NK510超外差接收芯片Datasheet
NK51
产品特征
●
300MHz 到440MHz 的频率范围 ● 工作电压：2.2V-3.6V ● 接受灵敏度高：-110dBm
● 数据传输速率达10kbps （固定模式） ●
低功耗
? 315MHz 下，最大工作电流2mA
433MHZ 下，最大工作电流2.5mA ? 关闭时的电流为0.9uA
? 扫描操作时（10：1任务周期操作）
电流为300uA
● 唤醒输出标记用来启动解码器和微处理器 ● 天线处的射频辐射非常低 ● 集成度高，外部器件需求少
应用领域
● 汽车远程无钥匙进入（RKE ）
● 远程控制
● 远程风扇和电灯控制 ● 车库门和门禁控制 0是一个ASK/OOK （开关键控）的单晶片射频接收集成电路设备。它是一个真正的“从天线接收到数据输出”的单片电路。所有的射频和中频的调谐都在集成电路里完成，这样可以无须手动调整并且降低成本。实现了一个高度可靠且低成本的解决方案。是一个采用16引脚封装且功能齐全的芯片，A/B/C/DL 采用了8引脚封装，功能稍有减少。 提供了两种附加的功能，（1）一个关闭引脚，在任务周期操作时可以用来关闭设备；（2）一个唤醒输出引脚，当接收到射频信号时，它可以提供一个输出标记。这些特点使得可以用在低功耗的应用上，比如RKE 和远程控制。
上提供了所有的中频滤波和数据解调滤波器，所以，不需要外部的滤波器了。四个解调滤波器的带宽可以由用户从外部控制。
提供了两种工作模式：固定模式（FIX ）和扫描模式（SWP ）。在固
定模式中，用作传统的超外差接收器。在扫描模式下，在一个较宽的射频范围内进行扫描。固定模式提供了更有选择性和针对性的工作模式，并且使得可以与低成本，精确度较低的发射器一起使用。
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1.目录
1.目录 (2)
2.典型的应用 (3)
3.订货须知 (4)
4.引脚框图 (4)
5.引脚的选择性 (5)
6.引脚定义 (5)
7.极限最大值（注释1） (6)
8工作额定值（注释2） (6)
9.电气特性 (7)
10.功能框图 (9)
11.应用说明和功能描述 (9)
12.设计步骤 (9)
12.1步骤1：选择工作模式 (10)
12.2步骤2：选择参考晶振 (10)
12.3步骤3.选择CTH电容 (12)
12.4步骤4：选择CAGC电容 (13)
12.5步骤5：选择解调器的带宽 (14)
13.其他应用程序信息 (15)
13.1天线阻抗匹配 (15)
13.2关机功能 (17)
13.3电源旁路电容 (18)
13.4可选带通滤波器可增加选择性 (18)
13.5数据噪声控制 (18)
13.6唤醒功能 (19)
14.封装信息 (20)
14.1 16引脚的SOP封装 (20)
14.2 8引脚的SOP封装 (20)
2.典型的应用
315MHz 800bps的开关键控接收器
433.92MHz 800bps的开关键控接收器
3.订货须知
4.引脚框图
标准的16引脚或者8引脚的封装
5.引脚的选择性
标准的16引脚允许完整的可配置型的控制。一些功能较少的8引脚的版本也有这个功能。
可以生产为高容量应用有额外的定制设备。SWEN，SEL0，SEL1引脚没有引出来，减少了引脚。引脚6可以定义成SHUT或者WAKEB。
表1.受SEL0，SEL1和操作模式控制的解调滤波器的带宽
6.引脚定义
NK510 Datasheet
7.极限最大值（注释1）
8.工作额定值（注释2）
NK510 Datasheet
9.电气特性
V DDRF=V DDBB=V DD，+3≤V DD≤3.3V，V SS=0V；C AGC=4.7uF，C TH=100nF；
SEL0=SEL1=V SS；固定模式（SWEN= V SS）；F REFOSC=4.8970MHz（相当于
f RF=315MHz）；数据速率=1kbps（曼彻斯特编码）。T A=25度，它的范围可以是-40度到85度；不特别指出的情况下，流入引脚的电流都是正电流。
射频部分，中频部分
参考晶振
解调器
NK510 Datasheet
数字/控制部分
注释1：超过最大值有可能会损坏设备。
注释2：该设备不能保证可以工作在该额定值外。
注释3：该设备对静电敏感，使用了适当的防静电措施。满足一类防静电测试需求，（人体模式），与MIL-STD-883C，3015条一致。不要在强静电场的附近操作或者存储。
注释4：灵敏度的定义为，在输入处测量的平均电平误码率为。射频输入阻抗匹配到50?。
注释5：虚拟反向隔离也就是在射频输入引脚（ANT）端的虚拟器件，它需要匹配到50欧
注释6：参数与参晶振f T成线性关系。对于任何除了4.8970MHz的参考振荡器，用该公式计算新的参数比：
时的参数值
注释7：参数与参考晶振f T成反比。对于任何除了4.8970MHz的参考振荡器，用该公式计算新的参数比：
时的参数值
注释8：串联电阻的谐振器（陶瓷谐振器或水晶）应最小化来满足可能性。如果谐振器中的串联电阻太大，振荡器可能被削弱到峰峰级别，或者可能完全不振荡。期望的射频建议陶瓷谐振器和水晶的串联电阻不超过50欧和100欧。推荐晶体参考应用指示35。
10.功能框图
图1.的框图
11.应用说明和功能描述
参照图1“框图”。系统框图里定义了集成电路的4个部分：降频转
频器模块，OOK 解调器模块，参考和控制模块，唤醒模块。图中还展示了2个电容（CTH ，CAGC ）和一个时钟器件，一般是晶振或者谐振器。除了电源去耦
电容，天线阻抗匹配网络，这些是用组装成完整的超高频接收器唯一需要的外部组件。 为了获得最佳的性能，强烈推荐使的天线阻抗匹配，匹配网络需要添加额外的2个或3个器件。 图中展示了4个控制输入引脚：SEL0，SEL1，SWEN 和SHUT 。用这3个逻辑输入，用户可以控制工作模式，和IC 的一些特性。这些输入端是CMOS 兼容的，并且内部拉高（或低）。中频带通滤波器响应衰减，然而数据解调滤波器是2阶响应。
12.设计步骤
下列步骤是使用接收器的基本设计步骤 1) 选择工作模式（扫描或者固定） 2) 选择参考晶振 3) 选择CTH 电容 4) 选择CAGC 电容
5) 选择数据调解滤波器的带宽
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12.1步骤1：选择工作模式
12.1.1.固定模式
应用在发射频率是精确设置的（比如，使用矩形波或晶振的发射器），
可以被用作标准的超外差接收器（固定模式）。在固定模式中，射频的带宽比较窄，这样使得接收器受干扰型号的影响不大。通过使SWEM 接地来选择固定模式。
12.1.2扫描模式
当与低成本的L-C 发射器联合使用时，需要工作在扫描模式下。在扫描模式下，如果拓扑结构还是超外差的，则本地晶振的扫描范围需要比数据的范围更大。这种技术有效的提高了射频的带宽，从而当收发器频率失调的情况下也能正常工作。由于最初的误差，老化，温度的影响，发射频率可能会有正负0.5%的浮动。在扫描模式下，误差不超过正常发射频率的1.5%是可以被捕获的。发射器有正负0.5%的误差时，可以不用调解接收器，而且并不影响系统的性能。 本地晶振扫描技术并不影响中频带宽，因此噪声性能相对于固定模式不会发生退化。中频的带宽是430MHz ，无论设备是工作在固定模式还是扫描模式。 由于本地晶振扫描过程的限制，在扫描模式下，数据传输的最快速度只有5.0kbps 。目前还无法做到与基于晶振的超外差接收器性能类似，这种接收器只可以与基于锯齿波或者晶振的发射器一起工作。 在扫描模式下，当有一个强大的干扰在扫描射频带宽时，扫描带宽将会减小。这是因为这个过程不佳选择的包括在扫描范围内的信号。可以替代大多数超再生接收器使用的地方。
12.2步骤2：选择参考晶振
所有对的调时和调优操作都源于内部的电容三点式参考晶振。调时和调优操作可以通过REFOSC 引脚进行操作，有3种方式：
1) 连接一个陶瓷振荡器 2) 接连一个晶振
3) 通过外部时钟信号来驱动这个引脚
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具体的参考频率与系统的发射频率和通过SWEN 引脚设置的接收器操作模
式相关。
12.2.1晶振或者陶瓷振荡器的选择 如果需要工作在固定模式，则推荐使用晶振。在扫描模式下，可以使用晶振或者陶瓷振荡器。当使用陶瓷振荡器时，最小电压为300mV PP 。如果使用外部的信号，它必须交流耦合并且限制在0.1V PP 到1.5V PP 的范围内。
12.2.2.选择参考晶振的频率f T （固定模式） 正如任何一个超外差接收器一样，理想情况下内部晶振频率f LO 和输入发射频率f TX 的混合等同于中频的中间频率。方程式1可以由给定的f TX 来计算出合适f LO ：
（
）
频率f TX 和f LO 多是以MHz 为单位的。注意到，对于给定的f TX ，f LO 会有两个值，它们可以区分为“高位混合”和“低位混合”。高位混合使得图像频率较高，低位混合使得图像频率较低。 选择f LO 值两个中的一个，使用方程式2来计算出参考晶振的频率f T ：
（ ）
f T 的单位是MHz 。把频率为f T 的晶振链接到的REFOSC 端。需要精确到小数点后4位。下面一张表格给出了一些常规的发射频率下的f T 值，是工作在固定模式下的。
表格2.固定模式，对于传统的发射频率下推荐的晶振值（高位混合）
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12.2.3选择REFOSC频率f T（扫描模式）
在扫描模式模式下的参考晶振f T的选择要比固定模式下内部振荡扫描过程简单很多。同时，参考频率的精确性的要求大幅放宽了。
在扫描模式下，f T可以用方程式3来计算出：
在扫描模式，参考晶振只需要精确到小数点后两位即可。若发射频率尤其不精确，则需要晶振。
表格3. 扫描模式，对于传统的发射频率下推荐的晶振值
12.3步骤3.选择C TH电容
通过使用外部的阈值电容CTH和片上选择电容RSC，如框图所示，来提取解调后信号的直流值用来对逻辑数据比较。
比较水平的时间常数值会由于解码器的类型，数据速率而有所不同，然而典型的值一般为5ms到50ms。优化的CTH值可以使其达到最大的范围。
12.3.1.选择电容C TH
第一步是要选择数据切片水平的时间常数。这个选择与系统解码响应时间和数据编码结构相关。这个问题涵盖了更多的细节在注释22可见。
有效的电阻R SC在电特性表中的值为145k?在315MHz，这个值与频率线性相关。在其他频率下CTH引脚的源阻抗如方程式（4）所示，其中f T的单位为MHz：
?
推荐比特率τ=5x。假定切片等级时间常数τ已经确定，电容CTH可由下面的方程式确定：
τ
一个标准的误差为±20% X7R陶瓷电容器通常可行。参考应用提示42有关C TH 和C AGC的选择案例。
12.4步骤4：选择C AGC电容
信号路径上有AGC（自动增益控制）来增加输入的动态范围。AGC的攻击时间常数由外部的链接到CAGC引脚的C AGC电容来确定。为了最大化系统的范围，保持AGC控制脉冲电压较低是十分重要的，一旦控制电压已经达到了他们的静止置，最好可以低于10mV PP。
AGC控制电压需要小心设定来满足的任务周期工作。当该设备被放
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置在关闭模式，AGC电容漂浮保留电压。当操作恢复时，只有由于电容漏电流而导致电压下降时才需要充电。当设备使用在任务周期工作模式下，推荐使用一个相对低漏电流的电容器。
为了进一步提高任务周期操作，在设备从关闭后恢复，AGC推挽电流推动大约10ms。这可以弥补AGC电容电压的下降，降低恢复正确AGC电压的时间。电流的推动因素为45。
12.4.1连续模式下，C AGC的选择
C AGC的电容值的推荐选择范围为0.47uF到4.7uF。C AGC电容值的选择必须使得使用大电容时，AGC上的电压浮动最小化。然而如果电容值过大，AGC可能会使输入信号产生延迟。AGC的停留时间，从一个完全放电（电压为0）的状态由方程式6给出：
此处：C AGC的单位为uF，的单位是秒。
12.4.2.任务周期模式下C AGC电容的选择
在关机时，CAGC电容电压下降，应在IC使能后尽快对其进行充电。正如上面提到的，在启动后立即提高推挽电流，系数为45。这个固定的时间NK51 0
周期是基于参考晶振的频率f T的。当f T=6.00MHz时，这个时间为10.9ms，改时间与f T成反比。
下降的极性是未知的，这意味着AGC的电压可以向上或向下低垂。最坏的情况是从一个向下低垂的时候恢复，因为AGC上拉电容为下拉电流的十分之一。向下低垂由方程式7给出：
此处：
I=AGC上拉电流在最初的10ms（67.5uA）
C AGC=AGC电容值
=下降恢复时间
=下降电压
比如，用户指定=10ms，C AGC=4.7uF，则允许的下降大约为144mV。使用相同的方程式，引脚漏电流的最坏情况200nA，假设1uA的方向相同的电容漏电流，则对于10ms的下降恢复，最大允许的（关闭时间）大约为0.56s
延迟到攻击的比率时间常数固定在10：1（也就是说，攻击时间常数为延迟时间常数的十分之一）。通常对于绝大多数的应用程序的设定值为10：1。如果需要调节，则该变量可以通过增加一个电阻与C AGC平行。电阻的值必须由案例的特殊性来确定。
12.5步骤5：选择解调器的带宽
输入SEL0和SEL1可以控制解调器的带宽，一共有4个二进制步骤（扫描模式下625Hz到5000Hz，固定模式下1250Hz到10000Hz），如表一。对于不同的应用要选择不同的带宽。解调器的带宽可以通过方程式8来确定：
解调器的带宽最短脉冲宽度
注意到，表一中的值都是额定值。滤波器的带宽与频率成线性关系，这依赖于工作频率。参考“电气特性”由选择的频率来确定滤波器的带宽。
表1.额定解调滤波器的带宽与SEL0，SEL1和操作模式
13.其他应用程序信息
除了基本操作，如下所述的增强功能也是可以实现的。尤其是与天NK51 0
线阻抗相匹配的IC输入。
13.1天线阻抗匹配
天线引脚的输入阻抗与频率的关系如表4所示：
ANT引脚可以与50欧姆的L型电路相匹配。也就是说，一条支路从RF输入端通过并联电感到地，另一支路是从RF输入端通过串联电感到天线引脚。
由表4可以看出，电感值的不同取决于PCB材料，PCB厚度，地面配置以及在版图中的走线长度。以厚度0.031，FR4材料，底层结实的地面和非常少的走线为例，MuRata和Coilcraf对表面贴片电感器绕线0603或0805进行测试，然而没有任何绕线电感有高的SRF（自共振频率）。
表4.输入阻抗随频率的变化
13.2关机功能
的任务周期（通常称为轮询）是通过打开和关闭SHUT
引脚来运行的。关闭功能是通过控制关闭引脚的逻辑状态来实现。当VSHUT 为低,设备进入低功耗待机模式，这个引脚在内部被拉低。但它必须通过外部拉高才能使接收有效。
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13.3电源旁路电容
VDDBB和VDDRF应该直接与IC引脚相连。推荐使用旁路供电电容。连接VDDBB和VDDRF引线应该最短。为了获得更好的性能,在电源供电下将VSSRF 连接VSSBB(即通过VSSRF回路保持VSSBB电流流动)。
13.4可选带通滤波器可增加选择性
对于位于高环境噪声中的应用程序,一个固定通带网络可以将ANT引脚和VSSRF连接起来，提供额外的选择性和输入过载保护。最少的输入配置如图2a 所示，它提供了过滤和必要的过载保护。
13.5数据噪声控制
在安静的时期(没有信号)数据输出(DO引脚)为有噪声的随机转换。大多数解码器能够区分这种随机噪声和实际数据,但是对于某些系统确实会带来问题。有三种可行的方法来减少这个输出噪声:
1)通过提高解调器阈值来抑制模拟噪声
2)数据不存在时禁用输出来抑制数字噪声
3)输出滤波器来过滤数据输出引脚上毛刺(高频)噪声。
最简单的解决方案是在CTH引脚通过引入一个添加小偏移的模拟抑制或电压抑制,以使噪音不能触发内部比较器。通常20 mV -30 mV就可以满足要求,也可以通过在CTH引脚到VSS或VDD之间连接几个百万电阻来实现,此时取决于预期的抵消极性。自从内部比较器输入接收到了AGC噪声其值都是一样
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的，由AGC设定。尽管当地的噪音强度在不同设备中变化，但噪声的抑制要求没有变。引入噪声抑制将降低灵敏度,还会减小范围。只有引入一定量的抵消才能使其平静的输出。典型的抑制电阻值的范围从6.8M?到10 M?。
13.6唤醒功能
当RF信号存在时，W AKEB的输出信号可以通过使系统的剩余部分有效来降低系统功耗。W AKEB的是逻辑输出信号，当IC检测到一个常数射频载体W AKEB迅速变低。当IC工作在关闭模式时唤醒功能不可用。
为了激活唤醒功能,RF载体必须不断接受内部系统时钟直到计数到128。内部系统时钟来源于参考振荡器并且是参考振荡器频率的1/256。如下:
f T = 6.4MHz
f S = fT/256 = 25kHz
P S = 1/fS = 0.04ms
128 counts x 0.04ms = 5.12ms
此处：
f T=参考晶振频率
f S=系统时钟频率
P S=系统时钟周期
唤醒计数器复位后立即检测射频载体。持续的唤醒信号输出由要求的唤醒时间加上准时的额外RF载体间隔性的创建唤醒输出脉冲决定。
W AKEB输出脉冲时间=TWAKE+准时的额外RF载体。
对于禁止输出时，希望使用唤醒功能的设计师, 必须使用一个有效的抑制偏移电压。这只需要在CTH引脚将抑制电阻连接到一个比静止的电压更有效的电压上,使得数据输出有低的出错率。
14.封装信息
14.1 16引脚的SOP封装
16引脚的SOP（M）14.2 8引脚的SOP封装
8引脚的SOP（M）
最详细解读射频芯片
最详细解读射频芯片 传统来说，一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，一般包含五个部分部分：射频部分、基带部分、电源管理、外设、软件。 射频部分：一般是信息发送和接收的部分； 基带部分：一般是信息处理的部分； 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要； 外设：一般包括LCD，键盘，机壳等； 软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？ 1. 射频芯片和基带芯片的关系 先讲一下历史，射频（Radio Frenquency）和基带（Base Band）皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播（FM/AM），迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号（无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容）。 但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。 言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器（RF Transceiver）发送出去的工程，解调就是相反的过程。 2.工作原理与电路分析 射频简称RF射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波，为是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围在300KHz～300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。高频（大于10K）；射频（300K-300G）是高频的较高频段；微波频段（300M-300G）又是射频的较高频段。射频技术在无线通信领域中被广泛使用，有线电视系统就是采用射频传输方式。
IC-HK_datasheet
Rev 21.11.01, Page 1/13 current of 100mA pulse current of 100mA Fig. 2: Signal patterns for Example 1 -pulse current of 100mA APPLICATION NOTES Setting the laser current When switching DC currents of up to 150mA or pulse currents of up to 700mA one channel is sufficient (Example 1). Input ENx of the unused channel should be jumpered to GND and pin AGNDx left open. Higher currents or several different current levels can be obtained by using both channels (Example 2 and 3).Example 1:Switching a current of 100mA 1. 100mA < 150mA | one channel 2. Switching on and off only | RK can be omitted (RK = 0S ) 3. As shown in Figure 1 (cf. data sheet, Figures 2..4), the required voltage V(CI) for RK = 0S is read off at I(LDK) = 100mA as V(CI) =1.75V With the circuit shown in Figure 3 and a voltage of 1.75V at pin CI the laser current can be switched between typically 0mA and 100mA by applying an appropriate pulse pattern to EN1.
常用无线射频芯片
常用无线射频芯片 TYYGROUP system office room 【TYYUA16H-TYY-TYYYUA8Q8-
常用无线射频芯片目录 CC1000PWR 超低功率射频收发器 CC1010PAGR 射频收发器和微控制器 CC1020RSSR 射频收发器 CC1021RSSR 射频收发器 CC1050PWR 超低功率射频发送器 CC1070RSQR 射频发送器 CC1100RTKR 多通道射频收发器 CC1101RTKR 低于1GHz射频收发器 CC1110F16RSPR 射频收发片上系统 CC1110F32RSPR 射频收发片上系统 CC1110F8RSPR 射频收发片上系统 CC1111F16RSPR 射频收发片上系统 CC1111F32RSPR 射频收发片上系统 CC1111F8RSPR 射频收发片上系统 CC1150RSTR 多通道射频发送器 CC2400RSUR 多通道射频发送器 CC2420RTCR 射频收发器 CC2420ZRTCR 射频收发器 CC2430F128RTCR ZigBee?芯片 CC2430ZF128RTCR ZigBee?芯片 CC2431RTCR 无线传感器网络芯片 CC2431ZRTCR 无线传感器网络芯片 CC2480A1RTCR 处理器 CC2500RTKR 射频收发器 CC2510F16RSPR 无线电收发器 CC2510F32RSPR 无线电收发器 CC2510F8RSPR 无线电收发器 CC2511F16RSPR 无线电收发器 CC2511F32RSPR 无线电收发器 CC2511F8RSPR 无线电收发器 CC2520RHDR 射频收发器 CC2530F128RHAR 射频收发器 CC2530F256RHAR 射频收发器 CC2530F64RHAR 射频收发器 CC2550RSTR 发送器 CC2590RGVR 射频前端芯片 CC2591RGVR 射频前端芯片 CCZACC06A1RTCR ZigBee芯片 TRF7900APWR 27MHz双路接收器 TRF6900APT 射频收发器 TRF6901PTG4 射频收发器
英飞凌控制芯片-适合变频器
英飞凌MCU介绍 英飞凌MCU包含8、16、32位处理器，其中16位XE167系列和32位TC11xx系列芯片在工业控制应用最为广泛。特别是32位TC11xx系列芯片在实现变流技术，特别是特殊工作环境的变流产品有一定的优势。 相比TI的控制芯片，英飞凌的同类型产品配置相对高一些，片内资源更丰富，但横向产品线不如TI。其次，英飞凌芯片的供货周期应该不如TI紧张。
英飞凌XE166系列芯片 MCU and DSP in a Real Time Core Real Time Signal Controller XE166主要应用于电源、工业水泵、步进电机、空调压缩机与鼓风机等对象。 主要指标：运算速度最高可达100MIPS，片内Flash从128KB到1600KB，内部RAM 从34 KB到138 KB，内部AD转换速度600ns，最高内置4个捕获单元，PWM输出单元2到4个。其中classic为5线JTAG设计，其余为2线JTAG设计。 XE166系列有四类产品（全为P/PG-LQFP封装）： 各类参数：
英飞凌TC11xx系列芯片 英飞凌TC11xx系列32位芯片主要应用于工业和其它各种市场。 应用对象为高性能伺服驱动器、高性能逆变器控制（如可再生能源系统）、处于恶劣环境的太阳能和风力发电逆变器、机器人、移动控制器等。是适合用于变频器上的控制芯片。 主要指标：该系列的芯片能实现多轴控制，能输出两对独立的三相互补控制PWM波形、能实现分别对两台电机控制、同时支持多种调制策略(SVPWM, DPWM, Soft-PWM, DTC)、可实现多电平和矩阵变换器控制、在矢量控制时其芯片资源占有率不到百分之十、其芯片最高主频可达180Mhz（最低80Mhz）、片内Flash最高达4M(最低1M)，内部RAM最高达224 KB（最低76KB）、片内包含AD和高速AD模块。 该系列包含五个类的产品（全部为BGA封装）：
PL1167中文资料-2.4GHz无线射频收发芯片资料
PL1167 单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射频收发芯片 芯片概述: 主要特点: PL1167是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通用 ISM频 段的单片低功耗高性能 2.4GHz无线射频收发芯片。 ψ 低功耗高性能2.4GHz无线射频收 发芯片 ψ 无线速率：1Mbps 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、功率放 大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。ψ 内置硬件链路层 ψ 内置接收强度检测电路输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI或 I2C接 ψ 支持自动应答及自动重发功能 ψ 内置地址及FEC、CRC校验功能 ψ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ψ 使用微带线电感和双层PCB板 ψ 低工作电压：1.9~3.6V 口进行灵活配置。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰性能强， 可以适应各种复杂的环境并达到优异的性能。 内置地址及 FEC、CRC校验功能。 ψ 封装形式：QFN16/TSSOP16 内置自动应答及自动重发功能。 ψ ψ QFN16仅支持SPI接口芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm，接收灵敏度可 以达到-88dBm。TSSOP16可支持SPI与I2C接口内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下待机电流 可以减小到接近 1uA。 应用: ψ 无线鼠标，键盘，游戏机操纵杆 ψ 无线数据通讯 ψ 无线门禁 管脚分布图: ψ 无线组网 ψ 安防系统 ψ 遥控装置 ψ 遥感勘测 ψ 智能运动设备 ψ 智能家居 ψ 工业传感器 ψ 工业和商用近距离通信 ψ IP电话，无绳电话 ψ 玩具
1概要 性能强，可以适应各种复杂的环境并达到优异的 性能。 PL1167 是一款工作在 2.4~2.5GHz 世界通 用 ISM 频段的单片低功耗高性能 2.4GHz 无线射 频收发芯片。 内置地址及 FEC 、CRC 校验功能。 该单芯片无线收发器集成包括：频率综合器、 功率放大器、晶体振荡器、调制解调器等模块。 内置自动应答及自动重发功能。 芯片发射功率最大可以达到 5.5dBm ，接收 灵敏度可以达到-88dBm 。 输出功率、信道选择与协议等可以通过 SPI 或 I2C 接口进行灵活配置。 内置电源管理功能，掉电模式和待机模式下 待机电流可以减小到接近 1uA 。 支持跳频以及接收强度检测等功能，抗干扰 2特性 ζ 低功耗高性能2.4GHz 无线射频收发芯片 ζ 无线速率：1Mbps ζ 极短的信道切换时间，可用于跳频 ζ 使用微带线电感和双层PCB 板 ζ 低工作电压：1.9~3.6V ζ 内置硬件链路层 ζ 内置接收强度检测电路 ζ 封装形式：QFN16/TSSOP16 ζ 支持自动应答及自动重发功能 ζ 内置地址及FEC 、CRC 校验功能 ζ ζ QFN16仅支持SPI 接口 TSSOP16可支持SPI 与I2C 接口 3快速参考数据 参数 数值 单位 最低工作电压 最大发射功率 数据传输速率 发射模式功耗@0dBm 接收模式功耗 工作温度范围 接收灵敏度 1.9 V dBm Mbps mA 5.5 1 16 17 -40 to +85 -88 mA ℃ dBm uA 掉电模式功耗 1
芯片数据手册Datasheet热门问题
芯片数据手册Datasheet热门问题 ?如何正确的阅读Datasheet？ 不仅仅是芯片，包括工具、设备几乎任何电子产品，都需要去阅读它的datasheet，除了包括最低、最高要求，特点，建议和用途及其兼容的设备等等，更重要的是原厂商以一个成功者的身份去告诉你一些注意事项。 Datasheet一般组成的字段：（LM317举例） ①日期：首先检查发布日期，是预备版还是修正版 ②厂商：检查厂商，因为相同型号不同厂商的器件，性能或许不同 ③描述（Description）：往往会告诉你一些一般地方没有提到的功能或者用法。比如：你可能需要保持一个特殊的引脚为低电平才能完成某个操作。 ④特点（Features）：告诉你常规特征。确认电器特征相应的条件 ⑤应用（Application）：通常简洁的告诉你该器件是否在你的应用领域；如果这个芯片有你需要的功能，它可以给予你很好的提示。但是这里给出的功能往往都是很一般（常用）的功能 ⑥封装图：不同的封装引脚的位置一般不同，但引脚的总是一般是相同的，需要注意不同位置的引脚及其每个引脚的功能 ⑦性能坐标图：通常描述电流测量与电压的变化曲线，通常会标明25℃（室温） ⑧电气特性表格：通常是芯片参数-条件-变化范围的表格，即相同参数条件不同，输出范围在Min-Typ-Max 之间 ?是不是所有芯片都有Datasheet？ 理论上所有芯片都有它对应的datasheet，但是有些芯片是属于定制器件，例如：手机、PC、PAD里面的芯片。往往原厂商只公开它的一般描述、一般特点、一般应用，少许的会公开参数，所以像这样的datasheet 我们正常是拿不到的，这就是为什么有时候一款芯片我们翻江倒海，翻山越岭也没找到的原因了，不过也有些芯片可以通过向原厂商提交申请，审核通过后会提供给你。 ?职业不同如何避轻就重去读Datasheet？ 当我们用到datasheet时，有时候没必要从头读到尾，那样会花费大量的时间。Datasheet中涉及到芯片的方方面面，硬件、软件、工艺、制程技术、封装等等，学会抓住关键字词，了解我们所需要的信息，比如：我们想了解AO4459这款P沟道场效应MOSFET ①如果咱们是做硬件，需主要关注Drain-Source Voltage（漏源电压）, Gate-Source Voltage（门源电压）, Continuous Drain Current（连续漏电流），Pulsed Drain Current（漏电流脉冲）等等，能够看懂热特性曲线图（TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS）；
Infineon_TLE4675-电源芯片
Data Sheet, Rev. 1.0, Sept. 2008 TLE4675 Low Drop Out Linear Voltage Regulator 5V Fixed Output Voltage Automotive Power
TLE4675 Table of Contents Table of Contents Table of Contents. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 3Pin Configuration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 3.1Pin Assignment TLE4675D (PG-TO252-5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 3.2Pin Definitions and Functions TLE4675D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 3.3Pin Assignment TLE4675G (PG-TO263-5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3.4Pin Definitions and Functions TLE4675G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 4General Product Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 4.1Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 4.2Functional Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 4.3Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 5Voltage Regulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 5.1Description Voltage Regulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 5.2Electrical Characteristics Voltage Regulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 5.3Typical Performance Characteristics Voltage Regulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 6Current Consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 6.1Electrical Characteristics Current Consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 6.2Typical Performance Characteristics Current Consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 7Reset Function . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 7.1Description Reset Function . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 7.2Electrical Characteristics Reset Function . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 7.3Typical Performance Characteristics Reset Function . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 8Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 8.1PG-TO252-5 Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 8.2PG-TO263-5 Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 9Revision History. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24
常用无线射频芯片
常用无线射频芯片集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]
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常用无线射频芯片[优质文档]
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如何看datasheet+8页(绝对有用)
How to Read a Datasheet Prepared for the WIMS outreach program 5/6/02, D. Grover In order to use a PIC microcontroller, a flip-flop, a photodetector, or practically any electronic device, you need to consult a datasheet. This is the to. Where do you find datasheets? Nowadays you can find almost any datasheet on the internet, often in PDF (Acrobat) form. For example, the LM555 datasheet from National Semiconductor is on their website at https://www.360docs.net/doc/7f1590316.html,.
LM555Timer General Description The LM555is a highly stable device for generating accurate time delays or oscillation.Additional terminals are provided for triggering or resetting if desired.In the time delay mode of operation,the time is precisely controlled by one external re-sistor and capacitor.For astable operation as an oscillator,the free running frequency and duty cycle are accurately controlled with two external resistors and one capacitor.The circuit may be triggered and reset on falling waveforms,and the output circuit can source or sink up to 200mA or drive TTL circuits. Features n Direct n Timing n Operates n Adjustable n Output n Output n Temperature n Normally n Available Applications n Precision n Pulse n Sequential DS007851-1 有时常规描述（General Description ）会给出一些其它地方没提到的特性或者用法。特性（确认电气特性所在的条件以及特殊情况。 通常叫做等效原理图，该原理不是该芯片中必须的，但是该芯片将按照里面的来运作。它能帮助解释在数据手册中未被描述的行为。能把这个电路在面包板上搭出来吗？除非您知道那些并未给出参数的晶体管的参数。 总会有一个日期。数据手册变动，尤其是预备版或者修正版，核对一下日期。
无线、射频收发模块大全
无线收发模块大全 本文中着重通过几种实用的无线收发模块的剖析为你逐步揭开无线收发的原理，应用和结构，希望对你有所裨益！ 无线数据传输广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、无线抄表、门禁系统、小区传呼、工业数据采集系统、无线标签、身份识别、非接触RF智能卡、小型无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、生物信号采集、水文气象监控、机器人控制、无线232 数据通信、无线485/422数据通信、数字音频、数字图像传输等领域中。
这是DF发射模块，体积：19x19x8毫米，右边是等效的电路原理图 主要技术指标： 1。通讯方式：调幅AM 2。工作频率：315MHZ (可以提供433MHZ，购货时请特别注明） 3。频率稳定度：±75KHZ 4。发射功率：≤500MW 5。静态电流：≤0.1UA 6。发射电流：3～50MA 7。工作电压：DC 3～12V DF数据发射模块的工作频率为315M，采用声表谐振器SAW稳频，频率稳定度极高，当环境温度在－25～＋85度之间变化时，频飘仅为3ppm/度。特别适合多发一收无线遥控及数据传输系统。声表谐振器的频率稳定度仅次于晶体，而一般的LC振荡器频率稳定度及一致性较差，即使采用高品质微调电容，温差变化及振动也很难保证已调好的频
点不会发生偏移。 DF发射模块未设编码集成电路，而增加了一只数据调制三极管Q1,这种结构使得它可以方便地和其它固定编码电路、滚动码电路及单片机接口，而不必考虑编码电路的工作电压和输出幅度信号值的大小。比如用PT2262等编码集成电路配接时，直接将它们的数据输出端第17脚接至DF数据模块的输入端即可。 DF数据模块具有较宽的工作电压范围3～12V，当电压变化时发射频率基本不变,和发射模块配套的接收模块无需任何调整就能稳定地接收。当发射电压为3V时，空旷地传输距离约20～50米，发射功率较小，当电压5V时约100～200米，当电压9V时约300～500米，当发射电压为12V时，为最佳工作电压，具有较好的发射效果，发射电流约60毫安，空旷地传输距离700～800米，发射功率约500毫瓦。当电压大于l2V时功耗增大，有效发射功率不再明显提高。这套模块的特点是发射功率比较大，传输距离比较远，比较适合恶劣条件下进行通讯。天线最好选用25厘米长的导线，远距离传输时最好能够竖立起来，因为无线电信号传输时收很多因素的影响，所以一般实用距离只有标称距离的20％甚至更少，这点需要在开发时注意考虑。 DF数据模块采用ASK方式调制，以降低功耗，当数据信号停止时发射电流降为零，数据信号与DF发射模块输入端可以用电阻或者直接连接而不能用电容耦合，否则DF发射模块将不能正常工作。数据电平
常用无线射频芯片
常用无线射频芯片集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#
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英飞凌各代IGBT模块技术详解
英飞凌各代IGBT模块技术详解 IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。由于它将 MOSFET 和 GTR 的 优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点， 克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功 率大于 5KW 的应用场合具有优势。随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的 出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。 英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。 一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995） 西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念 原型产品。生产时间是 1990 年－ 1995 年。西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。如 BSM150GB120DN1。 图 1.1 PT-IGBT 结构图 PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、
厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。 二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT 西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。1995 年，西门子率先不用外延工艺， 采用区熔单晶硅批量生产 NPT－IGBT 产品。西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内具有饱和压降正温度系数，具有类 MOSFET 的输出特性。 图 1.2 NPT-IGBT 结构图 西门子／EUPEC IGBT2 最典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。“DN2”系列最佳适用频率为 15KHz－20KHz，饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎 适用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺，开发出“DLC”系列。“ DLC ” 系列是低饱和压降，（ VCE(sat)=2.1V ），最佳开关频率范围为 1KHz － 8KHz 。“DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon／EUPEC 又推出短拖尾电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上，开关频率 得到进一步提高，最佳使用开关频率为 15KHz－30KHz。最适合于逆变焊机，UPS，通 信电源，开关电源，感应加热等开关频率比较高（fK≥20KHz）的应用场合。在这些应用 领域，将逐步取代“DN2”系列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出H—桥（四单元）IGBT 模块，其特征是内部封装电感低，成本低，可直接焊在 PCB 版上（注：这种结构在变频器应用 中早已成熟，并大量使用）。总之，EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺，平面栅结构，是第二代 NPT-IGBT。
你是否真的了解射频芯片
你是否真的了解射频芯片 一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。 射频：一般是信息发送和接收的部分； 基带：一般是信息处理的部分； 电源管理：一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要；外设：一般包括LCD，键盘，机壳等； 软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？射频芯片和基带芯片的关系 射频（Radio Frenquency）和基带（Base Band）皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播（FM/AM），迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号（无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容）。 但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器（RF Transceiver）发送出去的工程，解调就是相反的过程。 工作原理与电路分析
常用的十大电子元器件Datasheet
常用的十大电子元器件Datasheet 元器件数据表（datasheet）是电子工程师项目开发时经常使用到的手册。Datasheet（数据手册）包含了电子芯片的各项参数，电性参数，物理参数，甚至制造材料，使用建议等，一般由厂家编写，内容形式一般为说明文字，各种特性曲线，图表，数据表等。下面介绍一下常用的十大电子元件： 1、DS18B20温度传感器273W百度收录总数 常用指数：★★★★★ DS18B20是Dallas公司生产的数字温度传感器，具有体积小、适用电压宽、经济灵活的特点。它内部使用了onboard专利技术，全部 传感元件及转换电路集成在一个形如三极管的集成电路内。DS18B20有电源线、地线及数据线3根引脚线，工作电压范围为3～5.5 V ，支持单总线接口。 免费下载：DS18B20 2、TL431可控精密稳压源244W 常用指数：★★★★ TL431是由德州仪器生产，所谓TL431就是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地 设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值(如图1)。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中可以用它代替齐纳二极管，例如， 数字电压表，运放电路、可调压电源，开关电源等等。 免费下载：TL431
LM358双运算放大器238W 常用指数：★★★★ LM358双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。 免费下载：LM358 4、LM324四路运算放大器236W 常用指数：★★★★ LM324系列是低成本的四路运算放大器，具有真正的差分输入。在单电源应用中，它们与标准运算放大器类型相比具有几个明显的优 势。该四路放大器可以工作于低至3.0 V或高达32 V的电源电压，静态电流是MC1741的五分之一左右（每个放大器）。共模输入范围 包括负电源，因此在众多应用中无需外部偏置元器件。输出电压范围也包括负电源电压。免费下载：LM324 5、DAC0832数模转换芯片157W 常用指数：★★★ DAC0832是8分辨率的D/A转换集成芯片。与微处理器完全兼容。这个DA芯片以其价格低廉、接口简单、转换控制容易等优点，在单 片机应用系统中得到广泛的应用。D/A转换器由8位输入锁存器、8位DAC寄存器、8位D/A转换电路及转换控制电路构成。 免费下载：DAC0832