中南大学电子信息工程电子技术设计课设

中南大学电子信息工程电子技术设计课设
中南大学电子信息工程电子技术设计课设

电子技术课程设计

课题名称:占空比步进的脉冲信号源的设计学院:信息科学与工程学院

班级:电子信息工程1201班

学号:

学生姓名:

指导老师:陈明义

完成日期: 2014年7月15日

前言

课程设计题目内容及说明

题目:占空比步进的脉冲信号源的设计

要求:1、占空比0.1步进预置;

2、脉冲信号占空比的变化范围为0.1-0.9;

3、脉冲信号100Hz,幅值为5V;

4、能显示预置的占空比;

5、实测占空比误差小于0.1。

课程设计工作过程简介

课设时间为19、20两周,其间课设进程如下:

1.19周周一下午选题;

2.19周周二至周三,设计初步方案;

3.19周周四下午,教师检查设计电路及元器件清单;

4.19周周五至周日,修改设计方案;

5.20周周一练习焊接;

6.20周周二至周三,按照电路图完成焊接电路板;

7.20周周四调试电路;

8.20周周五下午教师验收、考核课设成果。

目录

前言 (1)

目录 (2)

1.系统概述 (3)

1.1系统要求 (3)

1.2方案设计 (3)

1.3方案分析及选择 (3)

1.4总体方案设计 (4)

1.5各功能模块的划分与组成 (4)

2.单元电路设计与分析 (5)

2.1按钮 (5)

2.2计数器 (5)

2.3译码器 (6)

2.4数码管 (7)

2.5多谐振荡器 (7)

2.6比较器 (8)

2.7放大器 (8)

3.电路的安装与调试 (9)

3.1Multisim电路仿真测试 (9)

3.2焊接板功能测试 (10)

3.2.1焊接板功能存在的问题及现象 (10)

3.2.2问题分析及解决措施 (11)

3.3焊接板测试结果记录 (12)

4.结束语 (13)

4.1课设成果总结 (13)

4.2心得体会 (13)

5.鸣谢 (14)

6.元器件明细表 (14)

7.参考文献 (14)

8.附图 (14)

8.1Multisim仿真电路图 (14)

8.2管脚电路图 (14)

1.系统概述

1.1系统要求

运用所学数电、模电知识查找到的资料,并结合实际,设计原理图,焊接元器件,并使课设成果满足课题要求。

1.2方案设计

方案一:采用EEPROM只读存储器的设计方案

用555定时器组成多谐振荡器,产生频率为1KHz的矩形波,此为第一路输出。再经过74ls161计数器对第一路输出分频,产生100Hz矩形波,此为第二路输出。对EEPROM编程,存入0.1至0.9这9种不同的占空比信息。再由4个开关及计数器输出共同控制存储器低8位,以选择输出存储器中的哪个占空比的波形,此为第三路输出。同时用4个开关控制74ls48译码器,译码器连接共阴数码管,以显示预置的占空比。

方案二:采用74ls85比较器的设计方案

用555定时器组成多谐振荡器,产生频率为1KHz的矩形波,此为第一路输出。再经过74ls161计数器对第一路输出分频,产生100Hz矩形波,此为第二路输出。用按钮控制控制另一片74ls161计数器,此为第三路输出。将第二路输出及第三路输出连接74ls85比较器上,得到第四路输出。同时将第三路输出连接74ls48译码器,译码器连接共阴数码管,以显示预置占空比。

1.3方案分析及选择

方案一是在无老师指导下完成,显然相对于方案二复杂许多,不仅电路设计、芯片使用更为复杂,而且精度小于方案二。因此,此次课设使用老师提点的方案二。方案二不仅使用的芯片少,而且都是使用简单的常用芯片。但方案二需要注意的是,如果供电电源为5V,在经过实际焊接后,输出波形幅值则会达不到5V(3.3V左右),为满足波形幅值条件,需要再第四路输出后再连接一个op37放大器放大电压。

1.4总体方案设计

原理框图:

1.5各功能模块的划分与组成

从原理框图可以看出,本次课设主要由8个部分组成。

按钮:一个6脚自锁按钮,控制要预置的占空比值,按一下占空比变化0.1。 计数器(1~9)计数:用一片74ls161计数器及一片74ls00与非门实现1~9

循环置数,由按钮高低电平变化驱动计数。 译码器:一片74ls48译码器,与一位数码管相连。

数码管:二块1位共阴数码管,一位始终用高电平驱动显示“0.”,另一位与

译码器相连。

多谐振荡器:用555定时器接成多谐振荡器,由电阻及电容值控制产生1KHz

的频率,为整个电路提供脉冲信号来源。

计数器(0~9)计数:用一片74ls161计数器及一片74ls00与非门实现0~9

循环置数,将555产生的信号分频为100Hz 。

比较器:一片74ls85计数器,1~9计数为A 路输入,0~9计数为B 路输入,

当A>B 时输出,则可以和数码管显示的占空比值相对应。

放大器:一片op37放大器,接成负反馈放大电路,由电阻比值控制放大倍

数。具体放大倍数,实际测出第四路输出的幅值后,再确定。

按钮

计数器

(1~9)计数

译码器 数码管

多谐振荡器

计数器 (0~9)计数

比较器

放大器

2.单元电路设计与分析

2.1按钮

6脚自锁按钮3个管脚为一侧共2侧,它的一侧实际上相当于一个单刀双掷开关,中间为接地端,两边的脚一个常开一个常闭。所以在实际使用中,通常只需要用到一侧相邻的2个脚,而且需要先测试脚的功能,选出我们需要的2个管脚。

我们需要实现的功能是,当我们按下按钮时,数码管的数值变化,脉冲占空比也变化,所以在本次课设中应该选择一个公共端和一个常开端这2个脚。其中公共端接地,常开端接电源。

电路图如下所示:

2.2计数器

本次课设中共用到二块74ls161计数器,和一块74ls00与非门,分别构成1~9计数和0~9计数。

首先3个芯片分别接电源和接地。

D、C、B、A这4个管脚,由置高电平或低电平决定初态值。初态值为1,则D、C、B、A这4个脚的高低电平为0001,初态值为0则为0000。ENP、ENT、~CLR这3个脚接高电平,~LOAD脚接与非门,可实现置数功能。置9,则QA、QD这2脚与~LOAD脚一起接与非门。1~9计数时,CLK脚接按钮,0~9计数时,CLK脚接多谐振荡器的输出。

电路图如下所示:

1~9计数0~9计数

2.3译码器

由于实验室所给的数码管通常都是共阴的,所以本次课设的译码器我选择芯片74ls48共阴极BCD码。

将74ls48芯片接电源和接地。

D、C、B、A脚分别接1~9计数的74ls161的QD、QC、QB、QA脚。~LT、~RBI、~BI/RBO这3个脚接高电平。OA~OG脚分别与数码管的a~g脚相连。

电路图如下所示:

2.4数码管

实验室所提供的是共阴数码管。

本次课设,我们需要用数码管来显示预置的占空比。而占空比值是0.1~0.9,则我们可以用二块1位数码管,一块恒显示“0.”,另一块连接译码器,由按钮控制其数值变化,显示“1~9”。

由于是共阴数码管,则数码管需要接地,由高电平驱动数值变化。

电路图如下所示:

2.5多谐振荡器

555定时器接成多谐振荡器,根据公式:T=(R1+2R2)C1ln2,且我们所需频率为1KHz,由此可以计算出R1=R2=47KΩ,C1=0.01μF,T=0.987ms,f≈1KHz。

电路图连接如下:

2.6比较器

比较器采用芯片74ls85。将74ls85芯片接电源和接地。

1~9计数的161芯片的QD、QC、QB、QA四脚分别接85芯片的A3、A2、A1、A0四脚,0~9计数的161芯片QD、QC、QB、QA四脚分别接85芯片的B3、B2、B1、B0四脚。

当A>B输出,若A=1,则输出波形的占空比为1,若A=2,则输出波形的占空比为2。所以选择当A>B时输出,即第四路输出连接OAGTB脚。

电路图如下所示:

2.7放大器

用芯片op37接成电压串联负反馈放大器,其电压放大倍数为A u=1+R2/R1 。在实际焊接过程中,测得第四路输出波形幅值为3V,而要求幅值为5V,故要放大1.67倍,即R1=30KΩ,R2=20KΩ。电路图如下所示:

3.电路的安装与调试

3.1Multisim电路仿真测试

由于在仿真电路中不存在误差,所以在仿真电路中没有加入放大器。除去少量因不熟悉元器件功能产生的接线错误,电路仿真过程进行得十分顺利。

仿真结果示例如下:按下按钮,数码管显示“0.1”,示波器显示幅值为5V,频率为100Hz,占空比为0.1的波形。

由上图可知脉冲宽度t w=940us,脉冲幅度V m=5V

由上图可知脉冲周期T=9.744ms,f=102Hz≈100Hz,占空比q=0.096≈0.1

3.2焊接板功能测试

3.2.1焊接板功能存在的问题及现象

问题1:无法用按钮操控数码管数值的变化

现象描述:1.按动按钮,数码管及波形都不产生变化。

2.不通过焊接按钮,用面包板上的脉冲按钮,产生正确结果。

问题2:从比较器输出的波形有杂波

现象描述:1.比较器在焊接板上,波形有时杂波明显,有时杂波较少。

2.将所有芯片插在面包板上调试时,波形基本看不出杂波。

问题3:从放大器输出的波形巨大抖动

现象描述:1.在焊接板上的放大器的输出波形,存在剧烈抖动无法观察幅值。

2.将放大器插在面包板上,其余芯片放在焊接板上,两部分相连

接,此时输出波形仍存在抖动。

3.2.2问题分析及解决措施

问题1

问题分析:此种接线方法在面包板上可行,但却在焊接板上行不通,我换过几个按钮结果依然如此。但用万用表测量发现,无论按钮开、关,

连接按钮到计数器之间的导线电压无变化。

于是我又直接用万用表对按钮的脚功能进行测试,发现同一侧相

邻的2个脚在按钮开、关时没有明显的阻值变化,而两头的2个

脚却有明显的阻值变化。接两头的2个脚,实现的功能是,当按

钮弹起时为开,当按下按钮是关,但是一开一闭之间同样可以产

生电平变化,可以驱动计数器使数码管的值发生变化。

所以问题应该出在我所选用的按钮管脚的不灵敏上,此类按钮在

粗糙的焊接板上无法实现功能,在面包板上却可以。而不是焊接

问题和接线错误。

解决措施:换用管脚接按钮。不过由于课设时间有限,所以在课设限定时间内我并没有找到这个解决方法,也并没有对此种方法进行验证。

但是我相信如果这样接按钮管脚,应该就可以成功使用按钮了。 问题2

问题分析:和我相同题目的其他同学,在这一步的波形上并没有存在明显的杂波问题,所以这个现象的产生应该是接触不良和焊接技术不过

关造成的。

解决措施:提高焊接技术。

问题3

问题分析:放大器可能也放大了前一步产生的杂波,造成波形较大的抖动。

或者是放大器的反馈电阻选值不当,造成比较大的干扰。或者是

放大器的焊接问题。

解决措施:在时间充裕的情况下,可以一一测试上述误差来源猜想,以最终确定问题产生的缘由及解决问题。

3.3焊接板测试结果记录

测试方法:用示波器测量波形及占空比的变化

测试结果:1.产生波形频率为107Hz

2.没有接放大器的情况下波形幅值为3V

3.占空比的误差小于0.1

4.可以实现占空比0.1步进预置、脉冲信号占空比的变化范围为

0.1~0.9、显示预置的占空比这些功能。

4.结束语

4.1课设成果总结

这次课设我在选题上占了很大优势,选到了最简单的题目。在陈老师的指导下,很快设计出了简单而可行的操作方案。设计的中心思想十分简单,核心就是用比较器来产生不同的占空比。

由于题目简单,所以最后实现了大部分课设要求。做出成果后,我心中成就感很强,不过如果给学生焊接电路板的时间再长一些,同学们应该都可以做的更好。除去因时间紧张无法完美地实现所有功能外,最让我遗憾的就是电路板连线太不美观。虽然是两个女生的组合,但是设计出的焊接板实在是美感欠缺。

4.2心得体会

最初陈老师说要给我们班同学做些不一样的课设时,我心中就有一些不祥的预感,果然,课设竟然是做焊接。别的班的同学找来往届的电路图,3天左右就在面包板上完成了课设。而我们班的同学们,实打实的完成了这两周的课设,还觉得时间不够用。

不过当我最后完成课设时,我觉得十分充实,因为我用短短两周的时间,学到了许多新知识、新技能。相比于其他班同学能找来前人的成果借鉴,我却是从设计电路、画原理图到选器件、焊接电路板等等过程,无一不是自己摸索、自己尝试。到头来,却觉得陈老师让我们做这个课设真是太好了,不是白白浪费了两周,而是真的有所收获。就连其他班的同学都评价我们做这个课设真是值了,所有的辛苦都会有所收获。

5.鸣谢

感谢陈老师对设计方案的悉心指导

感谢实验室老师对焊接技术的指导

感谢搭档各方面的协助

感谢一位通信学长解答我的各种疑问

6.元器件明细表

序号型号名称数量

1 555 定时器 1

2 74ls161 4位二进制同步计数器 2

3 74ls48 BCD-七段译码器/驱动器 1

4 74ls8

5 4位数值比较器 1

5 74ls00 四-2输入与非门 1

6 op3

7 运算放大器 1

7 ls543 共阴极八段数码管 2

8 1~47KΩ电阻7

9 0.01μF 电容 2

10 sw-dtdp 6脚自锁按钮 1

7.参考文献

【1】张静秋,《电路与电子技术实验教程》,中南大学出版社,2013年1月【2】阎石,《数字电子技术基础》,高等教育出版社,2006年5月

8.附图

8.1Multisim仿真电路图

8.2管脚电路图

中南大学往届电子技术试卷及答案

---○---○--- ---○---○--- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 一、 选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。

二、简答题(24分) 1.写出下图电路输出逻辑表达式。 2.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路 (1)说明该电路的功能; (2)试画出电路的电压传输特性曲线。 4.下图电路中,变压器副边电压有效值为2U2。 (1)画出u2、u D1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV)

中南大学电工技术完整答案

电工技术II习题 电工电子教学实验中心 中南大学 2011年上学期

目录 习题1——电路模型和电路定律 (1) 习题2——等效电路分析方法 (4) 习题3——支路电流法、回路电流法和结点电压法 (8) 习题4——电路基本定理 (11) 习题5——正弦稳态电路的分析 (16) 习题6——正弦电路的谐振 (22) 习题7——三相交流电路 (29) 习题8——动态电路 (32) 习题9——二端口网络 (32)

习题1——电路模型和电路定律 1-1 根据图示参考方向,判断各元件是吸收还是发出功率,其功率各为多少? 解:元件1吸收10W ;元件2吸收10W ;元件3发出10W ;元件4发出10W ; 1-2 各元件的条件如图所示。 (1)若元件A 吸收功率为10 W ,求I a ; (2)若元件B 产生功率为(-10 W),求U b ; (3)若元件C 吸收功率为(-10 W),求I c ;(4)求元件D 吸收的功率。 解:I a =-1A; U b =-10V; I c =-1A; P =-4mW. 1-3某直流电源的额定功率为P N =200W ,额定电压为U N =50V ,内阻R 0=0.5Ω,负载电阻R 可以调节,如图所示,试求: (1) 额定状态下的电流及负载电阻; (2) 空载状态下的电压; (3) 短路状态下的电流。 解:(1) P N =U N ×I N ----> I N =4A; E= U N + R o ×I N I N =E /(R o +R ) (2) U =E= U N + R o ×I N (3) I st =E /R 0 1-4 某有源支路接在U =230V 得电路中的电流I =10安培。求: (1)该有源支路的电动势E ; (2 解:(1)E= U + R o ×I =235V (2)P =U ×I >0, 输送 1-5 (1)求图 (a)(2)求图 (b)解:(a )U 1=3×4 =12V ,受控电压源的端电压×24 =72W (b )I 2=0.5A ,受控电流源的电流6I 2=3A ,P 吸=5×3 =15W 1-6 求图示各电路中的U ab ,设端口a 、b 均为开路。 解:(a )U ab =-2+4=2V (b )U ab =-1+8=7V (c )i =5/20 =0.25 A U ab =3i +10i =3.25V (d )U ab =-3+5×1=2V E E

中南大学往届电子技术试卷及答案

¥ ---○---○--- ~ 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 】 二 三 四 五 六 七 八 合 计 ; 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 < 100 得 分 — 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 《 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 | C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )得 分 …

二、简答题(24分) 1.写出下图电路输出逻辑表达式。 2.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。 6、如图所示为一555定时器应用电路 (1)说明该电路的功能; (2)试画出电路的电压传输特性曲线。 4.下图电路中,变压器副边电压有效值为2U2。 (1)画出u2、u D1和u O的波形; (2)求出输出电压平均值U O(AV) 得分 评卷人

高等工程数学模拟考试试卷1

中南大学专业硕士“高等工程数学”考试试卷(开卷) 考试日期:2014年 月 日 时间100分钟 注:解答全部写在答题纸上 一、填空题(本题24分,每小题3分) (1)如果71 12232 61,3531133 4 4Ax b A ??-????? ? ==-??????-???? , A ∞= ,利用Gauss-Seidel 迭代法求解此方程组是否收敛 ; (2)利用迭代法求解非线性方程2()30x f x x e =+=的根,取初值00.5x =-。给出一个根的存在 区间 ,在该区间上收敛的迭代函数为 ; (3)在一元线性回归模型中,试写出三个影响预测精度的主要因素 ; (4)已知)(x f y =通过点(,),0,1,2, ,i i x y i n =,则)(x f 的三次样条插值函数)(x S 在每个小区间 ],[1i i x x -上是次数不超过 次的多项式函数,在整个区间上二阶导函数连续且满足插值条件; (5)已知)(x f y =通过点(,),0,1,2,,i i x y i n =,则其Lagrange 插值基函数=)(3x l ; (6)总体1210~(3,4),(,, ,)X N X X X 为样本,X 是样本均值,则~X ., (7)算法2 121212),(x x x x x f y +==,已知1x 和2x 的绝对误差分别为)(1x ε和)(2x ε,则 =)(y ε ; (8)已知)(x f y =通过点3,2,1,0),,(=i y x i i ,则其Lagrange 插值基函数=)(1x l 。 二、(本题12分)已知)(x f y =的函数值如下 选用适当的方法求三次插值多项式,以计算)5.0(-f 的近似值,给出相应的误差估计。 三、(本题16分)已知某工厂计划生产I ,II ,III 三种产品,各产品需要在A ,B ,C 设备上加工,有关数据见下表。

中南大学电工技术II练习册答案

百度文库- 让每个人平等地提升自我 电工技术II习题电工电子教学实验中心 中南大学 2011年上学期

目录 习题1——电路模型和电路定律 (1) 习题2——等效电路分析方法 (4) 习题3——支路电流法、回路电流法和结点电压法 (8) 习题4——电路基本定理 (11) 习题5——正弦稳态电路的分析 (16) 习题6——正弦电路的谐振 (22) 习题7——三相交流电路 (29) 习题8——动态电路 (32) 习题9——二端口网络 (32)

习题1——电路模型和电路定律 1-1 根据图示参考方向,判断各元件是吸收还是发出功率,其功率各为多少? 解:元件1吸收10W;元件2吸收10W;元件3发出10W;元件4发出10W; 1-2 各元件的条件如图所示。 (1)若元件A吸收功率为10 W,求I a;(2)若元件B产生功率为(-10 W),求U b; (3)若元件C吸收功率为(-10 W),求I c;(4)求元件D吸收的功率。 解:I a=-1A; U b=-10V; I c=-1A; P=-4mW. 1-3某直流电源的额定功率为P N=200W,额定电压为U N=50V,内阻R0=Ω,负载电阻R 可以调节,如图所示,试求: (1)额定状态下的电流及负载电阻; (2)空载状态下的电压; (3)短路状态下的电流。 解:(1) P N=U N×I N ----> I N=4A; E= U N+ R o×I N I N=E/(R o+R) (2) U=E= U N+ R o×I N (3) I st=E/R0 R0 - E + R

1-4 某有源支路接在U =230V 的电源上,电路如下图所示,支路电阻为R 0=Ω,测得电路中的电流I =10安培。求: (1)该有源支路的电动势E ; (2)此支路是从电网吸收电能还是向电网输送电能? 解:(1)E= U + R o ×I (2)P =U ×I >0, 输送 1-5 求图示各电路中电压源流过的电流和它发出的功率。 R 0 - E + U I

中南大学版材料科学基础部分名词解释

第六章空位与位错 一、名词解释 空位平衡浓度:金属晶体中,空位是热力学稳定的晶体缺陷,在一定的空位下对应一定的空位浓度,通常用金属晶体中空位总数与结点总数的比值来表示。 位错:晶体中的一种原子排列不规则的缺陷,它在某一个方向上的尺寸很大,另两个方向上尺寸很小。 柏氏回路:确定柏氏族矢量的过程中围绕位错线作的一个闭合回路,回路的每一步均移动一个原子间距,使起点与终点重合。 P-N力:周期点阵中移动单个位错时,克服位错移动阻力所需的临界切应力 扩展位错:两个不全位错之间夹有层错的位错组态 堆垛层错:密排晶体结构中整层密排面上原子发生滑移错排而形成的一种晶体缺陷。 弗兰克-瑞德位错源:两个结点被钉扎的位错线段在外力的作用下不断弯曲弓出后,互相邻近的位错线抵消后产生新位错,原被钉扎错位线段恢复到原状,不断重复产生新位错的,这个不断产生新位错、被钉扎的位错线即为弗兰克-瑞德位错源。 Orowan机制:合金相中与基体非共格的较硬第二相粒子与位错线作用时不变形,位错绕过粒子,在粒子周围留下一个位错环使材料得到强化的机制。 科垂尔气团:围绕刃型位错形成的溶质原子聚集物,通常阻碍位错运动,产生固溶强化效果。 铃木气团:溶质原子在层错区偏聚,由于形成化学交互作用使金属强度升高。 面角位错:在fcc晶体中形成于两个{111}面的夹角上,由三个不全位错和两个层错构成的不能运动的位错组态。 多边形化:连续弯曲的单晶体中由于在加热中通过位错的滑移和攀移运动,形成规律的位错壁,成为小角度倾斜晶界,单晶体因而变成多边形的过程。 第七章金属塑性变形 一名词 固溶强化:固溶体中的溶质原子溶入基体金属后使合金变形抗力提高,应力-应变曲线升高,塑性下降的现象; 应变时效:具有屈服现象的金属材料在受到拉伸等变形发生屈服后,在室温停留或低温加热后重新拉伸又出现屈服效应的情况; 孪生:金属塑性变形的重要方式。晶体在切应力作用下一部分晶体沿着一定的晶面(孪晶面)和一定的晶向(孪生方向)相对于另外一部分晶体作均匀的切变,使相邻两部分的晶体取向不同,以孪晶面为对称面形成镜像对称,孪晶面的两边的晶体部分称为孪晶。形成孪晶的过程称为孪生;

中南大学往届电子技术试卷及答案

. ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

中南大学电工学习题册习题答案 (1)

1 习题1——直流电路 1、 解1: 结点a :I 1+I 2=I 3 回路1:R 1I 1–R 2I 2+U S2–U S1=0 回路2:R 2I 2+ R 3I 3–U S2=0 图1 习题1的图 联立求解,得:I 1= –0.2A ,I 2= 1.6A ,I 3= 1.4A U s1起负载作用,其功率P 1= U s1 I 1= –2.4W U s2起电源作用,其功率P 2= U s2 I 2=24W 2、 解2:I 1 、I 2 、I 3 、I 4如图所示。 结点a :I 1+I +I 2=0 结点b :I 1+I =I 3+I 4 回路1:4I –8I 1=0 回路2:5I 2+9–4I 4–4I =0 回路3:2I 3=4I 4 图2 习题2的图 联立求解,得: I = 2/3A ,I 1= 1/3A ,I 2= –1A ,I 3= 2/3A ,I 4= 1/3A

3Ω 6 V 3Ω 1Ω 5Ω I 1 + - I 1a I 1b 3、 解3:①电压源单独作用时, I 1= –(I 1a + I 1b )= –(1+1) = –2A ②电流源单独作用时, I 2= –(I 2a + I 2b )= –(–1+3) = –2A 由叠加定理,I = I 1+ I 2= –4A 电压源单独作用 电流源单独作用 4、 图4 习题4的图 解4:①当开关在位置1时,电流源I S 单独作用时,毫安表读数I=K 1I S = 40mA ; ②当开关在位置2时,电流源I S 和电压源U S1同时作用,利用叠加定理有: I=K 1I S +K 2U S1 代入数据有:-60=40+ 10K 2 解得: K 2= -10 ③当开关在位置3时,电流源I S 和电压源U S2同时作用, U S1 I 1 S 2 3 U S2 R 5 + - - + U S2 I S R 4 R 3 R 2 R 1 A 3Ω 6 A 3Ω 1Ω 5Ω I 2 I 2a I 2b

中南大学电子技术2试卷及答案-第4套

---○---○ --- ---○---○ --- ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 (4) 时间100分钟 20 ~20 学年 学期电子技术课程期末考试试题 80 学时,闭卷,总分100分,占总评成绩60 % 一、填空题(共20分,每空1分) 1、场效应管是( )控制元件,而双极型三极管 是( )控制元件。晶体管在模拟电路中工作在 ( )区; 在数字电路中工作在( )区。 2、在一个交流放大电路中,测出某双极型三极管三个管脚对地电位为: (1)端为1.5V (2)端为4V (3)端为2.1V 则(3)端为( )极; (3)该管子为( )型。 3、 若某一逻辑函数有n 个逻辑变量,则输入逻辑变量有( )种不同 取值的组合。 4、 一个逻辑函数全部最小项之和恒等于( )。 5、触发器按动作特点可分为基本型、同步型、( )和边沿型。 6、稳压管工作在( )区,一般要与( )串联使用。 7、已知某与非门的电压传输特性如图所示,由图可知: 输出高电平OH V = ; 输出低电平OL V = ; 阈值电平 TH V = ; 8、下列电路中,不属于组合逻辑 电路的是( )。 (A) 编码器; (B) 数据选择器; (C) 计数器。 9、集成运算放大器采用( )耦合方式,既可以放大( )信号,又可以放大( )信号。 10、七段LED 数码管的结构分为共阴极和( )两种。 11、可用于总线结构进行分时传输的门电路是( )。 (A) 异或门;(B) 同或门;(C) OC 门;(D) 三态门。

高等工程数学试题--2013-11-3工程硕士

中南大学工程硕士“高等工程数学”考试试卷(开卷) 考试日期:2013年 月 日 时间110分钟 注:解答全部写在答题纸上 一、填空题(本题24分,每小题3分) 1. 对矩阵 A 进行Doolittle 分解的条件是 ; 2.设总体2212~(,),~(,)X N Y N θσθσ,从总体分别独立抽取容量为,m n 的简单随机样本 12(,,,)m X X X ,12(,,,)n Y Y Y 。记2,X X S 为样本12(,,,)m X X X 的样本均值与方差,2,Y Y S 为 样本12(,,,)n Y Y Y 的样本均值与方差,则12θθ-的95%的置信区间为 ; 3.如果2 113342 53,5351154 6 4Ax b A ??????? ? ==?????????? ,矩阵A ∞= , 利用Jacobi 和 Gauss-Seidel 迭代法求解此方程组的敛散性情况是 ; 4.在进行二元方差分析时,当两个因子之间存在交互作用时,需要进行重复试验,假设两个因子都取3水平,各种组合时试验的重复次数均为4,则体现两因子的交互作用的平方和的自由度是 ; 5.函数22 1212(,)y f x x x x ==,已知1x 和2x 的绝对误差限分别为1()0.1x ε≤和2()0.2x ε≤,则函数 值的绝对误差限为: ; 6.线性规划123123123123min 32..2363260,0,x x x s t x x x x x x x x x +-? ?++≥??-+≤? ?≤≥-∞≤≤∞ ? 的标准形式是 ; 7.方程()sin(1)2 x f x x =+- 与()x x ?== 等价,由于迭代函数()x ?满足: ,可用迭代法求方程()0f x =的唯一正根* x 的近似值; 8. 设011n n a x x x x b -=<< <<=为区间[,]a b 的n 等分点,n T 和2n T 为定积分()b a f x dx ?复合梯 形公式,利用Romberg 思想写出复化Simpson 求积计算式 n S = 。 二、(本题14分)某工厂生产A 、B 两种产品,需利用甲、乙两种资源。已知生产产品A 一件 需消耗资源甲、乙分别为3吨、4吨,生产产品B 一件需消耗资源甲、乙分别为4吨、3吨。A 、B 产品每件产值分别为1、2万元。工厂现有甲、乙资源量分别为120、120吨。 (1) 建立工厂安排生产使总产值最大数学模型。 (2) 列出并利用单纯形法求工厂的最优生产方案。

中南大学模电试卷及答案分解

1 + j A 中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第 1 套) 一、一、填空题(20 分,每空 1 分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工 作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知 A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为: A u1 是 放大器,A u2 是 放大器,A u3 是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极 R e 公共电阻对 信号 的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的 最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题 5 分,共 25 分) 1.如图所示电路中 D 为理想元件,已知 u i = 5sin ωt V ,试对应 u i 画出 u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100,r bb'=100Ω,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

模拟电子技术课程设计(Multisim仿真)

《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日

目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真(积分电路) (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真(三角波与方波发生器) (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法,培养学生的综合知识应用能力和实践能力,为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题,解决问题的能力,提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力,对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下,学习Multisim仿真软件的使用方法,分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后,学生应该达到以下要求: 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解; 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料; 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法; 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法; 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告,课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。

中南大学材料科学基础课后习题答案位错塑性变形再结晶

位错 一、解释以下基本概念 肖脱基空位:晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位称为肖脱基空位 弗兰克耳空位:晶体中的原子挤入结点的空隙形成间隙原子,原来的结点位置空缺产生一个空位,一对点缺陷(空位和间隙原子)称为弗兰克耳(Frenkel )缺陷。 刃型位错:晶体内有一原子平面中断于晶体内部,这个原子平面中断处的边沿及其周围区域是一个刃型位错。 螺型位错:沿某一晶面切一刀缝,贯穿于晶体右侧至BC 处,在晶体的右侧上部施加一切应力τ,使右端上下两部分晶体相对滑移一个原子间距,BC 线左边晶体未发生滑移,出现已滑移区与未滑移区的边界BC 。从俯视角度看,在滑移区上下两层原子发生了错动,晶体点阵畸变最严重的区域内的两层原子平面变成螺旋面,畸变区的尺寸与长度相比小得多,在畸变区范围内称为螺型位错 混合位错:位错线与滑移矢量两者方向夹角呈任意角度,位错线上任一点的滑移矢量相同。 柏氏矢量:位错是线性的点阵畸变,表征位错线的性质、位错强度、滑移矢量、表示位错区院子的畸变特征,包括畸变位置和畸变程度的矢量就称为柏氏矢量。 位错密度:单位体积内位错线的总长度ρυ=L/υ;单位面积位错露头数ρs =N/s 位错的滑移:切应力作用下,位错线沿着位错线与柏氏矢量确定的唯一平面滑移,位错线移动至晶体表面时位错消失,形成一个原子间距的滑移台阶,大小相当于一个柏氏矢量的值. 位错的攀移:刃型位错垂直于滑移面方向的运动,攀移的本质是刃型位错的半原子面向上或向下运动,于是位错线亦向上或向下运动。 弗兰克—瑞德源:两个结点被钉扎的位错线段在外力的作用下不断弯曲弓出后,互相邻近的位错线抵消后产生新位错,原被钉扎错位线段恢复到原状,不断重复产生新位错的,这个不断产生新位错、被钉扎的位错线即为弗兰克-瑞德位错源。 派—纳力:周期点阵中移动单个位错时,克服位错移动阻力所需的临界切应力 单位位错:b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。 不全位错:柏氏矢量不是从一个原子到另一个原子位置,而是从原子位置到结点之间的某一位置,这类位错称为不全位错。 堆垛层错:密排晶体结构中整层密排面上原子发生滑移错排而形成的一种晶体缺陷。 位错反应:位错具有很高的能量,因此它是不稳定的,在实际晶体中,组态不稳定的位错可以转化成为组态稳定的位错,这种位错之间的相互转化称为位错反应。 扩展位错:如果层错两端都终止在晶体内部,即一个层错的两端与两个不全位错相连接。像这样两个不全位错之间夹有一个层错的位错组态称为“扩展位错” 二、纯铁的空位形成能为105kJ/mol. 将纯铁加热到850℃后激冷至室温(20℃),假设高温下的空位能全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。 解答 利用空位浓度公式计算 850 ℃ (1123K) :C v1=??,后激冷至室温可以认为全部空位保留下来 20℃(293K) :C v2=??, C v1 /C v2=??? 三、计算银晶体接近熔点时多少个结点上会出现一个空位(已知:银的熔点为960℃,银的空位形成能为1.10eV ,1ev =)?若已知Ag 的原子直径为0.289nm ,问空位在晶体中的平均间距。1eV =1.602*10-19J )exp(RT Q A C v ?=

中南大学往届电子技术试卷及答案

. . . ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

中南大学2013年春季校本部12级工程硕士公共课表

校本部2013年春季12级在职攻读工程硕士专业学位研究生公共课课表 注意事项二: 1.3月16日(第三周的周六)正式上课,4月14日结束。其它三次集中学习时间为:2013年秋季10月-11月、2014年春季3月-4月、2014年秋季10月-11月。具体开学日期以研究生院培养与管理办在“研究生院网站主页”或者在“研究生教育管理信息系统”上发布的《公共课表》和《开学通知》为准。 2.课程名称前的数字表示起止周,课程名称后的数字表示上课地点。 3.必须在3月14日—3月25日期间完成本学期有关网上操作 (1)注册:在研究生教育管理信息系统“学生注册”模块“申请注册”中办理,或持本人校园卡到校园卡触摸屏电脑(分布在各食堂)上进行自助电子注册。未缴费的研究生必须缴清学费后才能注册,注册成功后才能进行网上选课。 (2)选课:根据每学期的课表安排和网上选课时间安排,在研究生教育管理信息系统“学习管理”模块“学期选课”中进行选课,选课地点、班级、课程编码均不得有误;不在我办规定的时间内选课或不选课者均不能参加有关课程考试;切忌盲目选课,已进行网上选课者必须参加所选课程考试,无故不参加者成绩以0分计,须重修;已选课但因不可抗力等特殊原因不能参加有关考试者,须由本人事先向研究生院培养与管理办311房黄老师递交书面申请,经批准后办理缓考手续,与下一年级同堂同卷考试(须在下一年重新选课才能参考),成绩以卷面成绩为准。 (3)制定修课计划和培养计划:在研究生教育管理信息系统“学习管理”模块“制订修课计划”中,按培养方案课程设置的要求(含培养环节)进行选课;在“制定培养计划”中录入实践环节内容、学位论文课程及工作时间并确认(课程信息会自动生成),制订完毕后,请导师审核。以后若要修改需导师授权。 4.新生报到时由所在二级单位研究生助理发给本学期纸质课表;以后每次课表不再发纸质版,研究生本人可在研究生教育管理信息系统“学习管理”模块“课表下载”栏中下载(公共课表于下次开学前一个月,专业课课表于下次开学前一周或在开学后向所在二级单位研究生助理索取)。 5.本课表上所有课程均实行“考教分离”考试,由研究生院培养与管理办组织。 6.参加任何课程考试,务必同时携带身份证(军官证)和研究生证(校园一卡通),否则不能参加考试。 7. 4月4日-6日清明节放假3天,3月31日(周日)补4月4日(周四)的课,4月7日(周日)补6日(周六)的课,4月5日(周五)的课程请任课教师提前一周与研究生商量补课时间和地点,报研究生院培养与管理办备案。 研究生院培养与管理办 2013-01-16

中南大学材料科学基础历年试题

“材料学基础”试题 2003.12. 专业班级 姓名 学号 一、名词解释(24分) 1、 晶界非平衡偏聚 2、 克肯达尔(Kirkendall )效应 3、 多边化 4、 微晶超塑性 5、 奥罗万(Orowan )机制 6、 加工硬化 二、请在立方晶系中写出面OBC’、ODD’O’的晶面指数和OB 、OD 晶向指数(AD=1/2AB )。(8分) 三、在fcc 晶体中,位错反应] 121[6]112[6]101[2a a a +→能否进行?若反应前的 ]101[2a 是刃位错,反应后的扩展位错能在哪个晶面上进行何种运动?(10分)

四、简述冷加工纤维组织、带状组织和变形织构的成因及其对金属材料性能的影响(10分) 五、说明金属冷变形程度的大小对再结晶形核机制和再结晶晶粒尺寸的影响。(10分) 六、根据Cu-Zn合金相图回答下列问题:(18分) 1、说明α相和η相的晶体结构类型; 2、写出图中各水平线的平衡反应式(注明反应时的温度); 3、画出850℃时Cu-Zn合金各相的自由能-成分曲线示意图; 4、计算Cu-35%Zn合金液相刚凝固完毕时相组成物的百分数; 5、说明Cu-35%Zn合金非平衡凝固时,枝晶偏析是否严重,为什么?

七、根据三元相图回答下列问题:(20分) 1、说明aa0、bb0、cc0箭头的含义; 2、分析X成分合金凝固相变过程,说明其在刚凝固完毕和室温下的组织组成物; 3、分析Y成分合金凝固相变过程,用数学式表示出Y合金凝固完毕时相组成物 的百分数。 金属学试题 1.根据铁碳亚稳平衡相图和你所学所有知识,回答下列问题: 1)分析氢,氮,碳,硼在α-Fe 和γ-Fe 中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。已知元素的原子半径如下:氢:0.046nm,氮:0.071nm,碳:0.077nm,硼:0.091nm,α-Fe:0.124nm,γ-Fe :0.126nm。 2)标注平衡反应的成分及温度,写出平衡反应式。 3)分析Fe-1%C合金的平衡凝固到室温过程组织变化; 4)指出γ的晶体结构、密排方向、密排面、密排面的堆垛顺序、致密度、配位数、晶胞中原子数;指出α和γ的滑移系; 5)结合你所学的有关知识,如何提高Fe-C合金的强度; 6)Fe-0.1%C合金在拉伸中,一种情况在拉伸出现塑性变形后去载,立即再加载,另一种情况是去载后时效再加载,试解释前者无屈服现象,后者有屈服现象的原因;7)固溶处理后进行一定量的冷变形,对合金在随后的回火过程有那些可能的影响?8)Fe-0.1%C合金制作成齿轮,对含碳0.1%齿轮气体渗碳强化,画出钢在渗碳后的

中南大学模拟电子技术试卷(全四套)

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

中南大学往届电子技术试卷及答案

- ---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 60 % 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路) 这三个组成部分。 3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。 4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。 7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。 得 分 评卷人

高等工程数学试题及参考答案-工程硕士

中南大学工程硕士“高等工程数学”考试试卷 考试日期:2010年 4 月 日 时间110分钟 注:解答全部写在答题纸上 一、填空题(本题24分,每小题3分) 1. 若方程0)(=x f 可表成)(x x ?=,且在[,]a b 内有唯一根*x ,那么)(x ?满足 ,则由迭代公式)(1 n n x x ?=+产生的序列{}n x 一定收敛于*x 。 ()(x ?满足:1()[,]x C a b ?∈,且[,]x a b ?∈有()[,]x a b ?∈, '()1x L ?≤<;) 2. 已知二元非线性函数221122120()24,(2,2)T f x x x x x x x X =-++-=,该函数从X 0 出发的最速下降方 向为 (最速下降方向为:()4,2T p =-) ; 3.已知二元非线性函数221122120()24,(2,2)T f x x x x x x x X =-++-=,该函数从X 0 出发的Newton 方 向为 (Newton 方向为: ()2,0T p =-) ; 4.已知)(x f y =在区间],[b a 上通过点(,),0,1,2,,i i x y i n =L ,则其三次样条插值函数)(x S 是满足 ((1)在每个小区间是次数不超过3次的多项式,(2)在区间[,]a b 上二阶导数连续,(3)满足插值条件(),0,1,2,,i i S x y i n ==L ); 5.设某个假设检验问题的拒绝域为W ,且当原假设H 0成立时,样本值12(,,,)n X X X L 落入W 的概率为0.15,则犯第一类错误的概率为________(0.15) ; 6.在实际问题中求某参数的置信区间时,总是希望置信水平愈 大 愈好,而置信区间的长度愈 短 愈好。但当增大置信水平时,则相应的置信区间长度总是 变长 ; 7 . 取 步 长 2 .0=h ,解 ]1,0[,1 )0(2'∈?? ?=-=x y y x y 的Euler 法公式为: (1(2)0.60.2,0,1,2,,5n n n n n n y y h x y y x n +=+-=+=L ); 8.对实际问题进行建模求解时可能出现的误差有: (模型误差,观测误差,方法误差,舍入误差。) 。 二、(本题8分)某钢铁公司生产一种合金,要求的成分是:锡不少于28%,锌不多于15%,铅恰好10%,镍介于35%到55%之间,不允许有其他成分。钢铁公司拟从五种不同级别的矿石中进行冶炼,每种矿物的成分含量和价格如下表。矿石杂质在冶炼中废弃,并假设矿石在冶炼过程中金属含量没有发生变化。

模拟电子技术电路设计

一、课程设计目的 1通过课程设计了解模拟电路基本设计方法以及对电路图进行仿真,加深对所学理论知识的理解。 2通过解决比较简单的电路图,巩固在课堂上所学的知识和实验技能。 3综合运用学过的知识,并查找资料,选择、论证方案,完成电路设计并进行仿真,分析结果,撰写报告等工作。 4 使学生初步掌握模拟电子技术电路设计的一般方法步骤,通过理论联系实际提高和培养学生分析、解决实际问题的能力和创新能力。 二、方案论证 2.1设计思路 一般来说,正弦波振荡电路应该具有以下四个组成部分: 1.放大电路 2.反馈网络 3.选频网络 4.稳幅环节 其中放大电路和反网络构成正反馈系统,共同满足条件1=? ? F A 选频网络的作用是实现单一频率的正弦波振荡。稳幅环节的作用是使振荡幅度达到稳定,通常可以利用放大元件的非线形特性来实现。 如果正弦波振荡电路的选频网络由电阻和电容元件组成,通常成为RC振荡电路。 2.2工作原理

1.电路组成 振荡电路的电路图如2.3原理图所示。其中集成运放A 工作在放大电路,RC 串并联网络是选频网络,而且,当 f f o = 时,它是一个接成正反馈的反馈 网络。另外,R f 和R ' 支路引入一个负反馈。由原理图可见 RC 串并联网络中的串联支路和并联支路,以及负反馈支路中的R F 和R ' ,正好组成一个电桥的四个臂,所以又称文氏电桥振荡电路。 2.振荡频率和起振条件 (1)振荡频率 为了判断电路是否满足产生振荡的相位平衡条件,可假设在集成运放的同相输入端将电路断开,并加上输入电压? Ui 。由于输入电压加在同相输入端,故集成运放的输出电压与输入电压同相,即0=A ?已经知道,当 f f o = 时,RC

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