电子器件个人资料
74ls01 2输入四与非门(oc)
74ls02 2输入四或非门
74ls03 2输入四与非门(oc)
74ls04 六倒相器
74ls05 六倒相器(oc)
74ls06 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v)
74ls08 2输入四与门
74ls09 2输入四与门(oc)
74ls10 3输入三与非门
74ls11 3输入三与门
74ls12 3输入三与非门(oc)
74ls13 4输入双与非门(斯密特触发)
74ls14 六倒相器(斯密特触发)
74ls15 3输入三与门(oc)
74ls16 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls17 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,15v)
74ls18 4输入双与非门(斯密特触发)
74ls19 六倒相器(斯密特触发)
74ls20 4输入双与非门
74ls21 4输入双与门
74ls22 4输入双与非门(oc)
74ls23 双可扩展的输入或非门
74ls24 2输入四与非门(斯密特触发)
74ls25 4输入双或非门(有选通)
74ls26 2输入四高电平接口与非缓冲器(oc,15v) 74ls27 3输入三或非门
74ls28 2输入四或非缓冲器
74ls30 8输入与非门
74ls31 延迟电路
74ls32 2输入四或门
74ls33 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls34 六缓冲器
74ls35 六缓冲器(oc)
74ls36 2输入四或非门(有选通)
74ls37 2输入四与非缓冲器
74ls38 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls39 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出)
74ls40 4输入双与非缓冲器
74ls41 bcd-十进制计数器
74ls42 4线-10线译码器(bcd输入)
74ls43 4线-10线译码器(余3码输入)
74ls44 4线-10线译码器(余3葛莱码输入)
74ls45 bcd-十进制译码器/驱动器
74ls46 bcd-七段译码器/驱动器
74ls47 bcd-七段译码器/驱动器
74ls48 bcd-七段译码器/驱动器
74ls49 bcd-七段译码器/驱动器(oc)
74ls50 双二路2-2输入与或非门(一门可扩展) 74ls51 双二路2-2输入与或非门
74ls51 二路3-3输入,二路2-2输入与或非门74ls52 四路2-3-2-2输入与或门(可扩展)
74ls53 四路2-2-2-2输入与或非门(可扩展) 74ls53 四路2-2-3-2输入与或非门(可扩展) 74ls54 四路2-2-2-2输入与或非门
74ls54 四路2-3-3-2输入与或非门
74ls54 四路2-2-3-2输入与或非门
74ls55 二路4-4输入与或非门(可扩展)
74ls60 双四输入与扩展
74ls61 三3输入与扩展
74ls62 四路2-3-3-2输入与或扩展器
74ls63 六电流读出接口门
74ls64 四路4-2-3-2输入与或非门
74ls65 四路4-2-3-2输入与或非门(oc)
74ls70 与门输入上升沿jk触发器
74ls71 与输入r-s主从触发器
74ls72 与门输入主从jk触发器
74ls73 双j-k触发器(带清除端)
74ls74 正沿触发双d型触发器(带预置端和清除端)
74ls75 4位双稳锁存器
74ls76 双j-k触发器(带预置端和清除端)
74ls77 4位双稳态锁存器
74ls78 双j-k触发器(带预置端,公共清除端和公共时钟端) 74ls80 门控全加器
74ls81 16位随机存取存储器
74ls82 2位二进制全加器(快速进位)
74ls83 4位二进制全加器(快速进位)
74ls84 16位随机存取存储器
74ls85 4位数字比较器
74ls86 2输入四异或门
74ls87 四位二进制原码/反码/oi单元
74ls89 64位读/写存储器
74ls90 十进制计数器
74ls91 八位移位寄存器
74ls92 12分频计数器(2分频和6分频)
74ls93 4位二进制计数器
74ls94 4位移位寄存器(异步)
74ls95 4位移位寄存器(并行io)
74ls96 5位移位寄存器
74ls97 六位同步二进制比率乘法器
74ls100 八位双稳锁存器
74ls103 负沿触发双j-k主从触发器(带清除端)
74ls106 负沿触发双j-k主从触发器(带预置,清除,时钟) 74ls107 双j-k主从触发器(带清除端)
74ls108 双j-k主从触发器(带预置,清除,时钟)
74ls109 双j-k触发器(带置位,清除,正触发)
74ls110 与门输入j-k主从触发器(带锁定)
74ls111 双j-k主从触发器(带数据锁定)
74ls112 负沿触发双j-k触发器(带预置端和清除端) 74ls113 负沿触发双j-k触发器(带预置端)
74ls114 双j-k触发器(带预置端,共清除端和时钟端) 74ls116 双四位锁存器
74ls120 双脉冲同步器/驱动器
74ls121 单稳态触发器(施密特触发)
74ls122 可再触发单稳态多谐振荡器(带清除端)
74ls123 可再触发双单稳多谐振荡器
74ls125 四总线缓冲门(三态输出)
74ls126 四总线缓冲门(三态输出)
74ls128 2输入四或非线驱动器
74ls131 3-8译码器
74ls132 2输入四与非门(斯密特触发)
74ls133 13输入端与非门
74ls134 12输入端与门(三态输出)
74ls135 四异或/异或非门
74ls136 2输入四异或门(oc)
74ls137 八选1锁存译码器/多路转换器
74ls138 3-8线译码器/多路转换器
74ls139 双2-4线译码器/多路转换器
74ls140 双4输入与非线驱动器
74ls141 bcd-十进制译码器/驱动器
74ls142 计数器/锁存器/译码器/驱动器
74ls145 4-10译码器/驱动器
74ls147 10线-4线优先编码器
74ls148 8线-3线八进制优先编码器
74ls150 16选1数据选择器(反补输出)
74ls151 8选1数据选择器(互补输出)
74ls152 8选1数据选择器多路开关
74ls153 双4选1数据选择器/多路选择器
74ls154 4线-16线译码器
74ls155 双2-4译码器/分配器(图腾柱输出)
74ls156 双2-4译码器/分配器(集电极开路输出) 74ls157 四2选1数据选择器/多路选择器
74ls158 四2选1数据选择器(反相输出)
74ls160 可预置bcd计数器(异步清除)
74ls161 可预置四位二进制计数器(并清除异步) 74ls162 可预置bcd计数器(异步清除)
74ls163 可预置四位二进制计数器(并清除异步) 74ls164 8位并行输出串行移位寄存器
74ls165 并行输入8位移位寄存器(补码输出) 74ls166 8位移位寄存器
74ls167 同步十进制比率乘法器
74ls168 4位加/减同步计数器(十进制)
74ls169 同步二进制可逆计数器
74ls170 4*4寄存器堆
74ls171 四d触发器(带清除端)
74ls172 16位寄存器堆
74ls173 4位d型寄存器(带清除端)
74ls174 六d触发器
74ls175 四d触发器
74ls176 十进制可预置计数器
74ls177 2-8-16进制可预置计数器
74ls178 四位通用移位寄存器
74ls179 四位通用移位寄存器
74ls180 九位奇偶产生/校验器
74ls181 算术逻辑单元/功能发生器
74ls182 先行进位发生器
74ls183 双保留进位全加器
74ls184 bcd-二进制转换器
74ls185 二进制-bcd转换器
74ls190 同步可逆计数器(bcd,二进制) 74ls191 同步可逆计数器(bcd,二进制) 74ls192 同步可逆计数器(bcd,二进制) 74ls193 同步可逆计数器(bcd,二进制) 74ls194 四位双向通用移位寄存器
74ls195 四位通用移位寄存器
74ls196 可预置计数器/锁存器
74ls197 可预置计数器/锁存器(二进制) 74ls198 八位双向移位寄存器
74ls199 八位移位寄存器
74ls210 2-5-10进制计数器
74ls213 2-n-10可变进制计数器
74ls221 双单稳触发器
74ls230 八3态总线驱动器
74ls231 八3态总线反向驱动器
74ls240 八缓冲器/线驱动器/线接收器(反码三态输出) 74ls241 八缓冲器/线驱动器/线接收器(原码三态输出) 74ls242 八缓冲器/线驱动器/线接收器
74ls243 4同相三态总线收发器
74ls244 八缓冲器/线驱动器/线接收器
74ls245 八双向总线收发器
74ls246 4线-七段译码/驱动器(30v)
74ls247 4线-七段译码/驱动器(15v)
74ls248 4线-七段译码/驱动器
74ls249 4线-七段译码/驱动器
74ls251 8选1数据选择器(三态输出)
74ls253 双四选1数据选择器(三态输出)
74ls256 双四位可寻址锁存器
74ls257 四2选1数据选择器(三态输出)
74ls258 四2选1数据选择器(反码三态输出)
74ls259 8为可寻址锁存器
74ls260 双5输入或非门
74ls261 4*2并行二进制乘法器
74ls265 四互补输出元件
74ls266 2输入四异或非门(oc)
74ls270 2048位rom (512位四字节,oc) 74ls271 2048位rom (256位八字节,oc) 74ls273 八d触发器
74ls274 4*4并行二进制乘法器
74ls275 七位片式华莱士树乘法器
74ls276 四jk触发器
74ls278 四位可级联优先寄存器
74ls279 四s-r锁存器
74ls280 9位奇数/偶数奇偶发生器/较验器74ls283 4位二进制全加器
74ls290 十进制计数器
74ls291 32位可编程模
74ls293 4位二进制计数器
74ls294 16位可编程模
74ls295 四位双向通用移位寄存器
74ls298 四-2输入多路转换器(带选通)
74ls299 八位通用移位寄存器(三态输出)
74ls348 8-3线优先编码器(三态输出)
74ls352 双四选1数据选择器/多路转换器
74ls353 双4-1线数据选择器(三态输出)
74ls354 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls355 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls356 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls357 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls365 6总线驱动器
74ls366 六反向三态缓冲器/线驱动器
74ls367 六同向三态缓冲器/线驱动器
74ls368 六反向三态缓冲器/线驱动器
74ls373 八d锁存器
74ls374 八d触发器(三态同相)
74ls375 4位双稳态锁存器
74ls377 带使能的八d触发器
74ls378 六d触发器
74ls379 四d触发器
74ls381 算术逻辑单元/函数发生器
74ls382 算术逻辑单元/函数发生器
74ls384 8位*1位补码乘法器
74ls385 四串行加法器/乘法器
74ls386 2输入四异或门
74ls390 双十进制计数器
74ls391 双四位二进制计数器
74ls395 4位通用移位寄存器
74ls396 八位存储寄存器
74ls398 四2输入端多路开关(双路输出) 74ls399 四-2输入多路转换器(带选通)
74ls422 单稳态触发器
74ls423 双单稳态触发器
74ls440 四3方向总线收发器,集电极开路74ls441 四3方向总线收发器,集电极开路74ls442 四3方向总线收发器,三态输出
74ls443 四3方向总线收发器,三态输出
74ls444 四3方向总线收发器,三态输出
74ls445 bcd-十进制译码器/驱动器,三态输出
74ls446 有方向控制的双总线收发器
74ls448 四3方向总线收发器,三态输出
74ls449 有方向控制的双总线收发器
74ls465 八三态线缓冲器
74ls466 八三态线反向缓冲器
74ls467 八三态线缓冲器
74ls468 八三态线反向缓冲器
74ls490 双十进制计数器
74ls540 八位三态总线缓冲器(反向)
74ls541 八位三态总线缓冲器
74ls589 有输入锁存的并入串出移位寄存器
74ls590 带输出寄存器的8位二进制计数器
74ls591 带输出寄存器的8位二进制计数器
74ls592 带输出寄存器的8位二进制计数器
74ls593 带输出寄存器的8位二进制计数器
74ls594 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls595 8位输出锁存移位寄存器
74ls596 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls597 8位输出锁存移位寄存器
74ls598 带输入锁存的并入串出移位寄存器
74ls599 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls604 双8位锁存器
74ls605 双8位锁存器
74ls606 双8位锁存器
74ls607 双8位锁存器
74ls620 8位三态总线发送接收器(反相)
74ls621 8位总线收发器
74ls622 8位总线收发器
74ls623 8位总线收发器
74ls640 反相总线收发器(三态输出)
74ls641 同相8总线收发器,集电极开路
74ls642 同相8总线收发器,集电极开路
74ls643 8位三态总线发送接收器
74ls644 真值反相8总线收发器,集电极开路
74ls645 三态同相8总线收发器
74ls646 八位总线收发器,寄存器
74ls647 八位总线收发器,寄存器
74ls648 八位总线收发器,寄存器
74ls649 八位总线收发器,寄存器
74ls651 三态反相8总线收发器
74ls652 三态反相8总线收发器
74ls653 反相8总线收发器,集电极开路
74ls654 同相8总线收发器,集电极开路
74ls668 4位同步加/减十进制计数器
74ls669 带先行进位的4位同步二进制可逆计数器
74ls670 4*4寄存器堆(三态)
74ls671 带输出寄存的四位并入并出移位寄存器
74ls672 带输出寄存的四位并入并出移位寄存器
74ls673 16位并行输出存储器,16位串入串出移位寄存器74ls674 16位并行输入串行输出移位寄存器
74ls681 4位并行二进制累加器
74ls682 8位数值比较器(图腾柱输出)
74ls683 8位数值比较器(集电极开路)
74ls684 8位数值比较器(图腾柱输出)
74ls685 8位数值比较器(集电极开路)
74ls686 8位数值比较器(图腾柱输出)
74ls687 8位数值比较器(集电极开路)
74ls688 8位数字比较器(oc输出)
74ls689 8位数字比较器
74ls690 同步十进制计数器/寄存器(带数选,三态输出,直接清除)
74ls691 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)
74ls692 同步十进制计数器(带预置输入,同步清除)
74ls693 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)
74ls696 同步加/减十进制计数器/寄存器(带数选,三态输出,直接清除) 74ls697 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)
74ls698 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)
74ls699 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)
74ls716 可编程模n十进制计数器
74ls718 可编程模n十进制计数器
常用电力电子器件特性测试
实验二：常用电力电子器件特性测试 （一）实验目的 （1）掌握几种常用电力电子器件（SCR、GTO、MOSFET、IGBT）的工作特性；（2）掌握各器件的参数设置方法，以及对触发信号的要求。 （二）实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型，只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性，并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度，模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路，在参数表中设置，名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管，在使用中要注意，需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用，也就是要有电流的回路，
但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无，没有电压型和电流型驱动的区别，也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异，但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感，因此具有电流源的性质，所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上，一般都带有一个测量输出端口，通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端，给器件提供触发信号，使器件触发导通。 （三）实验内容 （1）在MATLAB/Simulink中构建仿真电路，设置相关参数。 （2）改变器件和触发脉冲的参数设置，观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 （四）实验过程与结果分析 1．仿真系统 Matlab平台 2．仿真参数 （1）Thyristor参数设置： 直流源和电阻参数：
电力电子器件图形符号
P325 计算题： √1．三相半波可控整流电路，变压器二次侧相电压为20Ⅴ，带大电感负载，无续流二极管，试计算α＝45°时的输出电压，画出输出电压u d 的波形，如负载电流为200 A ，求晶闸管所承受的最高电压和晶闸管电流的平均值I T(AV)、有效值I VT 。 解： U d ＝1.17U 2φcos α＝1.17×20×cos45°＝16.5 V U TV ＝√6U 2φ＝√6×20＝49 Ⅴ I d ＝200 A I VT ＝I d /√3＝200/√3＝115.5 A I dVT ＝I d /3＝200÷3＝66.7 A 2．三相桥式全控整流电路如下图所示,已知：U d ＝220V ，R d ＝5Ω，大电感负载。 求：（1）变压器二次侧线电压U 21，及变压器容量S （2）选择晶闸管，并写出型号。（在α＝0°时i 2倍裕量） 解：（1）变压器二次侧线电压U 21及变压器容量S ： U d ＝2.34 U 2φCOS α （α＝0°） U 2φ＝220/(2.34×1) ＝ 94V I d ＝U 2φ／R d ＝44 A I 2＝3 2 I d ＝0.817×44＝35．9≈36 A 所以，变压器的线电压和容量为： U 21＝√3U 2φ＝√3×94＝162.8 S ＝√3U 21＝√3×162.8×36＝10151.2＝10.2 kVA （2）选择晶闸管： I 2＝3 1 I d ＝0.577×44＝25.4A I dT(AV)＝2×57.1VT I ＝2×25.4/1.57 ＝ 32.36 A 取50 A U TM ＝√6 U 2φ＝2.54×94＝230V 取2倍裕量500 V 。 选择晶闸管KP50－5。
Altium Designer集成库简介及创建
Altium Designer集成库简介及创建 【进入博客】【进入论坛】更新时间：2010年08月06日浏览次数：26 作者：来源：id="ff_content"> 一．集成库概述 Altium Designer 采用了集成库的概念。在集成库中的元件不仅具有原理图中代表元件的符号，还集成了相应的功能模块。如Foot Print 封装，电路仿真模块，信号完整性分析模块等。（关系图如图1）集成库具有以下一些优点：集成库便于移植和共享，元件和模块之间的连接具有安全性。集成库在编译过程中会检测错误，如引脚封装对应等。 二．集成库的创建 集成库的创建主要有以下几个步骤 1．）创建集成库包 2．）增加原理图符号元件 3．）为元件符号建立模块联接 4．）编译集成库 举例： 1．执行 File New Project Integrated Library, 创建一个包装库项目，然后重命名并保存到目录，如c:librarylibrary, 生成library.libpkg 集成库包。 2．在project 标签右键点击project 名，在弹出的菜单中选择增加原理图库。（图2）并命名保存。
3．在shclib 编辑界面，选择Place 菜单下工具绘制一个元件符号，如图3，添加一个NPN 晶体管。 4．在sch library 标签下选择默认元件名component_1,双击进入元件属性对话框。在“defaultdesignator” 处输入默认符号名；（如Q？）在“comment” 处输入对元件的描述；（如NPN Transistor ）在“physical component” 处输入元件的名称；（NPN）如
[NSFC]碳基无掺杂纳电子器件和集成电路要点
项目名称：碳基无掺杂纳电子器件和集成电路首席科学家：xxx 起止年限：2011.1至2015.8 依托部门：教育部
二、预期目标 本项目的总体目标： 本项目的总体目标为发展有自主知识产权的低成本高性能碳基纳电子、光电子集成芯片，建设一支高水平的碳基纳米电子和光电子学的研究队伍，培养相关领域的优秀青年人才，将项目的主要支撑单位“纳米器件物理与化学教育部重点实验室”建设成为国际著名的纳米器件研究中心。在碳纳米管CMOS集成电路方面，制备出中等规模的碳纳米管CMOS集成电路，例如碳纳米管全加器。在高性能碳纳米管基光电器件方面，做到发光器件的室温电致发光光谱的半高宽和荧光光谱相当，即不大于30 meV，探测器的光电压不小于0.2 V，并初步实现纳电子电路的电信号与光通讯电路的光信号间的相互转换。 五年预期目标： 五年预期目标为探索碳基纳电子和光电子器件的极限性能，并利用这些器件构建成若干高性能电路，预计可以取得如下成果： （1）集成电路用碳纳米管阵列的可控生长。在晶片尺寸绝缘基底上制备出直径大约在1.5 nm，管径分布不超过 0.3 nm的平行半导体性单壁碳 管，初步实现碳纳米管的间距和位置可控，半导体性碳纳米管含量高 于95%。 （2）适合于碳基电子学的高κ栅介质材料。在碳纳米管或石墨烯上生长出等效氧化层厚度(EOT)小于2纳米的栅介质薄膜，薄膜材料能隙在5 电子伏特以上，在1MV/cm的电场下，漏电流低于10mA/cm2，对器 件载流子迁移率和电导的损害在10%以下。 （3）碳基新型射频电路。测量高频下碳基纳米结构的动能电感，利用碳纳米结构搭建新型的碳基射频电路。 （4）纳米阻变存储器。利用碳基材料作为存储介质，结合传统硅基驱动电路，实现可工作的原型碳基纳米存储器。 （5）优秀人才培养。将年轻学者培养成为能够独当一面的学科带头人，项目执行期间培养出1-2名国家杰出青年基金获得者；将一线工作的优 秀学生培养成为具有独立工作能力的优秀科研工作者，项目执行期间
电力电子器件
电力电子器件 电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器。 电力电子器件的功率损耗 断态损耗 通态损耗：是电力电子器件功率损耗的主要成因。 开关损耗：当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。分为开通损耗和关断损耗。 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 电力电子器件的分类 按照能够被控制电路信号所控制的程度
◆半控型器件：指晶闸管（Thyristor）、快速晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管、双向晶闸管。 ◆全控型器件：IGBT、GTO、GTR、MOSFET。 ◆不可控器件：电力二极管（Power Diode）、整流二极管。 按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型：通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。Thyrister，GTR，GTO。 ◆电压驱动型：仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。电力MOSFET，IGBT，SIT。 按照驱动信号的波形（电力二极管除外） ◆脉冲触发型：通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。晶闸管，SCR，GTO。 ◆电平控制型：必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在通断状态。GTR，MOSFET，IGBT。 按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件：由一种载流子参与导电。MOSFET、SBD（肖特基势垒二极管）、SIT。 ◆双极型器件：由电子和空穴两种载流子参与导电。电力二极管，PN结整流管，SCR，GTR，GTO。 ◆复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成，也称混合型器件。IGBT，MCT。 GTO：门极可关断晶闸管。SITH（SIT）：静电感应晶体管。
微光电子集成系统芯片的研究进展
微光电子集成系统芯片的研究进展＊ 陈弘达 (集成光电子学国家重点联合实验室北京 微光电子集成系统芯片 随着现代社会信息化和科学技术的高度发展交换传输是目前 世界各国普遍高度重视的研究热点之一以计算机技术和通信技术为代表的电子信息技术带来了一场彻底改变人类生活和工作的信息革命微电子技术发展非常迅速性能完善集成制造工艺相当成熟正迅速 发展着的另一门高新技术——光子集成技术能够高速超大容量传输信息高速并行处理与 交换信息能力相互渗透构成微光电子集成系统 将成为二十一世纪信息技术的重要支柱 如何使光子集成与微电子集成充分融合是发展超高速超大容量多功能微光电子集成系统的关键所在微光电子集成技术和微光电机械集成技术的发展人们力图将大量多种功能的器件集成于同一个芯片上 System on Chip?ù?è??3é±?μí?é??D???μèó?μ? Integrated System ?ú1|?üoíD??ü·????ùè?μ?·é?ù·￠?1μ??￠1aμ?×ó?ˉ3é?μí3D???ê?1a×ó?ˉ3éó??￠μ?×ó??ê??à?áo?μ???′ó·￠?1 ?ú1a?￥á?1aí¨D??￡ê?ê?±e1aD??￠′|àíó?′?′￠μèáìóò??óDoü1?·oμ?ó|ó??°?° ?1??óDμ?×óμ????-′|àí·?′óoí???ü????1|?ü ?àμ±3éêìμ?′ó1??￡?ˉ3é??ê?oí1a×ó?ˉ3é?÷?tμ????ü?è2￠DD2ù×÷ ??1a×ó1|?üó?μ?×ó1|?ü?é??μ??áo??eà′ ??òaò??úóú1aê?3?1a????òyè?μ?×óD??￠′|àí?μí3áíò?·??? ±ào?69789802
元件库模型的导入说明
PCB元件库3D模型的导入 一、目的 通过新软件Altium designer 6（AD6）的3D 功能能够快速提前的为机构部门提供结构设计上的参考，提高合作的效率与准确性。 二、电子与机构需协作流程为： 2.1电子部门建立好项目需要的原理图库、PCB库; 2.2机构部门使用结构软件建立关键器件的3D模型，另存为Step或IGS文件转交给电子 部门，电子部门再把文件导入到建立的PCB 3D库(*. PCB3DLib）中; 2.3电子部门绘制好原理图，并在原理图库或原理图中，正确添加器件属性里的PCB模型 名称和3D模型名称; 2.4绘制好最终的PCB图后，查看PCB的3D效果（View \ Legacy 3D View）; 2.5导出整板PCB的3D图为Step或IGES文件转交给机构部门; 2.6机构部门把整板PCB的3D图导入到结构设计软件中，作为结构设计的参考数据。 三、电子提供资料： 3.1 PCB元件库清单 四、机构注意事项： 在结构软件中建立器件3D模型时，要事先定义好器件的原点和3D坐标，3D模型的原点要和PCB封装库的原点保持一致，3D中的XY坐标则要和PCB封装库中的XY方向保持一致然后导出为Step格式，软后导入到自建的3D库中。这样在3D状态下才能看到元件准确的定位在PCB立体视图中，否则3D元件会偏离PCB 3D中的丝网位置。如果角度不对也会出现错位，甚至部分在PCB上面，部分在PCB下面。（在结构软件中，当元件为单个实体时，原点即为实际定义原点，当元件为装配实体时，先定义好总的参考原点，再装配好各部件，最后另存为Step或IGS文件转交给电路部门，电路部门再把文件导入到自己建立的PCB 3D库(*. PCB3DLib） 电子与机构需协作流程为： 1.电子部门建立好项目需要的原理图库、PCB库.
IC电子元器件知识要点有哪些
IC电子元器件知识要点有哪些 1.什么是IC IC的英文全称Integrated circuit 指的就是集成电路，集成电路就是把多个电子元件制作到一个硅片上，成为一个一体化的电子元件，IC 就是集成电路。 电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由立创商城若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。 电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。 2. IC的分类 （一）按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。
（二）按制作工艺分类 集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 （三）按集成度高低分类 集成电路按规模大小分为：小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）、特大规模集成电路（ULSI）。 （四）按导电类型不同分类 集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。 （五）按用途分类 集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
Protel DXP如何创建集成元件库
Protel DXP如何创建集成元件库 由于在Protel DXP中使用的元件库为集成元件库，所以我在Protel DXP中使用Protel以前版本的元件库、或自己做元件库、以及在使用从Protel网站下载的元件库时最好将其转换生成为集成元件库后使用。为什么从Protel网站下载的元件库也要进行转换呢？根据本人的使用情况，这主要是因为Protel网站下载的元件库均为．ＤＤＢ文件，正如前面所说的那样，我们在使用之前应该进行转换。而且使用Protel网站下载的元件库进行转换时，有一个非常优越的条件，即从Protel网站下载的元件库中包括了原理图库、ＰＣＢ封装库，有的还包括了仿真及其它功能要使用到的模型，这让我们在使用这些元件库进行转换生成集成元件库时非常容易。好了，请跟我一起来创建一个集成元件库。 在此我们以一个从Protel网站下载的Atmel_003112000.zip元件库为例。 １、从Protel网站下载的Atmel_003112000.zip元件库（如何下载不要我介绍了吧）。 ２、下载完后将其解压，解压后为Atmel.ddb。 ３、用Protel 99或Protel 99 se其打开，并将其中的每个库文件导出为.lib 文件（其中有四个原理图库和一个ＰＣＢ封装库）。（保存路径自定） ４、关闭Protel 99或Protel 99 se，使用Protel DXP打开刚才导出的.lib文件。在Protel DXP中，使用File>>save as...将打开的原理图库保存为.schlib 文件，将ＰＣＢ封装库文件保存为.pcblib文件。 ５、关闭所有打开的文件。使用File>>New>>Integrated Library创建一个集成元件库项目，如图所示。 ６、选择Project>>Add to Project...打开对话框，找到并选择刚才转换的.schlib文件，单击打开按钮，关闭对话框，被选择的文件已经添加到项目中了，如图所示。 ７、重复上一步，选择刚才转换的.pcblib文件，将其添加到项目中。如图所示。 ８、选择Project>>Project Options>>Search Paths，打开如图所示的对话框。 单击ADD按钮，打开如图所示的对话框。点击图中所示按钮，选择.pcblib所在的文件夹，单击Refresh List按钮确认所选择的文件夹是否正确，然后点击ＯＫ按钮关闭对话框。 ９、在Error Reporting标签中设置你需要的内容，单击ＯＫ按钮关闭对话框。 １０、选择Project>>Compile Integrated Library，这样Protel DXP就将你刚才添加的库文件生成了一个集成元件库，并打开Libraries面板，在库列表
电子元器件的详细信息
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。
不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 电容器通常简称其为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 电位器是具有三个引出端、阻值可按某种变化规律调节的电阻元件。电位器通常由电阻体和可移动的电刷组成。当电刷沿电阻体移动时，在输出端即获得与位移量成一定关系的电阻值或电压。电位器既可作三端元件使用也可作二端元件使用。后者可视作一可变电阻器。 继电器是一种电控制器件。它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器
变频器常用电力电子器件
无锡市技工院校 教案首页 课题：变频器常用电力电子器件 教学目的要求：1. 了解变频器中常用电力电子器件的外形和符号2.了解相关电力电子器件的特性 教学重点、难点： 重点：1. 认识变频器中常用电力电子器件 2. 常用电力电气器件的符号及特性 难点：常用电力电气器件的特性 授课方法：讲授、分析、图示 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 《变频器原理及应用》机械工业出版社王延才主编 授课执行情况及分析： 在授课中，主要从外形结构、符号、特性等几方面对变频器中常用的电力电子器件进行介绍。通过本次课的学习，大部分学生已对常用电力电子器件有了一定的认识，达到了预定的教学目标。
板书设计或授课提纲
电力二极管的内部也是一个PN 结，其面积较大，电力二极管引出了两个极，分别称为阳和阴极K 。电力二极管的功耗较大，它的外形有螺旋式和平板式两种。2.伏安特性：电力二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性。 如果对反向电压不加限制的话，二极管将被击穿而损坏。（1）正向特性：电压时，开始阳极电流很小，这一段特性 曲线很靠近横坐标。当正向电压大于时，正向阳极电流急剧上升，管子正向导 通。如果电路中不接限流元件，二极管将 被烧毁。
晶闸管的种类很多，从外形上看主要由螺栓形和平板形两种，螺栓式晶闸管容量一般为10~200A；平板式晶闸管用于200A3个引出端分别叫做阳极A、阴极 控制极。 结构 晶闸管是四层（（Ｐ1Ｎ1Ｐ2Ｎ2）三端（Ａ、Ｋ、Ｇ）器件。 晶闸管的导通和阻断控制 导通控制：在晶闸管的阳极A和阴极K间加正向电压，同时在它的门极 正向触发电压，且有足够的门极电流。 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，因此门极所加的触发电压一般为脉冲电压。 管从阻断变为导通的过程称为触发导通。门极触发电流一般只有几十毫安到几百毫安， 管导通后，从阳极到阴极可以通过几百、几千安的电流。要使导通的晶闸管阻断，必须将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 三、门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管，具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高、电流大、控制功率大、使用方便和价格低；但它具有自关断能力，属于全控器件。在质量、效率及可靠性方面有着明显的优势，成为被广泛应用的自关断器件之一。 结构：与普通晶闸管相似，也为PNPN四层半导体结构、三端（阳极 ）器件。 门极控制 GTO的触发导通过程与普通晶闸管相似，关断则完全不同，GTO 动电路从门极抽出Ｐ2基区的存储电荷，门极负电压越大，关断的越快。 四、电力晶体管（GTR） 电力晶体管通常又称双极型晶体管（BJT），是一种大功率高反压晶体管，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。它被广泛用于交直流电机调速、中频电源等电力变流装置中，属于全控型器件。 工作原理与普通中、小功率晶体管相似，但主要工作在开关状态， 承受的电压和电流数值较大。 五、电力MOS场效应晶体管（P-MOSFET） 电力MOS场效应晶体管是对功率小的电力MOSFET的工艺结构进行改进，在功率上有
电子元件 集成电路 IC 的封装 DIP、QFP、PGA、BGA CSP CGA LGA ZIF SOP PFP
电子元件集成电路 IC 的封装 DIP、QFP、PGA、BGA CSP CGA LGA ZIF SOP PFP... 从foundry厂得到圆片进行减薄、中测打点后，即可进入后道封装。封装对集成电路起着机械支撑和机械保护、传输信号和分配电源、散热、环境保护等作用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 近年来电子产品朝轻、薄、短、小及高功能发展，封装市场也随信息及通讯产品朝高频化、高I/O 数及小型化的趋势演进。 由1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态，主流产品为DIP(Dual In-Line Package)，进展至1980 年代以SMT(Surface Mount Technology)技术衍生出的SOP(Small Out-Line Package)、SOJ(Small Out-Line J-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装方式，在IC 功能及I/O 脚数逐渐增加后，1997 年Intel 率先由QFP 封装方式更新为BGA(Ball Grid Array，球脚数组矩阵)封装方式，除此之外，近期主流的封装方式有CSP(Chip Scale Package 芯片级封装)及Flip Chip(覆晶)。 BGA(Ball Grid Array)封装方式是在管壳底面或上表面焊有许多球状凸点，通过这些焊料凸点实现封装体与基板之间互连的一种先进封装技术。 BGA封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年，日本西铁城（Citizen）公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片（即BGA）。而后，摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年，摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年，康柏公司也在工作站、PC电脑上加以应用。直到五六年前，Intel 公司在电脑CPU中（即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等），以及芯片组（如i850）中开始使用BGA，这对BGA应用领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前，BGA已成为极其热
典型全控型电力电子器件.docx
湖南省技工学校 理论教学教案 教师姓名： 注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制
[复习导入] 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 全控型电力电子器件的典型代表——门极可关断晶闸管、电力 晶体管、电力场效应晶体 管、绝缘栅双极晶体管。 [讲授新课] 一、门极可关断晶闸管 晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上 的大功率场合仍 有较多的应用。 1）GTO的结构和工作原理 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极 和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图所示的双晶体管模型来分析。 由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流 增益α1和α2 。 α1+α2=1是器件临界导通的条件。 GTO的关断过程与普通晶闸管不同。关断时，给门极加负脉冲，产生门 极电流-I G，此电流使得V1管的集电极电流I Cl被分流，V2管的基极电流 I B2减小，从而使I C2和I K减小，I C2的减小进一步引起I A和I C1减小， 又进一步使V2的基极电流减小，形成内部强烈的正反馈，最终导致GTO阳 极电流减小到维持电流以下,GTO由通态转入断态。 结论： ?GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 ?GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 ?多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受d i/d t能力 强。 2）GTO的动态特性 益阳高级技工学校
proteus元件库 大全
Proteus中常用的元器件被分成了25大类，为了方便快速地查找到相应器件，在Pick Devices（拾取元器件）对话框中，你应该首先选中相应的大类，然后使用关键词进行搜寻。 Proteus的这25大类元器件分别为： Analog ICs 模拟IC CMOS 4000 series CMOS 4000系列 Data Converters 数据转换器 Diodes 二极管 Electromechanical 机电设备（只有电机模型） Inductors电感 Laplace Primitives Laplace变换器 Memory ICs存储器IC Microprocessor ICs 微处理器IC Miscellaneous杂类（只有电灯和光敏电阻组成的设备） Modelling Primitives模型基元 Operational Amplifiers运算放大器 Optoelectronics 光电子器件 Resistors电阻 Simulator Primitives 仿真基元 Switches & Relays 开关和继电器 Transistors三极管 TTL 74、74ALS、74AS、74F、74HC、74HCT、74LS、74S series 74系列集成电路除此之外，你还应熟悉常用器件的英文名称，为您列举如下： AND与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源（电池） BELL 铃,钟 BRIDEG1 整流桥(二极管) BRIDEG2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶振 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管
电子元器件的种类
电子元器件选择使用快速入门 一．电子元器分类 1.电阻R （1）电阻器（2）电位器。 2.电容C 3.电感L 4.变压器T 5.继电器 6.集成电路： A.稳压器： （1）三端稳压器（2）五端稳压器（3）固定稳压器（4）可调稳压器（5）开关集成稳压器 B．DC/DC变换器 C．运算放大器 D．厚膜电路 （1）电源厚膜电路（2）功放厚膜电路 E．数字电路 （1）TTL集成电路（2）COMS集成电路 F．A/D，D/A变换电路 H．音乐电路 G．语言电路
I．专用电路： （1）电视机用集成电路（2）遥控用集成电路（3）音响用集成电路（4）影碟机用集成电路 J．555时基电路 7．二极管VD A．普通二极管。 （1）整流/检波二极管（2）稳压二极管 B．晶体管 C．专用二极管： （1）双向触发二极管 （2）快恢复二极管 （3）变容二极管 （4）开关二极管 8．保险器件： A．保险丝管 B．可恢复保险丝管 C．熔断电阻器 9．三极管 A．普通三极管 （1）低频三极管（2）高频三极管（3）大功率三极管（4）开关三极管（5）达林顿管 B．场效应管：
（1）结型场效应管（2）绝缘栅型场效应管 C．晶闸管： （1）单向晶闸管（2）双向晶闸管（3）可关断晶闸管10．开关S/SB 11．接插件 12.石英晶体与陶瓷器件： A．石英晶体谐振器件 B．陶瓷滤波器与陷波器 C．声表面波器件 13.发光器件： A．发光二极管 （1）普通发光二极管（2）电压型光二极管（3）闪烁型光二极管 B．数码管 C．氖管 D．指示灯 E．显像管 F．液晶显示器 G．等离子显示器 14.片状器件： A．片状电阻器B．片状电容器C. 片状电感器E.片状二极管F. 片状三极管
常用电力电子器件
第5章 常用电力电子器件 在开关电源中，电力电子器件是完成电能转换以及主电路拓扑中最为关键的元件。为降低器件的功率损耗，提高效率，电力电子器件通常工作于开关状态，因此又常称为开关器件。电力电子器件种类很多，按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为①不可控器件，即二极管；②半控型器件，主要包括晶闸管(SCR)及其派生器件；③全控型器件，主要包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、电力晶体管(GTR)、电力场效应晶体管(电力MOSFET)等。半控型及全控型器件按照驱动方式又可以分为电压驱动型、电流驱动型两类，上述分类见图5-1。 电力电子器件 不可控器件 二极管半控型器件 SCR 全控型器件 IGBT 电力MOSFET GTR GTO 晶闸管 电力电子器件 电压驱动型 电流驱动型 电力MOSFET IGBT SCR GTO 晶闸管GTR 图5-1电力电子器件的分类 随着半导体材料及技术的发展，新型电力电子器件不断推出，传统电力电子器件的性能也不断提高，这成为包括开关电源在内的各种电力电子装置的体积、效率等性能指标不断提高的重要因素。了解和掌握各种电力电子器件的特性和使用方法是正确设计开关电源的基础。 在开关电源中应用的电力电子器件主要为二极管、IGBT 和MOSFET 。SCR 在开关电源的输入整流电路及其软起动中有少量应用，GTR 由于驱动较为困难、开关频率较低，也逐渐被IGBT 和MOSFET 所取代。因此这里将主要介绍二极管、IGBT 和MOSFET 的工作原理，主要参数及驱动方法。 5. 1二极管 二极管是最为简单但又是十分重要的一种电力电子器件，在开关电源的输入整流电路、逆变电路、输出高频整流电路以及缓冲电路中均有使用。 1、二极管的基本结构及工作原理 开关电源中应用的二极管除电压、电流等参数与电子电路中的二极管有较大差别外，其基本结构和工作原理是相同的，都是由半导体PN 结构成，即P 型半导体与N 型半导体结合构成，其结构见图5-2。 P 型半导体是在半导体中添加三价元素，因此硅原子外层缺少一个电子形成稳定结构，即形成空穴。N 型半导体是在半导体中添加五价元素，因此它在形成稳定结构后，半导体晶体中能给出一个多余的电子。在纯净的半导体中，空穴和电子成对出现，数量极少，所以导电能力很差。而P 型或N 型半导体中的空穴或自由电子数量大大增加，导电能力大大增强。在P 型半导体中空穴数远远大于自由电子数，因此空穴称为多子，自由电子称为少子。在N 型半导体中则相反，空穴为少子，自由电子为多子。
DXP-制作集成元件库
制作“我的集成元件库” 一、前言 1、一定要明白以下几种文件的区别： 2、制作“集成元件库”至少需要两个文件： 1)原理图库文件(.SCHLIB) 2)PCB库文件 (.PCBLIB) 前者描述元件在原理图中的外观， 后者描述元件在PCB电路图中的外观。 集成元件库在绘制电路原理图(schdoc)时能提供原理图符号，在绘制PCB板(pcbdoc)时能提供PCB封装；因此，集成元件库需包含元件的原理图符号及其PCB封装。 3、获得原理图符号的方法： 1）利用已有资源：将某个项目中的原理图SCHDOC中的所有元件创建为一个原理图库。
2）从零开始：新建—原理图库，从草稿开始建立一个原理图库， 3）从其他的原理图库中复制元件符号，修改。 4、获得PCB封装的方法： 和上面一样，也有三种方法 1）将某个项目中的PCBDOC中的所有元件封装创建为一个PCB库。 2）新建—PCB库，从草稿开始建立一个PCB库， 3）从其他的PCB库中复制封装。 二、示例 下面的例子采用“新建”方法。步骤如下： 1 创建一个“集成元件库”项目，另存为“我的集成元件库”。
2 创建一个“原理图库”SCHLIB文件，另存为“电容”。 3 创建一个“PCB库”PCBLIB文件，另存为“电容”。 （提示：上述两个文件的名称最好一致，便于与其他元件区分） 4 双击“电容.SCHLIB”文件，进入编辑界面，打开SCH Library面板，系统已经自动创建了一个元件Component_1，该元件目前只有名称没有内容；将其改名为“电容”。（也是集成库建成后显示在“元件库”里的元件名称）
5 绘制电容符号，添加引脚，修改属性，保存。 6双击“电容.PCBLIB”文件，进入编辑界面，打开PCB Library面板，系统自动创建了一个PCBComponent_1的封装，将其改名为001。
AD9元件集成库清单
Altium Designer library list Libraries supplied with Altium Designer Summer 09 114 manufacturers/brands 1,039 manufacturer device libraries (+3 miscellaneous) 95,315 Components for Board Design 406 PCB footprint libraries 18 system-level design libraries for FPGA/PLD 3M ?3M Card CompactFlash.IntLib Actel ?Actel 3200DX.IntLib ?Actel 40MX.IntLib ?Actel 42MX.IntLib ?Actel ACT 1.IntLib ?Actel ACT 2.IntLib ?Actel ACT 3.IntLib ?Actel Axcelerator.IntLib ?Actel eX.IntLib ?Actel Fusion.IntLib ?Actel IGLOO nano.IntLib ?Actel IGLOO PLUS.IntLib ?Actel IGLOO.IntLib ?Actel IGLOOe.IntLib ?Actel ProASIC 500K.IntLib ?Actel ProASIC PLUS.IntLib ?Actel ProASIC3 nano.IntLib ?Actel ProASIC3.IntLib ?Actel ProASIC3E.IntLib ?Actel ProASIC3L.IntLib ?Actel SX.IntLib ?Actel SX-A.IntLib ?Actel SX-S.IntLib
电力电子元件简介
電力電子元件簡介
Introduction to Power Electronic Devices
C. M. Liaw Department of Electrical Engineering National Tsing Hua University Hsinchu, Taiwan, ROC.
兩段式電熱控制
(應用 Power diode)
AC source Power diode AC source
Load
無段式電熱控制 (應用 SCR)
SCR
P
Load
Firing circuit
Diode: Uncontrolled turn-on and turn-off
SCR: Controlled turn-on and uncontrolled turn-off
不可控制交流輸出電壓 故控制性能較差
可控制交流輸出電壓 故控制性能較佳
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常用功率半導體元件之額定(表二) Voltage/current ratings Switching frequency (speed) Switching time On-state resistance (or on-state voltage/current)
功率半導體元件 功率半導體元件
(A) 閘流體 (Thyristor) 或矽控整流器 (Silicon Controlled Rectifier, SCR) : Controlled turn-on, uncontrolled turn-off (B) 雙向閘流體 (Bidirectional Thyristor 或 TRIAC) (C) GTO (Gate Turn-off Thysistor) (D) 基體閘換向閘流體 (Integrated Gate-Commutated Thyristor, IGCT): It is introduced by ABB in 1997. It is a high-voltage, hard-driven, asymmetrical-blocking GTO with unity gain. The gate drive circuit is built-in on the device module. (E) 功率電晶體 (Power BJT) : Current control device (F) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): - Combines the conduction characteristic of BJT and the control characteristic of the MOSFET (G) MOS控制閘流體 (MOS -controlled Thyristor, MCT): - Combines the load characteristic of the thyristor and the control characteristic of the MOSFET - Low on-state voltage (H) 功率金氧半電晶體 (Power MOSFET) : Voltage control device (I) 其它
耐壓 耐流
操作 速度
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集成库导入到PVS
如何将现有的集成库导入到Vault 本手册主要概述如何将现有的IntLib元器件库的数据导入到Vault中 下图是IntLib数据导入到Vault的基本流程图 同样，我们将以TI Microcontroller32-Bit ARM.IntLib为例，您可以打开演示一（demo1）文件夹，也可以到AltiumLive的Content Store下载TI Microcontroller32-Bit ARM.IntLib进行操作 1.双机TI Microcontroller32-Bit ARM.IntLib打开，在AD13中解压IntLib的数据；
然后在文件夹下新建New>Library>Component Library,并另存为TI Microcontroller32-Bit ARM.CmpLib； 2.点击File>Component Release Manager…弹出Release Manager对话框
3.指定Document Type为SCHLIB,并将路径定为您刚才打开解压TI Microcontroller32-Bit ARM.IntLib的路径，然后点击Analyze Folders分析文件夹中SCHLIB;
4.您可以看到，SCHLIB都被抽取到Release Manager中，然后点击Prepare Items and Documents 5.当看到，所有Item都Ready to Release后，可以点击Release Item
6.然后会弹出Confirm Release对话框，点击OK确认 7.当所有Item都Release Succeeded,我们就将SCHLIB发布到了Vault中