可控硅参数说明及中文英文对照表
文
韩-中-英姓氏对照表
韩国姓氏-中英韩对照表 姓氏中文英文其他可以使用的表示方法(越左边的越常用) ?贾Ga Ka,Kah,Gah ?简Gan Kan,Khan ?葛Gal Kal,Garl,Gahl,Karl ?甘Gam Kam,Kahm,Karm ?康姜Gang Kang,Kahng,Kwang,Khang 强刚疆 ?介Gae ?甄坚Gyeon Kyun,Kyeon,Kyen,Kyoun,Kyon,Kwion ?景庆Gyeong Kyung,Kyoung,Kyeong,Kyong,Kung ?桂Gye Kye,Kay,Kae,Gae,Keh ?高Go Ko,Koh,Goh,Kho,Gho,Kor ?桥Gyo Kyo ?曲Gok Kok ?公孔Gong Kong,Kohng,Koung,Goung,Khong ?郭Gwak Kwak,Kwag,Kwack,Gwag,Koak ?丘具邱Gu Koo,Ku,Goo,Kou,Kuh ?国菊鞠Guk Kook,Kuk,Gook,Kug,Gug,Cook ?君Gun ?弓Gung Koong,Kung,Kwoong ?Gwok Kweag ?权Gwon Kwon,Kweon,Kwun,Gwon,Kwan
?斤Geun Geun,Keun ?琴Geum Keum,Kum,Gum,Guem,Kuem ?奇箕Gi Ki,Kee,Key,Gee,Ky,Khee,Kie ?吉Gil Kil,Gill,Khil,Kill,Keel ?金Gim Kim,Kym ?罗Na Ra,Nah,La,Rha,Rah ?栾Nan ?南Nam Nahm,Nham,Narm ??南宮Namgung Namkung,Namkoong,Namgoong,Namkoung, Namgoog,Namgooing ?浪Nang Nahng,Lang ?乃奈Nae Na ?路卢鲁No Noh,Roh,Ro,Rho,Nho ?雷赖Noe ?楼Nu ?段单端Dan Dahn ?谭Dam ?唐Dang Tang ?大Dae Dai,Dea ?道都陶Do Doh,Dho,To,Doe ?Dokgo Dokko,Toko,Tokko,Dockko ?敦顿Don
中文姓氏对应英文拼写
中文姓氏对应英文拼写 A 艾——Ai 安——Ann/An 敖——Ao B 巴——Pa 白——Pai 包/鲍——Paul/Pao 班——Pan 贝——Pei 毕——Pih 卞——Bein 卜/薄——Po/Pu 步——Poo 百里——Pai-li C 蔡/柴——Tsia/Choi/Tsai 曹/晁/巢——Chao/Chiao/Tsao 岑——Cheng 崔——Tsui 查——Cha 常——Chiong 车——Che 陈——Chen/Chan/Tan 成/程——Cheng 池——Chi 褚/楚——Chu 淳于——Chwen-yu D 戴/代——Day/Tai 邓——Teng/Tang/Tung 狄——Ti 刁——Tiao 丁——Ting/T 董/东——Tung/Tong
杜——To/Du/Too 段——Tuan 端木——Duan-mu 东郭——Tung-kuo 东方——Tung-fang F 范/樊——Fan/V an 房/方——Fang 费——Fei 冯/凤/封——Fung/Fong 符/傅——Fu/Foo G 盖——Kai 甘——Kan 高/郜——Gao/Kao 葛——Keh 耿——Keng 弓/宫/龚/恭——Kung 勾——Kou 古/谷/顾——Ku/Koo 桂——Kwei 管/关——Kuan/Kwan 郭/国——Kwok/Kuo 公孙——Kung-sun 公羊——Kung-yang 公冶——Kung-yeh 谷梁——Ku-liang H 海——Hay 韩——Hon/Han 杭——Hang 郝——Hoa/Howe 何/贺——Ho 桓——Won 侯——Hou 洪——Hung 胡/扈——Hu/Hoo
双向可控硅选型表要点
双向可控硅为什么称为“TRIAC”? 三端：TRIode(取前三个字母) 交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母) 以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。 由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。 另: 双向：Bi-directional(取第一个字母) 控制：Controlled (取第一个字母) 整流器：Rectifier (取第一个字母) 再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。 以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。 -------------- 双向：Bi-directional (取第一个字母) 三端：Triode (取第一个字母) 由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅. 代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指 三象限的双向可控硅。三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。 ------------------- 而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如： 四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等； 四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等； ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”； 代表型号如：BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、、、、等等。 至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下： PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA； PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA， 注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明，一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。 对于产品类别、品种系列的名词国际上通用的命名有:
中国百家姓中英文对照And香港拼音
中国百家姓中英文对照And香港拼音 首先应该明确一下，中文姓氏是不存在标准的英文拼写的，因为中文汉字名不论有没有内在含义，一旦转入英文就完全变作拼音名了。也就是说完全根据中文名的读音来进行拼写。那么，之所以外界的拼写和我们不同，很大程度上是受到了汉字方言的影响，即：这种情况普遍出现在没有确立“中国汉语普通话”概念的区域里。 由于我们中国大陆已经确立“普通话”概念，所以大陆范围内无论什么方言，都统统以普通话读音为汉语规范读音，于是拼音体系也自然以普通话为标准。而相比之下，香港地区的官方语言是粤语，于是香港地区的拼音体系也自然是粤语音的描述。 例如：姓氏“陈” 普通话读音为：“Chen” 香港粤语读音为：“残”，于是根据这个读音，再结合英文字母的搭配发音习惯便拼写为“Chan”。 再比如：姓氏“刘” 普通话读音为：“Liu” 香港粤语读音贴近于“劳”，于是香港的“刘”姓便拼写为“Lau”。 所以，由此可以得知英文对于中文汉字的语音翻译非常直白，并没有深层追究的成分。 另外，目前各非英文地区都有一套自定的拼音体系，确保本地区公民姓名翻译成英文后依然有法律认证功能，我们中国大陆自然以汉语拼音为默认准绳。而香港；台湾；乃至朝鲜韩国也都有一套自定的拼音体系，只是他们都是以本地区语音为拼读发音基础。所以同一个汉字在不同区域拼写也不同。 比如：姓氏“金” 中国普通话汉语拼音：“Jin” 中国香港粤语拼音：“Kam” 中国台湾所谓国语通用拼写：“Chin” 中国汉字朝鲜语音拼写：“Kim”
此外还存在拼写为“King”的情况。 由此可见，同一个字的拼写如此多样，而之间不能相互取代，所以并不存在标准的拼写。 虽然各地区似乎都有完善的文字转换英文拼写的体系，但似乎都不能完全符合传统英文发音习惯。这也是东西方习惯的不可调和的矛盾，相比之下东方这些汉字根源地区更注重的是“体系”，而纯粹的英文国家则更倾向于“习惯”，所以双方并不能做到彼此完全吻合。比如：姓氏“宋” 中国大陆汉语拼音拼写为“Song” 中国台湾拼写以及香港拼写均为“Sung” 虽然“宋”字在以上三地的读音基本相同，而且各地区都以自身提起确立了对它的拼写，但如果依照英文的传统发音频度习惯，“Song”和“Sung”均不会正确发出“宋”的音来。中国百家姓（Hundres of Surnames in China)中英文对照 A: 艾--Ai 安--Ann/An 敖--Ao B: 巴--Pa 白--Pai 包/鲍--Paul/Pao 班--Pan 贝--Pei 毕--Pih 卞--Bein 卜/薄--Po/Pu 步--Poo 百里--Pai-li
可控硅参数名词解释
晶闸管参数名词解释 1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。 注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。 2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。 1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。 2）测试条件：a）结温：25℃和125℃；b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS 的正弦半波；d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压 注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。 3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。 4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。 5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。 1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。 2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间 6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。 2）测试条件：a)加通态电流前结温：125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）；e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。 7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。 1）测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值 2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波； 3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。 8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。 1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值 2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)主电路条件：阳，阴极间断路。 3）测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确认。 9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。 10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
中文名字的英文写法精
中文名字的英文写法精 Document number【980KGB-6898YT-769T8CB-246UT-18GG08】
中文名字最标准的英文写法就是直接翻译成汉语拼音： Li Leyang或 Lee Yeyang 西方人的习惯是名字在前，姓在后，二者间如果有中间名（Middle name），Middle name一般用简写，中国人如果有英文名字，在正式的场合可以参照这种格式。比如，搜狐创始人、董事局主席张朝阳的英文名字就写成：Charles CY. Zhang. 搜狐所有英文正式文件中张朝阳的名字都是这样写的。 如果没有英文名字，那么应该按照中国人的习惯（姓在前名字在后）直接把中文名字翻译成汉语拼音作为英文写法！很典型的例子，奥运会上，所有中国运动员的名字在运动衣上都是这样翻译的（以前不是，后来国家颁布了《汉语拼音方案》，并解释到《汉语拼音方案》是拼写中文人名地名唯一标准后，统一改过来了），所以，中国人名字的英文写法，就是汉语拼音：姓在前，名在后，姓和名分开写，姓和名的开头字母均大写！ 两个字的是：比如：张三就应该写：Zhang San 三个字的是：1.单姓,比如：李小言就应该写：Li Xiaoyan 2.复姓,比如：诸葛亮就应该写：Zhuge Liang 四个字的是：1.单姓,比如：李雨中生就应该写：Li Yuzhongsheng 2.复姓,比如：司马相如就应该写：Sima Xiangru 1.?Last?Name就是姓，First?Name就是名，请勿混淆。 2.?"国语罗马拼音对照表"?乃外交部护照科所采用的中英文姓名翻译原则，为了保持所有文 ?件的统一，建议同学根据此表来翻译姓名及地址。 3.?同学的英文姓名，应由中文姓名音译，并与大学英文毕业证书、英文成绩单、TOEFL?/ ?GRE?/?GMAT考试及申请学校、办理护照及签证时所用的英文姓名完全一致，如姓名不 ?一致，将造成申请学校、办护照、签证时身份的困扰，徒增麻烦。 4.?如果有英文别名?(如John、Mary...等)，可以将别名当做Middle?Name。 ?[例]?王甫平有一个英文别名STEVE，其英文姓名可以下列方式列出： ?WANG FUPING S ?Last?Name First?Name . 5.?如果没有英文别名，M.I.?处不要填。 6.?如非必要，英文别名最好不要用，只用中文姓名的英译最为单纯。 7.?在国外使用英文姓名的建议：外国人习惯将名放在前面，姓放在後；而中国人的姓名， ?则是姓在前名在後，有时在国外填写资料时常会搞错，建议在打履历表、印名片或处理
中文名字韩语对照表(姓名韩文翻译)
下载后，按Ctrl+F就可以搜索了！ ?仮伽佳假家价加可呵咖哥哿嘉坷嫁宊家苛茄葭斝暇架枷柯榎槚歌珂珈迦痂稼笳耞舸街袈诃謌贾跏轲驾 ?刻却却各咯埆恪搉搁悫桷壳珏脚觉角阁 ?侃偘刊垦奸奸干干悭拣涧茛恳暕杆柬栞杆干玕迀癎看磵秆秆竿简肝艮艰衎谏赶间龈 ?乫喝噶渴葛曷楬碣秸竭褐羯蝎蝎鞨鹖 ?勘坎坩埳堪嵌嵁弇憾撼泔淦减澉邯感憨戡敢柑橄欿敛甘疳监瞰矙绀轗酣鉴鉴鹻碱龛 ?匣岬甲胛钾闸韐 ?傋僵刚堈壃姜冈岗康强强强忼慷扛江茳姜降杠橿殭畺疆矼穅罡襁糠绛纲襁羌羗羫腔舡讲豇钢缰鱇 ?介价个凯剀匃垲恺忾慨揩漑芥盖改槪槩玠疥皆盖磕个豈铠开闿 ?喀客 ?坑更硁粳羹赓铿 ?醵 ?倨去呿居巨拒据据渠苣莒蕖蘧举昛炬遽祛秬袪裾筥籧胠腒距踞車巨锯駏 ?干件健巾建揵愆楗犍睷腱虔褰謇蹇键鞬骞 ?乞乬杰朅杰桀榤
?俭剑剑捡芡检睑钤黔 ?刧刦劫怯迲 ?偈揭憩 ?挌激隔击格檄毄膈觋阒骼鬲鴃 ?坚狷樫牵犬遣甄畎羂笕绢縳缱肩蠲茧见谴鲣鹃 ?抉决洁玦结缺觖诀阕 ?傔兼嗛岒慊拑蒹歉箝缣谦钳鎌黚鼸 ?京俓倞倾儆冏刭劲勍卿哽垧境庚径惸憬泾茎庆憼扃擎敬景暻更梗檠炅烱焭茕颎璟璥琼径畊痉硬磬竟竞竸絅经绠罄耕耿胫褧謦警轻镜顷颈顈頚駉惊鲠鲸黥 ?系启堺阶契季届悸溪葪蓟阶戒桂械棨烓禊界瘈癸磎稽罽筓系綮縘系继计诫溪鸡髻鸡 ?估凅刳古叩告呱固塙姑孤尻库拷沽苦苽菰藁郜考故敲暠杲枯栲槁槀槹櫜牯痼皋皐盬睾瞽稁稿罟袴箍篙糕羔羖翱考股胯膏蛊觚诂诰賈辜酤钴锢雇靠顾高鸪鷱鼓 ?哭喾斛曲梏槲谷縠觳谷毂鹄 ?困坤堃昆昆悃捆滚昆捆棍琨裍裈绲衮衮锟阃髡鲲鹍鹍齫
?搰汨滑榾矻骨鹘 ?供倥公共功孔崆工悾拱控恐恭攻栱杠珙空箜蚣蛩蛬贡赣跫釭巩龚 ?串 ?侉埚伙夸寡挝猓菓戈果过瓜科稞窠蝌裹夸课跨踝銙锅颗骒 ?廓藿郭椁椁癨躩霍鞹 ?丱串冠官宽惯涫灌菅棺款爟管瓘祼盥窾筦管绾罐观贯輨錧鑵关雚颧馆髋鹳 ?佸刮括恝栝适筈聒髺鸹 ?侊光匡圹广恇洸狂犷茪旷桄框炚爌珖磺筐絖纩胱诓诳矿 ?卦呙挂挂罣罫诖
中文姓氏的英文翻译对照表
中文姓氏的英文翻译对照表 中文姓氏的英文翻译对照表.txt我们用一只眼睛看见现实的灰墙，却用另一只眼睛勇敢飞翔，接近梦想。男人喜欢听话的女人，但男人若是喜欢一个女人，就会不知不觉听她的话。在互联网上混的都时兴起个英文名字，一是方便注册用户名，二是有个好英文名容易显得自己比较Cool。但是起英文名时，中文姓氏还是要保留的，并且姓氏一般都有专门的英文翻译，比如“刘德华”的英文名是Andy，刘姓对应的英文翻译是Lau，所以全称便是“Andy Lau”。当然了，我们一般人直接用汉语拼音作为姓氏的英文翻译也可以，但在比较正式的场合下，最好还是用相应的英文翻译。 姓氏的英文翻译跟汉语拼音是有一些细微差别的，这主要由中西方人发音的不同特点来决定的。比如，从声母上来看，D开头的姓，英文翻译对应的是T，G对应的是K，X对应的是HS，Z、J 一般对应的是C，韵母也会有一些细微差别。详细的，请参考如下中文姓氏的英文翻译对照表，正在起英文名的朋友可以看看。 A: 艾--Ai 安--Ann/An 敖--Ao B: 巴--Pa 白--Pai 包/鲍--Paul/Pao 班--Pan 贝--Pei 毕--Pih 卞--Bein 卜/薄--Po/Pu 步--Poo 百里--Pai-li C: 蔡/柴--Tsia/Choi/Tsai 曹/晁/巢--Chao/Chiao/Tsao 岑--Cheng 崔--Tsui 查--Cha
常--Chiong 车--Che 陈--Chen/Chan/Tan 成/程--Cheng 池--Chi 褚/楚--Chu 淳于--Chwen-yu D: 戴/代--Day/Tai 邓--Teng/Tang/Tung 狄--Ti 刁--Tiao 丁--Ting/T 董/东--Tung/Tong 窦--Tou 杜--To/Du/Too 段--Tuan 端木--Duan-mu 东郭--Tung-kuo 东方--Tung-fang E: F: 范/樊--Fan/Van 房/方--Fang 费--Fei 冯/凤/封--Fung/Fong 符/傅--Fu/Foo G: 盖--Kai 甘--Kan 高/郜--Gao/Kao 葛--Keh 耿--Keng 弓/宫/龚/恭--Kung 勾--Kou 古/谷/顾--Ku/Koo 桂--Kwei
中文姓氏英文翻译
艾--Ai 安--Ann/An 敖--Ao B: 巴--Pa 白--Pai 包/鲍--Paul/Pao 班--Pan 贝--Pei 毕--Pih 卞--Bein 卜/薄--Po/Pu 步--Poo 百里--Pai-li C: 蔡/柴--Tsia/Choi/Tsai 曹/晁/巢--Chao/Chiao/Tsao 岑--Cheng 崔--Tsui 查--Cha 常--Chiong 车--Che 陈--Chen/Chan/Tan 成/程--Cheng 池--Chi 褚/楚--Chu 淳于--Chwen-yu D: 戴/代--Day/Tai 邓--Teng/Tang/Tung 狄--Ti 刁--Tiao 丁--Ting/T 董/东--Tung/Tong 窦--Tou 杜--To/Du/Too 段--Tuan 端木--Duan-mu 东郭--Tung-kuo 东方--Tung-fang E: F: 范/樊--Fan/Van 房/方--Fang 费--Fei 冯/凤/封--Fung/Fong 符/傅--Fu/Foo G: 盖--Kai 甘--Kan 高/郜--Gao/Kao 葛--Keh 耿--Keng 弓/宫/龚/恭--Kung 勾--Kou 古/谷/顾--Ku/Koo 桂--Kwei 管/关--Kuan/Kwan 郭/国--Kwok/Kuo 公孙--Kung-sun 公羊--Kung-yang 公冶--Kung-yeh 谷梁--Ku-liang H: 海--Hay 韩--Hon/Han 杭--Hang 郝--Hoa/Howe 何/贺--Ho 桓--Won 侯--Hou 洪--Hung 胡/扈--Hu/Hoo 花/华--Hua 宦--Huan 黄--Wong/Hwang 霍--Huo 皇甫--Hwang-fu 呼延--Hu-yen I: J: 纪/翼/季/吉/嵇/汲/籍/姬--Chi 居--Chu 贾--Chia 翦/简--Jen/Jane/Chieh 蒋/姜/江/--Chiang/Kwong 焦--Chiao 金/靳--Jin/King 景/荆--King/Ching 讦--Gan K: 阚--Kan 康--Kang 柯--Kor/Ko 孔--Kong/Kung 寇--Ker 蒯--Kuai 匡--Kuang L: 赖--Lai 蓝--Lan 郎--Long 劳--Lao 乐--Loh 雷--Rae/Ray/Lei 冷--Leng 黎/郦/利/李--Lee/Li/Lai/Li 连--Lien 廖--Liu/Liao 梁--Leung/Liang 林/蔺--Lim/Lin 凌--Lin 柳/刘--Liu/Lau 龙--Long 楼/娄--Lou 卢/路/陆鲁--Lu/Loo 伦--Lun 罗/骆--Loh/Lo/Law/Lam/Rowe 吕--Lui/Lu 令狐--Lin-hoo
可控硅参数列表
March 2008 Rev. 21/9 AN2703 Application note Parameter list for SCRs, TRIACs, AC switches, and DIACS Introduction All datasheet parameters are rated as minimum or maximum values, corresponding to the product parameter distribution. In each datasheet, two classes of parameters are available:■ Absolute ratings, corresponding to critical parameters, not to be exceeded for safe operation. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged.■Electrical, thermal and static characteristics, defining limits on product https://www.360docs.net/doc/6a3315623.html,
Parameters AN2703 1 Parameters 2/9
AN2703Parameters 3/9I GM Peak gate current This is the maximum peak current allowed through gate and cathode, defined for a 20 μs pulse duration. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged. P G(AV)Average gate power dissipation This is the maximum average power that can be dissipated by the gate junction. If the absolute rating is exceeded, the component may be damaged. V RGM Peak reverse gate voltage This parameter is only defined for SCRs. It is the maximum reverse voltage than can be applied across gate and cathode terminals, without risk of destruction of the gate to cathode junction. V GM Peak positive gate voltage (with respect to the pin "COM") This parameter is only defined for ACSs. It is the maximum voltage than can be applied across gate and COM terminals without risk of destruction of the gate to COM junction.Table 2.Electrical characteristics parameters Parameter Name and description P Average power dissipation This is the average power dissipated by current conduction through the device for one full cycle operation. I GT Triggering gate current This is the current to apply between gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of the component. For a SCR, the gate current has always to be sunk by the gate. For a TRIAC, I GT is define for 3 or 4 quadrants corresponding to the different polarities of A2, A1 and gate: - Q1: I g sunk by the gate, V A2-A1 > 0 - Q2: I g sourced by the gate, V A2-A1 > 0 - Q3: I g sourced by the gate, V A2-A1 < 0 - Q4: I g sunk by the gate, V A2-A1 < 0 The I GT value is higher in Q4 quadrant. For ACS types, I GT is defined in two quadrants (Q2 and Q3). V GT Triggering gate voltage This is the voltage to apply across gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) to reach the IGT current and then to trigger the device. V GD Non-triggering gate voltage V GD is the maximum voltage which can be applied across gate and cathode (or gate and electrode A1 for TRIAC) without causing undesired turn-on. This parameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junction temperature.Table 1.Absolute ratings parameters (continued) Parameter Name and description
姓氏中英文对照
A: 艾--Ai 安--Ann/An 敖--Ao B: 巴--Pa 白--Pai 包/鲍--Paul/Pao 班--Pan 贝--Pei 毕--Pih 卞--Bein 卜/薄--Po/Pu 步--Poo 百里--Pai-li C: 蔡/柴--Tsia/Choi/Tsai 曹/晁/巢--Chao/Chiao/Tsao 岑--Cheng 崔--Tsui 查--Cha 常--Chiong 车--Che 陈--Chen/Chan/Tan 成/程--Cheng 池--Chi 褚/楚--Chu 淳于--Chwen-yu D: 戴/代--Day/Tai 邓--Teng/Tang/Tung 狄--Ti 刁--Tiao 丁--Ting/T 董/东--Tung/Tong 窦--Tou 杜--To/Du/Too 段--Tuan 端木--Duan-mu
东郭--Tung-kuo 东方--Tung-fang E: F: 范/樊--Fan/Van 房/方--Fang 费--Fei 冯/凤/封--Fung/Fong 符/傅--Fu/Foo G: 盖--Kai 甘--Kan 高/郜--Gao/Kao 葛--Keh 耿--Keng 弓/宫/龚/恭--Kung 勾--Kou 古/谷/顾--Ku/Koo 桂--Kwei 管/关--Kuan/Kwan 郭/国--Kwok/Kuo 公孙--Kung-sun 公羊--Kung-yang 公冶--Kung-yeh 谷梁--Ku-liang H: 海--Hay 韩--Hon/Han 杭--Hang 郝--Hoa/Howe 何/贺--Ho 桓--Won 侯--Hou 洪--Hung 胡/扈--Hu/Hoo 花/华--Hua 宦--Huan 黄--Wong/Hwang
中韩姓氏对照表
[资料] 中韩姓氏对照表 2007-04-06 11:36 P.M. ? ?(贾) ?(简) ?(葛) ?(甘) ?(康) ?(姜) ?(强) ?(刚) ?(疆) ?(介) ?(甄) ?(坚) ?(景) ?(庆) ?(桂) ?(高) ?(曲) ?(公) ?(孔) ?(郭) ?(桥) ?(丘) ?(具) ?(邱) ?(国) ?(菊) ?(鞠) ?(君) ?(弓) ?(*) ?(权) ?(斤) ?(琴) ?(奇) ?(箕) ?(吉) ?(金) ? ?(羅] ?(欒] ?(南] ?(浪] ?(乃] ?(奈] ?(路] ?(盧] ?(魯] ?(雷] ?(赖] ?(楼] ? ?(段) ?(单) ?(端) ?(谭) ?(唐) ?(大) ?(道) ?(都) ?(陶) ?(敦) ?(顿) ?(董) ?(杜) ?(头) ? ?(马) ?(麻) ?(万) ?(梅) ?(孟) ?(明) ?(牟) ?(毛) ?(睦) ?(苗) ?(墨) ?(文) ?(米) ?(闵) ? ?(朴) ?(潘) ?(班) ?(房) ?(方) ?(庞) ?(邦) ?(裵) ?(白) ?(范) ?(凡) ?(卞) ?(边) ?(卜) ?(奉) ?(凤) ?(夫) ?(丕) ?(彬) ?(宾) ?(氷) ? ?(史) ?(谢) ?(舍) ?(森) ?(尙) ?(西) ?(徐) ?(石) ?(昔) ?(宣) ?(卨) ?() ?(薛) ?(雪) ?(葉] ?(成) ?(星) ?(苏) ?(邵) ?(孙) ?(宋) ?(松) ?(水) ?(洙) ?(淳) ?(荀) ?(舜) ?(顺) ?(升) ?(施) ?(柴) ?(愼) ?(申) ?(沈] ?(辛) ? ?(阿) ?(安) ?(夜) ?(艾) ?(襄) ?(梁] ?(杨) ?(梁) ?(鱼) ?(严) ?(呂] ?(余) ?(汝) ?(連] ?(燕) ?(延) ?(廉] ?(影) ?(永) ?(荣) ?(芮) ?(吴) ?(玉) ?(温) ?(邕) ?(雍) ?(王) ?(姚) ?(龍] ?(禹) ?(于) ?(云) ?(芸) ?(元) ?(袁) ?(韦) ?(魏) ?(劉] ?(柳] ?(兪) ?(庾) ?(陸] ?(尹) ?(殷) ?(阴) ?(伊) ?(异) ?(李] ?(印) ?(任) ?(林] ? ?(慈) ?(章) ?(庄) ?(张) ?(蒋) ?(邸) ?(传) ?(全) ?(田) ?(钱) ?(占) ?(程) ?(丁) ?(郑) ?(诸) ?(齐) ?(赵) ?(曺) ?(宗) ?(钟) ?(左) ?(朱) ?(周) ?(俊) ?(池) ?(智) ?(晋) ?(秦) ?(眞) ?(陈) ? ?(车) ?(仓) ?(蔡) ?(昌) ?(菜) ?(采) ?(天) ?(千) ?(楚) ?(肖) ?(初) ?(崔) ?(秋) ?(邹) ?(椿)
中文名字的英文写法
中文名字最标准的英文写法就是直接翻译成汉语拼音：Li Leyang或Lee Yeyang 西方人的习惯是名字在前，姓在后，二者间如果有中间名（Middle name），Middle name一般用简写，中国人如果有英文名字，在正式的场合可以参照这种格式。比如，搜狐创始人、董事局主席张朝阳的英文名字就写成：Charles CY. Zhang. 搜狐所有英文正式文件中张朝阳的名字都是这样写的。 如果没有英文名字，那么应该按照中国人的习惯（姓在前名字在后）直接把中文名字翻译成汉语拼音作为英文写法！很典型的例子，奥运会上，所有中国运动员的名字在运动衣上都是这样翻译的（以前不是，后来国家颁布了《汉语拼音方案》，并解释到《汉语拼音方案》是拼写中文人名地名唯一标准后，统一改过来了），所以，中国人名字的英文写法，就是汉语拼音：姓在前，名在后，姓和名分开写，姓和名的开头字母均大写！ 两个字的是：比如：张三就应该写：Zhang San 三个字的是：1.单姓,比如：李小言就应该写：Li Xiaoyan 2.复姓,比如：诸葛亮就应该写：Zhuge Liang 四个字的是：1.单姓,比如：李雨中生就应该写：Li Yuzhongsheng 2.复姓,比如：司马相如就应该写：Sima Xiangru 1. Last Name就是姓，First Name就是名，請勿混淆。 2. "國語羅馬拼音對照表" 乃外交部護照科所採用的中英文姓名翻譯原則，為了保持所有文 件的統一，建議同學根據此表來翻譯姓名及地址。 3. 同學的英文姓名，應由中文姓名音譯，並與大學英文畢業證書、英文成績單、TOEFL / GRE / GMAT考試及申請學校、辦理護照及簽證時所用的英文姓名完全一致，如姓名不 一致，將造成申請學校、辦護照、簽證時身份的困擾，徒增麻煩。 4. 如果有英文別名 (如John、Mary...等)，可以將別名當做Middle Name。 [例] 王甫平有一個英文別名STEVE，其英文姓名可以下列方式列出： WANG FUPING S Last Name First Name M.I. 5. 如果沒有英文別名，M.I. 處不要填。 6. 如非必要，英文別名最好不要用，只用中文姓名的英譯最為單純。 7. 在國外使用英文姓名的建議：外國人習慣將名放在前面，姓放在後；而中國人的姓名， 則是姓在前名在後，有時在國外填寫資料時常會搞錯，建議在打履歷表、印名片或處理 資料時，如果填寫姓名的地方沒有註明Last Name時，英文姓名正確表達方法可以如： Fuping Wang 或 Wang, Fuping
晶闸管参数说明
IEC标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项，但用户经常用到的有十项左右，本文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍。 1．正向平均电流I F(A V)( 整流管) 通态平均电流I T(A V)( 晶闸管) 是指在规定的散热器温度THS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。此时，器件的结温已达到其最高允许温度Tjm。台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS或管壳温度T C值，用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。 2．正向方均根电流I F（RMS）( 整流管) 通态方均根电流I T（RMS）( 晶闸管) 是指在规定的散热器温度THS或管壳温度TC 时,允许流过器件的最大有效电流值。用户在使用中，须保证在任何条件下，流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。3．浪涌电流I FSM(整流管)、I TSM(晶闸管) 表示工作在异常情况下，器件能承受的瞬时最大过载电流值。用10ms底宽正弦半波峰值表示，台基公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下，施加80% V RRM条件下的测试值。器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的，用户在使用中应尽量避免出现过载现象。 4．断态不重复峰值电压V DSM 反向不重复峰值电压V RSM 指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压，一般用单脉冲测试防止器件损坏。用户在测试或使用中，应禁止给器件施加该电压值，以免损坏器件。 5．断态重复峰值电压V DRM 反向重复峰值电压V RRM 是指器件处于阻断状态时，断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。一般取器件不重复电压的90%标注（高压器件取不重复电压减100V标注）。用户在使用中须保证在任何情况下，均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。 6．断态重复峰值（漏）电流IDRM 反向重复峰值（漏）电流IRRM 为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。 7．通态峰值电压V TM(晶闸管) 正向峰值电压V FM(整流管) 指器件通过规定正向峰值电流I FM(整流管)或通态峰值电流I TM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降。该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。器件在不同电流值下的的通态（正向）峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示： V TM=VTO+rT*I TM V FM=VFO+rF*I FM 台基公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态（正向）峰值电压及门槛电压和斜率电阻，用户需要时，可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。 8．电路换向关断时间t q（晶闸管） 在规定条件下，在晶闸管正向主电流下降过零后，从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通的最小时间间隔。晶闸管的关断时间值决定于测试条件，台基公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值，在未作特别说明时，其对应的测试条件如下： l 通态峰值电流ITM等于器件ITA V；
中文名字韩语对照表-姓名韩文翻译
?仮伽佳假家价加可呵咖哥哿嘉坷嫁宊家苛茄葭斝暇架枷柯榎槚歌珂珈迦痂稼笳耞舸街袈诃謌贾跏轲驾 ?刻却却各咯埆恪搉搁悫桷壳珏脚觉角阁 ?侃偘刊垦奸奸干干悭拣涧茛恳暕杆柬栞杆干玕迀癎看磵秆秆竿简肝艮艰衎谏赶间龈 ?乫喝噶渴葛曷楬碣秸竭褐羯蝎蝎鞨鹖 ?勘坎坩埳堪嵌嵁弇憾撼泔淦减澉邯感憨戡敢柑橄欿敛甘疳监瞰矙绀轗酣鉴鉴鹻碱龛 ?匣岬甲胛钾闸韐 ?傋僵刚堈壃姜冈岗康强强强忼慷扛江茳姜降杠橿殭畺疆矼穅罡襁糠绛纲襁羌羗羫腔舡讲豇钢缰鱇 ?介价个凯剀匃垲恺忾慨揩漑芥盖改槪槩玠疥皆盖磕个豈铠开闿 ?喀客 ?坑更硁粳羹赓铿 ?醵 ?倨去呿居巨拒据据渠苣莒蕖蘧举昛炬遽祛秬袪裾筥籧胠腒距踞車巨锯駏 ?干件健巾建揵愆楗犍睷腱虔褰謇蹇键鞬骞 ?乞乬杰朅杰桀榤
?俭剑剑捡芡检睑钤黔 ?刧刦劫怯迲 ?偈揭憩 ?挌激隔击格檄毄膈觋阒骼鬲鴃 ?坚狷樫牵犬遣甄畎羂笕绢縳缱肩蠲茧见谴鲣鹃 ?抉决洁玦结缺觖诀阕 ?傔兼嗛岒慊拑蒹歉箝缣谦钳鎌黚鼸 ?京俓倞倾儆冏刭劲勍卿哽垧境庚径惸憬泾茎庆憼扃擎敬景暻更梗檠炅烱焭茕颎璟璥琼径畊痉硬磬竟 竸絅经绠罄耕耿胫褧謦警轻镜顷颈顈頚駉惊鲠鲸黥 ?系启堺阶契季届悸溪葪蓟阶戒桂械棨烓禊界瘈癸磎稽罽筓系綮縘系继计诫溪鸡髻鸡 ?估凅刳古叩告呱固塙姑孤尻库拷沽苦苽菰藁郜考故敲暠杲枯栲槁槀槹櫜牯痼皋皐盬睾瞽稁稿罟袴箍篙糕羔羖翱考股胯膏蛊觚诂诰賈辜酤钴锢雇靠顾高鸪鷱鼓 ?哭喾斛曲梏槲谷縠觳谷毂鹄 ?困坤堃昆昆悃捆滚昆捆棍琨裍裈绲衮衮锟阃髡鲲
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中文姓氏英文翻译
中文姓氏英文翻译 A: 艾--Ai 安--Ann/An 敖--Ao B: 巴--Pa 白--Pai 包/鲍--Paul/Pao 班--Pan 贝--Pei 毕--Pih 卞--Bein 卜/薄--Po/Pu 步--Poo 百里--Pai-li C: 蔡/柴--Tsia/Choi/Tsai 曹/晁/巢--Chao/Chiao/Tsao 岑--Cheng 崔--Tsui 查--Cha 常--Chiong 车--Che 陈--Chen/Chan/Tan 成/程--Cheng 池--Chi 褚/楚--Chu 淳于--Chwen-yu D: 戴/代--Day/Tai 邓--Teng/Tang/Tung 狄--Ti 刁--Tiao 丁--Ting/T 董/东--Tung/Tong 窦--Tou 杜--To/Du/Too
段--Tuan 端木--Duan-mu 东郭--Tung-kuo 东方--Tung-fang E: F: 范/樊--Fan/Van 房/方--Fang 费--Fei 冯/凤/封--Fung/Fong 符/傅--Fu/Foo G: 盖--Kai 甘--Kan 高/郜--Gao/Kao 葛--Keh 耿--Keng 弓/宫/龚/恭--Kung 勾--Kou 古/谷/顾--Ku/Koo 桂--Kwei 管/关--Kuan/Kwan 郭/国--Kwok/Kuo 公孙--Kung-sun 公羊--Kung-yang 公冶--Kung-yeh 谷梁--Ku-liang H: 海--Hay 韩--Hon/Han 杭--Hang 郝--Hoa/Howe 何/贺--Ho 桓--Won 侯--Hou 洪--Hung 胡/扈--Hu/Hoo 花/华--Hua 宦--Huan 黄--Wong/Hwang