模拟电子书后习题答案第7篇

模拟电子书后习题答案第7篇
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【7-1】判断图7.12.1(a)和(b)电路的反馈组态。

(a)

(b)

图7.12.1 题7-1电路图

的负号;对图(b)为(-),不是负载电阻 R L 下方的正号。

【7-2】图7.12.2中各运算放大器是理想的,回答:

1. 图(a)、(b)、(c)、(d)各电路是何种反馈组态?

2. 写出图(a)、(c)的输出电压表达

式,图

(b)、(d)是输出电流表达式。

3 ?说明各电路具有的功能。

—R f

R i

R

A +

Y +

R L

U

O

解:

(a )电流串联负反馈

图5-8 题5-8电路图

(b )电流并联负反馈。 注意反馈信号是从电阻

R 上取出的对地的信号,对图

⑻为(+),不是负载电阻 R L

(a)

(b)

(a) (b) (c) (d)

解:

电压串联负反馈。

R4 R1 R2

A”13 10 130 图7.12.2 题7-2电路图

解:

(a)电压串联负反馈

R

U O (1耳)U S,电压放大。

(b) 电流串联负反馈

(c) 电压并联负反馈

(d)电流并联负反馈

U S

I O-,电压电流变换电路。

R

U O I-R f,电流电压变换电路。

I —R2 R i R2

I。I i I—丄二I——-I —,电流放大。

R R

【7-3】分析图7.12.3(a)和

(b)电路的级间反馈组态。

解:

(a)交流电压串联正反馈(b)交流电压并联负反馈

【7-4】图7.12.4所示电路中,R4 R3 10,R2 R1类型,列写出输出与输入的关系表达式,并计算闭环增益12,试判断电路中存在的反馈A,”与反馈系数

Fu。图7.12.3

图7.12.4 题7-4电路图

【7-5】分析图7.12.5中电路的级间反馈,回答:

1 ?电路的级间反馈组态是什么?

2 ?电压放大倍数U o大约是多少?

解:

1 ?电压并联负反馈。

2. A uf= -1

【7-6】电路如图7.12.6所示,运算放大器是理想的。要求:

1. 判断电路存在何种反馈?

2. 写出电压放大倍数的表达式。

解:

级间存在电压串联负反馈。

U I3

U F U1 (R8

R5

U

R4 R5

R9 )

飞)Uo3

U O3 (1

R7

A Uf F U O

U F

R

R8 R9

____ 1

( R9 )(住R7)甩

R8 R9 R6 R4

R6)U|3

R5

U o

R6 R4 R5 O

(只8 R g)(R4 R5)R6

(R6 R7 )R5R9

【7-7】差动放大电路如图7.12.7所示。

1. 分析电路级间交流反馈组态,如果是负反馈,在深度负反馈条件下

札的值;

图7.12.5 题7-5电路图

R7

题7-6电路图

图7.12.6

解:

1?图5-4电路为交流电流串联负反馈,在深度负反馈条件下,忽略 R e4对地的交流电压

2?为保证R L 变化时,输出电压U o 有稳压作用,反馈应如何改动?画出改动后的电路,

R f 支路的分流作用,

电压反馈系数

F uu

U e4

U f

UT

所以A uuf 的表达式

A uuf

1 F

uu

R e4U ° R c4 // R L

R e4 R b2

(R f R b2)(R c4〃R L ) (R f

R b2)(R c4〃R L )

R e4 R b2

2 ?为保证图5-4电路R L 变化时,输出电压 U o 有稳压作用,反馈应按图

5-4(b)改为电压

串联负反馈。

R c2

凡1 —CZF +

U i

R c 4

+V CC

VT i

3 Rf 十 -CZF

j

才 VT 4R L

L

VT 5

R e 4

-V CC

图 5-4(b) 改为电压串联负反馈

改动后电路的A uuf 为

A uuf

丄1 &

F uu

R b2

U o

R e3

? 一

【7-8】放大电路如图7.12.8所示,试回答:

1. 要

求R L变化时U O基本不变,应如何引入反馈(在图中标出) ;

2. 在深度负反馈

条件下,引入反馈后的电压放大倍数A u“的表达式;

3?若运算放大器A允许的最大共模输入电压为

最小值是多少?

解:

1 .图⑻是运放A1、A2各自都有电压串联负反馈;

成电压串联负反馈,环内的开环增益更大。

2. 图⑻的电压增益为A u=A u1A u2=10 10=100。

3. 若要图(b)电路的电压增益也是100倍

A uu=1+( R6/R8)=1+( R6/1k )=100,所以R6= 99 k

10V (V cc=15V),则R c 允许的

解:

1?应接入电压负反馈,根据图

电阻R f,接在输出端与B2之间。

5-6 的电路,弓I入电压串联负反馈比较合适,即加入

2.电压增益为A uuf

3?由U C1 U C2 V CC 1 CQ R c 15

R L

0.1 R c 10V ,解得R cmin =50k。

【7-9】电路如图7.12.9(a)和(b)所示,A^

1.比较图

2?计算图

3. 若要图

4. 若A1、

A2是理想运

放,

(a)和(b)在反馈方式上的不同;

a)电路的电压放大倍数;

(a)和图(b)两个电路的电压放大倍数相同,图

试回答:

A 2的开环电压增益都是100倍,其他条件仍为理想,与第

(b)中电阻R6应该多大?

2和第3项中

图(b)是A i和A2联合在一起构U

i

(a) (b)

U

o

图7.12.9 题7-9电路图

的结果相比较,试求图(a)和图(b)两个电路的电压放大倍数相对误差各为多少?由此说明什

么问题?

4. 加入负反馈后

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

大学模拟电路作业部分答案-第7章部分习题解答

20XX年复习资料 大 学 复 习 资 料 专业: 班级: 科目老师: 日期:

7.3 111 12m 2m ln 779REF CC BE REF C REF C T O E O E I R V U I A I I A I U I R I R ?=-=≈== =Ω 同理: 2 1.3k E R =Ω 7.5如图题7.5所示的放大电路。设所有三极管β=50,U BE =0.6V ,r ce =20XXXX0k Ω, 同时要求输入为零时输出为零。(1)求R 4阻值。(2)放大电路的静态工作点。(3)求放大电路的源电压放大倍数、输入电阻及输出电阻。 u o u i +_ _ + +12V -12V R C1R 1R 2R 3 6.8k Ω 37k Ω 23k Ω 10k Ω +- R S U B =1V 500Ω R 4 T 1 T 2 T 3 图题 7.5 (1)对于VT3而言 1 312 333 3322=(12) 4.61m 1m B B BE EE B E C B C R U V R R U U V I A R I I I I A -=-+--= =≈≈≈= 对于VT1而言 11112110.008m 0.4m 8B BEQ B Q S C Q E Q B Q B Q CC C Q C U U I A R I I I A U V I R V β-= =≈===-?= 对于VT2而言

因为是零输入零输出的情况 224 4-=7.4k B Q BE E Q U U I R R ∴=Ω (2)由(1)可知 VT1: 120.008m 8B Q CEQ B Q I A U U V === VT2: 21m 4.6E Q CEQ I A U V == VT3: 3331m 12- 5.2E Q CEQ E Q I A U I R V ==?= (3)

模拟电子线路习题习题答案(DOC)

第一章 1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度D N =?214 10cm 3 -。 (1)求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P 型或N 型。 (2 若再掺入受主杂质,其浓度A N =?31410cm 3 -,重复(1)。 (3)若D N =A N =1510cm 3 -,,重复(1)。 (4)若D N =16 10cm 3 -,A N =14 10cm 3 -,重复(1)。 解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -,施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-,所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 (2)因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ,所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 (3)因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 (4)因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 (cm 3 -)>>i n ,所以,多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104(cm 3 -)

该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0.7V 。 (1) 试求流过二极管的直流电流。 (2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少? 解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 (1)设二极管为理想二极管,试问流过负载L R 的电流为多少? (2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ,试问流过负载L R 的电流是多少? (3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ,()Ω=20on D r ,试问流过负载的电流是多少? (4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少? (5)增加电源电压E ,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化? 解:(1)100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模拟电子技术试卷五套 含答案

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V, V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则 复合后的 b 约为( )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子电路技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题(每空1分,共32分) 1、空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为()反之称为() 3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。 4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是()控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic也() 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。 9、反馈导数F=()。反馈深度是()。 10、差分放大电路能够抑制()信号,放大()

信号。 11、OCL电路是()电源互补功放,OTL是()电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。低频信号称为()、高频信号称为()。13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。共基极电路比共射极电路高频特性()。14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。 二、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别:对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人,栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs,那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为当咲?定,而l,SD持续增人时,则相应的1&;减小,近漏极端的沟道深度进-步减小,直至沟道预夹断,进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化,而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)Ks = 5V且仏二IV: (2)= 2V 且仏二: (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V;, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7;[(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V;, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区,咕=0 (4)根据条件匕2?,%>(沧一?),该场效应管工作在饱和区B =4;学(心 -%)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确宦夹断电压或开启电压值。

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答

第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下,他们分别属于哪种类型的滤波电路(低通、高通、带通、带阻)?并定性画出其幅频特性。 (1)理想情况下,当0f =和f →∞时的电压增益相等,且不为零; (2)直流电压增益就是它的通带电压增益; (3)理想情况下,当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益; (4)在0f =和f →∞时,电压增益都等于零。 解:(1)带阻 (2)低通 (3)高通 (4)带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。 (1)希望抑制50Hz 交流电源的干扰; (2)希望抑制500Hz 以下的信号; (3)有用信号频率低于500Hz ; (4)有用信号频率为500 Hz 。 解:(1)带阻 (2)高通 (3)低通(4)带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器,它的直流电压增益为60dB ,3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ,10KHz ,100KHz 和1MHz 时的增益。 解:H Z o 100H ,60dB f A ==,其幅频特性如图所示

3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的,图中C=0.1μF ,R=5K Ω。 (1)确定其截止频率; (2)画出幅频响应的渐进线和-3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解:L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案

4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(V DS >0V ,V GS >V T ),画出P 沟道增强型MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ,那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为D i 。当SG v 一定,而SD v 持续增大时,则相应的DG v 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至DG t v V =,沟道预夹断,进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化,而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ,其n k '= 50μA/V 2,V t = 1V ,以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)V GS = 5V 且V DS = 1V ; (2)V GS = 2V 且V DS = 1.2V ; (3)V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ; (4)V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V <-,该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <,该场效应管工作在截止区,D 0i = (4) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。

模拟电子技术答案

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四川农业大学网络教育课程考试 模拟电子技术试卷 注意:答案直接填写在word试卷上,保存后再上传到机考平台,点交卷完成考试。 一、问答题(每题4分,共24分) 1、PN结是如何形成的? 答:在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合, 载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一 边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩 散 ,达到平衡. 在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P 型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性. PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定 程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁. 反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于,有负的温度系数,后者击穿电压大于,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变. 2、二极管正、负极性的判断方法? 答:(1)观察法 查看管壳上的符号标记,通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头一端为正极、另一端为负极。对于点接触型玻璃外壳二极管,可透过玻璃看触针,金属触针的一头为正极。另外,在点接触型二极管的外壳上,通常标有色点(白色或红色),一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端为负极。 (2)万用表检测法 将万用表置于“R×100Ω,”挡或“R×1kΩ,”挡,然后将万用表两表笔分别接到二极管的两端引脚上,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结

模拟电路基础 教案

教师教案(2011—2012学年第一学期) 课程名称:模拟电路基础 授课学时:64学时 授课班级:20XX级光电2-4专业任课教师:钟建 教师职称:副教授 教师所在学院:光电信息学院 电子科技大学教务处

第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求(按节或知识点分配学时,要求反映知识的深度、广度,对知识点的掌握程度(了解、理解、掌握、灵活运用),技能训练、能力培养的要求等) 1.1 半导体材料及其特性:理解并掌握本征半导体与杂质半导体(P型与N 型)的导电原理,本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别;理解并掌握PN结的形成原理(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);理解PN 结的单向导电特性与电容效应。(2学时) 1.2 PN结原理:PN结的形成:耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义,PN结的单向导电特性,不对称PN结。(2学时) 1.3 晶体二极管及应用:理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程;理解二极管特性随温度变化的机理;理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别;理解并掌握二极管主要参数;了解不同种类二极管区别(原理),了解硅管与锗管的区别;理解稳压二极管的工作原理。(4学时) 二、教学重点、难点及解决办法(分别列出教学重点、难点,包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题;哪些内容要深化,那些内容要拓宽等等) 重点:半导体材料及导电特性,PN结原理,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点:晶体二极管及应用,PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计(如何讲授本章内容,尤其是重点、难点内容的设计、构思) 重点讲解二极管的单向导电性,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用:设计基本稳压管及电路。

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置(V DS >0V ,V GS >V T ),画出P 沟道增强型MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ,那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为D i 。当SG v 一定,而SD v 持续增大时,则相应的DG v 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至DG t v V =,沟道预夹断,进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化,而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ,其n k '=?50μA/V 2,V t ?=?1V ,以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流: (1)V GS?=?5V 且V DS?=?1V ; (2)V GS?=?2V 且V DS?=?; (3)V GS?=?且V DS?=?; (4)V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V <-,该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <,该场效应管工作在截止区,D 0i = (4) 根据条件GS t v V …,()DS GS t v v V >-,该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图(a )P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时,求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?,则V GS 为多少?当晶体管的W 为原W 的二分之一时,求其相应的电阻值。 解:由题目可知,该晶体管工作在变阻区,则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-

大学《模拟电子》试题库及答案

单选题 为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用: 收藏 A. 共基极放大电路 B. 共射放大电路 C. 共集电极放大电路 回答错误!正确答案: B OCL互补对称功率放大电路,若电源电压为12V,则功放管的UCEO要: 收藏 A. 大于24V B. 等于24V C. 小于12V 回答错误!正确答案: A 即可以放大交流信号,也可以放大直流信号的放大电路,采用的耦合方式是:收藏 A. 直接耦合 B. 阻容耦合 C. 变压器耦合 回答错误!正确答案: A 理想情况下,差动放大电路双端输出时的共模电压放大倍数为: 收藏 A. 无穷大 B. C. 不知道 回答错误!正确答案: B “虚断”的概念源于运放的: 收藏 A.

差模输入电阻趋于无穷大 B. 输出电阻为0 C. 开环差模电压放大倍数Aud为无穷大 回答错误!正确答案: A 当负载发生变化时,欲使输出电流稳定,且提高输入电阻,放大电路应引入:收藏 A. 电流串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电压并联负反馈 回答错误!正确答案: A 正弦振荡电路的选频网络若由石英晶体构成,则称为: 收藏 A. 石英晶体振荡器 B. 电容三点式振荡器 C. RC振荡器 回答错误!正确答案: A 乙类功率放大的静态管耗为: 收藏 A. 无法计算 B. 1W C. 零 回答错误!正确答案: C 正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的: 收藏 A. 直流负反馈放大电路 B.

交流负反馈放大电路 C. 交流正反馈放大电路 D. 直流正反馈放大电路 回答错误!正确答案: C 低通滤波电路是: 收藏 A. 允许所有频率信号通过 B. 允许高频信号通过,将低频信号衰减 C. 允许低频信号通过,将高频信号衰减 回答错误!正确答案: C 允许某一频带范围内的信号通过,而将此频带之外的信号衰减的电路称为:收藏 A. 低通滤波器 B. 带阻滤波器 C. 带通滤波器 回答错误!正确答案: C 整流电路采用的是具有单向导电性能的整流元件: 收藏 A. 三极管 B. 二极管 C. 电容 回答错误!正确答案: B 积分电路可以用于波形变换,若输入为方波信号,则可得输出信号为: 收藏 A. 三角波 B. 正弦波 C.

模拟电子技术基础试题及答案 )

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA 变为2m A,那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降 UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈;【】 A.2V B.3V C.6V U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW, (2)当 i 则输出电压的幅值将;【】 A.减小 B.不变 C.增大 U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输(3)在 i 入电压,则输出电压波形将;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】 A.输入电阻增大B.输出量增大 C.净输入量增大D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。【】 A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻 增大

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A 卷(120 分钟)考试形式:开卷课程成绩构成:平时10 分,期中30 分,实验0 分,期末60 分 一(20分)、问答题 1.(4分)一般地,基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大?哪个最小? 2.(4分)在集成运算放大器中,为什么输出级常用射极跟随器?为什么常用射极跟随器做缓冲级? 3.(4分)电流源的最重要的两个参数是什么?其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载?在集成电路中采用有源负载有什么好处? 4.(4分)集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级? 5.(4分)在线性运算电路中,集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式?

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二(10分)、电路如图1所示。已知电阻R S=0,r be=1kΩ,R1∥R2>>r be。 1.若要使下转折频率为10Hz,求电容C的值。 2.若R S≠0,仍保持下转折频率不变,电容C的值应该增加还是减小? 图1 三(10分)、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V,硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V,R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。 图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四(10分)、电路如图3所示。已知三极管的β=50,r be=1.1kΩ,R1=150kΩ,R2=47kΩ,R3=10kΩ,R4=47kΩ,R5=33kΩ,R6=4.7kΩ,R7=4.7kΩ,R8=100Ω。 1.判断反馈类型; 2.画出A电路和B电路; 3.求反馈系数B; 4.若A电路的电压增益A v=835,计算A vf,R of和R if。 图3

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