半导体集成电路复习题及答案
第8章动态逻辑电路
填空题
对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制1、
极为时钟信号的 ,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的。
【答案：NMOS, PMOS, NOMS】
对于一个级联的多米诺逻辑电路，在评估阶段：对PDN网只允许有跳变，对 PUN网只允许有跳变，2、
PDN与PDN相连或PUN与PUN相连时中间应接入。
【答案：】
解答题
从逻辑功能，电路规模，速度3方面分析下面2电路的相同点和不同点。从而说明CMOS动态组合逻辑1、
电路的特点。
【答案：】
图A是CMOS静态逻辑电路。图B是CMOS动态逻辑电路。2电路完成的均是NAND的逻辑功能。图B的逻辑部分电路使用了2个MOS管，图A使用了4个MOS管，由此可以看出动态组合逻辑电路的规模为静态电路的一半。图B的逻辑功能部分全部使用NMOS管，图A即使用NMOS也使用PMOS，由于NMOS的速度高于PMOS，说明动态组合逻辑电路的速度高于静态电路。
2、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,说明其特点。
【答案：】
该电路可以完成OUT=AB的与逻辑。与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp,这个MOS 管起到了电荷保持电路的作用，解决了一般动态组合逻辑电路存在的电荷泄漏的问题。
3、分析下列电路的工作原理，画出输出端OUT的波形。
【答案：】
答案：
4、结合下面电路，说明动态组合逻辑电路的工作原理。
【答案：】
动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。当时钟信号为低电平时，PMOS导通，OUT被拉置高电平。此时电路处于预充电阶段。
当时钟信号为低电平时，PMOS截至，电路与V DD的直接通路被切断。这时NOMS导通，当逻辑网处于特定逻辑时，电路输出OUT被接到地，输出低电平。否则，输出OUT仍保持原状态高电平不变。例如此电路，
NMOS网构成逻辑网中A与C,或B与C同时导通时，可以构成输出OUT到地的通路，将输出置为低电平。
第7章传输门逻辑
填空题
写出传输门电路主要的三种类型和他们的缺点：（1），缺点：；（2），缺点：；（3），缺1、
点：。
【答案：NMOS传输门，不能正确传输高电平，PMOS传输门，不能正确传输低电平，CMOS传输门，
电路规模较大。】
2、传输门逻辑电路的振幅会由于减小，信号的也较复杂，在多段接续时，一般要插入。
【答案：阈值损失，传输延迟，反相器。】
3、一般的说，传输门逻辑电路适合逻辑的电路。比如常用的和。
【答案：异或，加法器，多路选择器】
解答题
1、分析下面传输门电路的逻辑功能，并说明方块标明的MOS管的作用。
【答案：】
根据真值表可知，电路实现的是OUT=AB的与门逻辑，方块标明的MOS管起到了电荷保持电路的功能。
根据下面的电路回答问题：分析电路，说明电路的B区域完成的是什么功能，设计该部分电路是2、
为了解决NMOS传输门电路的什么问题？
【答案：】
当传输高电平时，节点n1电位升高，当电位大于反向器IV1的逻辑阈值时，反向器输出低电平，此低电平加在P1管上，P1管导通，n1的电位可以上升到VDD。当传输低电平时，节点n1电位较低，当电位小于反向器IV1的逻辑阈值时，反向器输出高电平，此高电平加在P1管上，P1管截止，n1的电位保持传输来的低电平。说明B部分电路具有电荷保持电路的功能。设计该部分电路是为了解决NMOS传输门电路由于阈值电压不能正确传输高电平的问题。
根据下面的电路回答问题。已知电路B点的输入电压为2.5V，C点的输入电压为0V。当A点的输入3、
电压如图a时，画出X点和OUT点的波形，并以此说明NMOS和PMOS传输门的特点。
【答案：】
由此可以看出，NMOS传输门电路不能正确传输高电平，PMOS传输门电路不能正确传输低电平。
4、写出逻辑表达式C=A B的真值表，并根据真值表画出基于传输门的电路原理图。
【答案：】
第6章CMOS静态逻辑门
解答题
1、画出F=A⊕B的CMOS组合逻辑门电路
【答案：】
2、用CMOS组合逻辑实现全加器电路
【答案：】
全加器的求和输出Sum和进位信号Carry表示为三个输入信号A、B、C的函数：Sum=A⊕B⊕C=Carry(A+B+C)+ABC
Carry=(A+B)C+AB
3、画出F= 的CMOS组合逻辑门电路，并计算该复合逻辑门的驱动能力
【答案：】
4、简述CMOS静态逻辑门功耗的构成
【答案：】
CMOS静态逻辑门的功耗包括静态功耗和动态功耗。静态功耗几乎为0。但对于深亚微米器件，存在泄漏电流引起的功耗，此泄漏电流包括栅极漏电流、亚阈值漏电流及漏极扩散结漏电流。
动态功耗包括短路电流功耗，即切换电源时地线间的短路电流功耗和瞬态功耗，即电容充放电引起的功耗两部分。
5、降低电路的功耗有哪些方法
【答案：】
电路的功耗主要由动态功耗决定，而动态功耗取决于负载电容、电源电压和时钟频率，所以减少负载电容，降低电源电压，降低开关活动性是有效降低电路功耗的方法。
第5章MOS反相器
解答题
请给出NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响（即各项在不同情况下是1、
提高阈值还是降低阈值）。
【答案：】
2、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响
【答案：】
器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs 影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。 3、M OS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响 【答案：】 短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象 影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低； 沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。 4、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响 【答案：】 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压，此时不存在衬偏效应。而当PMOS 中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压>0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。 影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。 5、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响 【答案：】 MOS晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，即沟道长度是漏源电压的函数，这一效应称为“沟道长度调制效应”。 影响：当漏源电压增加时，速度饱和点在从漏端向源端移动，使得漏源电流随漏源电压增加而增加，即饱和区D和S之间电流源非理想。 6、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应） 【答案：】 晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。 7、考虑一个电阻负载反相器电路：VDD=5V，KN`=20uA/V2 ，VT0=0.8V，RL=200KΩ，W/L=2。计算VTC曲线上的 临界电压值（VOL、VOH、VIL、VIH）及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。 【答案：】 设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器，增强型驱动晶体管VT0=1V， VDD=5V 1）求VIL和VIH 2）求噪声容8、 限VNML和VNMH 【答案：】 9、采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点 【答案：】 采用负载电阻会占用大量的芯片面积，而晶体管占用的硅片面积通常比负载电阻小，并且有源负载反相器电路比无源负载反相器有更好的整体性能。 10、什么是CMOS电路？简述CMOS反相器的工作原理及特点 【答案：】 CMOS电路是指由NMOS 和PMOS所组成的互补型电路。 对于CMOS反相器，V in=0时，NMOS截止，PMOS导通，V out=V OH=V DD；V in= V DD时， NMOS导通，PMOS截止，V out=V OL=0。 高低输出电平理想，与两管无关。 从对CMOS反相器工作原理的分析可以看出，在输入为0或V DD时，NMOS 和PMOS总是一个导通，一个截止，没有从V DD到V SS的直流通路，也没有电流流入栅极，因而其静态电流和功耗几乎为0。这也是CMOS电路最大的 特点。 第4章TTL电路 解答题 名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功1、 耗 【答案：】 电压传输特性：指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。 开门/关门电平：开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)；关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。 逻辑摆幅：-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。 过渡区宽度：输出不确定区域（非静态区域）宽度，VW=VIHmin-VILmax。 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地，而其它输入端开路时，流过接地输入端的电流。 输入漏电流（拉电流，高电平输入电流，输入交叉漏电流）IIH-指电路被测输入端接高电平，而其它输入端接地时，流过接高电平输入端的电流。 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率，是电源电压与电源电流之乘积。电路有两个稳态，则有导通功耗和截止功耗，电路静态功耗取两者平均值，称为平均静态功耗。 2、分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态 【答案：】 当输入端的信号，有任何一个低电平时： Q1饱和区Q2 截至区Q3饱和区Q4截至区 当输入端的信号全部为高电平时： Q1反向区Q2饱和区Q3饱和区Q4饱和区 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析4、 改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进 【答案：】 两管与非门：输出高电平低，瞬时特性差。 四管与非门：输出采用图腾柱结构Q3--D ，由于D是多子器件，他会使Tplh明显下降。D还起到了点评位移作用，提高了输出电平。 五管与非门：达林顿结构作为输出级，Q4也起到点评位移作用，达林顿电流增益大，输出电阻小，提高电路速度和高电平负载能力。 四管和五管在瞬态中都是通过大电流减少Tplh.静态中提高了负载能力和输出电平。 5、相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的 【答案：】 六管单元用有源泄放回路RB-RC-Q6代替了R3 由于RB的存在，使Q6比Q5晚导通，所以Q2发射基的电流全部流入Q5的基极，是他们几乎同时导通，改善了传输特性的矩形性，提高了抗干扰能力。当Q5饱和后Q6将会替它分流，限制了Q5的饱和度提高了电路速度。 在截至时Q6只能通过电阻复合掉存储电荷，Q6比Q5晚截至，所以Q5快速退出饱和区。 6、为什么TTL与非门不能直接并联 【答案：】 当电路直接并联后，所有高电平的输出电流全部灌入输出低电平的管子，可能会使输出低电平的管子烧坏。并会使数出低电平抬高，容易造成逻辑混乱。 7、O C门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题 【答案：】 去掉TTL门的高电平的驱动级，oc门输出端用导线连接起来，接到一个公共的上拉电阻上，实施 线与，此时就不会出此案大电流灌入，Q5不会使输出低电平上升造成逻辑混乱。 第1章集成电路的基本制造工艺 解答题 1、四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用 【答案：】 减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响 2、在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响 【答案：】 电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大 3、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤 【答案：】 第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻 第二次光刻：P隔离扩散孔光刻 第三次光刻：P型基区扩散孔光刻 第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻：引线孔光刻 第六次光刻：反刻铝 4、简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤 【答案：】 P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线 5、以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足 【答案：】 N PN晶体管电流增益小，集电极串联电阻大，NPN管的C极只能接固定电位 6、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法 【答案：】 首先NPN具有较薄的基区，提高了其性能：N阱使得NPN管C极与衬底断开，可根据电路需要接任意电位。缺点：集电极串联电阻还是太大，影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层，使NPN 管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。 7、请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型 【答案：】 8、请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子 【答案：】 第一章金属学基础一、名词解释 1.过冷度：实际结晶温度与理论结晶温度之差称为过冷度。 2.均质成核：在一定条件下，从液态金属中直接产生，原子呈规则排列的结晶核心。 3.非均质成核：是液态金属依附在一些未溶颗粒表面所形成的晶核。 4.冷变形：金属在再结晶温度以下一定温度进行的塑性变形。 5.热变性：金属加在再结晶温度以上一定温度进行的塑性变形。 6.加工硬化：随着冷变形的增加，金属的强度、硬度增加；塑性、韧性下降的现象。 7.再结晶：冷变形后的金属被加热到较高的温度时，破碎拉长的晶粒变成新的等轴晶粒。和变形前的晶粒形状相似，晶格类型相同，把这一阶段称为“再结晶”。 8.纤维组织：在塑性变形中，随着变形量的增加，其内部各晶粒的形状将沿受力方向伸长，由等轴晶粒变为扁平形或长条形晶粒。当变形量较大时，晶粒被拉成纤维状，此时的组织称为“纤维组织”。 9.锻造流线：在锻造时,金属的脆性杂质被打碎,顺着金属主要伸长方向呈碎粒状或链状分布；塑性杂质随着金属变形沿主要伸长方向呈带状分布, 这样热锻后的金属组织称为锻造流线。10.同素异构转变：某些金属，在固态下随温度或压力的改变,发生晶体结构的变化，即由一种晶格转变为另一种晶格的变化，称为同素异构转变。 11.变质处理：在液态金属结晶前，人为加入某些难熔固态颗粒，造成大量可以成为非自发晶核的固态质点，使结晶时的晶核数目大大增加，从而提高了形核率，细化晶粒，这种处理方法即为变质处理。 二、单选题 1. 表示金属材料延伸率的符号是（ A ） A.δ B.ψ C.σe D.σb 2. 表示金属材料弹性极限的符号是（ A ） A.σe B.σs C.σb D.σ-1 3. 金属材料在载荷作用下抵抗变形和破坏的能力叫（A） A.强度 B.韧性 C.塑性 D.弹性 4. 晶体中的位错属于（ C ） A.体缺陷 B.面缺陷 C.线缺陷 D.点缺陷 5. 在晶体缺陷中，属于线缺陷的有（ B ） A.间隙原子 B.位错 C.晶界 D.缩孔 6. 变形金属再结晶后，（ D ） A.形成等轴晶，强度增大 B.形成柱状晶，塑性下降 C.形成柱状晶，强度增大 D.形成等轴晶，塑性升高 7.表示晶体中原子排列形式的空间格子叫做（ B ） 晶向D. 晶粒C. 晶格B.晶胞A. 8. 晶格中的最小单元叫做（ A ） A.晶胞 B.晶体 C.晶粒 D.晶向 1、 B . 、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 长轴类零件在热处理后进行冷校直，可能会造成力学性能指标降低，主要是 1 C. : D . H 在零件图样上出现如下几种硬技术条件的标注，其中正确的是（ B ）。 B ）。 A . b ： A . HB159 B. 180 ?210H B C. 800HV D . 10?17HR C 3、间隙固溶体与间隙化合物的（ A .结构相同，性能不同 C .结构与性能都相同 固溶体的性能特点是（ 塑性韧性高、强度硬度较低 综合力学性能高 4、 A . D . ）。 D ）。 .结构不同，性能相同 结构与性能都不同 .塑性韧性低、强度硬度高 .综合力学性能低 5、在发生）（：：：L 的共晶反应时，三相的相对成分 （B ）。A . 相同 B .确定 C .不定D . 发 生变化 6、马氏体的硬度取决于（ C ） A .奥氏体的冷却速度 B . 奥氏体的转变温度 C. .奥氏体的碳含 量D .奥氏体的晶粒 7、对形状复杂，截面变化大的钢件进行淬火时, 应选用（ A ） A .高淬透性钢 B 中淬透性钢 C. 低 淬透性钢D.碳素钢 8、对形状复杂，截面变化大的零件进行淬火时, 应采用（ C ） 。A .水中淬火 B . 油中淬火C . 盐 浴中淬火D .空冷 9、GCr15钢中Cr 的平均含量为（ B ）。 A . 15% B . 1.5% C . .0.15% D .没有表示出来 10、高速钢二次硬化属于（ D ）。 A . 固溶强化 B . 细晶强化 C . 位错强化 D . 第二相强化 二、多项选择题（本大题共5小题，每小题4分， 共20分） C. D 1、 A . C. 2、 奥氏体是（BD ）。 碳在F e ::中的间隙固溶体 碳在F e ::中的有限固溶体 下列能进行锻造的铁碳合金是 B .碳在 D.碳在 （AB Fe ：冲的间隙固溶体 Fe ：冲的有限固溶体 A.亚共析钢 B .共析钢 ）。 .共晶白口铸铁 D .亚 共晶白口铸铁 影响碳钢淬火后残余奥氏体量的主要因素是（ 钢材本身的碳含量 B .钢中奥氏体的碳含量 3、 A . 4、 BD ）。 C .钢中碳化物的含量 D. A . C. 5、 汽车、拖拉机的齿轮要求表面高耐磨性，中心有良好的强韧性，应选用（ 20号钢渗碳淬火后低温回火 B . 40Cr 淬火后高温回火 20CrMnTi 渗碳后淬火低温回火 D . ZGMn1水韧处理 下列钢种中，以球化退火作为预备热处理的钢种是（ BD ）。A . 钢的淬火加热温度 AC ）。 40Cr B . T12 C . 16Mn GCr15 、填空题（本大题共15空，每空2分，共30分） 1、 合金的相结构有 固溶体和金属化合物两大类，其中前者具有较好的 后者具有较高的硬度，适宜作强化相。 2、 用光学显微镜观察，上贝氏体的组织特征呈 3、 化学热处理的基本过程包括 分解 4、 促进石墨化的元素有 —碳—、—硅 1、 共晶转变和共析转变的产物都属于 2、 塑性变形后的金属经加热将发生回复、 3、 共析钢的含碳量为 0.7 7 %。 塑性性能，适宜作基本相； 羽毛状，而下贝氏体则呈 吸附 和 扩散 ，阻碍石墨化的元素， _ 两相混合物。 再结晶 针 状。 三个阶段。 _硫_、锰 。 、晶粒长大的变 化。 测量考试参考答案 1． 目前我国使用的大地坐标系是（ D ）。 A ）56年北京坐标系； B ）54年北京坐标系； C ）80年北京坐标系； D ）1980年国家大地坐标系。 2. 目前我国使用的高程系是（ A ）。 A ）1985年国家高程基准； B ）1980年国家高程基准； C ）1956年黄海高程系； D ）1956年渤海高程系。 3. 微倾式普通水准仪使用的基本操作有（ B ）。 A ）对中，整平，瞄准，调焦，读数； B ）粗平，瞄准，调焦，精平，读数； C ）对中，整平，定向，调焦，读数； D ）定向，瞄准，调焦，精平，读数。 4. 已知H A =132.476m ，H B =12 5.068m ，则两点高差h AB =（ B ） A ）＋7.408； B ）－7.408；C ）＋57.544；D ）－57.544。 5.A ，B 两点高差h AB =-2.345m ，表明A 点（ A ）于B 点。 A ）高； B ）低； C ）远； D ）近。 6. 水准测量某站读数234.1=a m ，075.2=b m ，该站高差为h AB =（ D ）。 A ）＋3.309m ； B ）－3.309m ； C ）＋0.841m ； D ）－0.841m 。 7.一条闭合水准路线，各测段的观测高差分别为 ＋3.460m ,－ 5.477m ,＋ 6.742m ,－4.759m,该水准路线的闭合差为（ B ）。 A ）＋34mm ； B ）－34mm ； C ）＋38mm ； D ）－38mm 。 8. 普通光学经纬仪使用的基本操作有（ A ）。 A ）对中，整平，瞄准，调焦，读数； B ）粗平，瞄准，调焦，精平，读数； C ）对中，整平，定向，调焦，读数； D ）定向，瞄准，调焦，精平，读数。 技能资格考试 一、单项选择题（1～20题，每小题1分，21～50题，每小题2分，共计80分，请将正 确选项填在题后空格处） 1．在轴向视图中螺纹有效的终止界限（螺纹终止线）的表示应采用（ D ）。 A．细实线B．虚线 C．点划线D．粗实线 2．图样中虚线与点画线重叠时应画（ B ）。 A．点画线B．虚线 C．不划线D．粗实线 3．对同一表面进行粗糙度测定时，评定参数Ra、Ry、Rz的数值大小关系是（ D ）。 A．Ra>Ry>Rz B．Ra 机械工程材料试题三 一、名词解释（共15分，每小题3分） 1. 奥氏体（A） 2.回复 3.固溶体 4.自然时效 5.加工硬化 二、填空题（共20分，每空1 分） 1.石墨为片状的灰口铸铁称为________铸铁，石墨为团絮状的灰口铸铁称为________铸铁，石墨为球状的灰口铸铁称为________铸铁。其中________铸铁的韧性最高，因而可以锻造。 2. 陶瓷材料中的气相是指________，在________程中形成的，它 ________了陶瓷的强度。 3.根据采用的渗碳剂的不同，将渗碳分为__________、__________和__________三种。 4.工程中常用的特殊性能钢有_________、_________、_________等。 5.金属的断裂形式有__________和__________两种。 6.金属元素在钢中形成的碳化物可分为_________、_________两类。 7.常见的金属晶体结构有____________、____________和____________三种。 三、选择题（共25分，每小题1分） 1.40钢钢锭在1000℃左右轧制，有时会发生开裂，最可能的原因是( ) A.温度过低； B.温度过高； C.钢锭含磷量过高； D.钢锭含硫量过高 2.下列碳钢中，淬透性最高的是( ) A.20钢； B.40钢； C.T8钢； D.T12钢 3.Ni在1Cr18Ni9Ti钢中的主要作用是( ) A.提高淬透性； B.固溶强化； C.扩大Fe-Fe3C相图中的γ相区； D.细化晶粒； 4.W18Cr4V钢锻造后，在机械加工之前应进行( ) A.完全退火； B.球化退火； C.去应力退火； D.再结晶退火 5.下列材料中，最适合制造机床床身的是( ) A.40钢； B.T12钢； C.HT300； D.KTH300-06 6.下列材料中，最适合制造气轮机叶片的是 A.1Cr13钢； B.1Cr17钢； C.3Cr13钢； D.4Cr13钢 7.下列材料中，最适合制造飞机蒙皮的是( ) A.ZAlSi12； B.2A50(旧牌号LD5)； C.ZAlMg10； D.2A12(旧牌号LY12) 8.下列材料中，最适合制造盛放氢氟酸容器的是( ) A.1Cr17； B.1Cr18Ni9Ti； C.聚四氟乙烯； D.SiO2 9.下列材料中，最适合制造汽车板弹簧的是( ) A.60Si2Mn； B.5CrNiMo； C.Cr12MoV； D.GCr15 10.下列材料中，最适合制造汽车火花塞绝缘体的是( ) A.Al2O3； B.聚苯乙烯； C.聚丙烯； D.饱和聚酯 11.铜只有通过冷加工并经随后加热才能使晶粒细化，而铁则不需冷加工，只 需加热到一定温度即使晶粒细化，其原因是( ) A.铁总是存在加工硬化，而铜没有； B.铜有加工硬化现象，而铁没有； C.铁在固态下有同素异构转变；而铜没有 D.铁和铜的再结晶温度不同 12.常用不锈钢有铁素体不锈钢、奥氏体不锈钢、马氏体不锈钢和( ) A.铁素体-奥氏体不锈钢； B.马氏体-奥氏体不锈钢； C.莱氏体不锈钢； D.贝氏体不锈钢 13.以下哪种铸铁的断口呈灰黑色？( ) A.马口铁； B.白口铸铁； C.麻口铸铁； D.灰铸铁 第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示：先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ ， 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答： 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ； ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔； ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边； ⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周； ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作 的图进行修正，直至满足V V OL 4.0≤的条件。（CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =） 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求： (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答：12μm (2) 粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答：一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答：不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流，假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同， BCF V =0.55V , CES V =0.4～0.5V , 1 CES V =0.1～0.2V 。 答：（1）导通态（输出为低电平） V V B 1.21= ， V V B 55.12= ，V V B 2.13= ，V V B 5.04= ，V V B 8.05= ， 《控制测量学》试题参考答案 一、名词解释： 1、子午圈：过椭球面上一点的子午面同椭球面相截形成的闭合圈。 2、卯酉圈：过椭球面上一点的一个与该点子午面相垂直的法截面同椭球面相截形成的闭合的圈。 3、椭园偏心率：第一偏心率 a b a e 2 2- =第二偏心率 b b a e 2 2- =' 4、大地坐标系：以大地经度、大地纬度和大地高来表示点的位置的 坐标系。 P3 5、空间坐标系：以椭球体中 心为原点，起始子午面与赤道面交线为X轴，在赤道面上与X轴正 交的方向为Y轴，椭球体的旋转轴为Z轴，构成右手坐标系O-XYZ。 P4 6、法截线：过椭球面上一点的法线所作的法截面与椭球面相截形成 圈。 P9 7、相对法截线：设在椭球面上任意取两点A和B，过A点的法线所 作通过B点的法截线和过B点的法线所作通过A点的法截线，称为 AB两点的相对法截线。 P15 8、大地线：椭球面上两点之间的最短线。 9、垂线偏差改正：将以垂线为依据的地面观测的水平方向观测值归 算到以法线为依据的方向值应加的改正。 P18 10、标高差改正：由于照准点高度而引起的方向偏差改正。 P19 11、截面差改正：将法截弧方向化为大地线方向所加的改正。 P20 12、起始方位角的归算：将天文方位角以测站垂线为依据归算到椭 球面以法线为依据的大地方位角。 P22 13、勒让德尔定理：如果平面三角形和球面三角形对应边相等，则 平面角等于对应球面角减去三分之一球面角超。 P27 14、大地元素：椭球面上点的大地经度、大地纬度，两点之间的大 地线长度及其正、反大地方位角。 P28 15、大地主题解算：如果知道某些大地元素推求另外一些大地元素， 这样的计算称为大地主题解算。 P28 机械工程师资格考试模拟试题一 1．尺寸线，尺寸边界线，螺纹牙底线及齿轮线均用（）画出。 【答案】细实线 2．采用第一视角投影法表示工件视图时，后视图在左视图的最（）。 【答案】右侧 3．金属材料的剖面线一般是与水平方向成45度的平行线，但在（）时，可画成与水平方向30度或45度的平行线。 【答案】主要轮廓线与水平方向成45度 4．尺寸公差是指（）。 【答案】允许尺寸的变动量 5．在金属及合金中，主要是（），但有时也不同程度混有其他键。 【答案】金属键 6．晶体的只要特征是具有一定的熔点，另一个特征是（）。 【答案】各向异性 7．铁碳合金相图中，共析转变温度为（）。 【答案】727℃ 8．含碳量<（）为碳钢，>（）为铸铁。 【答案】2.11%，2.11% 9．碳钢调质处理后获得的组织应为（）。 【答案】索氏体 10．高速钢片铣刀淬火后其变形应采用（）最为有效。 【答案】回火矫正法 11．中碳结构钢铸件、锻、轧件以及焊接件中出现的魏氏组织、粗大晶粒等地热缺陷和带状组织，通过（）处理可以消除这些缺陷。 【答案】正火 12．38CrMoAl钢膛杆通常采用（）化学热处理。 【答案】渗氮 13．汽车变速齿轮一般采用（）化学热处理。 【答案】渗碳 14．碳钠米管的强度是钢的（）倍。 【答案】100 15．导光纤维的用途是（）。 【答案】传输能量 16．可以进行切削加工、锻造、焊接、热处理的硬质合金是（）。 【答案】钢结硬质合金 17．汽车方向盘、飞机舱内的装饰板、隔音板窗框等最后使用质坚、性韧、钢度大的工程塑料（）。 【答案】ABS塑料 18．内燃机火花塞选用（）陶瓷材料。 【答案】氧化铝 19．化工管道泵等要求耐腐蚀耐老化性能的零件，可选用（）工程塑料。 【答案】聚四氟乙烯 20．三大固体材料是指（） 【答案】金属材料，陶瓷材料，高分子材料 21．测定金属材料化学成分最传统、较准确的方法是（）。 【答案】化学分析法 22．测定灰铸铁、轴承合金等具有粗大晶粒或组成相的金属材料的硬度及钢件退火、正火和调质后的硬度，多采用（）硬度计。 【答案】布氏 23．机床床身通常采用（）。 【答案】灰铸铁 24．铁碳相图中有三条恒温转变线分别表示（）。 【答案】包晶转变，共析转变，共晶转变 25．钢的淬硬性高低取决于（）。 【答案】钢的含碳量 26．淬火油槽的温度一般控制在（）以下。 【答案】80℃ 27．铍青铜可采用（）强化。 【答案】固溶时效 28．为避免和减少钢件热处理时的氧化、脱氧最好采用（）。 【答案】真空炉 29．高速钢直柄麻花钻采用（）化学热处理，耐用度最高。 【答案】氧硫碳氮硼共渗 30．65Mn钢弹簧类零件常用的强韧化的方法是（）。 【答案】等温淬火 31．机床导轨表面硬化最后采用（）热处理。 【答案】超音频淬火 32．灰铸铁拉延模必须进行（）强韧化处理，才能显著提高模具寿命。 【答案】铬铌共渗 33．球墨铸铁制作拉延模时，经正火、回火后，还需进行（）化学热处理。 【答案】氮碳共渗 34．车床上加工外圆及孔时出现混乱波纹，是由于（）。 【答案】车床主轴轴向窜动大 35．下述工件加工时哪一种（）采用顺铣方式较为适合。 【答案】不易夹紧的平板类工件 36．哪一种因素最可能引起外圆磨削时工件表面烧伤（）。 第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释 测量考试参考答案 1．目前我国使用的大地坐标系是（ D ）。 A）56年北京坐标系； B ）54年北京坐标系； C）80 年北京坐标系； D ）1980 年国家大地坐标系。 2.目前我国使用的高程系是（A ）。 A ）1985 年国家高程基准； B ）1980 年国家高程基准； C）1956 年黄海高程系； D ）1956 年渤海高程系。 3.微倾式普通水准仪使用的基本操作有（ B ）。 A）对中，整平，瞄准，调焦，读数； B）粗平，瞄准，调焦，精平，读数； C）对中，整平，定向，调焦，读数； D）定向，瞄准，调焦，精平，读数。 4.已知 H=132.476m，H B=12 5.068m，则两点高差 h AE=（ B ） A）＋；B ）－；C）＋；D）－。 ，B两点高差h AE=-2.345m，表明A点（A ）于B点。 A）高；B ）低；C ）远；D ）近。 6.水准测量某站读数a 1.234m, b 2.075m该站高差为h AE=（D）。 A）＋3.309m；B ）－3.309m；C ）＋0.841m；D ）－0.841m。 7.一条闭合水准路线，各测段的观测高差分别为 ＋3. 460m , －5. 477m , ＋6. 742m , －4.759m, 该水准路线的闭合差为（B ）。 A）＋34mm；B）－34mm；C）＋38mm；D）－38mm。 8.普通光学经纬仪使用的基本操作有（ A ）。 A）对中，整平，瞄准，调焦，读数； B）粗平，瞄准，调焦，精平，读数； C）对中，整平，定向，调焦，读数； D）定向，瞄准，调焦，精平，读数。 9.测角精度要求较高时，应变换度盘不同位置。观测n 个测回取平均值，变换水平度盘位置的计算公式是( B ) 。 A) 90°/n；B) 180 ° /n ；C ) 270 °/n ；D ) 360 °/n 。 10.在A点安置J6经纬仪，用测回法观测水平角/ BAA个测回，读数依次为：0° 05 ' 48”，62° 01' 24〃，242° 01' 42〃，180° 06' 00〃，该水平角/ BA(= ( C )。 A) 61° 55' 36〃； B ) 61 ° 55' 42〃； C)61° 55' 39〃；D ) 62° 01' 24〃。 11.竖直角观测中，采用盘左、盘右观测可消除( D )。 A) 视准轴误差；B ) 横轴不水平误差； () 对中误差；D ) 竖盘指标差。 12.用DJ6光学经纬仪进行竖直角观测时，P点的盘左读数为81° 47' 24 〃，盘右读数为278° 12' 24〃，则该台经纬仪竖盘指标差为( B )。 A) + 06〃；B ) - 06〃； C ) + 12〃；D ) - 12〃。 13.用经纬仪的望远镜瞄准目标时，发现有视差，则其产生的原因是( D ) 。 A)观测员是近视眼； B )目标的影像模糊； ()外界光线弱；D )目标的影像与十字丝平面不重合。 14.已知 A (1000m, 2000m), B( 1500m 1500m)两点坐标，则直线 AB的坐标方位角a A= ( D )。 A) 45o ；B ) 135o ；() 225o；D) 315o 。 15.已知A( 2000m, 3000m) ,B( 1000m, 2000m)两点坐标，则 A、B 两点间平距D A B=( B )。 A) 1000.000m；B ) 1414.214m；( ) 1732.051m；D ) 2000.000m。 16.已知A点坐标为 X=500m, Y=500m, A至B点的方位角为％AB=125° 30' 00〃, A至B点 的水平距离 D=105.22m,则B点的纵横坐标为( B )。 A)X B=,Y B=; B)X B=,Y B=； ()X B=,Y B=; D)X B=,Y B=。 17.已知A点的高程为238.446m，欲测设B点，使其高程为237.621m。在A, B两点间安 置水准仪，读得立在 A点的标尺读数为1.234m，则测设B点的标尺读数为( C )。 一、选择题 1、差动式变极距式电容传感器的灵敏度是变极距式传感器的____2__倍. 2、信号有多种类型，从分析域上看，经典的分析方法有__时域法_和__频域法_。 3、压电式传感器的转换原理是利用晶体材料的__压电效应____。 4、传感器的静态特性中，输出量的变化量与引起此变化的输入量的变化量之比称为___灵敏度___。 6、信息与信号二者间关系是___信息在信号之中___。 7、当两信号的互相关函数在t 0有峰值，表明其中一个信号和另一个信号时移t 0时，相关程度___最高__。 8、传感器的灵敏度越高，意味着传感器所能感知的___被测量__越小。 9、测试工作的任务主要是要从复杂的信号中提取(有用信号) 10、时域信号的时移，则频谱变化为（ 相移 ） 11、 记录磁带快录慢放，放演信号的频谱带宽(变窄，幅值增高) 12、 用二阶系统作测量装置时，为获得较宽的工作频率范围，则系统的阻尼比应(接近1/√2 ) 13、 对二阶系统输入信号x(t)=A1sinw1t+A2sinw2t,则系统稳态输出方程的通式为(A1＇sin （w1t+φ＇１）+A2＇sin （w2t+φ２＇）) 14、 概率密度函数提供了随机信号（沿幅值域分布）的信息 15、 在测量位移的传感器中，符合非接触测量，而且不受油污等介质影响的是(电涡流式) 16、 只使在fe 1～fe 2间频率的信号通过，应采用（带通）滤波器 17、 在选用振子时，除了使阻尼比接近０.７外，应使被测正弦信号的最高频率fm(≤（０.５-０.６） )振动子的固有频率fn 18、 为使电缆的长度不影响压电式传感器的灵敏度，应选用（电荷）放大器。 19、 当τ→∞时,信号x （t ）的自相关函数Rx （τ）呈周期性变化,说明该信号(含有周期成份)。 20、 正弦信号的自相关函数，使原有的相位信息(丢失) 21、 不能用确定的数学公式表达的信号是（随机）信号。 22、 非线性度是表示定度曲线（偏离其拟合直线）的程度。 23、 自相关函数一定是（偶）函数。 24、 为了能从调幅波中很好地恢复出原被测信号，通常用（相敏检波器）做为解调器。 25、 采样时为了不产生频谱混叠，采样频率必须大于信号最高频率的（2 ）倍 26、 压电式传感器前置放大器的主要作用是（把传感器的高阻抗输出变换为低阻抗输出）。 27、在电桥测量电路中，由于电桥接法不同，输出的电压灵敏度也不同，___全桥___接法可以获得最大的输出。 28、压电传感器所使用的前置放大器在电路中起着很重要的作用，以下说法错误的是___将传感器的低阻抗输入变成高阻抗输出___。 29、幅值调制装置实质是一个乘法器 30、理想滤波器在通带内的幅频特性为常数 31．变极距型电容传感器的输出与输入，成（非线性）关系。 32．如果窗函数频谱的主瓣峰值相对于左右旁瓣峰值越大，则该窗函数的泄漏误差（越小）。 33．不能用涡流式传感器进行测量的是(非金属材料)。 34．设时域信号x(t)的频谱为X(f)，则时域信号（C ）的频谱为X(f ＋f0）。 A . )(0t t x - B. )(0t t x + C. t f j e t x 02)(π- D. t f j e t x 0 2)(π 35．压电式传感器后面的放大器的主要功能为（阻抗变换和信号放大）。 36．一个相邻双臂工作的测力电桥，如果将两工作臂的一个应变片均改为两个应变片串联，则电桥的输 出电压（加大两倍） 二、判断题 一、名词解释 固溶强化、过冷度、变质处理、细晶强化、铁素体、奥氏体 固溶强化：指随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度增加，塑性、韧性下降的现象； 过冷度：理论结晶温度（T）与实际温度（t）的差值，即过冷度=T-t； 变质处理：在液态金属结晶前，特意假如某些难容固态颗粒，造成大量可以成为非自发晶核的固态质点，使结晶时的晶核数目大大增加，从而提高了形核率，细化晶粒，这种处理方法称为变质处理； 细晶强化：金属强度、硬度越高，同时塑性、韧性越好，称为细晶强化； 铁素体：碳在中的固溶体称为铁素体，用符号F或表示； 奥氏体：碳在中的固溶体称为奥氏体，用符号A或表示； 二、填空题 1.材料常用的塑性指标有_伸长率_和_断面收缩率__两种，其中__断面收缩率__表示塑性更接近材料的真实变形。 2．检验淬火钢成品件的硬度一般用_洛氏__硬度，检测渗氮件和渗金属件的硬度采用_维氏__硬度。 3.体心立方晶格和面心立方晶格晶胞内的原子数分别为__2___和___4_____，其致密度分别为___0.68_____和__0.74______。 4.实际金属中存在有__点缺陷__、__线缺陷___和__面缺陷___ 3类缺陷。位错是___线___缺陷，晶界是__面___缺陷。金属的晶粒度越小，晶界总面积就越_大__，金属的强度也越__高__。1.结晶过程是依靠两个密切联系的基本过程来实现的。这两个过程是__晶核形成___和 _晶核长大__。 5.金属结晶过程中，细化结晶晶粒的主要方法有_控制过冷度__、_变质处理__和_振动、搅拌__。 6.物质在固态下的晶体结构随温度发生变化的现象称为_同素异构体转变__。铁的同素异构体转变为。 7.金属在结晶过程中，冷却速度越大，则过冷度越_大__，晶粒越_小_，强度和硬度越_高___，塑性越__好__。 8.珠光体的本质是__转变产物为铁素体和渗碳体的机械混合物_ _。 9.纯铁在912℃发生α-Fe→γ-Fe转变，其体积将_变小__。 Question Answer & PIE PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞 工程测量专业考试试题及答案（100分） 一、填空题（每空1分，共36分） ⒈为了统一工程测量的技术要求，做到、，使工程测量产品满足、的原则，而制定了《工程测量规范》GB50026—2007。 答案：技术先进经济合理质量可靠安全适用 2. 平面控制网的建立，可采用测量、测量、三角形网测量等方法。答案：卫星定位导线 ⒊高程控制测量精度等级的划分，依次为等。 答案：二、三、四、五 ⒋卫星定位测量控制点位应选在、的地方，同时要有利于，每个控制点至少应有通视方向，点位应选在倾角为的视野开阔的地方。 答案：土质坚实稳固可靠加密和扩展一个 15° ⒌水平角观测宜采用，当观测方向不多于时可不归零。 答案：方向观测法 3个 6.等高线有、、三种 答案：首曲线计曲线间曲线 7.电磁波测距的基本公式D=1/2ct中，c表示。 答案：光速 8.水准测量是利用水准仪提供求得两点高差，并通过其中一已知点的高程，推算出未知点的高程。 答案：水平视线 9.水准仪有DS0.5、DSl、DS3等多种型号，其下标数字0.5、1、3等代表水准仪的精度，为水准测量每公里往返高差中数的中误差值，单位为。答案：毫米 10.全站仪的是的简称,它是由、、组合而成的测量仪器。答案：全站型电子速测仪光电测距仪电子经纬仪数据处理系统 11.水准仪由、和三部分构成。 答案：望远镜水准器基座 12.经纬仪的安置主要包括与两项工作。 答案：对中整平 13.角度测量分和。 答案：水平角测量竖直角测量 14.水平角的观测常用的方法有和。 答案：测回法方向观测法 15.导线测量包括、和三种导线布置形式。 答案：闭合导线附合导线支导线 一，简答题 1. 什么叫测试系统的频率响应函数它和系统的传递函数有何关系答：测试 装置输出信号的傅里叶变换和输入信号的傅里叶变换之比称为装置的频率响应函数，若在系统中的传递函数H(s)已知的情况下，令H(s)中的s=jw 便可求得频率响应函数。 2. 测试装置的静态特性和动态特性各包括那些答：静态特性：（1）线性度， （2）灵敏度，（3）回程误差，（4）分辨率，（5）零点漂移和灵敏度漂移。动 态特性：（1）传递函数，（2）频率响应函数，（3）脉冲响应函数，（4）环节的串 联和并联。 3. 在什么信号作用下，系统输出的拉斯变换就是系统的传递函数。答：在 单位脉冲信号作用下，（单位脉冲函数δ（t ）=1)。 4. 为什么电感式传感器一般都采用差动形式答：差动式电感器具有高精度、 线性范围大、稳定性好和使用方便的特点。 5. 测试装置实现不失真测试的条件是什么答：幅频和相频分别满足 A(w)=A 0=常数，Φ（w ）=-t 0w ; 6. 对于有时延t 0的δ函数）（0t -t =δ ，它与连续函数f （t ）乘积的积分 dt )(0?∞ ∞--t f t t ）（δ将是什么答： 对于有时延t 0的δ函数）（0 t -t =δ ，它与连续函数f （t ）乘积只有在t=t 0时刻不等于零，而等于强度为f （t 0）的δ函数，在（-∞，+∞）区间中积分则dt )(0?∞∞--t f t t ）（δ=dt )(0 ?∞ ∞--t f t t ）（δ=f （t 0） 8. 巴塞伐尔定即 的物理意义是什么在时域中计算总的信息量等于在频域中计算总的信息量。 ： 9. 试说明动态电阻应变仪除需电阻平衡外，还需电容平衡的原因答：由于 纯电阻交流电桥即使各桥臂均为电阻，但由于导线间存在分布电容，相当于在各桥臂上并联了一个电容，因此，除了有电阻平衡外，必须有电容平衡。 10.说明测量装置的幅频特性A(ω)和相频特性φ(ω)的物理意义。答：测量 装置的幅频特性A(ω)是指定常线性系统在简谐信号的激励下，其稳态输出信号和输入信号的幅值比。相频特性是指稳态输出对输入的相位差。11.差动型变磁阻式电感传感器在使用时，常把两个线圈接在一个电桥中，这样做有什么优点 答：这样做使得灵敏度和线性度都提高。 12.用一阶系统作测量装置，为了获得较佳的工作性能，对其时间常数τ应 提出什么要求指出一种测量一阶系统的时间常数τ的方式。答：时间常数τ应越小越好，测量方法：频率响应法、阶跃响应法。 13. 线性系统有哪些主要特性（最少指出3个）答：（1）叠加性，（2）比例 性，（3）微分性，（4）积分性，（5）频率保持性。 14. 对于有时延t 0的δ函数） （0t t +=δ ，它与连续函数f （t ）乘积的积分dt )(0?∞∞-+t f t t ）（δ将是什么答：对于有时延t 0的δ函数）（0 t t += δ，它与连续函数f （t ）的积分只有在t=-t 0 时不等于零，而等于强度f （-t 0）的函数，在（-∞，+∞）区间内， 15.一阶、二阶测试系统的动态特性是什么答：一阶系统特性：（1）当激励频率ω﹥﹥1/τ时，Αω≈1,输出输入几乎相等。（2）时间常数τ是反映一阶系统 工程测量习题集 一、填空题 1．测量学上的基准线是铅垂线，基准面是大地水准面，在工程测量中用水平面来代替。 2．经纬仪交会法的三种基本形式有前方交会，侧方交会，后方交会。3.在进行水平角测量时，如果盘左读数是110°24′24″,且没有误差,则盘右读数是 290°24′24″。 4．导线测量的四个外业工作是踏勘远点，测距，测角，联测。 5．施工放样的基本测设工作是测设已知水平距离，测设已知水平角和测设已知高程。 6．丈量地面上两点间的距离，指的是两点间的水平距离。 7．用J6型经纬仪测量竖直角，如果该仪器竖盘是天顶式顺时针刻划的，测得某目标盘左竖盘读数为96°38′24″，盘右竖盘读数为263°22′24″，则竖直角为 -6°38′00″，竖盘指标差x为 0°0′24″。 8．经纬仪整平的目的是使使仪器竖轴在铅直位置，而水平度盘在水平位置。9．用一台经纬仪观测某一固定目标的水平方向值，如果盘左水平度盘读数为89°00′12″，盘右水平度盘读数为268°59′24″，那么该目标盘左、盘右的平均方向值为 88°59′48″，2C值为 0°0′48″。 10．视距测量可以同时测定两点间的水平距离和高差。 11.测量的三项基本工作是高差测量、角度测量和距离测量。 12. 高程测量有水准测量、气压高程测量、三角高程测量三种方法。其中，最精密的是水准测量。 13.经纬仪由__照准部__、__水平度盘__、__基座_ 三大部分组成。 14.在地形图上表示各种地物的形状、大小和它们的位置的符号称为地物符号。它分为__比例符号_、_非比例符号_、__注记符号__和__半比例符号__四种； 15..地面上同一点的真北（磁北）方向与磁北（真北）方向之间的夹角叫磁偏角，真北（轴北）方向与轴北（真北）方向的夹角叫子午线收敛角。 机械工程师资格考试题及答案 机械工程师资格考试 综合素质与技能（第一单元） 本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷。共120分。考试时间为180分钟。 第Ⅰ卷（共80分） 一、单项选择题（1～20题，每小题1分，21～50题，每小题2分，共计80分） 1．在工程图样上，齿轮分度圆的线型为A A）细点划线 B）粗点划线 C）细实 线 D）细虚线 2．尺寸Ф50H7的D A）上偏差、下偏差均大于0 B）上偏差为0，下偏差为负值 C）上偏差、下偏差均小于0 D）上偏差为正值，下偏差为0 3．图样上四个相同螺纹孔尺寸标注的正确方法是A A）4×M6 B） M6×4 C）4－M6 D）M6－4 4．表面粗糙度R a的数值是B A）以mm为单 位 B）以μm 为单位 C）以nm为单 位 D）百分比数值 5．共析钢的室温金相组织为 A）珠光体 B）渗碳体 C）铁素 体 D）莱氏体 6．在大批量生产中，为减轻劳动强度、提高产品质量和生产效率，常用的热处理炉是 A）盐浴炉 B）箱式炉 C）保护气氛连续 炉 D）井式炉 7．在液压系统中，控制油缸活塞运动的速度，一般采用 C A）溢流阀 B）调压阀 C）节流 阀 D）单向阀 8．用于连接的普通螺纹与用于传动的丝杠相比较，其主要设计特点的差别是D A）强度高 B）自锁性好 C）效率 高 D）便于加工 9．当零件的两个加工表面的尺寸精度与形状精度的要求均很高，同时它们之间的位置精度要求 也很高，在设计工艺过程和选择精基准时，遵循的基准选择原则是 D A）基准重合 B）基准统一 C）自为基 准 D）互为基准 10．某机床主轴材料为38CrMoAlA，需渗氮处理。在进行该主轴工艺路线设计时，渗氮处理应安 排在 C A）粗加工 前 B）粗加工与半精车之间 C）粗磨与精磨之 间 D）半精车与粗磨 之间 11．钎焊工艺方法是 C A）钎料和焊件都熔化 B）钎 料和焊件都不熔化 C）钎料熔化，焊件不熔化 D）钎料不熔化，焊件熔化 12．属于压焊的焊接方法是 A A）摩擦焊 B）气 焊 C）电弧焊 D）埋弧焊 13．下列中属于技术发明的知识产权是 A A）专利权 B）著作权 C）版机械工程材料复习题含答案
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