光刻工艺流程
光刻工艺流程
Lithography Process
摘要：光刻技术（lithography technology）是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学,物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术.光刻是集成电路工艺中的关键性技术,其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高,从而使得器件不断缩小,性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光,提高了产量，质量,降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶.
Abstract：Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical — chemical reaction principle and chemical， physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology。Lithography is the key technology in integrated circuit technology， the idea originated in printing technology in the photo lithographic process。 Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve， so that the devices continue to shrink， the performance is also rising.There are even a large area of exposure， improve the yield, quality and reduce costs。 We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure →development → hard bake → etching → Strip Photoresist。
关键词：光刻，涂胶,前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀,去胶.
Key Words:lithography，Photoresist Coating，Soft bake,exposure,development，hard bake ，etching, Strip Photoresist。
引言：
光刻有三要素：光刻机；光刻版(掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式
光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微米级,掩模板和硅片直接接触，使得掩膜版寿命短。接近式光刻机距硅片表面约10微米，掩膜版拥有更长的寿命，分辨率大于3μm。投影光刻机类似于投影仪，掩模与硅片之间增加一透镜，掩模与硅片1：1，分辨率大约在1微米左右.步进光刻机在IC中是最流行的，它具有高分辨率(0.25微米或以下）,掩膜图形尺寸5X：10X能够得到更好的分辨率，但他的曝光时间是5X的四倍;步进光刻机的价格是最昂贵的。掩模版包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。其中的光刻胶主要由基体（树脂）、感光剂（聚乙烯醇肉桂酸脂）、溶剂（环己酮）、增感剂(5—硝基苊)等不同的材料按一定比例配制而成.其中树脂是粘合剂(Binder)，感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物,它在光刻胶内的含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存，以便于使用。光刻胶分为正胶和负胶;正胶在显影时，感光部分溶解,未感光部分不溶解；负胶显影时感光部分不溶解，不感光部分溶解。正胶的光敏度和抗腐蚀能力都大于负胶.而光刻胶的作用是在刻蚀(腐蚀）或离子注入过程中,保护被光刻胶覆盖的材料。
高分辨率，高灵敏的光刻胶，低缺陷和精密的套刻对准是ULSI对光刻的要求.要达到这样的要求就必须在光刻的每一个流程都严格把关,这里分别简单讲讲光刻工艺的各个流程。1.涂胶(Photoresist Coating）
涂胶的目的是在硅片表面形成厚度均匀，附着性强，并且没有缺陷的光刻胶薄膜.涂胶作为光刻工艺的第一步，涂胶的好坏直接决定了之后光刻能否正常进行。
涂胶前的Si片是需要处理的以便于光刻胶能更好的附着在上面。由于光刻胶的疏水性，所以Si片首先需要脱水烘培去除水分.然后使用HMDS（六甲基乙硅氮烷）或TMSDEA(三甲基甲硅烷基二乙胺）作增粘处理。对涂胶的要求：粘附良好，均匀,薄厚适当。若胶膜太薄，则会导致针孔多,抗腐蚀性差;若太厚，则分辨率低.涂胶的方式有：浸涂，喷涂，旋涂.其中旋胶工艺步骤：①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上；②加速旋转托盘（硅片），直至达到需要的旋转速度；③达到所需的旋转速度后，保持一定时间的旋转(甩胶）。光刻工艺中一般采用旋胶,旋转涂胶工艺的示意图如下：
2。前烘（Soft bake)
由于在液态的光刻胶溶剂的成份占65％-85%，甩胶后光刻胶变成固态薄膜但仍含有10％—30%的溶剂,容易粘污灰尘。所以涂胶以后的硅片,需要在一定的温度下进行烘烤，一步骤称为前烘.而前烘的目的是促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥;增加胶膜与SiO2(Al 膜等）的粘附性及耐磨性。另外光刻胶的显影速度受光刻胶中溶剂含量的影响.如果溶剂含量过高，显影时光刻胶的溶解速度就比较快，容易导致浮胶,图形也易变形；但是，并不是要去除光刻胶中的所有溶剂，光刻胶中需要剩余一定的溶剂,以便于使感光剂重氮醌转变为羧酸。这就要求前烘的时间和温度都需要严格地控制。
如果前烘温度太低，或时间过短,除了光刻胶层与硅片表面的黏附性变差之外，曝光的精确度也会因为光刻胶中的溶剂的含量过高而变差。另外，显影时也易浮胶，图形易变形.如果温度过高,时间过长，光刻胶层黏附性也会因为光刻胶变脆而降低。而且,过高的烘培温度会使光刻胶中的感光剂发反应，这会使光刻胶在曝光时的敏感度变差，增感剂挥发，导致显不出图形。
前烘的方式一般有：①烘箱对流加热，②红外线辐射加热,③热板传导加热。在ULSI工艺中，常用的前烘方法是真空热平板烘烤.这种方法方便控制温度，还可以保证加热均匀。平板烘烤还可以解决光刻胶表面粗糙的问题.
3。曝光（Exposure）
光刻胶在经过前烘之后,原来为液态的光刻胶在硅片表面上固化，这样就可以进行曝光.曝光方式有接触式,接近式和投影式。接触式硅片与光刻版紧密接触，光衍射效应小，分辨率高，但对准困难，易摩擦，是光刻版图形变形，光刻版寿命短且成品率低。接近式硅片与光刻版保持5—50μm间距，光刻版不易损坏，光衍射效应严重，分辨率低，线宽大于3μm。投影式曝光利用光学系统,将光刻版的图形投影在硅片上，光刻版不受损伤，对准精度也高,但光学系统复杂，对物镜成像要求高,一般用于3μm以下光刻.目前常见的曝光有光学曝光(紫外、深紫外）,X射线曝光,电子束直写式曝光.
投影式曝光分类:
扫描投影曝光（Scanning projection exposure），70年代末～80年代初，大于1μm工艺；掩膜版1:1全尺寸.
步进重复投影曝光（Stepping—repeating projection exposure），80年代末~90年代，0。35μm～0。25μm（DUV）.掩膜版缩小比例（4:1），棱镜系统的制作难度增加。
扫描步进投影曝光(Scanning stepper projection exposure），90年代末至今，用于小于0。18μm工艺，增大了每次曝光的视场，提供硅片表面不平整的补偿，提高了整个硅片的尺寸均匀性；但同时需要反向运动,增加了机械系统的精度要求。
需要注意的是在进行曝光时会发生驻波效应,导致曝光的线宽发生变化.为了减弱驻波效应往往在光刻工艺中使用抗反射涂层(ARC)工艺。利用ARC吸收折射进入ARC的光线，以及根据曝光所使用的波长使ARC与折射进入ARC的光波相匹配，可以降低ARC反射到光刻胶中的光线强度。ARC的制作方法一般有物理气相淀积(PVD)和化学气相淀积（CVD).
4。显影（D evelopment)
曝光之后需要进行后烘,短时间的后烘可以促进光刻胶的关键化学反应,提高光刻胶的粘附性并减少驻波,然后就可以进行显影。显影是将未感光的负胶或感光的正胶溶解去除,显现出所需的图形。正胶显影液是含水的碱性显影液，如KOH、TMAH(四甲基氢氧化胺水溶液）等。负胶显影液是一种有机溶剂,如丙酮、甲苯等。
进行显影的方式有很多种,如：浸入式显影,混凝显影，喷洒显影等。目前应用最广泛的是喷洒方法。这种显影可分为三步：①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液；
②然后硅片将在静止的状态下进行显影；③显影完成后，需要经过漂洗,之后在旋干.漂洗和旋干是为了去除残留在硅片上的显影液。喷洒显影的优点是它可以满足工艺流水线的要求,提高生产效率.
显影之后,一般要通过光学显微镜,扫描电子显微镜或者激光系统来进行显影检验；目的是区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的晶圆，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的晶圆。而影响显影效果的因素主要有:曝光时间，前烘的温度与时间，胶膜的厚度，显影液的浓度以及显影液的温度等.显影时间太短，可能留下光刻胶薄膜层，从而阻挡腐蚀二氧化硅或金属，形成氧化层“小岛”。时间太短，光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶,导致图形边缘破坏。
5。坚膜(Hard Bake)
硅片在经过显影之后，需要经历一个高温处理过程，简称坚膜。坚膜的主要作用是去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。通常坚膜的温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，也称为光刻胶的玻璃态转变温度。
坚膜的方法有:（1)恒温烘箱法(180—200℃，30min左右）;（2）红外灯照射（照射10min，距离6cm）。如果坚膜不足，则腐蚀时易浮胶，易侧蚀;如果坚膜过度，则胶膜热膨胀导致翘曲,剥落，腐蚀时易浮胶或钻蚀。若温度超过300℃，则光刻胶分解，失去抗腐蚀能力。
在坚膜之后还需要对光刻胶进行光学稳定，光刻胶的光学稳定是通过紫外光辐照和加热来完成的.通过光学稳定，使光刻胶在干法刻蚀过程中的抗腐蚀性得到增强，进而提高刻蚀工艺的选择性；而且还可以减少在注入过程中从光刻胶中逸出的气体，防止在光刻胶层中形成气泡.
6。刻蚀(Etching)
在微电子制造工艺中，光刻图形必须最终转移到光刻胶下面组成器件的各薄膜层上，这种图形的转移是采用刻蚀工艺完成的,经过刻蚀的图形就永久留在晶圆的表层。刻蚀工艺分为两大类：湿法和干法刻蚀。无论哪一种方法，其目的都是将光刻掩模版上的图形精确地转移到晶圆表面。同时要求一致性、边缘轮廓控制、选择性、洁净度都符合要求。
湿法刻蚀具有各向同性腐蚀的特点,工艺简单，腐蚀选择性好；但钻蚀严重（各向异性差)，难于获得精细图形,且刻蚀3μm以上的线条，所以现在一般不采用湿法刻蚀。Si的湿法刻蚀：Si+HNO3+HF→H2[SiF6]+HNO2+H2O+H2
现代光刻技术最常用的刻蚀工艺为干法刻蚀，其各向异性腐蚀强,分辨率高,能刻蚀3μm 以下线条。干法刻蚀有三种类型，分别为：
（1）等离子体刻蚀：化学性刻蚀；刻蚀气体经辉光放电后，成为具有强化学活性的离子及游离基——等离子体。等离子体活性基团与被刻蚀材料发生化学反应.选择性好,各向异性差。所用的刻蚀气体有:CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6等.
（2）溅射刻蚀:纯物理刻蚀；等离子体轰击被刻蚀的材料，使其被撞原子飞溅出来,形成刻蚀。其各向异性好，选择性差;刻蚀气体为惰性气体。
（3）反应离子刻蚀（RIE）：结合（1)、(2）;各向异性和选择性兼顾；刻蚀气体与等离子体刻蚀相同。
Si的干法刻蚀：Si+F¯→SiF4↑
SiO2的干法刻蚀:SiO2+F¯→SiF4↑+O2 CF3¯+SiO2→SiF4↑+CO↑+CO2↑
SiN4的干法刻蚀：SiN4+F¯→SiF4↑+N2↑
7.去胶(Strip Photoresist）
经过刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶做保护层，因此可以将光刻胶从硅表面除去,这一步骤称为去胶。去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。在湿法去胶中又分为有机溶液去胶和无机溶液去胶。
有机溶液去胶是使用与光刻胶互溶的丙酮和芳香族的有机溶剂，达到去胶目的.无极溶液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点，通过可以把光刻胶从硅片的表面除去。不过由于无机溶液会腐蚀Al,因此去除Al上的光刻胶必须使用有机溶剂.干法去胶则是用等离子体将光刻胶去除.相对而言，干法去胶的效果要好于湿法去胶，但干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法、湿法去胶经常搭配使用。
光刻是通过化学反应，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在经刻蚀将光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上。光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准。随着芯片集成度的提高，对光刻技术提出了越来越高的要求，即对光刻工艺流程的每一步都有更高的要求。每一个流程的进步都对光刻技术有很大影响。
参考文献
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光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程 光刻和刻蚀是半导体工艺中重要的步骤，用于制备芯片中的电路。光 刻是一种通过使用光敏剂和光刻胶来转移图案到硅片上的技术。刻蚀则是 指使用化学物质或物理能量来去除或改变表面的材料。 光刻工艺流程分为四个主要步骤：准备硅片、涂敷光刻胶、曝光和开发。 首先，准备硅片。这包括清洗硅片表面以去除杂质和污染物，然后通 过浸泡于化学溶液中或使用化学气相沉积等方法在硅片上形成一层光刻胶 的基础层。 第二步是涂敷光刻胶。将光刻胶倒入旋转涂胶机的旋转碟中，然后将 硅片放置在碟上。通过旋转碟和光刻胶的黏度控制，使光刻胶均匀地铺在 硅片上。光刻胶的厚度取决于所需的图案尺寸和深度。 第三步是曝光。在光刻机中，将掩膜对准硅片，然后使用紫外线照射 光刻胶。掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有所需的电路图案。曝光 过程中，光刻胶中的光敏剂会发生化学反应，使得光刻胶在被曝光的区域 变得溶解性，而未被曝光的区域仍保持完整。 最后一步是开发。在开发过程中，使用盐酸、溶液或者有机溶剂等化 学溶液将未曝光的光刻胶从硅片上溶解掉。溶解后就会出现光刻胶的图案，这相当于将掩膜中的图案转移到硅片上。在完成开发后，再对硅片进行清 洗和干燥的处理。 刻蚀工艺流程通常根据需要的深度和形状来选择不同的刻蚀技术。常 见的刻蚀技术有湿刻蚀和干刻蚀。
湿刻蚀是将硅片浸泡在一个含有化学溶液的反应槽中，溶液会去除不需要的材料。刻蚀速度取决于化学溶液中的浓度和温度以及刻蚀时间。湿刻蚀通常用于较浅的刻蚀深度和简单的结构。 干刻蚀是使用物理能量如等离子体来去除材料。等离子体刻蚀分为反应离子束刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)。在等离子体刻蚀中，通过加热到高温的氩气等离子体释放离子，离子会以高速束流撞击竖立在硅片表面的物质，去除不需要的材料。干刻蚀通常用于深刻蚀和复杂的纳米级结构。 在刻蚀过程中，为了保护不需要刻蚀的区域，通常会将硅片用光刻胶进行覆盖。在刻蚀结束后，光刻胶可以去除，暴露出所需要的图案。 综上所述，光刻和刻蚀是半导体工艺中重要的步骤，用于制备芯片中的电路结构。光刻通过使用光敏剂和光刻胶将图案转移到硅片上，而刻蚀则用于去除或改变硅片表面的材料。这两个工艺步骤通常需要密切配合，以实现精确的电路结构制备。
光刻工艺介绍
光刻工艺介绍 一、定义与简介 光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。 光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
二、光刻工艺流程介绍 光刻与照相类似，其工艺流程也类似： 实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：
1)Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质， 使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。 2)Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的 均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。 3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是 在90℃的热板中完成。 4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用 紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focus offset)尤为重要. 5)Post Exposure Bake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步。在 I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，
光刻工艺的基本过程
光刻工艺的基本过程 光刻工艺是集成电路制造过程中的一项关键工艺，也是制造高精度微电子器件的重要方法之一。本文将介绍光刻工艺的基本过程，包括掩膜制备、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等环节。 一、掩膜制备 掩膜是光刻工艺中的重要工具，用于定义芯片上各个元件的结构。首先，需要设计并制作出芯片的掩膜图案，一般采用计算机辅助设计软件进行设计。然后，将设计好的图案通过电子束曝光或激光直写等方式转移到掩膜板上，形成所需的掩膜。 二、光刻胶涂布 光刻胶是一种特殊的光敏材料，具有光刻过程中所需的特性。在光刻胶涂布过程中，需要将光刻胶均匀地涂布在硅片表面。这一步既可以通过机械方式实现，也可以通过涂布机等设备进行。涂布完成后，需要将硅片放入烘箱中进行烘烤，使光刻胶在硅片表面形成均匀的薄膜。 三、曝光 曝光是光刻工艺中最关键的一步，通过光源照射掩膜，将掩膜上的图案转移到光刻胶上。在曝光过程中，光刻胶对光的响应会发生变化，仅在光照射区域发生化学反应。这样，通过掩膜的光影投射，可以在光刻胶上形成所需的图案。
四、显影 显影是将曝光后的光刻胶进行处理，得到所需的图案的过程。在显影过程中，通过将硅片浸泡在显影液中，使光刻胶在曝光区域发生溶解或化学反应，从而去除曝光后未固化的光刻胶。经过显影处理后，只有曝光区域的光刻胶得到保留，其他区域的光刻胶被去除。五、清洗 清洗是为了去除显影过程中残留的显影液和未固化的光刻胶。在清洗过程中，首先将硅片浸泡在去离子水中，去除部分显影液。然后，使用有机溶剂或酸碱溶液进行清洗，将残留的显影液和光刻胶彻底去除。最后，再次使用去离子水进行冲洗，使硅片表面干净无污染。光刻工艺的基本过程就是以上几个环节的组合。在实际应用中，光刻工艺还需要经过多次重复，以实现复杂的器件结构和多层芯片的制备。此外，在不同的光刻工艺中，还会涉及到一些特殊的工艺步骤，如防反射涂层的使用、多重曝光等。 光刻工艺是制造集成电路的重要工艺之一，通过掩膜制备、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等环节，可以实现微米甚至纳米级别的器件结构制备。随着技术的不断发展，光刻工艺也在不断演进，以满足日益增长的微电子器件制造需求。
看懂光刻机-光刻工艺流程详解
看懂光刻机:光刻工艺流程详解 半导体芯片生产主要分为IC 设计、IC 制造、IC 封测三大环节。IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。 芯片制造核心工艺主要设备全景图 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30 次的光刻，耗时占到IC 生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。 光刻工艺流程详解 光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。 光刻分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺，区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会硬化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 在硅片表面构建半导体器件的过程 正性光刻与负性光刻相反，曝光部分的光刻胶会被破坏从而被溶剂洗掉，该部分的硅片没
光刻技术流程
光刻技术流程 光刻技术是现代微电子制造中一项重要的工艺技术，用于将电路图案转移到硅片上。它是一种光学投影技术，通过使用光源和掩模来实现图案的精细转移。光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。 一、光刻胶涂覆 光刻胶涂覆是光刻技术流程的第一步，其目的是将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。首先，将硅片放置在涂覆机的台面上，并将光刻胶倒入涂覆机的涂覆盆中。然后，涂覆机会将光刻胶从涂覆盆中吸取并均匀涂覆在硅片上。涂覆完成后，硅片会经过旋转以除去多余的光刻胶。最后，硅片会被放置在烘烤机中进行烘烤预处理。 二、烘烤预处理 烘烤预处理是为了使涂覆在硅片上的光刻胶变得更加坚硬和稳定。在烘烤过程中，硅片会被放置在烘烤机中，加热一段时间。烘烤的温度和时间根据所使用的光刻胶的特性而定。烘烤后，光刻胶会形成一层坚硬的薄膜，以便进行下一步的曝光显影。 三、曝光显影 曝光显影是光刻技术流程中的核心步骤，通过使用光源和掩模将电路图案转移到硅片上。首先，将硅片放置在曝光机的台面上，并将掩模放置在硅片上方。然后，通过控制曝光机的光源，将光照射到
掩模上，形成一个投影的图案。光线通过掩模的透明部分照射到光刻胶上，使其发生化学反应。曝光完成后，硅片会被放置在显影机中进行显影。 显影过程中，使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，暴露出硅片表面。显影液的成分和浓度根据光刻胶的特性而定。显影时间也需要根据所需的图案精度进行控制。显影完成后，硅片会被清洗以去除残留的显影液。 四、清洗和检查 清洗是为了去除硅片表面的污染物和残留的光刻胶。清洗过程中，硅片会被浸泡在一系列的清洗液中，以去除表面的污染物。清洗液的成分和浓度根据具体的清洗要求而定。清洗后，硅片会被烘干以去除水分。 硅片会经过检查以确保图案转移的质量。检查会使用显微镜或其他检测设备来观察图案的清晰度和精度。如果发现问题，需要进行修复或重新进行光刻。 光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。每个步骤都起着关键的作用，需要精确控制参数和条件，以确保图案的精度和质量。光刻技术的发展为微电子制造提供了重要的工艺支持，推动了集成电路的不断进步和发展。
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺简要流程介绍 光刻工艺是半导体制造过程中的一种核心工艺，用于将芯片设计中的图形模式转移到硅片表面上。它是通过光刻胶和光刻机来实现的。下面将详细介绍光刻工艺的流程。 1.准备硅片：首先，需要将硅片进行清洗和去除表面污染物。然后，在硅片上涂覆一层光刻胶。光刻胶的选择很关键，它需要有较高的分辨率和光刻深度，以适应不同的芯片设计要求。 2.硅片对准：在涂覆了光刻胶的硅片上，需要进行对准操作。对准是指将芯片设计中的图形与硅片表面的相应位置对准。这个过程通常通过使用显微镜和对准标记来完成。 3.曝光：将对准完成的硅片放入光刻机中进行曝光。光刻机中有一个光学系统，它能产生可以通过光刻胶的光源。通过光刻胶的曝光，可以在硅片表面形成芯片设计的图形。 4.显影：曝光后，需要进行显影过程来去除未曝光的部分光刻胶。显影液可以溶解未曝光的光刻胶，同时保留曝光过的部分。经过显影后，芯片图形就会显现出来。 5.刻蚀：为了将芯片图形转移到硅片上，需要进行刻蚀过程。刻蚀液可以溶解硅片上的非被光刻胶保护的部分。通过刻蚀，可以在硅片上形成芯片图形的凹陷。 6.清洗：在完成刻蚀后，需要对硅片进行清洗，以去除光刻胶残留物和刻蚀产生的杂质。清洗是一个非常重要的步骤，因为任何残留物都可能对芯片的性能产生不利影响。
7.检验：在整个光刻工艺完成后，需要对芯片进行检验。检验的目的是确保芯片的质量达到要求。通常使用显微镜或探测器来检查芯片图形的分辨率、失真和缺陷等。 8.后处理：在芯片检验合格后，还需要进行一些后处理步骤，如涂覆介质、切割和封装等。这些步骤是为了进一步提高芯片的性能和可用性。 总结起来，光刻工艺是一种将芯片设计图形转移到硅片表面的核心工艺。它包括准备硅片、硅片对准、曝光、显影、刻蚀、清洗、检验和后处理等步骤。通过这些步骤，可以实现对芯片图形的精确控制，从而生产出高质量的芯片产品。
基本光刻工艺流程
第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光 概述 最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。 目的 完成本章后您将能够： 1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。 2．解释正胶和负胶对光的反应。 3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。 5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。 6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。 7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。 9．比较每一种对准和曝光设备的优点。 介绍 光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。 光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。这个工艺过程的目标有两个。首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。 第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。很容易想象，如果建筑物每一层和每一层不能很好地对准，那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的
光刻机制造工艺流程
具体的光刻机制造工艺流程如下： 1、设计和规划：根据光刻机的功能需求和性能指标，进行详细的设计和规划。确定光刻机的结构布局、光学系统、传动系统等。 2、材料采购：根据设计和规划的要求，采购所需的材料。包括金属材料（铝合金、不锈钢等）、塑料材料（聚酰亚胺、聚酰胺等）、光刻胶、透镜材料等。 3、零部件制造： a. 金属零部件加工：根据设计图纸进行金属零部件的加工，包括切割、钻孔、磨削、铣削等。 b. 塑料零部件制造：使用注塑机对塑料材料进行注塑成型，制造塑料零部件。 c. 电子元件制造：采购电子元件，并进行焊接、组装等工艺，制造电子控制部件。 4、组件装配： a. 机架组装：将制造好的金属零部件进行组装，形成光刻机的机架。 b. 光学系统组装：根据设计要求，将透镜、反射镜等光学元件组装到机架上，形成光学系统。 c. 传动系统组装：安装传动装置，如直线驱动器、步进电机等，以实现光刻板的运动。 5、系统集成： a. 连接电路：将电子控制部件与机架上的传感器、执行器等连接起来，形成光刻机的电路系统。 b. 调试电路：对电路进行调试，确保各个功能部件正常工作。 c. 安装软件：根据光刻机的控制系统要求，安装相应的软件。
6、功能测试： a. 自动对焦功能测试：测试光刻机的自动对焦功能，检查焦点的准确性和稳定性。 b. 曝光精度测试：测试光刻机的曝光精度，检查曝光位置的准确性和重复性。 c. 曝光速度测试：测试光刻机的曝光速度，检查曝光时间的准确性和一致性。 7、调试和优化： a. 参数调整：根据测试结果，调整光刻机的参数，如曝光时间、光强度等，以提高曝光质量。 b. 光学系统优化：对光学系统进行调整和优化，提高光刻精度和分辨率。 c. 机械系统优化：对传动系统和机械结构进行调整和优化，提高运动精度和稳定性。 8、校准和验证： a. 曝光均匀性校准：使用标准样品进行曝光测试，校准光刻机的曝光均匀性。 b. 焦距准确性校准：使用标准样品进行焦距测试，校准光刻机的焦距准确性。 c. 光学畸变校准：使用标准样品进行光学畸变测试，校准光刻机的光学畸变情况。 9、质量检验： a. 外观质量检查：检查光刻机的机架、零部件的外观质量，包括表面光洁度、涂装质量等。 b. 功能完整性检查：测试光刻机的各项功能是否完整，如自动对焦、曝光精度等。 c. 安全性检查：检查光刻机的安全性能，如防护罩、紧急停机装置等是否符合标准要求。
看懂光刻机-光刻工艺流程详解
看懂光刻机-光刻工艺流程详解 看懂光刻机:光刻工艺流程详解 半导体芯片生产主要分为IC 设计、IC 制造、IC 封测三大环节。IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。 芯片制造核心工艺主要设备全景图 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行20-30 次的光刻，耗时占到IC 生产环节的50%左右，占芯片生产成本的1/3。 光刻工艺流程详解 光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到硅片的转移。 光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了半导体器件在硅片表面的构建过程。 光刻分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺，区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会硬化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。 在硅片表面构建半导体器件的过程 正性光刻与负性光刻相反，曝光部分的光刻胶会被破坏从而被溶剂洗掉，该部分的硅片没
光刻和刻蚀工艺流程
光刻和刻蚀工艺流程 第一步：光刻掩膜准备 光刻工艺的第一步是制备掩膜。掩膜是一种类似于胶片的薄膜，上面有制作好的电路图形。通常，光刻掩膜由专门的光刻工艺工程师根据电路图形设计，并通过专业软件生成掩膜图形。之后将掩膜图形转移到掩膜胶片上。 第二步：光刻胶涂覆 接下来，在待加工的硅片表面涂覆一层光刻胶。光刻胶是一种特殊的光敏物质，具有对紫外光敏感的特性。使用旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片上。 第三步：软烘烤 硅片上涂覆好光刻胶之后，需要进行软烘烤步骤。软烘烤的作用是去除光刻胶中的溶剂以及帮助光刻胶更好地附着在硅片表面上。软烘烤的温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。 第四步：曝光 曝光是光刻工艺的关键步骤。在曝光台上，将掩膜和被涂覆光刻胶的硅片对准，并通过紫外光照射。光刻胶中被曝光的部分会发生化学变化，形成光刻胶的图形。 第五步：后烘烤 曝光之后，需要进行后烘烤。烘烤的目的是加强光刻胶的图形，使其更稳定并提高精度。烘烤温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第六步：显影 显影是将光刻胶中未曝光的部分溶解掉的步骤。将硅片浸入特定的显影液中，显影液会将光刻胶中溶解掉的部分清除掉，形成具有电路图形的光刻胶。 第七步：刻蚀 刻蚀是将未被光刻胶保护的硅片表面精确地去除掉部分的步骤，以形成电路图形。刻蚀液根据硅片的材料和刻蚀目标而确定。将硅片浸入刻蚀液中，刻蚀液会剥离掉没有光刻胶保护的硅片表面，形成光刻胶的图形。 第八步：去光刻胶 刻蚀完成后，需要将光刻胶从硅片上去除。通常使用酸性或碱性溶液将光刻胶溶解掉。去光刻胶后，就得到了具有电路图形的硅片。 以上就是光刻和刻蚀的工艺流程。光刻和刻蚀工艺对于微电子芯片的制造至关重要，能够提供精确的电路图形，是制造集成电路的基础步骤。随着技术的不断发展，光刻和刻蚀工艺也在不断改进，以满足高集成度和高性能的微电子芯片的制造需求。
光刻机工艺流程
光刻机工艺流程 光刻机工艺是半导体制造过程中的关键步骤之一，用于在半导体芯片上形成微细图案。本文将介绍光刻机工艺的流程，从准备工作到最终图案的形成。 一、准备工作 在进行光刻机工艺之前，需要进行一系列的准备工作。首先，要确定所需的图案，并将其转化为数字化的掩膜文件。然后，将该文件传输到光刻机的控制系统中。接下来，需要准备基片，即芯片的基础材料。基片会经过一系列的清洗和处理步骤，以确保表面的纯净度和平整度。 二、涂覆光刻胶 在进行光刻之前，需要将光刻胶涂覆在基片上。光刻胶是一种光敏材料，可以通过光的照射形成图案。涂覆光刻胶的过程称为光刻胶涂覆。这一步骤需要将光刻胶倒在基片上，并利用离心力使其均匀分布在基片表面。 三、预烘烤 涂覆完光刻胶后，需要进行预烘烤步骤。预烘烤的目的是将光刻胶中的溶剂挥发掉，使其变得更加粘稠。预烘烤的温度和时间会根据光刻胶的种类和厚度进行调整，以确保光刻胶的性能达到最佳状态。
四、曝光 曝光是光刻机工艺中最关键的步骤之一。在曝光过程中，使用掩膜上的图案来控制光的传输，将光刻胶中被照射到的区域形成所需的图案。曝光过程中，通过控制曝光光源的强度和时间，可以精确地控制光刻胶的曝光量。曝光后，需要进行后曝光烘烤，以进一步固化光刻胶。 五、显影 显影是将曝光后的光刻胶中未固化的部分去除的过程。显影液中的化学溶液会将未曝光的光刻胶溶解掉，从而形成所需的图案。显影的时间和温度会根据光刻胶的种类和厚度进行调整，以确保完全去除未固化的光刻胶。 六、清洗 在显影之后，需要对基片进行清洗，以去除显影液和残留的光刻胶。清洗过程中，使用化学溶液和超声波等方法，将基片表面的污染物清除干净，以保证最终图案的质量。 七、质量检验 在完成光刻机工艺后，需要对芯片进行质量检验。质量检验的目的是验证图案的形成情况以及光刻胶的质量。常用的质量检验方法包括光学显微镜观察、扫描电子显微镜观察以及测量图案的尺寸和形状等。
光刻基本流程
光刻基本流程 一、概述 光刻技术是半导体工业中最基本的制造工艺之一，也是微电子工业中最为重要的制造工艺之一。光刻技术是利用高能量紫外线或电子束将芯片上的图案投影到硅片上，形成微米级别的芯片结构。光刻技术在现代半导体工业中扮演着至关重要的角色。 二、准备工作 在进行光刻之前，需要进行准备工作。具体步骤如下： 1. 准备硅片：首先需要将硅片清洗干净，并进行表面处理，以便于后续步骤的进行。 2. 制作掩膜：掩膜是用来将芯片上的图案投影到硅片上的关键部件，因此需要精确制作。掩膜可以使用光刻机器制作或者购买现成的。 3. 准备光刻胶：在硅片表面涂覆一层光刻胶，然后通过曝光和显影等过程形成芯片结构。因此，在进行光刻之前需要准备好适合自己需求的光刻胶。
三、曝光 曝光是整个光刻过程中最关键的步骤之一。曝光的具体步骤如下： 1. 将硅片放置在光刻机器中，并将掩膜放置在硅片上。 2. 打开光源，照射到掩膜上，通过掩膜上的图案将光线投影到硅片表面。 3. 硅片表面涂覆的光刻胶会因为受到光线的影响而发生化学反应，形成一个芯片结构。 四、显影 显影是将曝光后的芯片结构从硅片表面剥离出来的过程。显影的具体步骤如下： 1. 将曝光后的硅片放入显影液中，使得未被曝光过的部分被溶解掉，而曝光过的部分则保留下来。 2. 将硅片从显影液中取出，并进行清洗和干燥等处理，以便于后续步骤进行。
五、刻蚀 刻蚀是将芯片结构从硅片表面转移到芯片材料内部的过程。刻蚀分为干法和湿法两种方法。其中湿法刻蚀主要用于玻璃等非晶体材料，而干法刻蚀则主要用于硅片等晶体材料。 1. 干法刻蚀：将硅片放入刻蚀机器中，通过高能量粒子或化学反应等方式将芯片结构从表面转移到材料内部。 2. 湿法刻蚀：将硅片放入湿法刻蚀液中，使得芯片结构从表面转移到材料内部。 六、清洗和检测 最后一步是清洗和检测。在进行清洗之前需要对芯片进行检测，以确保芯片的质量符合要求。具体步骤如下： 1. 将芯片进行清洗和干燥等处理，以便于后续步骤的进行。 2. 对芯片进行电学测试、光学测试、尺寸测试等多种测试，以确保芯片的质量符合要求。
光刻工艺过程
光刻工艺过程 一. 总纲 1. 什么是光刻？对光刻总的质量要求是什么？ 光刻就是将掩膜版上的几何图形转移到涂有一层光刻胶的硅片表面的工艺过程。对光刻总的质量要求为： ①条宽符合指标要求 ②套刻精度符合指标要求 ③胶厚符合指标要求 ④无缺陷 ⑤胶图形具有较好的抗腐蚀能力 2. 在我们生产线的工艺中，一般有那些光刻工序层次？其中那些是关键层，为什么称之为关键层？ 对不同的工艺流程，光刻的层次可能会有所不同，一个典型的1.0微米单多晶双铝工艺一般需要有如下的光刻层次：阱，有源区，场注，多晶，N-LDD，N+S/D，P+S/D，接触孔，孔注，金属-1，通孔，金属-2，钝化孔。 其中，有源区，多晶，接触孔，金属-1，通孔，金属-2我们称之为关键层。之所以称之为关键层，是因为这些层次的光刻： ①直接影响器件的电学性能或对最终成品率有重大影响 ②条宽要求最严格 ③套刻精度要求最严格 . 典型的光刻流程。 一个典型的光刻全过程为： 硅片表面预处理→涂胶（去边）→前烘→（对位）曝光→PEB烘→显影→后烘→显检（测量） 二. 涂胶前处理 1. 涂胶前为什么要进行增粘处理？ 一般可利用亲水/疏水理论对其进行解释。由于衬底表面吸水存在氢氧基团，使疏水的光刻胶无法与亲水的硅片表面结合良好。通常的方法是使用hydroxy getter化学方法去除表面的OH基团，一般采用alkylsilane compounds,如HMDS. 2. 使用烘箱进行HMDS增粘处理要注意那些问题？ 使用烘箱进行HMDS增粘处理的注意事项： ①预处理完的硅片应在一定的时间内尽快涂胶，以免表面吸附空气中的水分，降低增粘效果。但同时也要充分冷却，因硅片的温度对胶厚有很大的影响。 ②反复预处理反而会降低增粘效果。 ③HMDS的瓶盖打开后，其寿命有限，一定要尽快用完。 三. 涂胶 1. 对涂胶总的质量要求是什么？ 对涂胶总的质量要求为： ①胶厚符合指标要求 ②均匀性符合指标要求 ③缺陷少 ④去边整齐 ⑤硅片背面沾污小
光刻工艺流程
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist.
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning ) 光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮 气保护） 目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染； b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating） 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速 旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄； 影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking） 方法：真空热板，85～120℃,30～60秒； 目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶 玷污设备； 边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。