贴片电容特性曲线图
AVX贴片钽电容的频率特性
贴片钽电容的频率特性 以下由AVX代理希迪电子整理提供.未经许可授权,禁止转载! 我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到（通常视0.5 - 5MHz的之间该评级）。除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz的电容继续下降。下面以AVX贴片钽电容E 型的220UF 10V规格为例,来说明钽电容的频率特性. 扩展阅读: AVX钽电容温度特性曲线 在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量（CR） 这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25°C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.偏见. 电容公差 这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。 AVX钽电容的温度特征。 钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。 以上由AVX代理商希迪电子整理提供
以下由AVX代理商希望电子整理提供,详细情况请直接访问www.cdindustries.hk 损耗角正切（TAN）。 这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS （90 - ）是真正的功率因数。“使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。 耗散因数（D.F.）。 耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。 DF值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。 耗散因数的频率依赖性 随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的： 耗散与温度的关系 耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同?电容器。对于最高限额，请参阅的评分表。
贴片电容系列材质及规格
贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%
6pF贴片电容0603CG6R0C500NT选型表
声明： 1、本规格书是由风华高科授权代理商－南京南山半导体有限公司自风华高科官方网站下载整理，若有变更，恕不另行通知； 2、本规格书没有足够的空间说明详细电性能参数，仅列明了标准规格，在订购产品之前谨请与风华高科代理商南京南山半导体有限公司确认。 |特性 *具有高电容量稳定性，在-55℃~125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃*独石结构，具有高可靠性。 *优良的焊接性和耐旱性，适合于回流焊和波峰焊。 |贴片电容封装代号与外形尺寸 L(长)尺寸 1.6±0.1mm W(宽)尺寸0.8±0.1mm T(高)尺寸0.8±0.1mm 电极宽度wb 0.30±0.10mm 公制封装代号 1608英制封装代号 0603
|通用型贴片电容特性曲线 ※ 贴片电容交流特性图 ※C0G 贴片电容温度系数图※X7R 贴片电容温度系数图※Y5V 贴片电容温度系数图※Z5U贴片电容温度系数图※贴片电容偏压特性图※贴片电容器老化特性图
贴片电感样品申请单 南山联系资料 总机：技术支持：客服：传真：电邮： 客户基本资料 公司名称网址： 联系方式电话：传真：□生产型企业□贸易商 收货地址 生产产品 姓名：职务：□技术□采购□其他 联络人 电话：手机：电邮： 样品明细资料 元器件名称型号及封装单机用量申请数量备注 预计生产情况 预计小批量生产日期：规模生产日期：样品申请日期： 样品申请流程 1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 Service@https://www.360docs.net/doc/6f165303.html, 2、请以附件的形式将该文档通过E-mail发送，并请将此单打印盖章后，电邮至： ：。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，由样品小组负责确定该样品申请单是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京库有现货2个工作日内发出；如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量：单个型号5～20pcs，或根据BOM表清单按2～5套提供。 6、说明：接单后，样品小组将努力跟进，但由于原厂生产等环节存有不确定因素，我们无法保证样品数量、型号完 全符合要求，也不承诺一定按期交出。 跟进记录 □已中止进行□中止原因描述： □已联系客户 □已建议生产□已发送样品/日期□客户已签收/日期
Y5V电容特性
Y5V材料电容特性 Y5V电容器瓷属于低频高介电容器瓷，即Ⅱ类瓷，是强介铁电陶瓷，具有自发极化特性的非线性陶瓷材料，其主要成分为钛酸钡（BaTiO3）；其特点是介电系数特别高，介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场有非线性变化的关系； Y5V：温度特性Y代表-25℃；“5”代表+85℃；温度系数V代表-80%~+30%； 在交变电压作用下，电容器并不是以单纯的电容器的形式出现，它除了具有电容量以外，还存在一定的电感和电阻，在频率较低时，它们的影响可以不予考虑，但随着工作频率的提高，电感和电阻的影响不能忽视，严重时可能导致电容器失去作用。因此，我们一般通过四个主要参数来衡量片式电容的一般电性能：电容量、损耗角正切、绝缘电阻、耐电压。下面主要针对电容量的变化进行研究： 1、电容量与温度的关系： 温度是影响电容器电容量的一个重要因素，电容量与温度之间的这种关系特性称为电容器的温度特性，一般说来，对于Ⅱ类瓷电容器，其影响相对较大，故我们采用“%”来表示它的容量变化率。 下面以Y材料0402F/104规格产品为例来说明Y5V材料的温度特性： 2、电容量与交流电压的关系： 对于Ⅱ类瓷电容器，其容量基本是随所加电压的升高而加速递升的，在生产测试中，一般采用0.5±0.2V和1.0±0.2V作为电容量与损耗正切角的测试电压，电压较低，因此对于同一容量采用不同的介质厚度设计，最终表现出来的容量值不会有太大差异，但是，随着工作电路中交流电压的不同，这种差异较为明显。 下面以Y材料0805F/105规格产品为例来说明Y5V材料交流特性：
3、电容量与直流电压的关系： 在电路的实际应用中，电容器两端可能要施加一个直流电压，电容器在这种情况下的特性叫做直流偏压特性；相对X7R材料来说，Y5V材料偏压特性较差，可以通过增加介质厚度的方法取得较好的直流偏压特性。 下面我们以Y材料0805F/224规格14um介质厚度设计的产品为例来说明Y5V产品的直流偏压特性： 另外，Y5V材料电容量与工作频率也存在一定的关系，作为Ⅱ类瓷电容器，相对容值变化较小的Ⅰ类瓷电容器而言，随着工作频率的增加，容值下降较为明显。
贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸
贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸·功率 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 英制(inch) 公制 (mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 0201 0603 0.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.05 0402 1005 1.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.10 0603 1608 1.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.20 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.20 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 贴片电阻电容功率与尺寸对应表 电阻封装尺寸与功率关系,通常来说: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：
不同材质电容特点
一、按照功能 1.名称：聚酯（涤纶）电容 符号：（CL） 电容量：40p--4μ 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2.名称：聚苯乙烯电容 符号：（CB） 电容量：10p--1μ 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 3.名称：聚丙烯电容 符号：（CBB） 电容量：1000p--10μ 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 4.名称：云母电容 符号：（CY）
电容量：10p--0.1μ 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5.名称：高频瓷介电容 符号：（CC） 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 6.名称：低频瓷介电容 符号：（CT） 电容量：10p--4.7μ 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路 7.名称：玻璃釉电容
符号：（CI） 电容量：10p--0.1μ 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路 8.名称：铝电解电容 符号：(CD) 电容量：0.47--10000μ 额定电压：6.3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 9.名称：钽电解电容 符号：（CA） 电容量：0.1--1000μ 额定电压：6.3--125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 10.名称：空气介质可变电容器
钽电容温度特性曲线图
AVX钽电容温度特性曲线图 在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量（CR） 这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25° C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，https://www.360docs.net/doc/6f165303.html, 谐波与2.2Vd.c.偏见. 电容公差 这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。 钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升https://www.360docs.net/doc/6f165303.html, 。 以上由AVX代理商希迪电子整理提供 钽电容的浪涌电压 是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）能承受的最高电压。浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。 不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于
额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。 AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下，https://www.360docs.net/doc/6f165303.html, 电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的可靠性。AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70％。在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。 钽电容的反向电压 AVX钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下： 在1.0V 25° C条件下最大为10％的额定直流工作电压 在0.5V 85° C条件下最大为3％的额定直流工作电压 在0.1V 125℃条件下最大为1％的额定直流工作电压 反向电压值均以钽电容在任何时间上的最高电压值为准。这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续施加反向电压会导致两极分化，将导致漏电流增大。在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。www.smdinc.hk 在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内，电容可能的方法完整的标称值。反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。 钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.）------又称纹波电压 这是最大的r.m.s.交流电压;叠加一个特区电压，可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压，v.c.第2节中的全部细节 钽电容的成型电压。 这是在阳极氧化形成的电压。 “这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。
陶瓷电容绝缘电阻深入理解
多层片式陶瓷电容器绝缘电阻深入再理解 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子健和共价健牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是，实际上绝缘体的电阻率是有限，并非无穷大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 在氧化物陶瓷中，如钛酸盐，通过缺陷化学计量，也就是阴、阳离子电荷不平衡可以推断出电荷载流子的存在以及材料晶体结构中有空缺位子和填隙离子。例如，一个AL3+阳离子取代一个Ti4+的位置，产生一个净负电荷。同样，如果氧离子与其他离子的比例不足以维持理想的化学价，也会产生一个净电荷。后面这种情况在低氧分压烧结和“还原”烧结条件下非常容易出现，剧烈的还原将会使钛酸盐的电阻率降低，显示出半导体性质。 因此，片式电容器的绝缘电阻取决于介质材料配方、工艺过程（烧结）和测量时的温度。所有介质的绝缘电阻都会随温度的提高而下降，在低温（-55度）到高温125度的MIL温度特性范围内可以观察到一个非常大的下降过程。 测量电容器绝缘电阻的时候需要重点考虑的是绝缘电阻与电容量的关系。电容量值与绝缘电阻成正比，即电容量越高，绝缘电阻越低。这是因为电容量与漏电流大小是相互成正比的，可以用欧姆定律和比体积电容关系加以说明。R= ? *S/L, C=ξ *S/L, ---------R=?*ξ/C 工业应用中产品IR的最小标准是由电阻和电容量，所决定的。EIA标准要求产品在25度时R*C 超过1000欧姆-法拉（通常表示成1000兆欧-微法拉），在125度时超过100欧姆-法拉。除了材料和尺寸外，还有其他一些物理因素会对电容器的绝缘电阻产生影响。 a)表面电阻率：由于表面吸收了杂质和水分，因此介质表面电阻率与体电阻率不一致。 b)缺陷：介质是多晶体陶瓷聚合体所组成的，其微观结构中存在的晶界和气孔总会降低材料 的本征电阻率。从物理学的角度讲，这些物理缺陷出现的几率与元件体积及结构复杂程度成正比。因此，尺寸大的，电极面积更大，电极层数越多的元件来说，其电阻率和绝缘强度均低于小尺寸的。
通用型贴片电容规格书(选型手册)
【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】
https://www.360docs.net/doc/6f165303.html,
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
COG/COH
COG
, ,
-55
125
,
0
30ppm/
0
60ppm/
0805
CG
101
J
500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
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贴片电容材质分类
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
贴片电容封装材质特性(精)
贴片电容封装材质特性 单片陶瓷电容器 (通称贴片电容是目前用量比较大的常用元件 , 就 AVX 公司生产的贴片电容来讲有 NPO 、 X7R 、 Z5U 、 Y5V 等不同的规格 , 不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法 , 这里我们引用的是 AVX 公司的命名方法 , 其他公司的产品请参照该公司产品手册。 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同 , 随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器 * NPO电容器 NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从 -55℃到 +125℃时容量变化为 0±30ppm/℃ , 电容量随频率的变化小于±0.3ΔC 。 NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同 , 大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容器可选取的容量范围。
NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容 , 以及高频电路中的耦合电容。 * X7R电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在 -55℃到 +125℃时其容量变化为 15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的 , 它也随时间的变化而变化 , 大约每 10年变化1%ΔC, 表现为 10年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用 , 而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。 * Z5U电容器 Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围 , 对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大 , 它的老化率最大可达每 10年下降 5%。尽管它的容量不稳定 , 由于它具有小体积、等效串联电感(ESL 和等效串联电阻(ESR 低、良好的频率响应 , 使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。
贴片电容规格及尺寸对照
HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT
陶瓷电容材质
陶瓷电容分级： NPO（COG）X7R X5R Y5V Z5U 这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于 ±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
贴片电容的精度规格书
贴片电容的精度规格书 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。 一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。 在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。 一、电容的型号命名： 1） 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2） 电容的标志方法： （1） 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2） 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V （4） 进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号 字母 颜色 温度系 数 允许 偏差 字母 颜色 温度系数 允许 偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470
铁电电介质陶瓷材料介电常数-温度特性曲线的测定
实验 铁电电介质陶瓷材料介电常数-温度特性曲线的测定 一、目的要求 1．掌握铁电电介质陶瓷材料介电常数-温度特性的测试原理和方法； 2．通过实验，深刻理解铁电电介质陶瓷材料的居里温度的概念、相变扩散的概念、以及铁电陶瓷材料改性研究的意义； 3．掌握电桥法测定电介质材料低频介电性能的常用仪器、参数设定、以及影响测试精度的因素。 二、基本原理 铁电电介质陶瓷材料是制备“2类瓷介固定电容器”、各种压电陶瓷器件等的主要材料。以“2类瓷介固定电容器”为例，其基本参数之一，即为电容量温度特性，根据国家标准的规定，2类瓷介固定电容器的进一步分类也是依据电容量温度特性而进行的，而该参数设计的主要依据是所选用的电介质的介电常数温度特性。 铁电电介质陶瓷材料一般具有一个以上的相变温度点，其中的铁电相和顺电相之间的转变温度被称为是居里温度，介质的介电常数随着温度的变化曲线（ε-T 曲线）显示，随着温度的升高，在相变温度附近，介电常数会急剧增大，至相变温度处，介电常数值达到最大值；如果所对应的相变温度是居里温度，那么随着温度的继续增加，介电常数随温度的升高将按照居里-外斯（Curie-Weiss ）定律的规律而减小。居里-外斯定律为： C C T T εε∞=+? （1） （1）式中：C 为居里常数；T C 为铁电居里温度（对于扩散相变效应很小的铁电体，该温度通常比实际的ε-T 曲线的峰值温度小10o左右）；ε∞表示理论上当测量频率足够大时所测定的只源自快极化贡献的介电常数。 铁电电介质陶瓷材料的ε-T 曲线的另一个特点是，与单晶铁电体相比，在居里峰两侧一定高度所覆盖的温度区间比较宽，该温度区间称为居里温区，即对于铁电陶瓷来说，其介电常数ε具有按居里区展开的现象，该现象被称为相变扩散。通过对材料的显微组织结构的调整和控制，可以改变介质的居里温度，同时可以控制材料的相变扩散效应，从而达到调整和控制介质的居里温度和在一定温度区间内的介电常数-温度变化率的目的。 本实验采用电桥法，通过测定在一定温度范围内的电容量随着温度的变化曲线，折算出该介质的介电常数-温度特性曲线。如果采用圆片电容器试样进行测定实验，那么试样的电容量x C 与介质的相对介电常数之间的换算关系为： r e 214.4x r hC e =F （2） （2）式中： x C 是被测试样的电容量，单位是pF ； h 是试样介质的厚度，单位是㎝； F 是试样电极的直径，单位是㎝。
贴片电容参数
贴片电容参数：X7R X5R Y5V COG学习 2010年09月22日星期三 10:53 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%； Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。 对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。 表4-1 电容的温度与容量误差编码 低温高温容量变化 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的
电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。 NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途 属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。 特性： 电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
贴片电容的主要特性
贴片电容独特特性参数 如今电子产品越来越小，越来越薄，就拿手机来说，从90年代初的大哥大，到如今的iphone5，这中间进步的不只是设计者，更多的是手机里的电子元件，从最初的电池一样大的插件电容到现在小的看不到的贴片电容。贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就新晨阳公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。那么，如今的贴片电容具有哪些特性和参数呢? 特征参数 (1) 容量与差错：实践电容量和标称电容量答应的最大差错规模。通常运用的容量差错有：J级±5%， K级±10%，M级±20%。 精细电容器的答应差错较小，而电解电容器的差错较大，它们选用不一样的差错等级。 常用的电容器其精度等级和电阻器的标明办法一样。用字母标明：D级—±0.5%;F级—±1%; G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。
(2) 额外作业电压：电容器在电路中可以长时间安稳、牢靠作业，所接受的最大直流电压，又称耐压。对 于布局、介质、容量一样的器材，耐压越高，体积越大。 (3) 温度系数：在必定温度规模内，温度每改变1 ，电容量的相对改变值。温度系数越小越好。
(4) 绝缘电阻：用来标明漏电巨细的。通常小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。 电解电容的绝缘电阻通常较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。 (5) 损耗：在电场的效果下，电容器在单位时间内发热而耗费的能量。这些损耗首要来自介质损耗和金 属损耗。通常用损耗角正切值来标明。 (6) 频率特性：电容器的电参数随电场频率而改变的性质。在高频条件下作业的电容器，因为介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而添加。别的，在高频作业时，电容器的散布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，城市影响电容器的功能。所有这些，使得电容器的运用频率受到限制。 不一样种类的电容器，最高运用频率不一样。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只要8MHZ。