中国最大的LED制造公司及生产工艺
LED芯片的制造工艺流程简介
LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFi nal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需
LED灯生产工艺流程
LED灯生产工艺流程
§1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。 图 2.1 LED 制造流程图 上游 晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片 成品：单晶片、外延片 中游 制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选 成品：芯片 下游
§2 LED 芯片生产工艺 LED 照明能够应用到高亮度领域归功于 LED 芯片生产技术的不断提高，包括单 颗 晶片的功率和亮度的提高。 LED 上游生产技术是 LED 行业的核心技术，目前在该 技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生 产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 图 2.2 蓝光外延片微结构 图 生产出高亮度 LED 芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是 LED 发的 方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光 1WL ED 流明值已经达能到 150lm 之高。 LED 上游技术的发展将使 LED 灯具的生产成本越来越低，更显 LED 照明的优势。以 下 以蓝光 LED 为例介绍其外延片生产工艺如下： 首先在衬低上制作氮化鎵 （GaN ）基的 外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉 （MOCVD 中） 完成的。准备 好制作 GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以 逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底 , 以及 GaAs 、 AlN 、 ZnO 等材料。 MOCVD 是利用气相反应物 （ 前驱物 ）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3在衬底表 面 进行反应 ,将所需的产物沉积在衬底表面。 通过控制温度、 压力、反应物浓度和种 P 型 GaN 负极 P 型 AlGaN InGaN 量子阱（ well ） N 型 InGaN N 型 AlGaN N 型 GaN P 型 GaN GaN 缓冲层（ buffer ） 蓝宝石衬底（ subatrate ） 正极
LED灯具生产执行标准
LED灯具生产执行标准 1.目的 本标准规定LED灯具制作的过程控制要求，确保在安全生产的前提下做出符合客户要求的 产品产品。 2.范围 本规定实用用车间所有LED灯具生产过程。 3.职责 1.技术部负责本规定的制作和修订。 2.生产部负责本标准的执行，并对生产过程中发现不足问题及时反馈给工程部。 3.品质部负责对生产部对本标准执行过程的监督。 4.仓储部门负责生产备料及进销存的统计。 5.资材部门负责原材料的采购与追踪。 4.具体执行标准 4.1.来料检验 4.1.1.外壳 4.1.1.1.外观：颜色与订单要求一致，外观无掉漆，刮花，划痕，变形，破损等外观不良。 4.1.1.2.机械：尺寸结构，灯壳型号，特殊要求处理与采购订单要求一致，灯壳机械孔位， 部件便于生产操作。 4.1.1.3.包装：包装良好，如果指定包装的一定要确保符合我司采购标准。 4.1.1.4配件：配件齐全，无不良现象。 备注：所有不符合要求的原材料一律不许流入生产线。 4.2.电源模块 4.2.1外购成品电源：电源参数（输入电压，输出电压，电流，电源品牌，防水等级，输
入输出线材等）符合订单产品要求。 4.2.2外购半成品电源模块：检验特定元器件品牌参数（电解电容：黑金刚，450V/100UF; 线圈：全铜线圈加屏蔽；压敏电阻：容量20D；散热片：厚度3MM；线材：输入： 3*0.75平方*1M，输出：2*0.5平方*30mm）,电性能符合我司规定参数范围。 4.3.铝基板 4. 3.1：外观：表面油墨平整，无凸起，气泡，漏油等不良现象，喷锡均匀，无氧化现象。 4.3.2：机械参数：铝基板尺寸，孔位与我司图纸一致。 4.3.3：厚度：基板厚度与我司相应规格灯具要求厚度一致（具体参见我司基板明细资料）。 4.3.4：导热系数：导热系数与我司相应规格灯具要求一致（具体参见我司基板明细资料）。 4.4.光源 4.1：光源规格型号：确认厂家，色温，光通量，VF值，IF值，焊盘极性。 4.2：生产日期：所有来料光源或者库存光源超过一个月储存时间，外发加工和生产贴片 时一定要120°烘烤至少12H。 4.5.包装 4.5.1：材质：纸箱材质与我司采购订单要求一致。 4.5.2：规格 4.5.2.1：订制规格：油墨，彩印图案内容，尺寸大小与我司要求一致，色彩均匀。 4.5.2.2：常规包装：大小尺寸符合产品包装，外观中性。 4.6.辅料 4.6.1：线材：线材规格参数（线径，长度，加工参数）与我司采购要求一致。 4.6.2：散热膏：品牌，导热系数。 4.6.3：透镜：角度，材质，尺寸大小与我司要求一致。 4.6.4：螺丝：材质，长度，规格我司要求一致。 5.生产制作工艺要求
LED制作流程(精)
LED制作流程 (2010/01/20 16:34) LED封装 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：保护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂)，起透镜或漫射透镜功能，控制光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光损失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，提高管芯的光出射效率。用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料，封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的，发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形树脂透镜，可使光集中到LED的轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。 一般情况下，LED的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，LED的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数LED的驱动电流限制在20mA 左右。但是，LED的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型LED的驱动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的LED封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后，LED的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新，红、橙LED光效已达到100Im／W，绿LED为501m／W，单只LED的光通量也达到数十Im。LED芯片和封装不再沿龚传统的设计理念与制造生产模式，在增加芯片的光输出方面，研发不仅仅限于改变材料内杂质数量，晶格缺陷和位错来提高内部效率，同时，如何改善管芯及封装内部结构，增强LED内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热，取光和热沉优化设计，改进光学性能，
(整理)LED照明灯具生产操作规程.
一．生产工艺流程及说明 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司灯具的所有LED发光体电路部件，都按照“模块化”、“积木化”观念设计，不但简化生产工序、提高生产效率、减少原材料消耗，对物质流、信息流和能量流的规划管理也十分有益。 （一）灯体部件生产 灯体的部件生产，在灯具车间的主生产线进行。 图1 灯体部件生产流程 此工序对环境不产生有害气体和有害废料。 部分金属加工工序产生少量可回收余料。
电子焊接操作产生的松香气体采用分散到每工作台的抽风口排出车间。车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。 （二）灯具装配 图2 LED灯具装配流程 此工序在装配线完成。不产生有害气体和废料。
（三）加载老化工序 图3 LED灯具老化工序 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司生产的所有LED灯具，都要在灯具车间的“加载室”经历老化工序。老化时间 1h ≤Ta ≤4h。 此工序不产生废料和有害气体。 加载室与生产间有遮光护板，防止强光对环境的干扰； 独立的交流电源调压稳压控制柜； 单独配备二氧化碳灭火器2部； 单灯测试位有独立的带过载保护的开关。 灯具架为钢制，配有阻燃衬垫。 此工序不产生废料和有害气体。 （四）包装 在包装线完成纸盒成型，手工包装或用打包机台包装。
图4 包装工序 （五）入库 包装好的成品送入成品库。成品库外门直通装卸台。 （六）质检室 按公司制定的《产品检测规则》，由公司质检部门，对新产品和每批次产品进行抽样极限检测。进行光照强度、光照角度、环境温度、湿度、淋水浸水、风力、气压、高低频多自由度机械震动、电气绝缘、冲击电压等方面测试。测试项目和实验强度，根据灯具型号设置。 大部分极限测试，在本公司研制的“LED灯具综合测试箱”内完成，见图5。 图5 北京鑫瑞蓝天科技发展有限公司的LED灯具综合测
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤 1.工艺： a) 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。 b) 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 c)压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） d)封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。 这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。 e)焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。 f)切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 I)包装：将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 4. 封装工艺说明 1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.备胶
LED灯生产工艺(DEC)
LED灯生产工艺 §1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。 图2.1 LED制造流程图 上游 中游 下游
§2 LED芯片生产工艺 LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED上游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 图 2.2 蓝光外延片微结构 图 生产出高亮度LED芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是LED发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1W LED流明值已经达能到150lm之高。LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的
设备 然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片了。 图2.3 LED生产流程
LED灯具生产工艺
LED灯具生产工艺 1．目的： 为了LED在生产中的安全防护，并通过预防性措施，确保LED在生产过程中不会损坏。 2．适用范围： 适用于本公司生产的所有LED灯具。 3．操作要求： 3.1 生产线及作业台面 3.1.1 生产LED的生产线及作业台面必须另外加装静电接地线,不得得使用市电地线并且静电接地线与市电地线电位差不超过5V或者阻抗不超过25Ω.作业台面必须铺有防静电胶板. 3.1 插件 3.1.1 所有插件人员准备接触LED前,必须配带有接地良好的有线防静电手环,(包括拆除防静电包装和往防静电元件盒中放置LED的过程). 3.1.2 所有元件盒必须使用防静电元件盒. 3.1.3 在PCB板上插装LED时,不得折弯LED引脚,正负极性不可插反.手指尽量不接触LED引脚. 3.2 浸焊 3.2.1 要保证锡炉有良好的接地线,操作人员须配戴防静电手套作业. 3.2.2浸焊锡炉温度要控制在245℃±15℃,浸焊时间不得超过3秒; 3.2.3 刚浸焊过的PCBA板要轻轻放在防静电板上自然冷却,未降到室温以前,不得扔摔及剧烈振动. 3.2.4 喷洒助焊剂时,注意不可沾到部品面. 3.2.5 将浸焊后已冷却的PCBA板放入防静电周转箱中,送切脚工序进行切脚. 3.3 切脚 (此条经试验后决定)
3.3.1 要保证切脚机有良好的接地线和切刀锋利,操作人员须配戴防静电手套作业. 3.3.2 切脚时必须等PCBA板冷却到室温时进行操作，严禁将刚浸过锡炉还处在高温的PCBA板送入切脚机切脚. 3.3.3 切脚作业时,切脚高度要控制在2.0-2.5mm范围内,PCB板在轨道上的推进速度不得得大于10cm/秒. 3.3. 4.将切过脚的PCBA板装入防静电周转箱中,送补焊工序进行补焊. 注: 另外一种情况就是将LED加工成型后再插件,这样做可保证LED的切脚安全,但同时也会给插件的操作带来一定的难度,比如正负极性的辨别没有长脚作业容易,手指拿取时也会增加一定的难度,以及PCB板在工位间传送时也容易脱离基板. 3.4 补焊 3.4.1 要保证进行作业的电烙铁有良好的接地线,操作人员配戴有线静电环作业. 3.4.2装有LED的PCB板一般要求用35W以下的电烙铁,恒温烙铁的温度要控制在260℃±20℃范围内进行焊接作业. 3.4.3 操作人员在进行补焊作业时,单焊点焊接时间不得超过3秒. 3.4.4 补焊OK的PCBA板放入防静电周转箱中,送测试工序进行测试. 3.5 测试 3.5.1 要保证所有测试仪器都有良好的接地线,操作人员必须配戴有线静电手环进行作业. 3.5.2 测试OK品装入防静电周转箱,送组装工序.不良品装入专用防静电箱中并做好标识,送维修工序进行维修. 3.6 维修 3.6.1 维修操作人员所使用维修台面、仪器仪表及电烙铁都要有良好的接地线，操作人员必须配戴有线静电手环作业。 3.6.2 烙铁温度必须控制在260℃±20℃范围内进行作业.单焊点焊接时间不得超过3秒. 3.6.3 从PCBA板拆除下来的LED不论好坏品一律做报废处理,不得重新安装在灯板上使用.
LED照明灯具生产操作规程电子教案
遵义市义阳光电有限公司 质量管理体系作业文件 LED灯具工艺操作规程 编号ZYYG/W7.1-03-01-2013 颁发日期：2013年10月20日生效日期：2013年11月01日修改状态：A/0 页码：1/8 1.目的和适用范围 1.1目的 对公司的各类人员规定相应的职责权限和相应的岗位的能力要求，并进行评价以确保各类人员均能胜任本职工作。 1.2 适用范围 适用于对本公司所有人员，包括临时工，必要时还包括供方的人员。 2 相关文件和术语 2.1 相关文件 ZYYY/W6.2-2013《人力资源控制程序》 2.2 术语 本《规定》采用了GB/T19000-2008《质量管理体系基础与术语》的定义。 3. 职责 3.1 办公室负责编制《各类人员任职条件和技能规定》；对公司各类人员能力的评价；组织对不胜任本职工作的员工的培训； 3.2 副总经理负责审核《各类人员任职条件和技能规定》 3.3 总经理负责批准《各类人员任职条件和技能规定》 工作程序
4.1生产工艺流程及说明 公司灯具的所有LED发光体电路部件，都按照“模块化”、“积木化”观念设计，不但简化生产工序、提高生产效率、减少原材料消耗，对物质流、信息流和能量流的规划管理也十分有益。 4.1.1灯体部件生产 a灯体的部件生产，在灯具车间的主生产线进行。 b此工序对环境不产生有害气体和有害废料。 c部分金属加工工序产生少量可回收余料。 d电子焊接操作产生的松香气体采用分散到每工作台的抽风口排出车间。 e车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。
图1 灯体部件生产流程 4.1.2灯具装配 此工序在装配线完成。不产生有害气体和废料。
LED工艺概述
LED工艺概述 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，简称LED,，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。由于具有容易控制、低压直流驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点，广泛应用于城市各工程中、大屏幕显示系统。LED可以作为显示屏，在计算机控制下，显示色彩变化万千的视频和图片。LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体。 LED外延片工艺流程： 近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III－V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。 一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解，另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。 LED外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片 外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。 倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。 清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此
LED柔性灯带生产工艺流程
LED辞典 led基础知识2008-11-18 11:16:29 阅读7 评论0 字号：大中小 SMD LED surface-mount device LED。表面粘着型LED。 表面粘着型LED的出现是在1980年初，是因应更小型封装和工厂自动化而生。初期厂商裹足不前，主要因素是表面粘着LED最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡回流的步骤。LED的比热较IC低，温度升高时不仅会造成亮度下降，且超过摄氏100度时将加速组件的劣化。LED封装时使用的树脂会吸收水分，这些水分子急速汽化时，会使原封装树脂产生裂缝，影响产品效益。在1990年初，HP和Siemens Component Group 合作开发长分子键聚合物，作为表面粘着型LED配合取放机器的设计，表面粘着型LED到此才算正式登场LED Light Emitting Diode。发光二极管。 LED为通电时可发光的电子组件，是半导体材料制成的发光组件，材料使用III- V族化学元素（如：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等），发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光，寿命长达十万小时以上。LED最大的特点在于：无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高可靠度，容易配合应用上的需要制成极小或数组式的组件，适用范围颇广，如汽车、通讯产业、计算机、交通号志、显示器等。 LED又可以分成上、中、下游。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。上游是由磊芯片形成，这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。LED发光颜色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%左右，对LED产业极为重要。上游磊晶制程顺序为：单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。 中游厂商就是将这些芯片加以切割，形成为上万个晶粒。依照芯片的大小，可以切割为二万到四万个晶粒。这些晶粒长得像沙滩上的沙子一样，通常用特殊胶带固定之后，再送到下游厂商作封装处理。中游晶粒制程顺序为：磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。而，下游封装顺序为：晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。 国内主要的LED生产厂商有：鼎元、光磊、国联、亿光等企业。 红外线发光二极管红外线Light Emitting Diode。 主要以GaAs系列材料发展为主，通常以LPE液相磊晶法的方法制作，发光波长从850~940不等。 GaP磷化镓。 磷化镓，是Ⅲ-Ⅴ族（三五族）元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体，具有低电流、高效率的发光特性，可发光范围函盖红色至黄绿色，为LED主要使用材料之一。 GaN氮化镓。 氮化镓，是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术，可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED，更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术，但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知识、经验和技巧 AlInGaP磷化铝铟镓。 AlInGaP此材料是近年来用在高亮度LED之制造上较新的材料，使用MOVPE磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司，即美国HP、日本Toshiba、台湾国联光电。 AlGaAs砷化铝镓。 为GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs适合于制造高亮度红光及红外线LED，主要以LPE磊晶法量产，但因需制作AlGaAs基板，技术难度高。 反向粘着型薄芯片LED reverse mounting type 薄芯片LED。 此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上，减少LED所占的厚度。主要可用作可携式电话按键之背光源。 侧面发光直角LED
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LED工业工艺流程 一、导电胶、导电银胶 导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水, 其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好, 剪切强度要大, 而且粘结力要强。 UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、 而且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度LED的封装。 特别是UNINWELL的6886系列导电银胶, 其导热系数为: 25.8 剪切强度为: 14.7, 堪称行业之最。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上, 同时保护好LED芯片, 而且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式能够说是五花八门, 主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸, 散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、 TOP-LED、 Side-LED、SMD-LED、 High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 2
4．封装工艺说明 1.芯片检验 镜检: 材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑( lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小( 约0.1mm) , 不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张, 是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也能够采用手工扩张, 但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。( 对于GaAs、 SiC导电衬底, 具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片, 采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片, 采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制, 在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求, 银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.备胶 3
LED工艺流程(精)
LED生产工艺及封装技术 一、生产工艺 1.工艺： a) 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。 b) 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 c) 压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） d) 封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。 e) 焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB 板上。 f) 切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g) 装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h) 测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 包装：将成品按要求包装、入库。 二、封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED 按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 4．封装工艺说明 1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求 电极图案是否完整 2.扩片
LED芯片的制造工艺流程(精)
LED 芯片的制造工艺流程 来源：深圳市鑫荣电子科技有限公司作者：浏览：3305人次发布：2007-11-13 注：其他网站转载须注明出处，转载而不注明出处者，一经查实，将追究其法律责任外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC 、Si ）上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD 介绍： 金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD ）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED 芯片的制造工艺流程： 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N 极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前
LED生产流程
导读：LED的制造是复杂与高技术含量，在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能，在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质，从外观无法分辨。 LED（Light-Emitting Diode）是发光二极管的简称，它是由半导体材料制造出来的，它有一个正极和一个负极，在它的正负极施加直流电就会发光，从1907年开始，到1993年，LED 经历86年历史，LED技术的应用大体分为视觉类与非视觉类，视觉类的应用有LED照明技术，非视觉类有植物光合与医疗保健 LED发展历史 LED工艺过程： LED灯珠的整个生产过程，分为外延片生产、芯片生产、灯珠封装，整个过程体现了现代电子工业制造技术水平，LED的制造是集多种技术的融合，是高技术含量的产品，对于照明用途的LED的知识掌握也需要了解LED灯珠是如何生产出来的。 1、LED外延片生产过程： LED外延片生长技术主要采用有机金属化学相沉积方法（MOCVD）生产的具有半导体特性的合成材料，是制造LED芯片的原材料，下图是采用蓝宝石衬底的外延片生产过程：
2、LED芯片生产过程： LED芯片是采用外延片制造的，是提供LED灯珠封装的器件，是LED灯珠品质的关键，下图是LED芯片生产过程： 3、LED灯珠生产过程： LED灯珠的封装是根据LED灯珠的用途要求，把芯片封装在相应的支架上来完成LED灯珠的制造过程，LED封装决定LED灯珠性价比，是LED灯具产品的品质关键，下图是LED 封装过程： 从上面描述的LED从材料到灯珠的生产过程可以看出：
LED的制造是复杂与高技术含量，在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能，在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质，从外观无法分辨； 封装的灯珠通过分光筛选成不同质量的灯珠，这些灯珠基本上由价格的差异进行销售，残次品都可以按重量销售，LED市场的这种现象导致LED灯具产品的价格会相差很大。 白光灯珠的参数关系： 关于基本的光电参数，如光通量、光强度、光照度、亮度（辉度）、辐射功率、色温、显色性等，就不在这里介绍，我们需要重点了解这些参数之间的关系。 LED灯珠的品质鉴定需要做光谱分析与光电分析，如果品质要求严格，还需要通过 LM79和LM80测试，生产厂需要完成LED灯珠品质评估后才能批量生产，销售者一定要求生产厂提供LED灯珠品质评估报告才能提供对客户的承诺。 下图是光谱测试报告：
LED生产流程
导读： LED的制造是复杂与高技术含量，在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能，在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质，从外观无法分辨。 LED（Light-Emitting Diode）是发光二极管的简称，它是由半导体材料制造出来的，它有一个正极和一个负极，在它的正负极施加直流电就会发光，从1907年开始，到1993年，LED 经历86年历史，LED技术的应用大体分为视觉类与非视觉类，视觉类的应用有LED照明技术，非视觉类有植物光合与医疗保健 LED发展历史 LED工艺过程： LED灯珠的整个生产过程，分为外延片生产、芯片生产、灯珠封装，整个过程体现了现代电子工业制造技术水平，LED的制造是集多种技术的融合，是高技术含量的产品，对于照明用途的LED的知识掌握也需要了解LED灯珠是如何生产出来的。 1、LED外延片生产过程： LED外延片生长技术主要采用有机金属化学相沉积方法（MOCVD）生产的具有半导体特性的合成材料，是制造LED芯片的原材料，下图是采用蓝宝石衬底的外延片生产过程：
2、LED芯片生产过程： LED芯片是采用外延片制造的，是提供LED灯珠封装的器件，是LED灯珠品质的关键，下图是LED芯片生产过程： 3、LED灯珠生产过程： LED灯珠的封装是根据LED灯珠的用途要求，把芯片封装在相应的支架上来完成LED灯珠的制造过程，LED封装决定LED灯珠性价比，是LED灯具产品的品质关键，下图是LED封装过程： 从上面描述的LED从材料到灯珠的生产过程可以看出：
LED的制造是复杂与高技术含量，在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能，在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质，从外观无法分辨； 封装的灯珠通过分光筛选成不同质量的灯珠，这些灯珠基本上由价格的差异进行销售，残次品都可以按重量销售，LED市场的这种现象导致LED灯具产品的价格会相差很大。 白光灯珠的参数关系： 关于基本的光电参数，如光通量、光强度、光照度、亮度（辉度）、辐射功率、色温、显色性等，就不在这里介绍，我们需要重点了解这些参数之间的关系。 LED灯珠的品质鉴定需要做光谱分析与光电分析，如果品质要求严格，还需要通过LM79和LM80测试，生产厂需要完成LED灯珠品质评估后才能批量生产，销售者一定要求生产厂提供LED灯珠品质评估报告才能提供对客户的承诺。 下图是光谱测试报告：
详细解读LED芯片的制造工艺流程
详细解读LED芯片的制造工艺流程 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer FabricaTIon）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（IniTIal Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，
LED显示屏生产工艺
LED显示屏生产工艺 LED显示屏构成: 1.单元板， 单元板是LED的显示核心部件之一，单元板的好坏，直接影响到显示效果的。单元板由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块，其实是由很多个LED发光点用树脂或者塑料封装起来的点阵。 驱动芯片主要是74HC595 74HC245/244 74HC138 4953。 户内条屏常用的单元板规格有： 参数：D=3.75;点距4.75mm 64点宽x16点高，1/16扫户内亮度。单红/红绿双色 参数解释： 发光直径：指的是发光点的直径D=3.75mm 发光点距离 4.75mm ----根据观看者的距离选择，户内一般选择4.75 单元板大小：64x16--- 最常用的单元板，最容易买到，价格也最便宜。 1/16扫：单元板的控制方式。 户内亮度：指LED发光点的亮度，户内亮度适合白天需要靠日光灯照明的环境。 颜色：单红，最常用，价格也最便宜。双色一般指红绿，价格高。 单元板正面 单元板背面 2.电源，
一般使用的是开关电源，220V输入，5V直流输出。需要指出，由于LED显示屏幕属于精密电子设备，所以要采用开关电源，不能采用变压器。 3.控制卡， 4.连线 LED单元板生产流程图：
锡膏印刷 贴片 炉前目检 过炉 炉后检修 转版 SMT 元件，位置。上料检测 1：元件缺少，错误，偏位。 2：补料，提醒，记录分析。 炉温，速度，实验。 1：处理元件缺少，错误，偏移 2：提醒，分析记录，报告！ 3：技能加强! 记录，数量清晰 炉前目检 过波峰焊 插件 炉后检修 后焊 测试 剪脚 一致，整齐，长短合适。 调试机器，使之不出现虚焊，连焊，锡渣等不良现象 处理元件，连锡等异常，报告 正确的元件位置，无虚焊，连焊等不良现象。 性能一致性，外管一致性。 详细记录，分析，报告 1：材料一致性，外观一致性 2：合理使用工具，避免损伤 1：满足时间需要 2：挑出维修不良品 混灯 维修 组装 老化 做线 1：连锡，少锡，缺锡，锡厚。 2：偏移，触碰 3：擦拭钢网，清洗钢网 次数足够，保证均匀 1：正确元件，位置，方向 2：自检，互检！ 补料，提醒 1：修复各种不良现象 2：记录，原因分析，报告 3：技能提升，满足定单需要 4：培养，产线技术力量 性能与外观一致性原则，测试