模拟电子实训电路:

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TDA2030集成音频功率放大器组装与维修

一、TDA2030简介:

TDA2030是许多音频功放产品所采用的Hi-Fi功放集成块。它接法简单,价格实惠,使用方便,在现有的各种功率集成电路中,它的管脚属于最少的一类,总共才5个引脚,外型如同塑封大功率管,给使用带来不少方便。

TDA2030 在电源电压±14V,负载电阻为4Ω时输出14瓦功率(失真度≤0.5%);在电源电压±16V,负载电阻为4Ω时输出18瓦功率(失真度≤0.5%)。电源电压为±6~±18V。输出电流大,谐波失真和交越失真小(±14V/4欧姆,THD=0.5%)。具有优良的短路和过热保护电路。其接法分单电源和双电源两种,如图3-3-2所示。

二、集成音频功率放大器组装 (一)电路组成与工作原理

电路原理如图3-3-3,该电路由左右两个声道组成,其中W101为音量调节电位器,W102低音调节电位器,W103为高音调节电位器。输入的音频信号经音量和音调调节后由C106、C206送到TDA2030集成音频功率放大器进行功率放大。该电路工作于双电源(OCL )状态,音频信号由TDA2030的1脚(同向输入端)输入,经功率放大后的信号从4脚输出,其中R108、C107、R109组成负反馈电路,它可以让电路工作稳定,R108和R109的比值决定了TDA2030的交流放大倍数,R110、C108和R210、C208组成高频移相消振电路,以抑制可能出现的高频自激振荡。图3-3-4为电源电路,为功放电路提供15-18V 的正负对称电源。

图3-3-2 TDA2030应用电路图

图3-3-3TDA2030集成音频功放电路原理图

(二)电路元器件选择

TDA2030为功率元件,使用过程中将会产生大量热量,要求安装到足够大的散热片上。信号输入插座采用双孔莲花插座,功放输出插座和电源连接采用便于接线的接线端子。其余元件的选择可以参见表3-3-2。

表3-3-2 集成音频功放电路元件清单

(三)电路安装与调试

元件分布图如图3-3-5电路,按图安装。

图3-3-5TDA2030集成音频功放元件分布图

二、TDA2030集成音频功放电路调试和故障的维修

由于集成音频功放电路结构简单,元件数量较分立元件功放少了很多,其维修方法可以参考分立元件OCL功放电路进行。

维修中要求熟悉集成电路的相关引脚功能,可以通过在线测量各引脚的电阻和工作电

压,对比正常时的相关参数进行检修。

一、常用集成音频功放电路简介

上个世纪80 年代以前,输出功率仅几瓦的声频功率放大器都要采用分立元件来制作。进入80年代后,国内开始研制生产出一些小功率的功放IC,但由于这些功放IC的性能指标不佳,尤其是可靠性比较差,很快就被国外生产的功放IC所取代。日本生产的HA1392、TA7240曾经是80年代用得非常普遍的功放IC。HA1392与TA7240的输出功率都只有4W ~ 6W。HA1392的工作频率上限较低,电源极性接反就即刻损坏。TA7240的外围电路设计难度较大,静音控制易受外界干扰而产生误动作。意法SGS公司在80年代初开发生产的TDA2030A算是比较好的一款功放IC,它的输出功率能够达到12W以上。尽管SGS公司

在TDA2030A基础上又研制出TDA2040、TDA2050功放IC,使输出功率能够达到24W,但由于它们的电源适用范围只有±22V,如果使用未经稳压的整流滤波直流电供电,它们实际上都只能给4Ω负载输出12W功率。美国NS公司在80年代开发生产的LM1875功放IC,比SGS公司生产的TDA2030A功放IC输出功率高出一倍,原因就在于它的电源适用范围可以达到±30V。如果使用稳压直流电供电,TDA2030A与LM1875实际上都能在±18V供电条件下给4Ω 负载输出24W正弦波有效功率。而且提高供电电压,除了使LM1875在更低的输出功率下发生功耗过载保护动作外,并不能增大输出功率。作为早期开发的功放器件,TDA2030A与LM1875都没有静音控制功能,对电源纹波的抑制能力也不够强。荷兰菲利普公司在意法SGS公司推出TDA2030A之后不久,也开发生产出一款性能指标类同的TDA1521Q双功放IC。该款功放IC的电源适用范围也是±22V,能够同时给两个4Ω负载分别输出12W功率。由于TDA1521Q已把决定放大倍率的负反馈电路做在IC内部,使用上相对比较简便。此后,菏兰菲利普公司又推出一款型号为TDA1514A的高性能功放IC,产品介绍资料上称它能够输出40W的功率。但是,实际的使用实验证明:在使用稳压直流电源供电的情况下,TDA1514A能够可靠工作的电源电压只到±18V,给4Ω负载输出的正弦波有效功率为24W。如果将电源电压提高到±20V以上电压,TDA1514A将出现过载保护动作,而且所进行的过载保护动作表现为半波截止输出。这样,人们只能把TDA1514A的工作电压设计为与LM1875相同的工作电压。

在90 年代以前,电子器件生产厂商提供的功放IC输出功率实际都在30W以下。在经过10多年的努力后,美国NS公司和意法SGS公司都在90年代期间相继开发生产出多款输出功率超过30W的功放IC芯片。其中,LM3876、LM3886是美国NS公司的代表作,TDA7294、TDA7295、TDA7296是意法SGS公司的代表作。这些功放IC芯片都具有很小的安装体积和多项安全保护功能,使用上很可靠。但同时也正因为功放IC芯片需要有很可靠的过热、过流、过压、过功耗等多项安全保护功能,生产厂家在设计IC芯片的内部保护电路时,可能会因为所采取的检测方式过于敏感或欠成熟,出现一些不够良好的问题。生产厂家没有在其产品介绍说明中将这些缺陷写出来,固然有可能是不希望自己的产品销售受到影响,但更多的原因是他们自己也未必发现了这些缺陷,而需要用户在使用过程中将发现的问题反馈给生产厂家,他们再去改进开发新的器件。譬如,美国NS公司的音响工程师曾给我推荐使用他们生产的功放IC,其中有一款型号为LM4701(样品型号为LM4700),该款功放IC据说是替代LM1875的器件,它具有静音控制功能,输出功率比LM1875高。但实际的使用证明:LM4701在推动4Ω负载时能够正常工作,不出现误保护动作的电源电压不

可以超过±20V,最大输出功率只有20W。如果电源电压超过±20V,譬如为±22V时,输出功率不但不会增大,100Hz以下低声频段能够正常输出的功率会降低到只有10W。虽然在±26V稳压电源供电下,LM4701可以给8Ω负载输出25W功率,但因其电源实用范围只有±32V,在使用非稳压直流电源供电情况下,LM4701可以给8Ω负载输出的功率还达不到20W。又譬如,意法SGS公司生产的TDA7264双功放IC,产品介绍资料中标明它的最高工作电压为±25V,最大输出电流为4A,比TDA2030A的性能指标(最高工作电压为±22V,最大输出电流为3.5A)要高。但实际的使用证明:TDA7264在推动4Ω负载时,能够可靠工作,不出现误保护作的电源电压不可以超过±15V,相应的输出功率只有2×12W。此外,TDA7264工作时器件上的发热温度(测试点放在IC金属片上)应保持在70℃以下。否则,TDA7264的内部过热保护电路会因为IC在较高的发热温度下工作产生累积效应,在连续工作30分钟后出现“软保护”而使其能够输出的功率降低到正常值的1/4以下。本来,理想的过热保护功能应该是在功放IC的发热温度达到最高允许值时关断输出,待其温度冷却至比最高允许值低若干度时重新恢复输出。TDA7264工作之后,发热温度在短时间内达到110℃也没有出现过热保护,工作情况良好,人们会因此误认为TDA7264具有很好的温度特性而降低对它的散热要求。美国NS公司在80年代生产的LM1875功放IC虽然没有静音功能,但其内部设计的过热保护功能已接近理想要求,因此直到如今还继续被音响生产厂大量选用。但是美国NS公司在90年代生产的LM3875、LM3886大功率功放IC,在过热保护功能方面的表现却很令人失望!尤其是采用陶瓷绝缘封装的功放IC,因其导热状况不佳,LM3875在推动4Ω负载时,连10W以上的正弦波额定功率都不能连续输出。就是改成8Ω负载,陶瓷绝缘封装的LM3875能够正常输出30W正弦波额定功率的时间也仅能维持几秒钟就开始出现杂波。同样,陶瓷绝缘封装的LM3876,在推动4Ω负载时能够正常输出40W正弦波额定功率的时间也只能维持几秒钟就开始出现杂波。必须使用金属片导热的封装器件,并保持功放IC金属片上的发热温度不超过85℃,LM3875(或LM3876)、LM3886才能分别给4Ω负载正常的长期输出30W与50W正弦波额定功率。因此,人们在使用LM3875、LM3886等功放IC器件时,一定要给它们配上足够大的散热器。同时,用于给功放IC金属片绝缘的导热片厚度应尽可能薄,不要超过0.3mm,这样才能确保功放IC与散热器之间的温差只有几度。

二、前置放大器

在功率放大器之前,往往需要加入前置放大器,用于将各种音源送出的较微弱的电信号进行电压放大,对重放声音的音量、音调和立体声状态等进行调控。它通常由输入选择与均

衡放大电路、等响音量控制电路、音调控制电路等组成,见图3-3-6。

图3-3-6 前置放大器组成方框图

前置放大器由于工作在功放电路的前端,它产生的声音失真将由功放电路放大,产生更大的失真。因此,对前置放大器要求信噪比要高、谐波失真度要小、输入阻抗要高、输出阻抗要低、立体声通道的一致性要好、声道的隔离度要高等。

1. 音源选择电路

用于音源与前置放大器的选通。图3-3-7为飞利浦公司生产的TDA1029音源电子开关电路。该音源电子开关可以对输入的4组立体声信号进行选通。

图3-3-7 音源选择电路

2. 前置放大电路

通常由分立元件或集成电路构成,集成电路的特点是增益高,噪声小,含有补偿电路,双通道一致性好,电路简单,安装、调试方便,在实际产品中常常使用集成电路小信号音频

电压放大电路,如NE5532、TL082等,见图3-3-8。

图3-3-8 集成前置放大电路

3. 音调控制电路

主要用于对音频信号各频段内的信号进行提升或衰减控制。一般分为RC衰减式音调控制电路、RC负反馈式音调控制电路两种形式。

(1)RC衰减式音调控制电路,如图3-3-9。

RP1是低音控制电位器,调节RP1对中高音的影响不大,而对低频信号的影响较显著;RP2是高音控制电位器,调节RP2对中低音的影响不大,而对高频信号的影响较显著。

图3-3-9 RC衰减式音调控制电路

(2)RC负反馈式音调控制电路,如图3-3-10。

RP1是低音控制电位器,当动片滑到最左端时,低音呈最大提升状态,当动片滑动到最右端时,低音呈最大衰减状态。RP2是高音控制电位器,当动片滑到最左端时,对高音呈最大提升状态,当动片滑到最右端时,对高音呈最大衰减状态。

图3-3-10 RC负反馈式音调控制电路

4. 音量控制电路

其作用是调节馈入功放的信号电平,以控制扬声器的输出音量。包括电位器音量控制和电子式音量控制电路两种形式,如图3-3-11。电位器音量控制电路(左图)采用指数型电位器构成分压电路,直接控制信号电平。电子音量控制电路采用间接方式控制音量大小,可以克服电位器音量控制电路的缺点。偏流调节型音量控制电路如下图右图所示。

图3-3-11 音量控制电路

5.等响控制电路

其作用是在小音量放送音乐时利用频率补偿网络适当提升低音和高音分量,以弥补人耳听觉缺陷,达到较好的听音效果,常有以下两种电路形式。

(1)抽头电位器响度控制电路,如图3-3-12所示。

R1,C1,C2和抽头电位器组成频率补偿网络,电位器滑动触点既能控制输出音量,又能实现响度控制。

图3-3-12 抽头电位器响度控制电路

(2)独立响度控制电路,如图3-3-13所示。

独立于音量控制的响度控制电路,常应用于在音量遥控的音响系统中,电路中的响度控制开关(图中S1)由遥控电路控制。当S1置于ON位置时,响度控制电路具有低音补偿作用,在不同音量的情况下具有相同的低音提升量;当S1置于OFF位置时,电容C1被短路,因而电路无响度频率补偿作用。

图3-3-13 独立响度控制电路

6.平衡控制电路

其作用是调整左、右声道增益,使两声道增益相等,即用来校正左右声道的音量差别,使左右扬声器声级平衡,电路非常简单,通常由一个同轴双联电位器便可完成。

7.图示均衡器(Graphic Equalizer,缩写为GEQ),也称为多段频率音调控制电路。它可以对整个音频范围内以若干个频率点为中心的频段分别进行提升或衰减的控制,从而实现对音质的精细调整。根据分段的多少可以分为5段、7段、10段、15段、27段、31段等几种。各个频率点的分布可以根据1/3倍频、2/3倍频、2倍频或3倍频进行变化。如按照3倍频变化的5段频率图示均衡器的频率点为100Hz、330Hz、1kHz、3.3kHz、10kHz。其电路结构如图3-3-14,各LC串联谐振支路对其谐振频率f0的信号呈现最小阻抗。中心频率f0分别为100 Hz、330Hz、1kHz、3.3kHz、10kHz。调节RP1~RP5可分别对各频率点信号的输出进行衰减或提升。

图3-3-14 LC串联谐振式图示均衡电路

【做一做】

根据你的理解和实际条件,制作一款集成音频功放电路,在它之前加入相关声音信号

处理电路,感受一下有什么变化,谈谈它有什么特性。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电路第三版课后习题答案详解

N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。 解:在20℃时的反向电流约为:3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为:321080 A A μμ ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子线路习题习题答案(DOC)

第一章 1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度D N =?214 10cm 3 -。 (1)求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P 型或N 型。 (2 若再掺入受主杂质,其浓度A N =?31410cm 3 -,重复(1)。 (3)若D N =A N =1510cm 3 -,,重复(1)。 (4)若D N =16 10cm 3 -,A N =14 10cm 3 -,重复(1)。 解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -,施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-,所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 (2)因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ,所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 (3)因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 (4)因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 (cm 3 -)>>i n ,所以,多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104(cm 3 -)

该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0.7V 。 (1) 试求流过二极管的直流电流。 (2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少? 解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 (1)设二极管为理想二极管,试问流过负载L R 的电流为多少? (2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ,试问流过负载L R 的电流是多少? (3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ,()Ω=20on D r ,试问流过负载的电流是多少? (4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少? (5)增加电源电压E ,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化? 解:(1)100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3

模拟电子技术试卷五套 含答案

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则 复合后的 b 约为( )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模拟电子电路技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题(每空1分,共32分) 1、空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为() 3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。 4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是()控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic也() 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。 9、反馈导数F=()。反馈深度是()。 10、差分放大电路能够抑制()信号,放大()

信号。 11、OCL电路是()电源互补功放,OTL是()电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。低频信号称为()、高频信号称为()。13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。 二、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

20个常用模拟电路

一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性:二极管的PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型: 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程: 当u 2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载R L 是的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压;在u 2的负半周,u 2的实际极性是下正上负,二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止,负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析:电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变,因而负载两端的电压也不会突变,使输出电压得以平滑,达到滤波的目的。 波形形成过程:输出端接负载R L 时,当电源供电时,向负载提供电流的同时也

向电容C充电,充电时间常数为τ 充=(Ri∥R L C)≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响,电容上电压将随u 2迅速上升,当ωt=ωt 1 时,有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0,所有二极管截止,这时电容C通过R L 放电,放电时间常数为R L C,放 电时间慢,u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时,u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大,又开始充电过程,u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0,ωt 3 后,电容通 过R L 放电。如此反复,周期性充放电。由于电容C的储能作用,R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大,要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间,输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧(3~5)T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中,经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ,每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度,但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点:两者区别为:信号滤波器用来过滤信号,其通带是一定的频率范围,而电源滤波器则是用来滤除交流成分,使直流通过,从而保持输出电压稳定;交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点:都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时,电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中,常有R<<ωL,所以有Z≈

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别:对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人,栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs,那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为当咲?定,而l,SD持续增人时,则相应的1&;减小,近漏极端的沟道深度进-步减小,直至沟道预夹断,进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化,而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)Ks = 5V且仏二IV: (2)= 2V 且仏二: (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V;, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7;[(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V;, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区,咕=0 (4)根据条件匕2?,%>(沧一?),该场效应管工作在饱和区B =4;学(心 -%)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确宦夹断电压或开启电压值。

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

常见的20个基本模拟电路

电子电路工程师必备的20种模拟电路 对模拟电路的掌握分为三个层次:初级层次:是熟练记住这二十个电路,清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者,只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟 电路。 中级层次:是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用,每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响,测量时参数的变化规律,掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向,相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小,信号与阻抗的关系。有了这些电路知识,您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。高级层次是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后,只要您愿意,受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性:伏安特性曲线:理想开关模型和恒压降模型: 2、桥式整流电流流向过程:输入输出波形: 3、计算:Vo, Io,二极管反向电压。 二、电源滤波器

1、电源滤波的过程分析:波形形成过程: 2、计算:滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器1、信号滤波器的作用:与电源滤波器的区别和相同点:2、LC 串联和并联电路的阻抗计算,幅频关系和相频关系曲线。3、画出通频带曲线。计算谐振频率。 四、微分和积分电路 1、电路的作用,与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析,画出电压变化波形图。 3、计算:时间常数,电压变化方程,电阻和电容参数的选择。 五、共射极放大电路 1、三极管的结构、三极管各极电流关系、特性曲线、放大条件。 2、元器件的作用、电路的用途、电压

电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答

第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下,他们分别属于哪种类型的滤波电路(低通、高通、带通、带阻)?并定性画出其幅频特性。 (1)理想情况下,当0f =和f →∞时的电压增益相等,且不为零; (2)直流电压增益就是它的通带电压增益; (3)理想情况下,当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益; (4)在0f =和f →∞时,电压增益都等于零。 解:(1)带阻 (2)低通 (3)高通 (4)带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。 (1)希望抑制50Hz 交流电源的干扰; (2)希望抑制500Hz 以下的信号; (3)有用信号频率低于500Hz ; (4)有用信号频率为500 Hz 。 解:(1)带阻 (2)高通 (3)低通(4)带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器,它的直流电压增益为60dB ,3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ,10KHz ,100KHz 和1MHz 时的增益。 解:H Z o 100H ,60dB f A ==,其幅频特性如图所示

3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的,图中C=0.1μF ,R=5K Ω。 (1)确定其截止频率; (2)画出幅频响应的渐进线和-3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解:L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子电路第4章答案

简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(V DS >0V ,V GS >V T ),画出P 沟道增强型MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ,那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为D i 。当SG v 一定,而SD v 持续增大时,则相应的DG v 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至DG t v V =,沟道预夹断,进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化,而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ,其n k '=50μA/V 2,V t =1V ,以及W /L =10。求下列情况下的漏极电流: (1)V GS =5V 且V DS =1V ; (2)V GS =2V 且V DS =; (3)V GS =且V DS =; (4)V GS =V DS =5V 。 (1) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V <-,该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <,该场效应管工作在截止区,D 0i = (4) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(V DS >0V ,V GS >V T ),画出P 沟道增强型MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ,那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为D i 。当SG v 一定,而SD v 持续增大时,则相应的DG v 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至DG t v V =,沟道预夹断,进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化,而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ,其n k '= 50μA/V 2,V t = 1V ,以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)V GS = 5V 且V DS = 1V ; (2)V GS = 2V 且V DS = 1.2V ; (3)V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ; (4)V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V <-,该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <,该场效应管工作在截止区,D 0i = (4) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。

模拟电子技术电路设计

一、课程设计目的 1通过课程设计了解模拟电路基本设计方法以及对电路图进行仿真,加深对所学理论知识的理解。 2通过解决比较简单的电路图,巩固在课堂上所学的知识和实验技能。 3综合运用学过的知识,并查找资料,选择、论证方案,完成电路设计并进行仿真,分析结果,撰写报告等工作。 4 使学生初步掌握模拟电子技术电路设计的一般方法步骤,通过理论联系实际提高和培养学生分析、解决实际问题的能力和创新能力。 二、方案论证 2.1设计思路 一般来说,正弦波振荡电路应该具有以下四个组成部分: 1.放大电路 2.反馈网络 3.选频网络 4.稳幅环节 其中放大电路和反网络构成正反馈系统,共同满足条件1=? ? F A 选频网络的作用是实现单一频率的正弦波振荡。稳幅环节的作用是使振荡幅度达到稳定,通常可以利用放大元件的非线形特性来实现。 如果正弦波振荡电路的选频网络由电阻和电容元件组成,通常成为RC振荡电路。 2.2工作原理

1.电路组成 振荡电路的电路图如2.3原理图所示。其中集成运放A 工作在放大电路,RC 串并联网络是选频网络,而且,当 f f o = 时,它是一个接成正反馈的反馈 网络。另外,R f 和R ' 支路引入一个负反馈。由原理图可见 RC 串并联网络中的串联支路和并联支路,以及负反馈支路中的R F 和R ' ,正好组成一个电桥的四个臂,所以又称文氏电桥振荡电路。 2.振荡频率和起振条件 (1)振荡频率 为了判断电路是否满足产生振荡的相位平衡条件,可假设在集成运放的同相输入端将电路断开,并加上输入电压? Ui 。由于输入电压加在同相输入端,故集成运放的输出电压与输入电压同相,即0=A ?已经知道,当 f f o = 时,RC

模拟电路基础 教案

教师教案(2011—2012学年第一学期) 课程名称:模拟电路基础 授课学时:64学时 授课班级:20XX级光电2-4专业任课教师:钟建 教师职称:副教授 教师所在学院:光电信息学院 电子科技大学教务处

第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求(按节或知识点分配学时,要求反映知识的深度、广度,对知识点的掌握程度(了解、理解、掌握、灵活运用),技能训练、能力培养的要求等) 1.1 半导体材料及其特性:理解并掌握本征半导体与杂质半导体(P型与N 型)的导电原理,本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别;理解并掌握PN结的形成原理(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);理解PN 结的单向导电特性与电容效应。(2学时) 1.2 PN结原理:PN结的形成:耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义,PN结的单向导电特性,不对称PN结。(2学时) 1.3 晶体二极管及应用:理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程;理解二极管特性随温度变化的机理;理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别;理解并掌握二极管主要参数;了解不同种类二极管区别(原理),了解硅管与锗管的区别;理解稳压二极管的工作原理。(4学时) 二、教学重点、难点及解决办法(分别列出教学重点、难点,包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题;哪些内容要深化,那些内容要拓宽等等) 重点:半导体材料及导电特性,PN结原理,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点:晶体二极管及应用,PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计(如何讲授本章内容,尤其是重点、难点内容的设计、构思) 重点讲解二极管的单向导电性,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用:设计基本稳压管及电路。

经典的20个模拟电路原理及其电路图汇总

经典的20个模拟电路原理及其电路图对模拟电路的掌握分为三个层次:初级层次:是熟练记住这二十个电路,清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者,只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。 中级层次:是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用,每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响,测量时参数的变化规律,掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向,相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小,信号与阻抗的关系。有了这些电路知识,您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。 高级层次:是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后,只要您愿意,受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性: 伏安特性曲线: 理想开关模型和恒压降模型: 2、桥式整流电流流向过程: 输入输出波形: 3、计算:Vo, Io,二极管反向电压。

二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析: 波形形成过程: 2、计算:滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器 1、信号滤波器的作用: 与电源滤波器的区别和相同点: 2、LC 串联和并联电路的阻抗计算,幅频关系和相频关系曲线。 3、画出通频带曲线。 计算谐振频率。

四、微分和积分电路 1、电路的作用,与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析,画出电压变化波形图。 3、计算:时间常数,电压变化方程,电阻和电容参数的选择。

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