电子科技大学2005半导体物理B考试试题与参考答案

电子科技大学2005半导体物理B考试试题与参考答案
电子科技大学2005半导体物理B考试试题与参考答案

半导体物理试卷b答案

一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分) 1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体,它的电子和空穴数量相同。 3.简并半导体:半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导 体称为简并半导体。 过剩载流子:在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△0和空穴△0称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心:在 V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子,取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别,中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子,形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题(本大题共5题每题3分,共15分)

1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲.含铝1×10-153乙.含硼和磷各1×10-173丙.含镓1×10-173 室温下,这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是(C )甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙 3.有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 4.当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于(C ) A.10 B.1/△n C.10 D.1/△p 5.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 6.以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是( D )

园林花卉学试题一及答案

园林花卉学试题一及答案 一、选择题(20分,每题1分) 1.凤梨科植物要求的pH值( A ) A. 4.0 B. 4.5~5.0 C. 5.5~6.0 D. 6 2.瓜叶菊要求的腐叶土、培养土、园土比例( B ) A. 4﹕4﹕2 B. 5﹕3.5﹕1.5 C. 5﹕2﹕3 D. 3﹕5﹕2 3.微量元素占植物体重() A. 0.1~0.2% B.3.6~4.5% C. 0.001~0.0001% D. 一半以上 4.形成灰分的矿物质元素有(a ) A. N. P. K. Ca. Mg B. N. P. K. Ca C. P. K. S. Ca. Mg. Fe D. D. O2. H2 5.叶暗绿色,生长延缓,下部叶的叶脉间黄化,表明缺( b )的表现。 A. N B. P C. Na D. Fe 6.低温温室温度应保持在() A. 3~8℃之间 B. 4~10℃之间 C. 8~15℃之间 D. 15℃以上 7.不等屋面温室两屋面宽度比( A ) A. 4﹕3 B. 5﹕2 C. 6﹕5 D. 3﹕1 8.当温室为东西延长时,南北两排温室间的距离通常为温室高度的( C )。 A. 3倍 B. 1倍 C. 2倍 D. 4倍 9.温室布置以()投射角为宜。 A. 450 B. 600 C. 90 0 D. 300 10.秋菊适宜生长温度( a )。 A. 20℃ B. 21℃ C. 40℃ D. 30℃ 11.调节繁殖期的栽培期,采用( d )等措施可有效调节花期。 A. 修剪 B. 摘心 C. 施肥 D. 控制水分 12.温度催延花期的主要作用( b ) A. 打破休眠 B. 花芽分化 C. 春化作用于 D. 影响花茎的伸长 13.催延花期的主要途径( d ) A. 温度处理 B. 加速生长 C. 日照处理 D. 药剂处理 14.菊花平瓣类有( a ) A. 宽带型 B. 平盘型 C. 雀舌型 D. 芍药型[ 15.菊花有抗( c )等毒气的功能。 A. SO2 B. HF C. HCl D. Cl2 16.瓜叶菊是花品种在8月播种,于11月以后增加人工光照,给予()光照,12月可开花。 A. 10小时以下 B. 15~15.5S C. 15.5~16S D. 16S以上 17.唐菖蒲别名(abc ) A. 菖兰 B. 剑兰 C. 扁竹莲 D. 水薄荷 18.催延花期包括(ab ) A. 促成开花栽培 B. 抑制栽培 C. 打破休眠 D. 春化作用 19.实生苗和扦插苗的培养土比例() A. 3﹕5﹕2 B. 5﹕3﹕2 C. 8﹕3﹕5 D. 4﹕4﹕2 20.缺铁表现( B ) A. 病斑不常出现 B. 叶脉间黄化 C. 严重时叶缘及叶尖干枯

半导体物理试卷b答案

半导体物理试卷b答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

一、名词解释(本大题共5题每题4分,共20分) 1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体,它的电子和空穴数量相同。 3.简并半导体:半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。 过剩载流子:在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下,半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴,超过热平衡浓度的电子△n=n-n 和空穴 称为过剩载流子。 △p=p-p 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答:有效质量:由于半导体中载流子既受到外场力作用,又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用,使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后,可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心:在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子,取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别,中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子,形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。 二、选择题(本大题共5题每题3分,共15分) 1.对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与(D ) A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2.有3个硅样品,其掺杂情况分别是: 甲.含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下,这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是(C ) 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙

花卉园艺工理论试题及答案

花卉园艺工理论试题及 答案 集团文件版本号:(M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988)

花卉园艺工理论试卷及参考答案 一、单项选择题(第1题~第150题。选择一个正确的答案,将相应的字母填入题内的括号中。每题1.0分,满分150分) 1. ( )不属于土壤结构改良剂的作用。 A、使容重降低 B、总孔度增加 C、有利于土壤各级水稳性团粒的形成 D、孔隙变大 2. 通过形态诊断,化学诊断等方法初步确定所缺乏的元素,补充施入这些矿质肥料,经一段时间,若症状消失,即可确定病因,这种方法叫( )。 A、形态诊断 B、化学诊断 C、施肥诊断 D、物理诊断 3. 属于无土栽培固体基质中的有机基质的是( )。 A、砂 B、泥炭 C、珍珠岩 D、蛭石 4. 根据自然界各种生物现象出现的季节来预测病虫害的方法称为( )。 A、期距法 B、物候法 C、经验猜想法 D、调查法 5 A、高温(33℃以上)、干旱 B、温暖(85℃±)、潮湿 C、低温(105℃以下)潮湿 D、温暖、干旱 6. 下列选项中,( )较易感染炭疽病。 A、蕙兰 B、春兰 C、建兰 D、君子兰 7. 梅、杏、桃喷洒( )易引起落叶。 A、乐果 B、敌百虫 C、马拉硫磷 D、灭多威 8. “半量式”波尔多液的原料配比,硫酸铜:生石灰:水为( )。

A、10:10:1000 B、10:0.5:1000 C、10:8:1000 D、8:10:1000 9. 春季晚霜冻主要危害幼苗期的作物、蔬菜、瓜类、( )的果树等。。 A、休眠期 B、坐果期 C、落叶期 D、果实膨大期 10. 干旱的防御措施主要有兴修水利;搞好农田基本建设;选用抗旱品种、采用( )措施;推广旱作节水农业等。 A、防旱 B、耐旱 C、抗旱保墒 D、抗干热风 11. 有关食物链的说法正确的是( )。 A、同一种食物只能被一种消费者取食 B、多条食物链可形成食物网 C、食物链的最顶端不一定是动物 D、营养级是有一定顺序的,不是错综杂的 12. 园林土壤过碱可使用( )来改善土壤酸碱性。 A、石灰粉 B、硫磺 C、硝酸钙 D、磷矿粉 13. 下列方法中,( )可防止保护地土壤碱化。 A、不少化肥 B、少用化肥 C、只用拥挤肥 D、换茬时漫灌 14. 下列选项中,( )不属于垄糠灰的特性。 A、色深,吸热快 B、微酸性 C、质地轻 D、多空隙 15. 日光温室最节能的保温措施是( )。

花卉学试题及答案

一、填空题 (每空格1分,共30分) 1、花卉栽培的方式是指______、______、______。 2、花卉生产水平最先进的三个国家是____、____、____。 3、花卉分类的方法通常有8种,分别为______、______、 _______、_______、_______、_______、 _______、_______。 4、中国传统十大名花是指____、____、____、____、 ____、____、____、____、____、____。 5、花在开放过程中会变色的有____、____、____等, 它们分别属于____科、____科、____科。 二、名词解释 (每题2分,共10分) 1、春化作用 装 订 线(答题不 得超 过此 线)

2、光周期作用 3、花卉 4、模纹花坛 5、组织培养 三、单项选择题(每小题2分,共20分) 1、下列花卉中都属于二年生花卉的是()。 A、虞美人、万寿菊 B、一串红、鸡冠花 C、金盏菊、雏菊 D、三色堇、百日草 2、下列花卉中属于阴性花卉的是()。 A、肾蕨 B、景天 C、石莲花 D、仙人掌 3、下列花卉栽培时要求碱性土的是()。 A、非洲菊 B、鸳鸯茉莉 C、杜鹃 D、龙船花 4、下列花卉中常采用匍匐茎繁殖的是()。 A、大丽花 B、吊兰 C、蟛蜞菊 D、万寿菊

5、兰花中耐寒性最弱的为()。 A、建兰 B、寒兰 C、惠兰 D、春兰 6、下列花卉中属于短日照花卉的是()。 A、蒲包花 B、一串红 C、雏菊 D、一品红 7、要让一品红提前开花,最好的方法是()。 A、每日给予14小时的光照 B、每日给予10小时的光照 C、每日给予16小时的光照 D、每日给予12小时的光照 8、虾衣花、矮牵牛在植物分类学上分别隶属于()。 A、千屈菜科、旋花科 B、爵床科、旋花科 C、爵床科、茄科 D、千屈菜科、茄科 9、以下花卉中不属于室内观叶植物的是()。 A、鸢尾 B、竹芋 C、万年青 D、绿萝 10、下列花卉中哪些是不宜摘心的()。 A、鸡冠花、美女樱 B、万寿菊、一串红 C、千日红、矮牵牛 D、金鱼草、长春花 四、简答题(每题5分,共15分) 1、简述花境与花带的概念与二者的区别。

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1.纯净半导体Si 中掺错误!未找到引用源。族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。 2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。 3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。 10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。 11.指出下图各表示的是什么类型半导体? 12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上,而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点,因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数,电子占据(E F +kT )能级的几率 B 。 A .等于空穴占据(E F +kT )能级的几率 B .等于空穴占据(E F -kT )能级的几率 C .大于电子占据E F 的几率 D .大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C .价带顶 D .费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C .经过一极小值趋近E i D .经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零,则该半导体必定_D _。 A .不含施主杂质 B .不含受主杂质 C .不含任何杂质 D .处于绝对零度

园林花卉学试题及答案

花卉资料简答 一、名词解释(每小题3分,4小题,共计12分) 1.露地花卉:在当地得自然环境条件下能完成其全部得生长发育过程而不需要其她得保护措施。 2.水生花卉:在水中或沼泽地生长得花卉,包括湿生、沼生与两栖植物。 3.旱生花卉:这类花卉耐旱性强,能忍受较长期空气或土壤得干燥而继续生长。 4.湿生花卉:该类花卉抗旱性弱,生长期间要求经常有大量水分存在或有饱与水得土壤与空气,它们 得根茎叶内多有通气组织得气腔与外界相互通气,吸收氧气以供给根系需要。 5.岩生花卉:指耐旱性强,适合在岩石园栽培得花卉。 6.春播花卉:在一个生长季内完成生活史得植物。 7.秋播花卉:又叫二年生花卉,指在两个生长季内完成生活史得植物。 8.春植球根花卉:春季种植,春夏开花,秋冬地上部分枯死,地下根茎为球星或块状得多年生花卉, 喜较高得温度,不耐寒冷。 9.秋植球根花卉:秋季栽植,春季开花,夏季休眠度过高温,地下根茎变态成为球形或块状得多年生 花卉,较耐寒冷。 10.宿根花卉:地下部分得形态正常,不发生变态得多年生花卉。 11.温室花卉:在当地需要在温室中栽培,提供保护方能完成整个生长发育过程得花卉。 12.春化作用:某些植物个体发育过程中要求必须通过一个低温周期,才能获得成花得能力,这个低温 周期就就是春化作用,也叫植物得感温性。 13.光周期:指以日中日出日落得时数(一天得光照长度)或指一日中明暗交替得时数。 14.光照强度:单位面积上接受可见光得能量。 15.光质:即为照射光中包含得不同波长得光,不同波长得得光对植物生长发育得作用不同。 16.年周期:植物在一年内其植株个体所经历得休眠、萌发、生长、开花、结实得过程。 17.生命周期:植物从种子萌发时起,经过营养生长变成植株,然后经历生殖发育阶段(开花、结果或贮 藏器官形成),最后死亡得全过程成为植物得生命周期。 18.景天植物代谢途径:一些旱生植物夜间气孔开放吸收二氧化碳,白天关闭气孔,并利用夜间吸收与固 定在苹果酸内得二氧化碳进行光合作用以减少水分损失。由于这种代谢方式最早在景天科植物中发现,所以叫景天植物代谢途径。 19.有效积温:每种植物都有其生长得下限温度,当温度高于下限温度时,植物才能生长发育;对植物生 长发育其有效作用得高出得温度值称作有效积温,就是植物在生个生育期得有效温度得总与。光补偿点: 20.光饱与点:当光照强度增加到某一点时,再增加光照强度也不会提高植物得光合强度,这一点得光照 强度称为光饱与点。 21.花芽分化:当植物生长到一定阶段,在外界环境满足其生理要求植物由营养到生殖生长得整个过程。 22.分株:将根际或地下茎发生萌蘖切下栽培使其形成独立得植株。 23.扦插:利用植物营养器官(根、茎、叶)得再生能力或分生机能将其从母体上切取,在适宜条件下, 促使其发生不定芽与不定根,成为新植株得繁殖方法。 24.压条:将接近地面得枝条,在其基部堆土或将其下部压入土中;较高得枝条则采用高压法,即以湿 润土壤或青苔包围被切伤枝条部分,给予生根得环境条件,待生根后剪离,重新栽植成独立植株。 25.嫁接:将植物得一部分(接穗)嫁接到另外一个植物体(砧木)上,其组织相互愈合后,培养成独 立个体得繁殖方法。 26.有性繁殖:又称种子繁殖,就是雌雄两配子结合形成种子,再用种子繁殖得到新得个体得方法。 27.营养繁殖:又称无性繁殖,利用花卉植物体(根、茎、叶、芽)得一部分进行繁殖,培育成新得植 物体得方法。 28.组织培养:就是指在无菌条件下,分离植物体得一部分(外植体),接种到人工配制得培养基上,在 人工控制得环境条件下,将其产生完整植株得过程。 29.吸芽:某些植物根际或地上茎与叶腋间自然发生得缩短,肥厚星莲座状得短枝。

花卉学试题及答案

花卉基本知识检验 1、鸡冠花常见的栽培品种有(凤尾鸡冠)、(圆绒鸡冠)、(子母鸡冠) 2、(千日红)是理想的干花 3、以下哪种不是菊科( A ) A、松叶菊 B、向日葵 C、孔雀草 D、百日草 4、下面哪种花卉是傍晚及夜间开放( D ) A、三叶松叶菊 B、半枝莲 C、白睡莲 D、月见草 5、下面哪一种不是四大切花( D ) A、香石竹 B、唐菖蒲 C、玫瑰 D、牡丹 6、下面哪一种花卉昼开夜合( B ) A、剪秋萝 B、荷花 C、银莲花 D、耧斗菜 7、白头翁的观赏部位是( D ) A、花被片 B、花萼 C、雄蕊 D、花后柱头 8、下面哪一种花卉不是毛茛科的( A ) A、荷包牡丹 B、牡丹 C、唐松草 D、飞燕草 9、下面哪一种不是观叶花卉( D ) A、含羞草 B、肾蕨 C、龟背竹 D、花菱草 10、下面哪一种花卉是兰科花卉( D ) A、君子兰 B、紫罗兰 C、文殊兰 D、白芨 11、下面哪一种花卉不是鸢尾科的( D ) A 、黄菖蒲 B、花菖蒲 C、唐菖蒲 D、石菖蒲 12、下面哪一种植物不是多浆植物( A ) A、诸葛菜 B、玉树 C、伽蓝菜 D、昙花 13、下面哪一种植物可作垂直绿化用( B ) A、含羞草 B、香豌豆 C、红花醡浆草 D、老鹳草 14、一品红的观赏部位是( C ) A、花瓣 B、苞片 C、顶部小叶 D、花蕊 15、下面哪一种花卉无距( C ) A、凤仙 B、三色堇 C、羽衣甘蓝 D、耧斗菜 16、下面不能做园林背景材料的花卉是(B ) A、蜀葵 B、槭叶秋海棠 C、木芙蓉 D、蓖麻 17、下面哪一种不属于仙人掌科( B ) A、仙人掌 B、仙人笔 C、仙人指 D、仙人球 18、下面哪一种不属于夏季花卉( A ) A、报春花 B、荷花 C、夏堇 D、蜀葵

半导体物理学期末复习试题及答案一

1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ( B )。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半 导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费 米能级会( B )。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和( B )有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 ( B )。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( A )杂质作

用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 ( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为( A )。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 ( A ),CD 段代表(B )。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为:( B )。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照

花卉学考试试题及答案

花卉学考试试题 一.名词解释 1.春播花卉 2.花卉的生命周期 3.春化作用 4.生态因子 5.花芽分化 6.分生繁殖 7.温度三基点 8.间苗 9.花镜 10.莲座化 二.单项选择 1.下列属于草本花卉的是() A.月季 B.牡丹 C.二月兰 D.樱花 2.天下第一香花是指() A.菊花 B.兰花 C.桂花 D.夜来香 3.下列属于观叶花卉的是() A.金鱼草 B.无花果 C.马蹄莲 D.猪笼草 4.兰科植物按其生长习性分类中属于附生兰的是() A.剑兰 B.兜兰 C.春兰 D.惠兰 5.下列花前成熟期最短的为() A.牡丹 B.牵牛花 C.瓜叶菊 D.欧洲落叶松 6.郁金香的地下部分形态类型为() A.块茎类B.球茎类C.根茎类D.鳞茎类 7.下列花卉通过春化的阶段的方式为种子春花的是() A.紫罗兰B.月见草C.香豌豆D.毛地黄 8.短日照可促进其开花的植物是() A.一品红B.福禄考C.瓜叶菊D.紫罗 9.下列不属于花芽分化的阶段的是() A.生理分化期B.形态分化期C.花前成熟期D.性细胞形成期

10.月季一般采用的催芽方法为() A.锉伤种皮B.温水浸种催芽C.去蜡浸种D.低温沙藏 11.适于细小种子的播种方法是() A.撒播法B.条播法C.双盆法D.点播 12下列植物中一般采用的吸芽分生繁殖方式的是() A.春兰B.芦荟C.狗牙根D.香蒲 13.嫁接方法中不包括() A.茎接B.枝接C.芽接D.根接 14.一二年生花卉的整地深度大致为() A.20—30cmB.35—45cmC.40—50 cmD.45—55cm 15.以下哪一项不属于摘心的作用() A.促进分枝生长,增加枝条数目B.幼苗期间早摘心促其分枝C.抑制枝条徒长,使枝梢充实D.抑制新梢的徒长,而促进花芽的形成 16.以下花卉进行长日照处理可推迟开花的是() A.紫罗兰B.秋菊C.三色堇D.四季报春 17.以下不属于赤霉素的作用的是() A.打破休眠B.使茎叶伸长生长,促进开花C.促进花芽分化D.延迟开花18.依下哪项不属于花镜依设计形式的分类() A.单面观赏花镜B.双面观赏花镜C.混合式花镜D.对应式花境19.以下花卉中只有生长期没有休眠期的是() A.万年青B.水仙C.郁金香D.芍药 20.以下植物类别通过春化阶段时所需的温度由低到高依次为() A.春性植物、半冬性植物、冬性植物 B.半冬性植物、冬性植物、春性植物 C.春性植物、冬性植物、半冬性植物 D.冬性植物、半冬性植物、春性植物 三.多项选择 1.下列属于一年生花卉的有() A.万寿菊B.百日草C.紫罗兰D.鸡冠E.芍药2.下列属于观果类花卉的有() A.代代B.佛手C.山影拳D.石蒜E.冬珊瑚3.四大切花花卉是指() A.唐菖蒲B.康乃馨C.玫瑰D.非洲菊E.百合 4.光周期作用对植物的影响有() A.影响植物的成花B.影响花卉种类的分布C.影响器官的衰老、脱落和休眠D.影响分枝习性E.影响块根、球茎、块茎等地下器官的形成5.随温度的升高和光强的减弱,花色会变浅的植物是() A.落地生根B.矮牵牛C.月季D.蟹爪兰E.倒挂金钟 6.增强植物耐寒力的措施有() A.早播B.地面覆盖C.施磷钾肥D.晚播E.炼苗 7.以下属于培养土特点的是() A.富含腐植质B.土壤松软C.空气性好 D.能长久保持土壤的湿润状态E.不易干燥

花卉学试题

一、名词解释题(每小题4分,共20分) 1、宿根花卉指地下部分形态正常,地上部分在冬季来临时或枯死或进入休眠状态,但根系在土壤中宿存,来年春暖后重新萌发生长的草本植物。 2、花坛:在具有一定几何轮廓的种植床内,按照设计意图在一定形体范围内栽植各种植物(以一、二年生花卉、球根花卉为主),或者不设种植床而以器皿灵活摆设来构成具有华丽纹样或美丽色彩的装饰绿地,以表现群体美的设施。 3、摘心与抹芽:摘心指去除花卉的顶端部分以达到抑制其高生长的目的;抹芽或称除芽,即将多余的腋芽全部除去以控制枝条的数量。 4、花卉生命周期:每种花卉都有它的生长、结果、衰老、死亡的过程,这种过程叫生命周期。 5、花卉促成与抑制栽培:促成和抑制栽培又称催延花期,也称花期调控,它是指通过人为地改变环境条件以及采取一些特殊的栽培管理方法,使一些花卉在自然以外的时间开放。 二、选择题(不定项选择,每小题3分,共15分) 1、下列肥料类型属于有机肥的是 B 。A.堆肥、饼肥、鱼粉、过磷酸钙 B.厩肥、堆肥、骨粉、菜籽枯 C.硫酸钾、硝酸钾、厩肥、骨粉 D.菜籽枯、鸡鸭粪、尿素、碳酸氢铵 2、在盆花栽培中,冬季浇水应在 BC 进行。A.早晨7-8时 B.上午10-12时 C.下午2-3时 D.傍晚6-7时 E.晚上8-9时 3、大丽花属D气侯型花卉。 A.中国 B.欧洲 C.地中海 D.墨西哥 E.热带 4、下列花卉在四川属二年生栽培的有ABC 。A.金盏菊 B.雏菊 C.报春花 D.凤仙花 E.麦杆菊 5、在栽培管理上,对那些分枝能力弱的草花,如 A 多不宜摘心。 A.鸡冠花 B.一串红 C.金盏菊 D.麦秆菊 E.凤仙花 不适合摘心的花卉有翠菊、鸡冠花、雁来红、向日葵、虞美人、花棱草、罂粟、蜀葵、锦葵、黄蜀葵等。 三、填空题(每空分,共15分) 1、球根花卉按形态特征可分为球茎类花卉、鳞茎类花卉、块茎类花卉、 根茎类花卉、块根类花卉;若按生态习性可分为春植球根花卉和 秋植球根花卉。 2、四大商品切花是月季、唐菖蒲、菊花、康乃馨。 3、确定花卉播种时期的依据是生物学特性;需花时间;环境条件。 4、花卉整型形式多种多样,概括有 二:一是自然式,二是人工式。 5、一年生花卉春季播种,夏秋季开花结实,举出其中三种花卉名称鸡冠花、百日草、牵牛花。二年生花卉秋冬季播种,翌年春夏季开花结实,举出其中三种花卉名称风铃草、毛地黄、紫罗兰。 6、草本花卉的园林应用形式主要有花坛、花池、花台、花境、水景园、岩石园、草坪、地被等。 四、判断改错题(每小题3分,共15分。正确的在括号内打“√”,错误的打“×”,并改正) 1、百合的无性繁殖方式主要有播种繁殖、分球繁殖、鳞片扦插和珠芽繁殖等。(√) 2、菊花的花不是一朵花而是一个花序,它是由舌状花和筒状花组成的,当筒状花发达而舌状花只有一轮时,称单瓣,舌状花多轮时称重瓣。(√) 3、我国传统十大名花中的木本花卉是桂花、杜鹃、玉兰花、月季、牡丹、梅花等。(×)十大名名花:六木:杜鹃、牡丹、桂花、茶花、梅花、月季 四草:兰花、荷花、菊花、水仙花 4、进入秋季后,红叶李、红花檵木等的叶色不会发生显着的变化,而银杏等的叶色会发生显着的变化。(√) 5. 花卉植物进行轮作的目的是为了最大限度地利用地力和防除病虫害。(√) 五、问答题(第1、2小题每题8分,第3小题9分,第4小题10分,共35分) 1.简述光照对花卉生长发育的影响(8分)。

2009半导体物理试卷-B卷答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分 一、填空题: (共16分,每空1 分) 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体,忽略。 2. 处在饱和电离区的N 型Si 半导体在温度升高后,电子迁移率会 下降/减小 ,电阻 3. 4. 随温度的增加,P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有 杂质补偿 的作用,在制 造各种半导体器件时,往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对Si 而言,InSb 是制作霍尔器件的较好材料,是因为其电子迁移率较 高/ 8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si 中是一种 深能级 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ,金属Al 的功函数W m 是4.2 eV , 该半导

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时,表面少子浓度等于内部多子浓度,表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正向偏压于金属,则半导体表面电 二、选择题(共15分,每题1 分) 1. 如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ,空穴浓度为312105.1-?=cm p ,则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中,导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的

电子科技大学半导体物理期末考试试卷B试题答案

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 ( 120分钟) 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 分, 实验 15 分, 期末 70 分 一、填空题: (共16分,每空1 分) 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体,忽略。 3. 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,它们具有 杂质补偿 的作用,在制 造各种半导体器件时,往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体,真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位,存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ,金属Al 的功函数W m 是4.2 eV , 该半导体

和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时,表面少子浓度等于内部多子浓度,表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正向偏压于金属,则半导体表面电 二、选择题(共15分,每题1 分) 1. 如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ,空穴浓度为312105.1-?=cm p ,则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中,导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的 D. 同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高 5. 空间实验室中失重状态下生长的GaAs 与地面生长的GaAs 相比,载流子迁移率要

花卉学考试试题及答案

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花卉学考试试题一. 名词解释 1.春播花卉 2.花卉的生命周期 3.春化作用 4.生态因子 5.花芽分化 6.分生繁殖 7.温度三基点 8.间苗 9.花镜 10.莲座化 二. 单项选择 1.下列属于草本花卉的是() A.月季 B.牡丹 C.二月兰 D.樱花 2.天下第一香花是指() A.菊花 B.兰花 C.桂花 D.夜来香

3.下列属于观叶花卉的是() A.金鱼草 B.无花果 C.马蹄莲 D.猪笼草 4.兰科植物按其生长习性分类中属于附生兰的是() A.剑兰 B.兜兰 C.春兰 D.惠兰 5.下列花前成熟期最短的为() A.牡丹 B.牵牛花 C.瓜叶菊 D.欧洲落叶松 6.郁金香的地下部分形态类型为() A.块茎类 B.球茎类 C.根茎类 D.鳞茎类 7. 下列花卉通过春化的阶段的方式为种子春花的是() A.紫罗兰 B.月见草 C.香豌豆 D.毛地黄 8.短日照可促进其开花的植物是() A.一品红 B.福禄考 C.瓜叶菊 D.紫罗 9. 下列不属于花芽分化的阶段的是() A.生理分化期 B.形态分化期 C.花前成熟期 D.性细胞形成期10. 月季一般采用的催芽方法为() A.锉伤种皮 B.温水浸种催芽 C.去蜡浸种 D.低温沙藏

11.适于细小种子的播种方法是() A.撒播法 B.条播法 C.双盆法 D.点播 12下列植物中一般采用的吸芽分生繁殖方式的是() A.春兰 B.芦荟 C.狗牙根 D.香蒲 13.嫁接方法中不包括() A.茎接 B.枝接 C.芽接 D.根接 14.一二年生花卉的整地深度大致为() A.20—30cm B.35—45cm C.40—50 cm D.45—55cm 15.以下哪一项不属于摘心的作用() A.促进分枝生长,增加枝条数目 B.幼苗期间早摘心促其分枝 C.抑制枝条徒长,使枝梢充实 D.抑制新梢的徒长,而促进花芽的形成 16. 以下花卉进行长日照处理可推迟开花的是() A.紫罗兰 B.秋菊 C.三色堇 D.四季报春 17. 以下不属于赤霉素的作用的是() A.打破休眠 B.使茎叶伸长生长,促进开花 C.促进花芽分化 D.延迟开花 18.依下哪项不属于花镜依设计形式的分类()

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试 半导体物理课程考试题卷(120分钟) 考试形式:闭卷考试日期2007年1 月14日 注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分15分,实验成绩满分15分; 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成:平时分,期中分, 实验分, 期末分 一、选择填空(含多选题)(2×20=40分) 1、锗的晶格结构和能带结构分别是( C )。 A. 金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指( A )的半导体。 A、(E C-EF)或(EF-E V)≤0 B、(E C-E F)或(EF-E V)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3,则该半导体为( B)半导体;其有效杂质浓度约为( E)。 A.本征, B. n型,C.p型, D.1.1×1015cm-3, E.9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B ),并且该乘积和(E、 F )有关,而与(C、D )无关。 A、变化量; B、常数; C、杂质浓度;D、杂质类型;E、禁带宽度; F、温度 5、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料,减少掺杂浓度,会使得( C )靠近中间能级E i;如果增加掺杂浓度,有可能使得(C )进入( A),实现重掺杂成为简并半导体。A、E c; B、Ev;C、E F;D、E g; E、Ei。 67、如果温度升高,半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是(C)。A、变大,变大B、变小,变小

园林花卉学试题及答案

园林花卉学试题及答案(5套) 园林花卉学试题一及答案 一、选择题(20分,每题1分) 1.凤梨科植物要求的pH值( A ) A. 4.0 B. 4.5~5.0 C. 5.5~6.0 D. 6 2.瓜叶菊要求的腐叶土、培养土、园土比例( B ) A. 4﹕4﹕2 B. 5﹕3.5﹕1.5 C. 5﹕2﹕3 D. 3﹕5﹕2 3.微量元素占植物体重() A. 0.1~0.2% B.3.6~4.5% C. 0.001~0.0001% D. 一半以上 4.形成灰分的矿物质元素有(a ) A. N. P. K. Ca. Mg B. N. P. K. Ca C. P. K. S. Ca. Mg. Fe D. D. O2. H2 5.叶暗绿色,生长延缓,下部叶的叶脉间黄化,表明缺( b )的表现。 A. N B. P C. Na D. Fe 6.低温温室温度应保持在() A. 3~8℃之间 B. 4~10℃之间 C. 8~15℃之间 D. 15℃以上 7.不等屋面温室两屋面宽度比( A ) A. 4﹕3 B. 5﹕2 C. 6﹕5 D. 3﹕1 8.当温室为东西延长时,南北两排温室间的距离通常为温室高度的( C )。 A. 3倍 B. 1倍 C. 2倍 D. 4倍 9.温室布置以()投射角为宜。 A. 450 B. 600 C. 90 0 D. 300 10.秋菊适宜生长温度( a )。 A. 20℃ B. 21℃ C. 40℃ D. 30℃ 11.调节繁殖期的栽培期,采用( d )等措施可有效调节花期。 A. 修剪 B. 摘心 C. 施肥 D. 控制水分 12.温度催延花期的主要作用( b ) A. 打破休眠 B. 花芽分化 C. 春化作用于 D. 影响花茎的伸长 13.催延花期的主要途径( d ) A. 温度处理 B. 加速生长 C. 日照处理 D. 药剂处理 14.菊花平瓣类有( a ) A. 宽带型 B. 平盘型 C. 雀舌型 D. 芍药型[ 15.菊花有抗( c )等毒气的功能。 A. SO2 B. HF C. HCl D. Cl2 16.瓜叶菊是花品种在8月播种,于11月以后增加人工光照,给予()光照,12月可开花。 A. 10小时以下 B. 15~15.5S C. 15.5~16S D. 16S以上 17.唐菖蒲别名(abc ) A. 菖兰 B. 剑兰 C. 扁竹莲 D. 水薄荷 18.催延花期包括(ab ) A. 促成开花栽培 B. 抑制栽培 C. 打破休眠 D. 春化作用 19.实生苗和扦插苗的培养土比例() A. 3﹕5﹕2 B. 5﹕3﹕2 C. 8﹕3﹕5 D. 4﹕4﹕2 20.缺铁表现( B )

《园林花卉学》试题库

《园林花卉学》试题库 一、名词解释(每个名词3分) 园林花卉、营养繁殖、引种、驯化、春化作用、长日植物、短日植物、日中性植物、无土栽培、混合草坪、一年生草花、二年生草花、花期控制、促成栽培、抑制栽培、扦插、嫁接繁殖、直接引种、间接引种、基质栽培 二、填空(每空1分) 1.多年生草花可分为__________花卉和______花卉。 2.木本花卉可分为_________类、_________类、__________。 3.园林花卉的异色叶可分为______色叶和_____色叶两大类。 4.依据花卉对温度的要求可将其分为__________花卉、________花卉和___________花卉。 5.不耐寒花卉依其对温度的要求可分为冷室花卉、______温室花卉、_____温室花卉和高温温室花卉。 6.依花卉对光照强度的要求可将其分为阳生花卉、________花卉、______花卉和_____花卉。 7.园林花卉的繁殖方法,依其性质不同可分为______繁殖、_______繁殖和______繁殖。 8.利用种子繁殖所得到的幼苗称为______苗。 9.种子生活力的测定方法有_____法、______和______法。 10.一般花卉的播种期可分为______和______两个时期。 11.播种方法可分为________、_________和_______三种。 12.________是最简单、最可靠的营养繁殖方法。 13.分株繁殖法可分为_______法和______法两种。 14.依据扦插材料的不同可将扦插分为______、______和_______三种。 15.叶插可分为_______和______两种。 16.全叶插可分为________法、_______法和鳞片插。 17.促进插条生根的机械处理方法有_______、________、喷雾处理等。 18.休眠期嫁接多在____季和____季进行,生长期嫁接多在______季进行。 19.园林花卉引种驯化的步骤可划分为3个阶段,即______阶段、_____阶段和______阶段。 20.园林花卉的引种驯化途径可分为_________引种和_______引种。 21.用人工使花卉提前或延迟开花,称为__________。 22.温度处理法控制花期的方法可分为________法、________法和_______法。 23.使昙花在白天开花的光照处理法为________。 24.施肥一般可分为施______肥和施______两种。 25.依据温室的温度可分为_________温室、_______温室和_______温室。 26.依据温室的应用目的可将其分为观赏温室、_________温室、_______温室、促成温室和人工气候室。 27.依温室的屋面材料可分为_________温室和________温室。 28.温室中应用最多的加温设备有_______加温、_______加温和_______加温。

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