一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

周晏;蒋林;曾泽沧

【期刊名称】《微计算机信息》

【年(卷),期】2009(025)019

【摘要】本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V.采用CSMC 0.5um CMOS工艺.Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40～+80℃时,温度系数为45.53×10-6/℃,输出电压在电源电压为2～5V范围内变化小.电源抑制比达到-73.3dB.

【总页数】2页(137-138)

【关键词】带隙基准;电源抑制比;温度系数

【作者】周晏;蒋林;曾泽沧

【作者单位】710061,陕西西安,西安邮电学院;710061,陕西西安,西安邮电学院;710061,陕西西安,西安邮电学院

【正文语种】中文

【中图分类】TN432

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