曲线,并对实验结果进行评价,写出合格的实验报告。 三、教学重点和难点 1、重点:通过光电管的伏安特性和光电特性,掌握光电效应迈的实验原理。

2、难点:最小二乘法处理数据。 四、讲授内容(约20分钟) 采用讲授、讨论、演示相结合的教学方法。 1、光电效应的实验原理。 2、与学生们共同探讨光电效应在现代生产生活中的应用。 (1)光电管 利用饱和电流与照射光强的线性关系,实现光信号和电信号之间的转换。如:光控继电器、自动控制、自动计数、自动报警等。 (2)光电倍增管 光电倍增管可使光电阴极发出的光电子增至48 10~10倍,在探测弱光方面得到广泛的应用。 (3)光电成像器件 光电导摄像管等,可以将辐射图像转换成或增强为可观察、记录、传输、存储和进行处理的图像,广泛地应用于天文学、空间科学、电视等领域。 3、光电管的伏安特性曲线的特点和光电特性的特点,留给学生思考如何用所学知识解释这些特点,并在实验报告中回答。 4、结合仪器演示实验的主要步骤。 (1)测光电管的伏安特性曲线 ⑴按教材图5.12-4接好线路,使光电管阳极为高电势,检查正负极插线无误后,打开光电效应仪的电源开关,并预热10分钟。 ⑵选取合适的小灯电流值。测量前先测出小灯泡与光电管阴极间的初始间 r,并记录。 距0 ⑶研究光电管正向伏安特性。由于光电管的伏安特性为非线性曲线,因此,在非线性区域,测试点应多一些。 ⑷测临界截止电压。将光电管接线的极性对调,即在光电管两极加上反向电压,使光电管阳极为负电势,慢慢增大反向电压,记下使光电流刚好为零的电压值,即为临界截止电压。 ⑸研究光电管在不同光强照射下的伏安特性,采用两种方法。

光敏电阻基本特性及主要参数的测试

光敏电阻特性测试及分析

理工大学紫金学院光电综合实验室 光敏电阻主要参数及基本特性的测试 一、工作原理 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器;半导体的导电能力取决于半导体导带载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,成为自由电子,同时产生空穴,电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强,光生电子—空穴对就越多,阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后,流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失,电子-空穴对逐渐复合,电阻也逐渐恢复原值,电流也逐渐减小。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化) 光敏电阻的主要参量有暗电阻,亮电阻、光谱围、峰值波长和时间常量等。基本特性有伏安特性、光照特性、光谱特性等。伏安特性是指在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压和光电流之间的关系。光照特性是指在一定外加电压下,光敏电阻的光电流与光通亮的关系。 根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器: 1.紫外光敏电阻器:对紫外线较灵敏,包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等,用于探测紫外线。 2.红外光敏电阻器:主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅。锑化铟等光敏电阻器,广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体病变探测、红外光谱,红

外通信等国防、科学研究和工农业生产中。 3.可见光光敏电阻器:包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。主要用于各种光电控制系统,如光电自动开关门户,航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭,自动给水和自动停水装置,机械上的自动保护装置和“位置检测器”,极薄零件的厚度检测器,照相机自动曝光装置,光电计数器,烟雾报警器,光电跟踪系统等方面。 二、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验容 1、光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻测试实验(基本参数测试) 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流测试实验(基本参数测试) 3、光敏电阻的光谱特性测试实验(特性测试) 4、光敏电阻的伏安特性测试实验(特性测试) 四、测试仪器的技术参数及结构原理 1、仪器的测量精度: 电压:0.01V 电流:0.01mA 2、光学参数 偏振片口径:35mm

光敏电阻特性测定实验及分析

光敏电阻特性测定实验及分析 何乾伟1 张钰2 摘要:随着电子技术的不断发展,光敏电阻作为一种重要的电子元件,由于其具有灵敏度高、反应速度快、体积小和可靠性好等特点而不断被开发,但科学研究以及市场应用对光敏电阻的性能要求也越来越高。首先简单介绍了光敏电阻的工作原理及主要参数,然后针对光敏电阻的伏安特性和光照特性的测量需要进行了实验设计,完成了对光敏电阻暗电阻、亮电阻、灵敏度、光谱特性、响应时间和频率特性等参数的测量,并分析其中的规律。 关键词:光敏电阻特性分析实验 0引言 光敏电阻是利用材料或器件的电导率会随外加光源的改变而变化的性质制作的一种不同于普通定值电阻的可变电阻。由于其灵敏度高、反应速度快、体积小和可靠性好等原因,被广泛运用于各种光控电路之中。作为一种重要的电子元件,光敏电阻具有许多特性参数。光敏电阻在无光照的条件下电阻一般很大,当存在光照时,其电阻便会大大下降。本文针对光敏电阻的伏安特性和光照特性的测量需要进行了实验设计,完成了对光敏电阻暗电阻、亮电阻、灵敏度、光谱特性、响应时间和频率特性等参数的测量,并分析其中的规律,为以后对光敏电阻的研究提供了资料。 1光敏电阻的工作原理及主要参数 1.1光敏电阻的工作原理 材料或器件受到光照时电导率发生变化的现象称为内光效应。当光源存在时,发生内光效应,材料或器件吸收的能量使部分价带电子变迁到导带,与此同时,在价带中便形成了空穴,由于载流子个数的增加,材料或器件的导电率也随之增加。光源消失后,由光子激发产生的电子──空穴对将逐渐复合,光敏电阻的阻值也将恢复原值。 光敏电阻的制作材料为半导体,它是利用内光效应原理而制作的光电元件。在光照条件下阻值一般会减小,这种现象称之为光导效应。光敏电阻是一个可变电阻器件,没有极性,在直流电和交流电压下都可以正常工作。

大物实验报告 光电效应

试验名称:光电效应法测普朗克常量h 实验目的:是了解光电效应的基本规律。并用光电效应方法测量普朗克常量和测定光电管的 光电特性曲线。 实验原理 光电效应实验原理如图8.2.1-1所示。其中S 为真空光电管,K 为阴极,A 为阳极。当无光照射阴极时,由于阳极与阴极是断路,所以检流计G 中无电流流过,当用一波长比较短的单色光照射到阴极K 上时,形成光电流,光电流随加速电位差U 变化的伏安特性曲线如图8.2.1-2所示。 1. 光电流与入射光强度的关系 光电流随加速电位差U 的增加而增加,加速电位差增加到一定量值后,光电流达到饱和值和值I H ,饱和电流与光强成正比,而与入射光的频率无关。当U= U A -U K 变成负值时,光电流迅速减小。实验指出,有一个遏止电位差U a 存在,当电位差达到这个值时,光电流为零。 2. 光电子的初动能与入射频率之间的关系 当U=U a 时,光电子不再能达到A 极,光电流为零。所以电子的初动能等于它克服电场力作用的功。即 a eU mv =2 2 1 (1) 根据爱因斯坦关于光的本性的假设,每一光子的能量为hv =ε,其中h 为普朗克常量,ν为光波的频率。所以不同频率的光波对应光子的能量不同。光电子吸收了光子的能量h ν之后,一部分消耗于克服电子的逸出功A ,另一部分转换为电子动能。由能量守恒定律可知 A mv hv += 22 1 (2) 式(2)称为爱因斯坦光电效应方程。

3. 光电效应有光电存在 实验指出,当光的频率0v v <时,不论用多强的光照射到物质都不会产生光电效应,根据式(2), h A v = 0,ν0称为红限。 爱因斯坦光电效应方程同时提供了测普朗克常量的一种方法:由式(1)和(2)可得: A U e hv +=0,当用不同频率(ν1,ν2,ν3,…,νn )的单色光分别做光源时,就有 A U e hv +=11 A U e hv +=22 ………… A U e hv n n += 任意联立其中两个方程就可得到 j i j i v v U U e h --= )( (3) 由此若测定了两个不同频率的单色光所对应的遏止电位差即可算出普朗克常量h ,也可由ν-U 直线的斜率求出h 。 因此,用光电效应方法测量普朗克常量的关键在于获得单色光、测得光电管的伏安特性曲线和确定遏止电位差值。 实验内容 通过实验了解光电效应的基本规律,并用光电效应法测量普朗克常量。 1. 在577.0nm 、546.1nm 、435.8nm 、404.7nm 四种单色光下分别测出光电管的伏安特性曲线,并根据此曲线确定遏止电位差值,计算普朗克常量h 。 本实验所用仪器有:光电管、单色仪(或滤波片)、水银灯、检流计(或微电流计)、直流电源、直流电压计等. j i j i v v U U e h --= )(,求斜率,得到普朗克常量h. 入射光波长λ/nm 365nm

光敏电阻实验报告

实验报告 姓名:高阳班级:F0703028 学号:5070309013 实验成绩: 同组姓名:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效的光电元件。当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光 敏电阻两端加上电压U后,光电流为(2) 式中A 为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。

用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图: 【实验数据记录、实验结果计算】 1测量光敏电阻的电压与光电流的关系 在调整好光路后,就可以做这一个内容的实验了。下面附上这个实验内容的电路图:

实验5:光敏电阻特性实验

实验5 光敏电阻特性实验 一、实验目的:了解光敏电阻的光照特性和伏安特性。 二、基本原理:在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小。基于这种效应的光电器件称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。实验原理图如图4-1。 图4-1 光敏电阻实验原理图 三、需用器件与单元:主机箱中的转速调节0~24V电源、±2V~±10V步进可调直流稳压电源、电流表、电压表;光电器件实验(一)模板、光敏电阻、发光二极管、庶光筒。 四、实验步骤: 1.发光二极管(光源)的照度标定 1)按图4—2安装接线,接线时注意+、-极性,并将主机箱中的0~24V可调电压调节至 最小值; 2)将电压表量程拧至20V档,合上主机箱电源,调节主机箱中的0~24V可调电压就可以 改变光源(发光二极管)的光照度值按照表4-1进行标定(调节电压源),得到照度——电压对应值,根据表4-1数据做出发光二极管的电压——照度特性曲线。 图4-2 发光二极管工作电压与光照度的对应关系实验接线示意图

表4-1 发光二极管电压与光照度的对应关系 光照度(Lx)0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 电压(V) 电压U(V) 照度(Lx) 2.亮电阻和暗电阻测量 1)按图4-3安装接线,接线时注意+、-极性,并将主机箱中的0~24V可调电压调节至最 小值。打开主机箱电源,将±2V~±10V的可调电源开关打到10V档,再缓慢调节0~24V可调电源,使发光二极管二端电压为光照度100Lx时对应的电压(实验步骤1中的标定值)值。 2)10秒钟左右读取电流表(可选择电流表合适的档位20mA档)的值为亮电流I亮。 图4-3 光敏电阻特性实验接线图 3)将0~24V可调电源的调节旋钮逆时针方旋到底后10秒钟左右读取电流表(20μA档) 的值为暗电流I暗。 4)根据以下公式,计算亮阻和暗阻(照度100Lx): R亮=U测/ I亮;R暗=U测/ I暗 3.光照特性测量

光敏电阻特性测试实验(精)

光敏电阻特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验; 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光敏电阻及封装组件 1套 4、光照度计 1台 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构很简单,图1-1(a)为金属封装的硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体物质,称为光导层。半导体的两端装有金属电极,金属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端接入电路。为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最

光敏电阻实验

中国石油大学 智能仪器 实验报告 成 绩: 班级: 姓名: 同组者: 教师: 光敏电阻实验 【实验目的】 1、 了解光敏电阻的工作原理; 2、 掌握光敏电阻的光电特性,光谱响应特性,频率特性等基本特性; 3、 理解光敏电阻的一般应用。 【实验原理】 光敏电阻是利用半导体光电导效应制成的一种特殊电阻,对光线十分敏感,它的电阻值能随着外界光照强弱(明暗)变化而变化.它在无光照射时,呈高阻状态;当有光照射时,其电阻值迅速减小.光敏电阻通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成的,如图1所示。可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻,利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见,广泛应用于各种自动控制电路(如自动照明灯控制电路、自动报警电路等)、 家用电器(如电视机中的亮度自动调节,照相机的自动曝光 图1 光敏电阻结构图 控制等)及各种测量仪器中。 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应.本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件.当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加,电导率的改变量为 p n p e n e σμμ?=???+??? (1) 在(1)式中,e 为电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。 当两端加上电压U 后,光电流为: ph A I U d σ= ??? (2) 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明电阻值随光照

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

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