模拟电路课件PPT (1)

模拟电路第五章课后习题答案演示教学

模拟电路第五章课后习题答案

mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.285 68(7566565=?=≈= VT1、VT2为差分对管，则有： mA mA I I I C C C 04.108.22 121521=?=== 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC =V EE =15V ，外接电阻R ＝100k Ω，其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω，R 4=2k Ω。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。解：此电路为多路比例电流源，其基准电流IREF 为： A mA mA R R U V V I BE EE CC REF μ29029.01 1007.015152=≈+-+=+-+= 各路电流源电流值为： A I I I R R I I REF C C C C μ29014142 11513=≈=== A A I R R I R R I REF C C μμ1452902 142144216=?=≈= 本题的意图是练习多路比例电流源的估算方法。

模拟IC设计进阶教学大纲

《模拟IC设计进阶》教学大纲第一章模拟IC设计进阶课程内容简介（2学时） 1. 低功耗蓝牙（BLE）Transceiver系统结构 2. 射频Transceiver中低频模拟电路介绍 3. CMOS工艺有源及无源器件介绍 4. gm/Id设计方法介绍及曲线仿真 5. Bandgap电路仿真及版图设计 6. LDO电路仿真及版图设计 7. 有源低通滤波器（LPF）仿真及版图设计 8. Cadence软件64bit仿真环境配置 9. 虚拟机平台使用及课程设计资料导入第二章 CMOS工艺有源及无源器件介绍（1学时） 1. MOS晶体管 2. BJT晶体管 3. 各类电阻 4. MIM电容和MOM电容 5．平面螺旋电感 6．变容二极管和变容MOS管第三章 gm/Id设计方法介绍及曲线仿真（1学时） 1. 基于查找表方式的gm/Id设计理念介绍 2. 固定L的gm/Id曲线仿真 3. ocean脚本仿真gm/Id曲线族第四章 Bandgap电路仿真及版图设计（6学时） 1. Bandgap参考电路基本原理分析 2. 电路原理图设计 2.1 Bandgap核心电路搭建

2.2 Bandgap中运算放大器搭建 2.3 Bandgap启动电路设计 3．电路原理图仿真方法 3.1 dc仿真及直流工作点查看 3.2 dc仿真温度参数扫描及温漂计算 3.3 stable稳定性仿真闭环参数及频率补偿 3.4 ac电源抑制比仿真 3.5 noise仿真噪声分析 4．可靠性设计 4.1 输入电压范围仿真 4.2 工艺偏差corner仿真 4.3 tran瞬态启动过程仿真 5. Bandgap版图设计 5.1 版图布局设计 5.2 差分对、电流镜、BJT、电阻版图匹配设计 5.3 版图连线、Multipart Path及guardring设计 6. calibre版图验证 6.1 drc及天线效应验证 6.2 lvs验证 7. 电路后仿真优化 7.1 calibre寄生参数提取 7.2 电路后仿真方法第五章 LDO电路仿真及版图设计（4学时） 1. LDO电路基本原理分析 2．LDO电路原理图设计 2.1 运算放大器设计 2.2 动态偏置源极跟随buffer设计 2.3 功率管及片外滤波电容设计 3．电路原理图仿真

“低频模拟电路课程设计”教学大纲

《低频模拟电路课程设计》教学大纲课程编号： E135, E136 适用专业:电子信息工程、通信工程、电子科学与技术、计算机应用等电子信息类本、专科专业。学时数：30 学分： 1.5 编写者：熊年禄编写日期： 2009.2.20 一、课程的性质和目的《低频模拟电路课程设计》是电子信息工程、通信工程、计算机科学与技术等专业的专业基础课，其基本理论只有通过实验才能灵活掌握，其电路分析和设计能力只有通过实验课程设计才能得到进一步提高。本课程的目的是使学生在理解常用低频模拟电路工作原理的基础上，加深学生对低频模拟基本理论知识理解，掌握低频模拟电路的设计方法，提高学生实际动手能力，为今后学习有关专业课以及为解决工程实践中所遇到的低频模拟电路问题打下坚实的基础。为今后从事计算机硬件软件综合开发和应用积累相关知识。使学生能更好的跨入数字电子技术系统行列的大门。本课程强调动手和硬件实验应用能力的锻炼，培养工程实践和电子设计创新的能力，养成理论联系实际和一丝不苟的实验工作作风，为今后从事电子信息工程方面的工作打下坚实基础。二、课程基本要求熟练掌握有关模拟电子线路实验技术，包括电子器件的识别和检测，仪器设备的使用和测量，单、多级电压放大器和负反馈放大器的安装和调试等。通过实验加深模拟电子线路有关理论的理解，并初步掌握电路的设计和综合。为今后学习有关专业课以及为解决工程实践中所遇到的低频模拟电路问题打下坚实的基础。. 熟悉低频模拟电路图的分类，掌握读图、焊接及测量、调试电路的一般方法。通过本课程的教学，学生应具备以下能力：（ 1 ）了解示波器、电子电压表、信号发生器、频率计和数字万用表等常用电子仪器的基本工作原理；掌握正确使用方法。

模拟电路第五章课后习题答案

模拟电路第五章课后习题答案案场各岗位服务流程销售大厅服务岗： 1、销售大厅服务岗岗位职责： 1)为来访客户提供全程的休息区域及饮品; 2)保持销售区域台面整洁; 3)及时补足销售大厅物资,如糖果或杂志等; 4)收集客户意见、建议及现场问题点； 2、销售大厅服务岗工作及服务流程阶段工作及服务流程班前阶段1）自检仪容仪表以饱满的精神面貌进入工作区域 2）检查使用工具及销售大厅物资情况，异常情况及时登记并报告上级。班中工作程序服务流程行为规范迎接指引递阅资料上饮品（糕点）添加茶水工作1）眼神关注客人，当客人距3米距离侯客迎询问客户送客户

注意事项 15度鞠躬微笑问候：“您好！欢迎光临！”2）在客人前方1-2米距离领位，指引请客人向休息区，在客人入座后问客人对座位是否满意：“您好！请问坐这儿可以吗？”得到同意后为客人拉椅入座“好的，请入座！” 3）若客人无置业顾问陪同，可询问：请问您有专属的置业顾问吗？，为客人取阅项目资料，并礼貌的告知请客人稍等，置业顾问会很快过来介绍，同时请置业顾问关注该客人； 4）问候的起始语应为“先生-小姐-女士早上好，这里是XX销售中心，这边请”5）问候时间段为8:30-11:30 早上好11:30-14:30 中午好 14:30-18:00下午好 6）关注客人物品，如物品较多，则主动询问是否需要帮助（如拾到物品须两名人员在场方能打开，提示客人注意贵重物品）； 7）在满座位的情况下，须先向客人致

待；阶段工作及服务流程班中工作程序工作要求注意事项饮料（糕点服务） 1）在所有饮料（糕点）服务中必须使用托盘； 2）所有饮料服务均已“对不起，打扰一下，请问您需要什么饮品”为起始； 3）服务方向：从客人的右面服务； 4）当客人的饮料杯中只剩三分之一时，必须询问客人是否需要再添一杯，在二次服务中特别注意瓶口绝对不可以与客人使用的杯子接触； 5）在客人再次需要饮料时必须更换杯子；下班程序1）检查使用的工具及销售案场物资情况，异常情况及时记录并报告上级领导； 2）填写物资领用申请表并整理客户意见；3）参加班后总结会； 4）积极配合销售人员的接待工作，如果下班

模拟电子技术——第1章习题及答案

思考与习题1 1.1填空题 1.Si或载流子；另一类是在Si或Ge 是多数载流子， ___单向导电性___ 3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触 4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______ 限流。 5.，其反向，正常工作电流为 6. 7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。 8. 11. 12. 13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于 16.W7805的输出电压为 5 V 17. 1.1 选择题 1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C） A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定 2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。（C） A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体 3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。（A） A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成

C ．少数载流子扩散形成 D ．少数载流子漂移形成 4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。（ C ） A ．大于变宽 B. 小于变窄 C. 大于变窄 D. 小于变宽 5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。 A ．0V 电压 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 6.二极管的反向电阻（ B ）。 A ．小 B ．大 C ．中等 D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在。（ C ） A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V 9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 1.3简答题、 1.当温度升高时，二极管的反向电流怎样变化？为什么？而其正向电压降又怎样变化？答：二极管的反向电流增加，因为温度升高时，漂移运动加强，其中电流增大。正向电压减少。 2.有这样一只整流二极管，用万用表测量其正反向特性都很好，但是安装到电路中作整流使用却不能正常使用，试问是什么原因？.答：该二极管内部出现软故障，在电路外因为没有工作电流，只有测量电流，其温度低，不会出现击穿，测量结果属于正常，但是接到电路时，由于通过电流较大，工作温度高，其就会出现击穿现象了。 3.题图1-1给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。 210题图1-1

模拟电路第五章课后习题答案

第五章习题与思考题 ? ?习题5-1图P5- 1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知 V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Q (需外接)。设各三极管的B 均足够大，试估算基准电流 I RE F 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。解: VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过 R 的基准电流IREF 为： ? ? 习题5-2图P5-2是集成比较器 BG307偏置电路的示意图。已知V EE =6V , R 5=85 Q, R 6=68Q, R 7=1.7k Q 。设三极管的B 足够大，试问 V TI 、V T 2的静态电流l ei 、|C2为多大？解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流 IR7为： ° 2U BE (V EE ) 0 2 0.7 6A 2.6mA R 6 R 7 68 1700 I C5 R 6 I C 6 R 6 I R7 (68 2.6)mA 2.08mA R 5 R 5 85 1 1 VT1、VT2 为差分对管，则有： I C1 I C2 T C 5 一 2.08mA 1.04mA 2 2 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ? ? 习题5-3图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设 V CC =V EE =15V ，外接电阻 R = 100k Q, 其他的阻值为 R 1=R 2=R 3=1k Q, R 4=2k Q 。设三极管B 足够大，试估算基准电流 I REF 以及各路偏置电流I C13、 I C15 和 I C16。 V CC V EE U BE REF R I 1 足够大 C3 I REF 1 2 15 15 1 0.7 A 29.3 A I C3 I REF 29.3 A 1 VT1、VT2为差分对管，则有： Id I C 2 I C 3 2 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 14.7 A 圈 P5-2 R7 十

模拟电路第五章课后习题答案

第五章习题与思考题 ◆◆习题5-1图 P5－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC=V EE=15V，偏置电阻R=1MΩ(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF以及输入级放大管的电流I C1、I C2。解：V T4、VT3、R组成镜像电流源，流过R的基准电流IREF为： A A R U V V I BE EE CC REF μ μ3. 29 1 7.0 15 15 = - + = - + = A I I I I REF C REF C μ β β3. 29 2 1 1 3 3 = ≈ ? ? ?→ ? + =足够大 VT1、VT2为差分对管，则有：A A I I I C C C μ μ7. 14 2 3. 29 2 1 3 2 1 ≈ ≈ = = 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆习题5-2 图P5－2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。已知V EE=6V，R5=85Ω，R6=68Ω，R7=1.7k Ω。设三极管的β足够大，试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大？解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流IR7为： mA A R R V U I EE BE R 6.2 1700 68 6 7.0 2 ) ( 2 7 6 7 ≈ + + ? - = + - - - = mA mA I R R I R R I R C C 08 .2 )6.2 85 68 ( 7 5 6 6 5 6 5 = ? = ≈ = VT1、VT2为差分对管，则有：mA mA I I I C C C 04 .1 08 .2 2 1 2 1 5 2 1 = ? = = = 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆习题5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC=V EE=15V，外接电阻R＝100kΩ，其他的阻值为R1=R2=R3=1kΩ，R4=2kΩ。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。

模拟电路第五章知识点总结

第五章放大电路反馈原理与稳定化基础一、反馈放大器的基本概念 1.反馈极性与反馈形式负反馈：与输入叠加后输入幅值降低。正反馈：与输入叠加后输入幅值升高。主反馈：从多级电路的末级向输入级的输入回路的反馈。局部反馈：多级电路中主反馈之外的反馈环路。直流反馈：电路中直流电压或直流电流的反馈。交流反馈：交流或动态信号的反馈。 2.理想反馈方块图和基本反馈方程式表征放大电路的输出量X o 、输入量X i （或X s ）和反馈量X f 之间关系的示意图统称方块图。理想方块图是指：①信号只沿箭头方向传输，即信号从输入端到输出端只通过基本放大电路，而不通过反馈网络；②信号从输出端反馈到输入端只通过反馈网络而不通过基本放大电路。基本反馈方程式： ()() ()()1()()o f i X s A s A s X s A s B s = = + 3.环路增益和反馈深度开环增益()A s 与反馈系数()B s 的乘积称为环路增益： ()()()T s A s B s = 反馈深度：

()1()1()() =+=+ F s T s A s B s 4.负反馈放大器的分类电压并联负反馈： i R F 电流串联负反馈： R L 电压串联负反馈：

v R L R 电流并联负反馈： i L R 二、负反馈对放大器性能的影响 1.闭环增益的稳定性闭环增益稳定性比开环增益稳定性提高到（1AB +）倍 2.输入电阻串联负反馈能使闭环输入电阻if R 增加到开环输入电阻i R 的1AB +倍；并联负反馈能使闭环输入电阻R if 减小到开环输入电阻R i 的1 1AB +。（或者说减小1AB +倍，注意说法区别）

模拟电子技术(第2版)第一章习题

第一章半导体二极管练习题一、填空 1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。 2.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。 3.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。 4.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。 5.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。 6.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。 7. PN结正偏是指P区电位N区电位。 8. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。 9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。 10.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。 11.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。 12.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。 13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。 14.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。 15.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。 16.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。 17.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。 18.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。 19.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。 20. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。二、单选题 1.下列符号中表示发光二极管的为（）。 2.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 3.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 4.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 5.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 6.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移

模拟电路复习资料

学习资料第一章半导体器件一、学习要求 1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、I S 、U BR 、I Z 、P ZM ) 2. 掌握三极管的输入和输出特性（1. 3.3） 3. 掌握场效应管的工作原理（如何形成导电沟道然后工作在恒流区） 4. 理解PN 结的单向导电性 5. 理解三极管的放大原理二、复习思考题 1. 选择正确答案填入空内。（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）在本征半导体中，电子浓度空穴浓度，在P 型半导体中，电子浓度空穴浓度。当PN 节外加正向电压时，扩散电流漂移电流。 2、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。试问：（1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？（2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 3、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

模拟电路第五章课后习题答案解析

第五章习题与思考题 ◆◆ 习题 5-1 图P5－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Ω(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。解：V T4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流IREF 为： A A R U V V I BE EE CC REF μμ3.291 7 .01515=-+=-+= A I I I I REF C REF C μβ β3.292 1133=≈???→?+ =足够大 VT1、VT2为差分对管，则有： A A I I I C C C μμ7.142 3 .2921321≈≈= = 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-2 图P5－2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。已知V EE =6V ，R 5=85Ω，R 6=68Ω，R 7=1.7k Ω。设三极管的β足够大，试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大？解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流IR7为： mA A R R V U I EE BE R 6.21700686 7.020)(20767≈++?-=+---= mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.285 68 (7566565=?=≈= VT1、VT2为差分对管，则有： mA mA I I I C C C 04.108.22 1 21521=?== = 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC =V EE =15V ，外接电阻R ＝100k Ω，其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω，R 4=2k Ω。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。

大学模拟电路答案第一章

第一章半导体材料及二极管习题类型 1．1半导体材料的导电特性； 1．2～1.9简单二极管电路的分析、计算； 1．10、1．11二极管限幅电路的分析、计算； 1．12～1.16稳压二极管电路的分析、计算； 1．17、1．18稳压管稳压电路的设计。 1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度，并说明材料导电特性的变化。解：（1）T=300K ，肯定成立 /cm3，/cm3。（2）T=550K ，应联立求解和。将，代入上二方程可得：由上式解出/cm3 /cm3。结论：在T=300K时，，材料呈现杂质导电特性。在T=550K时，，材料已呈现本征导电特性。 1.2当T＝300K时，Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：，两管已充分导通，故伏安关系近似为，由此，取mV（T=300K） V V。

题图1.2 1.3 在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下估算：（1）若反向饱和电流A，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。（2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？（3）若正、反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。解：（1）V=0.1V时，A； V=0.2V时，mA； V=0.3V时，A；（2）按题意由上式解出V （3） 1.4二极管的伏安特性可用来表示，设。如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端，试计算将有多大电流通过？电流值是否与实际情况相符？解：计算值，实际上，电流一旦超过允许的最大整流电流，管子就因过热而烧毁。 1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为，求输出电压时相应的输入电压。

模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案

1半导体二极管自我检测题一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。（A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。（A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于）图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第一章

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 GS 大的特点。( √) U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表T1.6 管号 U GS(th)/V U S /V U G /V U D /V 工作状态 T 1 4 -5 1 3 恒流区 T 2 -4 3 3 10 截止区 T 3 -4 6 5 可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS 管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。习题 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

模拟电子技术第五章

题5.1 某差动放大电路如图5-16所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。 2.差模电压放大倍数A ud = 12 11o ΔΔΔU U U - V CC (+12V) VT 1 u i1 R C u o R E R B VT 2 R C R B R W V EE (-12V) 10k Ω10k Ω u i2 20k Ω 20k Ω 10k Ω 解：1.静态工作点计算，令120i i u u == 1210.92(1)EE BE B B b e U U I I A R R μβ-== =++ 120.54C C B I I I mA β=== 12()(2)7.7CE CE CC EE C c e U U U U I R R v ==+-+≈ 2. 26(1) 2.75be bb E mv r r k I mA β'=++≈Ω 1222o c ud i i b be U R A U U R r β?= =-≈-?-?+ 题5.2 在图5-17所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 2．求差模电压放大倍数i2 i1o ud ΔU U U A ??-= 。 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR

V CC VT 1 u i1 R C u o R E VT 2 R C R V EE 2k Ω 2k Ωu i2 4.7k Ω R E 4.7k Ω1.2k Ω 解： 1.在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻Re;在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为Re 和R/2的并联。 2. 12 3.5(1)(//)2 od C ud i i be e U R A R U U r R ββ= =-=--++ 3.双端输出条件下： 3.5,0,u d u c C M R A A K =-==∞ 单端输出条件下： 1.75,0.4(1)OC C ud uc IC be e U R A A U r R ββ=-= =-=-++ 4.2ud CMR uc A K A = = 题5.3 在图5-18的电路中，T 1，T 2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE =0.6V 。 V CC VT 1 u i R C u o R E R B VT 2 R C R B R W V EE R 图5-18

模拟电子技术基础章节总结

模拟电子技术基础章节总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识 1．本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。 ·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 ·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。 ·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。 2．杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或

P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。 ·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 ·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。 ·在常温下，多子>>少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4．Pn结 ·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。·Pn结是非中性区（称空间电荷区），存在由n区指向P区的内建电场和内建电压；Pn结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；Pn结内的电场是阻止结外两区的 1 多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。 ·正偏Pn结（P区外接高于n区的电压）有随正偏电压指数增大的电流；反偏Pn结（P区外接低于n区的电压），在使Pn结击穿前，只有其值很小的反向饱和电流iS。即Pn结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第五章

第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是( A )。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( B )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。 A.耦合电容和旁路电容的存在 C.半导体管的非线性特性 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的( B )。 A. 0.5倍； B. 0.7 倍； C. 0.9 倍即增益下降( A )。 A. 3dB B. 4dB; C. 5dB (4)对于单管共射放大电路，当f =f L 时，U o 与U i 相位关系是( C )。 A . + 45o B. ?90o C. ?135o 当f =f H 时，U o 与U i 相位关系是( C )。 A . ? 45o B. ?135o C. ?225o 二、电路如图T5.2 所示。已知：V CC =12V ；晶体管的C μ=4pF ，f T =50MHz , '100bb r =Ω，β0 ＝80 。试求解：(1)中频电压放大倍数usm A ；(2) ' C π；(3)L f 和H f ；(4)画出波特图。图T5.2 解图T5.2 解：(1)静态及动态的分析估算： 22.6CC BEQ BQ b V U I A R μ-= ≈; (1) 1.8EQ BQ I I mA β=+≈ 3CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; '26(1) 1.17b e EQ mV r k I β=+? ≈Ω

模拟电子书后习题答案第5章

【5-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用耦合方式。 2. 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用耦合方式。 3. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们级连成两级放大电路，则其放大倍数为（a. 600，b. 大于600，c. 小于600） 4. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。 5. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的；而前级的输出电阻则也可视为后级的。 6．功率放大电路的主要作用是。 7．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据晶体管的大小来区分的，其中甲类放大；乙类放大；甲乙类放大。 8．乙类推挽功率放大电路的较高，这种电路会产生特有的失真现象称；为消除之，常采用。 9．一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管个。 10．理想集成运算放大器的放大倍数A u ＝，输入电阻R i ＝，输出电阻R o ＝。 11．通用型集成运算放大器的输入级大多采用电路，输出级大多采用电路。 1. 直接 2. 变压器 3. c 小于600 4. 105 ，100 5. 负载，后级的信号源，信号源内阻 6. 向负载提供足够大的功率； 7. 导通角，导通角为360°，导通角为180°，大于180°而小于360°； 8. 效率，交越失真，甲乙类工作状态； 9. 2，2。 10. ∞，∞，0 11. 差分放大，互补功率输出【5-2】电路如图5.12.1所示 1．写出i o u U U A =及R i ，R o 的表达式，设β1、β2、r be1、r be2及电路中各电阻均为已知。 2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真如何消除若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真又如何消除解： 1． o 1c1b2be22e2L 2e2L u i be11e1be22e2L ////[(1)(//)](1)(//) (1)(1)(//) U R R r R R R R A U r R r R R βββββ-?+++= =?++++ i b11b12be11e1////[(1)]r R R r R β=++

模拟电子技术第五章教学提纲

模拟电子技术第五章

题5.1 某差动放大电路如图5-16所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。 2.差模电压放大倍数A ud = 12 11o ΔΔΔU U U - V EE (-12V) 解：1.静态工作点计算，令120i i u u == 1210.92(1)EE BE B B b e U U I I A R R μβ-== =++ 120.54C C B I I I mA β=== 12()(2)7.7CE CE CC EE C c e U U U U I R R v ==+-+≈ 2. 26(1) 2.75be bb E mv r r k I mA β'=++≈Ω 1222o c ud i i b be U R A U U R r β?==-≈-?-?+ 题5.2 在图5-17所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50， r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 2．求差模电压放大倍数i2 i1o ud ΔU U U A ??-= 。

3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR V V EE 解： 1.在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻Re;在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为Re 和R/2的并联。 2. 12 3.5(1)(//)2 od C ud i i be e U R A R U U r R ββ= =-=--++ 3.双端输出条件下： 3.5,0,ud uc CMR A A K =-==∞ 单端输出条件下： 1.75,0.4(1)OC C ud uc IC be e U R A A U r R ββ=-= =-=-++ 4.2ud CMR uc A K A = = 题5.3 在图5-18的电路中，T 1，T 2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE =0.6V 。