半导体复习题(带答案)

https://www.360docs.net/doc/724655391.html,/xxzykafw/kfzy.html

半导体物理复习题

一、选择题

1. 硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ D ）P1 A. 1 B. 2 C. 4 D. 8

2．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ C ）P65

A. 本征半导体的费米能级E F =E i 基本位于禁带中线处

B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷

C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身

D. 本征半导体的电中性条件是qn 0=qp 0

3．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的是（ D ）P130 A.

p τΔp B. ()[]dt t Δp d - C. n τΔn D. τ

1 4．下面pn 结中不属于突变结的是（ D ）P158、159 A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p +n 结

C.高表面浓度的浅扩散n +p 结

D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn 结，下列说法中不正确的是（ C ）P158、160 A. pn 结是结型半导体器件的心脏。

B. pn 结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。

C.平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。

D.所谓平衡pn 结指的是热平衡状态下的pn 结。

6. 对于小注入下的N 型半导体材料，下列说法中不正确的是（ B ）P128 A. 0n n <

7.关于空穴，下列说法不正确的是（ C ）P15

A. 空穴带正电荷 B ．空穴具有正的有效质量 C ．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D ．半导体中电子空穴共同参与导电

8. 关于公式2i np n =，下列说法正确的是（ D ）P66、67

A.此公式仅适用于本征半导体材料

B. 此公式仅适用于杂质半导体材料

C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料

D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用

9. 对于突变结中势垒区宽度D X ，下面说法中错误的是（C ）P177 A. p +n 结中n D x X ≈ B. n +p 结中p D x X ≈ C. D X 与势垒区上总电压D V V -成正比

D. D X 与势垒区上总电压D V V -的平方根成正比

10. 关于有效质量，下面说法错误的是（D ）P13、14 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小

C. 有效质量可正可负

D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。二、填空题

1. N 型半导体中多子为_ 电子_，少子为___空穴_____；P 型半导体中多子为

__空穴______，少子为__电子______。

0p n 表示_ _P 区电子______的浓度；0n p 表示__N 区空穴___的浓度。 P163

2．若单位体积中有个n 电子，p 个空穴，电离施主浓度为D n +

，电离受主浓度为A p -，则电中性条件为__p+D n +=n+A p -_____。 P78

3．T >0K 时，电子占据费米能级的概率是__1/2______。P61 4.pn 结空间电荷区中内建电场的方向是由_N__区指向_P__区；在耗尽近似下，空间电荷密度等于_ 电离杂质的浓度______。 P160、163

5. pn 结加正向偏压V 时势垒高度由D qV 变成__q(V D —V)____；pn 结加反向偏压V 时势垒高度由D qV 变成___ q(V D +V)_____。 P164、165

6. 理想pn 结的电流电压方程()1/-=kT qV s e J J 又称为__肖克莱方程式______，其中-s J 叫做__反向饱和电流密度______；在国际单位制下，s J 的单位是__A/m2______。由此方程可知，pn 结的最主要特性是具有__单向导电性______或___整流效应·_____。

7. 状态密度就是每单位能量间隔内的___量子态数_____。计算状态密度时，我们近似认为能带中的能级作是__连续______分布的。

8. 半导体材料最常见的三种晶体结构分别是__金刚石型结构______、__闪锌矿型结构______和___纤锌矿型结构_____。比如，硅是___金刚石型结构_____结构，砷化镓是___闪锌矿型结构_____结构。 P1—3

9．氢原子电离能2

204

00)4(2ηπεq m E =，则类氢杂质电离能为=?D E ________。P41 10. 稳压二极管应用的是PN 结的________特性，整流二极管应用的是PN 结的________特性。三、简答题

1. “半导体照明工程”的目标是使LED 成为照明光源。这个工程目前的主要任务是寻找或合成便宜、环保、波长合适、发光效率高的半导体材料。试就这一话题回答下列问题：（1）什么是LED ？（2）已知的最便宜的半导体材料是什么？

2. pn 结热平衡时势垒高度D qV 的大小与中性P 区和N 区的费米能级

fn fp E E （和）的关系是什么？平衡pn 结能带最主要的两个性质是什么？答案：（期末

考试样题3 ）

3. 图1是隧道结的平衡示意图，试根据此图回答下列问题：

（1）隧道结对结两边半导体掺杂的要求是什么？

（2）如图1所示状态时隧道结有无隧道电流？

（3）隧道结电流电压曲线的主要特性是什么？ P186

图1

4. 图2是Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的能隙示意图，试根据此图回答下列问题：（1）蓝光的光子能量大约在2.76eV ，图2中那种材料最适合作为蓝光的发光材料？

（2）发光材料需要满足二个条件，第一，发光波长在所需要的范围；第二，发光效率高。这两个要求分别决定于半导体的那两个性质？

（3）图中半导体材料哪些是Ⅲ-Ⅴ，那些是Ⅱ-Ⅵ族？各列举三个。

图2

5.图3是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。请指出强电离区、高温本征激发区的位置（即温度范围，用a、b、c表示）。一般而言，实际器件工作在那个区域？

图3

P74

答：b是强电离区，c是高温本征激发区；一般工作在b区强电离区

6.图4是非平衡N型半导体准费米能级偏

离平衡费米能级的示意图。其中A、E分别

表示导带底和价带顶。问B、C、D哪个表

示平衡费米能级？哪个表示电子的准费米

能级？哪个表示空穴的准费米能级？

P76

答：C表示平衡费米能级

B表示电子的准费米能级

D 表示电子的准费米能级

7.图5中C是空穴电流方向，问A、B、D中哪个是电子漂移方向？哪个是电子电流方向？哪个是空穴漂移方向？

图5

P95

答：A 是电子漂移方向

B 是电子电流方向 D 是空穴漂移方向

8．PN 结上的电容包括势垒电容和扩散电容两部分。请问PN 结上的势垒电容和扩散电容是并联还是串联？若记总电容为C j ，势垒电容和扩散电容分别为ＣT 和ＣＤ，请写出C j 与ＣT 和ＣＤ的关系式。四、计算题

1． Si 晶格常数为a 。求：晶胞中所有Si 原子占据晶胞的百分比。 P38

2． N 型硅,室温下光稳定照射后获得非平衡载流子浓度31410-=?=?cm p n 。突然撤掉光照,经过20微秒后，非平衡空穴浓度变为31010-cm ，求硅材料的寿命。 P156 第4题类似

3．掺有1.1×1016 cm -3硼原子和9×1015 cm -3磷原子的Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。 P125 第13题

4．硅中掺入百万分之一的砷，求砷的实际掺杂浓度。 P125 第2小题

5．计算温度为400K 和300K 时，Si p-n 结反向饱和电流密度的比值（假设扩散长度和扩散系数与温度无关）。

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年 1 月 14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、选择填空（含多选题）（2×20=40分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i ；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导

体。 A 、E c ； B 、E v ； C 、E F ； D 、 E g ； E 、E i 。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C ）。 A 、变大，变大 B 、变小，变小 C 、变小，变大 D 、变大，变小 8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A ； B 、E B ； C 、E F ； D 、 E i ； E 、少子； F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。 A 、散射机构； B 、复合机构； C 、杂质浓度梯度； C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms ＜0 C 、W ms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。 A ．钠离子； B 硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压二、证明题：（8分）由金属－SiO 2－P 型硅组成的MOS 结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为：证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为： 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == （2分）当n s =p p0时，有：20exp( ),S p i qV p n KT = （1分）

计算机基础试题及答案

《计算机基础》考试试题（卷） A. 显示器 B.扫描仪 C.键盘 D.鼠标号一、单项选题：（每题2分，共60 分）学 1.一个完整的计算机系统包括（） A.计算机及其外部设备 B.主机.键盘.显示器 C.系统软件和应用软件 D.硬件系统和软件系统 2.计算机应用最广泛的是（） A.科学计算 B.数据处理 C.实时控制 D.辅助设计 3.衡量计算机存储容量的单位通常是（）级班 A.块 B. 字节 C.比特 D.字长 4.( ）个二进制数称为一个字节。 A.2 B.8 C.10 D.16 5. Windows 中，关闭当前窗口的快捷方式是（） A.AIt+F4 B.AIt+F8 C.Ctrl+F4 D.Ctrl+F8 6.以下不属于输入设备的是（） 7. POWERPOINT 作窗口的视图模式不包括（）。 A.完整视图 B.大纲视图 C.幻灯片视图 D.幻灯片浏览视图 8. 第二代计算机使用的电子器件是（）。 A.电子器 B.晶体管 C.集成电路 D.超大规模集成电路 9. 因特网所采用的网络传输协议是（）。 A.SMTP 协议 B.SNMP 协议 C.TELNET 协议 D.TCP/IP 协议 10. CPU 勺中文名称是（）。 A.运算控制单元 B.夕卜（内）存储器 C.微机系统 D. 微处理器 11. 显示器属于（）。 A.存贮器 B.运算控制单元 C.输入设备 D.输出设备 12. 菜单栏右端“X”按钮的含义是（）。

13. 计算机软件一般包括（）和应用软件。 A. 实用软件 B.系统软件 C.培训软件 D. 编辑软件 14. （）推动了计算机技术和通讯的技术的发展。 A. 微型化 B.巨型化 C.智能化 D.网络化 15. 在Windows中，（）是中英文输入切换健。 A.AIt+Shift B.Ctrl+Shift C.AIt+H D.Ctrl+ 空格 16. 复制快捷方式是（）。 A. ctrl+V B. Ctrl+N C. Alt+K D. Ctrl+C 17. 用Windows的“写字板”创建的文件的缺省扩展名是（） A.TXT B.XLS C.DOS D.ALT 18. Word程序启动后就自动打开一个名为（）文档。 A.Noname B.Untitled C. 文件1 D.文档1 19. Word提供的文件打开方式不包括（）。 A.直接打开 B. 以副本形式打开 C.以存储形式打开 D.用浏览器打开 20. Word中获取帮助的快捷键是（）。 A.F1 B.F2 C.F5 D.F821. Word中保存文档的快捷键是（）。 A.CTR W V B.CTRL + S C.CTRL + C D.CTRL + D 22. 在（）视图下可以插入页眉和页角 A. 普通 B.大纲 C.页面 D.主控文档 23. Excel工作表最多有（）列。 A.65535 B.256 C.254 D.128 24. Excel中，新打开的工作簿含有默认的（）张工作表。 A.1 B.2 C.3 D.4 25. 在打印工作表前，能帮助及时地对版式和文字内容进行调整和修正的是（）。 A.仔细观察工作表 B.打印预览 C.按F8健 D.分页预览 26. 在幻灯片中不能插入（）。 A.程序 B.视频 C.声音 D.图片 27. 在windows的回收站中，可以恢复（）。 A. 从硬盘中删除的文件或文件夹 B. 从软盘中删除的文件或文件夹 C. 剪切掉的文档 D. 从光盘中删除的文件或文件夹

半导体物理习题及复习资料

复习思考题与自测题第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。 2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量 3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同；答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。 4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 . 5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。费米能级由高到低的顺序是乙> 甲> 丙。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

单片机考试试题(带答案)

一、选择题访问片外数据存储器的寻址方式是（ C ） A、立即寻址 B、寄存器寻址 C、寄存器间接寻址 D、直接寻址堆栈数据的进出原则是（ B ） A、先进先出 B、先进后出 C、后进后出 D、进入不出若某存储器芯片地址线为12根,那么它的存储容量为（ C ） A、1KB B、2KB C、4KB D、8KB 控制串行接口工作方式的寄存器是（ C ） A、TCON B、PCON C、SCON D、TMOD 判断是否溢出时用PSW的（B ）标志位，判断是否有进位时用PSW的（ A ）标志位。 A．CY B．OV C．P D．RS0 E．RS1 当串行口向单片机的CPU发出中断请求时，若CPU 允许并接受中断请求时，程序计数器PC的内容将被自动修改为（ E ）。 A．0003H B．000B C．0013H D．001BH E．0023H 子程序的返回和中断响应过程中的中断返回都是通过改变PC的内容实现的，而PC内容的改变是（D ）完成的。 A．通过POP命令B．通过MOV 指令C．通过RET或RETI指令D．自动单片机复位后，SP、PC、I/O口的内容为（C ）A．SP = 07H PC = 00H P0 = P1 = P2 = P3 = FFH B．SP = 00H PC = 0000H P0 = P1 = P2 = P3 = 00H C．SP = 07H PC = 0000H P0 = P1 = P2 = P3 = FFH D．SP = 00H PC = 00H P0 = P1 = P2 = P3 = 00H 堆栈指针SP的作用是（ B ）。 A 指示堆栈的栈底 B 指示堆栈的栈顶 C 指示下一条将要执行指令的地址 D 指示中断返回的地址下列指令中，不影响堆栈指针的指令是( B)。 A RET B JB bit，rel C LCALL addr16 D RETI 定时器T1的中断入口地址是（ C ），从该地址开始一般可（F ）。 A 0003H B 000BH C 001BH D 0013H E 连续存放中断服务程序 F 存放转移指令定时器T0的溢出标志TF0，在CPU响应中断后（ B ）。 A 由软件清零 B 由硬件清零 C 随机状态 D AB都可以在进行串行通信时，若两机的发送与接收可以同时进行，则称为（D ）。 A 半双工传送 B 单工传送 C 双工传送 D 全双工传送在CPU内部，反映程序运行状态或反映运算结果一些特征的寄存器是（B ）。 A . PC B. PSW C. A D. SP 二、填空题晶振的频率为6MHz时，一个机器周期为（2）μS。欲使P1口的低4位输出0，高4位不变，应执行一条（ANL P1,#0F0H ）命令。 MCS-51单片机系列有（ 5 ）个中断源，可分为（ 2 ）个优先级。计算机三大总线分别为（数据总线）、（地址总线）和控制总线。 MCS－51指令系统中，ADD与ADDC指令的区别是（是否带进位）。 8051单片机有（ 2 ）个16位定时/计数器。MCS-51单片机有（4 ）个并行输入/输出口，当系统扩展外部存储器或扩展I/O口时，（P0 ）口作地

计算机基础知识试题及答案全

计算机基础知识试题及答案全标准化工作室编码[XX968T-XX89628-XJ668-XT689N]

11.用MIPS为单位来衡量计算机的性能，它指的是计算机的（ B ），指的是每秒处理的百万级的机器语言指令数。 A.传输速率 B.运算速度 C.字长 D.存储器容量 12.计算机硬件的核心部件是（ A ）。 A．中央处理器B．存储器C．运算器D．控制器13.在外部设备中，打印机属于计算机的（ B ）设备。 A．输入B．输出C．外存储D．内存储 14.CGA、EGA和VGA标志着（ C ）的不同规格和性能。 A.打印机 B.存储器 C.显示器 D.硬盘 15.硬盘上原存的有效信息，在下列哪种情况下会丢失（ C ）。 A.通过海关的X射线监视仪 B.放在盒内半年没有使用 C.放在强磁场附近 D.放在零下10摄氏度的库房中 16.人们把以（ A ）为硬件基本部件的计算机称为第四代计算机。 A.大规模和超大规模集成电路和RAM C.小规模集成电路 D.磁带与磁盘 17.用计算机管理科技情报资料，是计算机在（B ）方面的应用。 A.科学计算 B.数据处理 C.实时控制 D.人工智能 18.主机板上CMOS芯片的主要用途是（ C ）。 A.管理内存与CPU的通讯 B.增加内存的容量 C.储存时间、日期、硬盘参数与计算机配置信息 D.存放基本输入输出系统程序、引导程序和自检程序 19.下列有关存储器读写速度的排列，正确的是（B ）。 >Cache>硬盘B．Cache>RAM>硬盘 >硬盘>RAM D．RAM>硬盘>Cache 20.使用Cache可以提高计算机运行速度，这是因为（C ）。增大了内存的容量扩大了硬盘的容量缩短了CPU的等待时间可以存放程序和数据 21.一台微机的型号中含有486、586等内容时，其含义是（ A ）。 A.运算控制单元的档次 B.软盘容量大小

半导体物理试卷a答案

一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 2. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 3. 空穴：当满带顶附近产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量m p，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。 4. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴 △p=p-p0称为过剩载流子。 5.费米能级、化学势答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A ) 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿

单片机期末考试试题答案

单片机期末考试试题（答案） 01、单片机是将微处理器、一定容量的RAM 和ROM以及I/O 口、定时器等电路集成在一块芯片上而构成的微型计算机。 2、单片机89C51片集成了 4 KB的FLASH ROM，共有 5 个中断源。 3、两位十六进制数最多可以表示256 个存储单元。 4、89C51是以下哪个公司的产品？（ C ） A、INTEL B、AMD C、ATMEL D、PHILIPS 5、在89C51中，只有当EA引脚接高电平时，CPU才访问片的Flash ROM。 6、是非题：当89C51的EA引脚接低电平时，CPU只能访问片外ROM，而不管片是否有程序存储器。T 7、是非题：当89C51的EA引脚接高电平时，CPU只能访问片的4KB空间。F 8、当CPU访问片外的存储器时，其低八位地址由P0 口提供，高八位地址由P2 口提供，8位数据由P0 口提供。 9、在I/O口中，P0 口在接LED时，必须提供上拉电阻，P3 口具有第二功能。 10、是非题：MCS-51系列单片机直接读端口和读端口锁存器的结果永远是相同的。F 11、是非题：是读端口还是读锁存器是用指令来区别的。T 12、是非题：在89C51的片RAM区中，位地址和部分字节地址是冲突的。F 13、是非题：中断的矢量地址位于RAM区中。F 14、MCS-51系列单片机是属于（ B ）体系结构。 A、诺依曼 B、普林斯顿 C、哈佛 D、图灵 15、89C51具有64 KB的字节寻址能力。 16、是非题：在89C51中，当CPU访问片、外ROM区时用MOVC指令，访问片外RAM 区时用MOVX指令，访问片RAM区时用MOV指令。T 17、在89C51中，片RAM分为地址为00H~7FH 的真正RAM区，和地址为80H~FFH 的特殊功能寄存器(SFR) 区两个部分。 18、在89C51中，通用寄存器区共分为 4 组，每组8 个工作寄存器，当CPU 复位时，第0 组寄存器为当前的工作寄存器。

计算机基础考试试题及答案.

一、填空题 1、第二代电子计算机使用的电子器件是B A电子管B晶体管C集成电路D超大规模集成电路 2、目前，制造计算机所用的电子器件是D A电子管B晶体管C集成电路D超大规模集成电路 3、计算机病毒是C A带细菌的磁盘B已损坏的磁盘C具有破坏性的特制程序D被破坏的程序 4、将十进制数97转换成无符号二进制整数等于B A 1011111 B 1100001 C 1101111 D 1100011 5、与十六进制数AB等值的十进制数是A A 171 B 173 C 175 D 177 6、与二进制数101101等值的十六进制数是C

A 1D B 2 C C 2 D D 2E 7、设汉字点阵为32ⅹ32，那么100个汉字的字形状信息所占用的字节数是 A A 12800 B 3200 C 32ⅹ3200 D 128k 8、大写字母B的ASCII码值是B Ａ65 B 66 C 41H D 97 9、计算机中所有信息的存储都采用D A 十进制 B 十六进制 C ASCII码 D 二进制 10、标准ASCII码的码长是A A 7 B 8 C 12 D 16 11、一个完整的计算机系统包括D A 计算机及其外部设备 B 主机、键盘、显示器 C 系统软件和应用软件 D 硬件系统和软件系统 12、组成中央处理器（CPU）的主要部件是D A 控制器和内存 B 运算器和内存 C 控制器和寄存器 D 运算器和控制器

13、计算机的内存储器是指C A、RAM和C磁盘 B、ROM C、ROM和RAM D、硬盘和控制器 14、下列各类存储器中，断电后其信息会丢失的是A A、RAM B、ROM C、硬盘 D、光盘 15、计算机能够直接识别的语言和执行的语言是C A 汇编语言 B 自然语言 C 机器语言 D 高级语言 16、将高级语言源程序翻译成目标程序，完成这种翻译过程的程序是 A A 编译程序 B 编辑程序 C 解释程序 D 汇编程序 17、存储24ⅹ24点阵的一个汉字信息，需要的字节数是 B A 48 B 72 C 144 D 192 18、下列不能用作存储容量单位的是B A、Byte B、MIPS C、kB D、GB

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。 4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 . 5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。费米能级由高到低的顺序是乙> 甲> 丙。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分）答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分）答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

汇编语言单片机考试试题和答案

一.单项选择题（30分）在中断服务程序中至少应有一条（） A.传送指令 B.转移指令 C.加法指令 D.中断返回指令 2．当MCS-51复位时，下面说法准确的是（） A.PC=0000H B.SP=00H C.SBUF=00H D.（30H）=00H 3．要用传送指令访问MCS-51片外RAM，它的指令操作码助记符是（） A.MOV B.MOVX C.MOVC D.以上都行 4．ORG2000H LACLL3000H ORG 3000H RET 上边程序执行完RET指令后，PC=（）A.2000H B.3000H C.2003H D.3003H 5．要使MCS-51能响应定时器T1中断，串行接口中断，它的中断允许寄存器IE的内容应是（）A.98H B.84H C.42H D.22H 6．JNZREL指令的寻址方式是（） A.立即寻址 B.寄存器寻址 C.相对寻址 D.位寻址 7．执行LACLL4000H指令时, MCS-51所完成的操作是( ) Ａ保护ＰＣＢ.4000HPC C.保护现场 D.PC+3入栈, 4000HPC 8.下面哪条指令产生信号() A.MOVX A,@DPTR B.MOVC A,@A+PC C.MOVC A,@A+DPTR D.MOVX @DPTR,A 9.若某存储器芯片地址线为12根,那么它的存储容量为() A. 1KB B. 2KB C.4KB D.8KB 10.要想测量引脚上的一个正脉冲宽度,则TMOD的内容应为() A.09H B.87H C.00H D.80H 11.PSW=18H时,则当前工作寄存器是() A.0组 B. 1组 C. 2组 D. 3组 12.MOVX A,@DPTR指令中源操作数的寻址方式是()

大学计算机基础试题及答案完整版

大学计算机基础试题及答案完整版一、单选题 1、完整的计算机系统由（C ）组成。 A 、运算器、控制器、存储器、输入设备和输出设备 B 、主机和外部设备 C 、硬件系统和软件系统 D 、主机箱、显示器、键盘、鼠标、打印机 2、以下软件中，（D ）不是操作系统软件。 A 、Windowsxp B 、unix C 、linux D 、microsoft office 3、用一个字节最多能编出（D ）不同的码。 A. 8 个 B. 16 个 C. 128 个 D. 256 个 4、任何程序都必须加载到（C ）中才能被CPU 执行。 A.磁盘 B.硬盘 C.内存 D.外存 5、下列设备中，属于输出设备的是（A ）。 A 、显示器 B 、键盘 C 、鼠标 D 手字板 6、计算机信息计量单位中的K 代表（B ）。 A. 102 C. 103 D. 28 7、 RAM 代表的是（C ）。 A.只读存储器 B.高速缓存器 C.随机存储器软盘存储器 8、组成计算机的CPU 的两大部件是（A ）。 A 、运算器和控制器 B.控制器和寄存器 C 、运算器和内存 D.控制器和内存 9、在描述信息传输中bps 表示的是（ D ）。 A 、每秒传输的字节数 B 、每秒传输的指令数 C 、每秒传输的字数 D 每秒传输的位数 10、微型计算机的内存容量主要指（A ）的容量。 A.RAM B.ROM C.CMOS D.Cache 11、十进制数27对应的二进制数为（D ）。 A.1011 B. 1100 C.10111 D.11011 12、 Windows 的目录结构采用的是（A ）。 A 、树形结构 B 、线形结构 B. 210 D.

半导体物理试题汇总

半导体物理学考题 A (2010年1月)解答一、（20分）简述下列问题: 1．（5分）布洛赫定理。解答：在周期性势场中运动的电子，若势函数V(x)具有晶格的周期性，即：)x (V )na x (V =+，则晶体中电子的波函数具有如下形式：)x (u e )x (k ikx =ψ，其中，)x (u k 为具有晶格周期性的函数，即：)x (u )na x (u k k =+ 2．（5分）说明费米能级的物理意义；试画出N 型半导体的费米能级随温度的变化曲线。解答：费米能级E F 是反映电子在各个能级中分布情况的参数。能量为E F 的量子态被电子占据的几率为1/2。 N 型半导体的费米能级随温度变化曲线如右图所示：（2分） 3、（5分）金属和N 型半导体紧密接触，接触前，二者的真空能级相等，S M W W <。试画出金属— 半导体接触的能带图，标明接触电势差、空间电荷区和内建电场方向。解答： 4．（5分）比较说明施主能级、复合中心和陷阱在半导体中的作用及其区别。解答：施主能级：半导体中的杂质在禁带中产生的距离能带较近的能级。可以通过杂质电离过程向半导体导带提供电子，因而提高半导体的电导率；（1分）复合中心：半导体中的一些杂质或缺陷，它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级，非平衡载流子（电子和空穴）可以通过复合中心进行间接复合，因此复合中心很大程度上影响着非平衡载流子的寿命。（1分）陷阱：是指杂质或缺陷能级对某一种非平衡载流子的显著积累作用，其所俘获的非平衡载流子数目可以与导带或价带中非平衡载流子数目相比拟。陷阱的作用可以显著增加光电导的灵敏度以及使光电导的衰减时间显著增长。（1分）浅施主能级对载流子的俘获作用较弱；有效复合中心对电子和空穴的俘获系数相差不大，而且，其对非平衡载流子的俘获几率要大于载流子发射回能带的几率。一般说来，只有杂质的能级比费米能级离导带底或价带顶更远的深能级杂质，才能成为有效的复合中心。而有效的陷阱则要求其对电子和空穴的俘获几率必须有很大差别，如有效的电子陷阱，其对电子的俘获几率远大于对空穴的俘获几率，因此才能保持对电子的显著积累作用。一般来说，当杂质能级与平衡时费米能级重合时，是最有效的陷阱中心。（2分） C E v E x FN E FM E i E eV E C E i E d E V E T () 型N E F

2011东南大学半导体物理试卷

共 10 页第 1 页东南大学考试卷（卷）课程名称半导体物理考试学期 11-12-2 得分适用专业电子科学与技术考试形式闭卷考试时间长度 120分钟室温下，硅的相关系数：10300.026, 1.510,i k T eV n cm -==? 1932.810c N cm -=? 1931.110v N cm -=?，电子电量191.610e C -=?。一、填空题（每空1分，共35分） 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体散射起主要作用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，______________散射起主要作用。 2.非平衡载流子的复合率，t N 代表__________，t E 代表__________，当2i np n -为___________时，半导体存在净复合，当2i np n -_______时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于___________位置时，为最有效复合中心，此杂质称为____________杂质。 3.纯净的硅半导体掺入浓度为17 3 10/cm 的磷，当杂质电离时能产生导电________，此时杂质为_________杂质，相应的半导体为________型。如果再掺入浓度为16 3 10/cm 的硼，半导体是_______型。假定有掺入浓度为15 3 10/cm 的金，则金原子带电状态为__________。 4.当PN 结施加反向偏压，并增到某一数值时，反向电流密度突然__________开始的现象称为击穿，击穿分为___________和___________。温度升高时，________击穿的击穿电压阈值变大。 5. 当半导体中载流子浓度存在_________时，载流子将做扩散运动，扩散流密度与_______成正比，比例系数称为_________；半导体存在电势差时，载流子将做运动，其运动速度正比于，比例系数称为。 6. GaAs 样品两端加电压使内部产生电场，在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小，这区域称为________________，这是由GaAs 的_____________结构决定的。 20() 2t i t i i N C np n U E E n p n ch k T -= ?? -++ ? ??

计算机基础知识试题及答案(全)..

《大学计算机》基础知识试题及答案（说明：将认为正确答案的字母填写在每小题后面的括号内） 1.世界上第一台通用电子数字计算机诞生于（ A ）。 A．美国B．英国C．德国D．日本 2.世界上第一台通用电子数字计算机诞生于（ B ）。 A．1953年B．1946年C．1964年D．1956年 3.第一台电子计算机是1946年在美国研制的，该机的英文缩写名是（A ）。 A.ENIAC B.EDVAC C.EDSAC D.MARK-II 4.一个完整的微型计算机系统应包括（ C ）。 A.计算机及外部设备 B.主机箱、键盘、显示器和打印机 C.硬件系统和软件系统 D.系统软件和系统硬件 5.计算机的中央处理器CPU包括运算器和（ C ）两部分。 A．存储器B．寄存器C．控制器D．译码器 6.下列设备中，（ D ）不是微型计算机的输出设备。 A．打印机B．显示器C．绘图仪D．扫描仪 7.下列各项中,不属于多媒体硬件的是（D ）。 A.光盘驱动器 B.视频卡 C.音频卡 D.加密卡 8.计算机中对数据进行加工与处理的部件，通常称为（ A ）。 A.运算器 B.控制器 C.显示器 D.存储器 9.运算器的组成部分不包括（ B ）。 A.控制线路 B.译码器 C.加法器 D.寄存器 10.把内存中的数据传送到计算机的硬盘，称为（ D ）。 A.显示 B.读盘 C.输入 D.写盘 11.用MIPS为单位来衡量计算机的性能，它指的是计算机的（ B ），指的是每秒处理的百万级的机器语言指令数。 A.传输速率 B.运算速度 C.字长 D.存储器容量 12.计算机硬件的核心部件是（ A ）。 A．中央处理器B．存储器C．运算器D．控制器 13.在外部设备中，打印机属于计算机的（ B ）设备。 A．输入B．输出C．外存储D．内存储 14.CGA、EGA和VGA标志着（ C ）的不同规格和性能。 A.打印机 B.存储器 C.显示器 D.硬盘 15.硬盘上原存的有效信息，在下列哪种情况下会丢失（ C ）。 A.通过海关的X射线监视仪 B.放在盒内半年没有使用