模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结
模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点

总结

第1章常用半导体器件

1.1 复习笔记

本章首先介绍了半导体的基础知识,随后重点阐述了半导体二极管、晶体管(BJT)和场效应管(FET)的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件,因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习,应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数,并熟悉半导体相关基础知识,最后需要了解半导体器件的选用原则,为今后的模拟电路分析和设计打下基础。

一、半导体基础知识

半导体器件是构成电子电路的基本元件,所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料,所以在学习半导体器件之前,需要了解一些半导体的基本名词术语(见表1-1-1)。

表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管

1二极管的结构和分类(见表1-1-2)

表1-1-2 二极管的结构和分类

2二极管的伏安特性

与PN结一样,二极管具有单向导电性,但由于二极管结构上的不同,具体的伏安特性与PN结又有区别(见表1-1-3)。

表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数

为描述二极管性能,常引用以下几个主要参数(见表1-1-4)。

表1-1-4 二极管主要参数

4二极管的等效电路

二极管的伏安特性具有非线性,这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析,常在一定的条件下,用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性,并取代电路中的二极管,称为二极管的等效电路,也叫等效模型(见表1-1-5)。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管

稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。

表1-1-6 稳压二极管

三、晶体三极管

1晶体管的结构

晶体管是由两个PN结组成的元器件,分为PNP和NPN两种类型,它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。

2晶体管的电流放大作用

使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。

晶体管的电流分配关系:

发射区中多数载流子由于扩散运动而大量注入基区,其中仅有很少部分与基区的多数载流子复合,形成基极电流,而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流i C,这里体现出i B对i C的控制作用。

3晶体管的共射特性曲线及其工作区(见表1-1-7)

表1-1-7 晶体管的共射特性曲线及其工作区

4晶体管的主要参数

在计算机辅助分析和设计中,根据晶体管的结构和特性,要用几十个参数全面描述。这里只介绍近似分析中最主要的参数(见表1-1-8)。

表1-1-8 晶体管的主要参数

5温度对晶体管参数的影响

(1)温度对I CBO的影响:温度每升高10℃,I CBO增大一倍。

(2)温度对β的影响:以25℃时测得的β值为基数,温度每升高1℃,β增加约(0.5~1)%。

(3)温度对发射结电压U BE的影响:温度每升高1℃,U BE约减小2~2.5mV。

四、场效应管

场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极性晶体管。

1结型场效应管(见表1-1-9)

表1-1-9 结型场效应管

2绝缘栅型场效应管

(1)特性曲线:与结型场效应管一样,MOS管也有可变电阻区、恒流区和夹断区三个工作区域,如图1-1-1所示。

图1-1-1 绝缘栅型场效应管的特性曲线

(2)恒流区电流方程:与结型场效应管相类似,i D与U GS的近似关系式为:

3场效应管的主要参数(见表1-1-10)

表1-1-10 场效应管的主要参数

4场效应管与晶体管的比较(见表1-1-11)

表1-1-11 场效应管与晶体管的比较

考研资料最新最全真题答案 笔记 内部资料

店铺热门资料清单 东北地区(uangla) 东北财经大学-------管理学1,行政管理学2,经济学8会计学 大连理工大学----信号1材料科学新闻专业传热学行政管理877经济学876管理学828工程管理自动控制电子技术 东北师范大学语言文学 东北大学机械设计 哈尔滨工业大学---电气,自控 吉林大学经济学新闻学行政管理 大连海事大学海商法 京津地区(uangla) 396经济类联考综合能力 北大-------光华金融学1半导体经济学院2行政管理学3传播学汇丰商学院2ccer国民经济学; 人大-------经济学综合18,431金融学综合5,管理综合4,新闻传播学1新闻传播硕士2,人力资源4行政管理 人行五道口(127拍拍店)7 中央财经大学-------801经济学8,812经济学2,431金融学综合1,802管理学2; 北京交通大学-------通信6,电路;机械1管理学 中科院-------生化分子生物学1,信号2(统一命题,电子所,微电子所,微系统所),物理化学1,统一命题电子线路,微电子所电子线路,植物学,植物生理学,微生物;分析化学有机化学 对外贸易大学-------经济学,工商管理,431金融学综合1,国际法3; 北京邮电大学-------电子电路;经济学电子信号 北京科技大学------物理化学1金属学1管理学1;材料科学 南开大学-------经济学1 北京体育大学-----体育人文 燕山大学-------机械1 河北工业大学------电路2 中国传媒大学--------新闻与传播专硕传播学新闻学艺术硕士716设计艺术天津大学---------信号832运筹学431金融学 华北电力大学----电力系统及自动化1,经济与管理电路 中国石油大学物理化学(华东) 清华大学------电路原理;清华大学车辆工程;431金融学;信号 中央民族大学理论经济学 新闻与传播硕士MJC334新闻与传播专业综合能力考研资料 北京体育大学-体育人文 北京工业大学自动控制 北京理工大学:882电路信号与系统经济学化工原理运筹 北京外国语大学经济学

考研政治马哲部分经典选择题汇总

1把世界的本原归结为“宇宙之砖”、“万物的始基”、“原初物质”的哲学是A.古代朴素唯物主义B.庸俗唯物主义 C.近代唯物主义D.宗教哲学 答案:(A) 2马克思主义哲学实现了唯物主义自然观和唯物主义历史观的统一的关键是A.发现了阶级斗争在历史发展中的作用 B.肯定了人民群众在历史上的作用 C.探讨了人与自然的关系 D.把实践理解为对象性活动答案:(D) 3 马克思主义哲学的根本特征是 A.理论和实践的统一 B.唯物主义和辩证法的统一、唯物主义自然观和唯物主义历史观的统一 C.科学的世界观和方法论的同意 D.实践性、革命性和科学性的统一 答案:(D) 4.马克思主义哲学是 A.从物质第一性,精神第二性出发解决哲学基本问题的 B.从理论和实践的关系出发解决哲学基本问题的 C.从实践出发解决哲学基本问题的 D.从自然和社会的关系出发解决哲学基本问题的 答案:(C) 5.恩格斯提出的哲学基本问题的重要方面是 A.思维对存在的能动作用问题 B.思维和存在何者为第一性的问题 C.思维主体和思维客体的关系问题 D.思维和存在发展的不平衡性问题 答案:(B) 6. 孔子提出“畏天命”,“获罪于天,无所祷也”。这是 A.机械唯物主义观点B.主观唯心主义观点 C.朴素唯物主义观点D.客观唯心主义观点 答案:(D) 7.我国古代哲人提出“土与金、木、火、水杂,以成百物”,“和实生物”,这是A.多元论观点B.机械唯物主义观点 C.主张矛盾调和的形而上学观点D.朴素唯物论观点 答案:(D) 8.主观唯心主义和客观唯心主义的区别是 A.对物质和意识关系的两种不同回答 B.对精神决定世界的两种不同理解 C.对世界是否可知的两种不同的认识 D.对世界怎样存在的两种不同观点 答案:(B) 9.否认思维和存在具有同一性的哲学是 A.唯心主义B.经验主义 C.不可知论D.二元论

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详模拟电子电路读图)【圣才出品】

第11章 模拟电子电路读图 11.1 复习笔记 一、读图的思路和步骤 1.了解用途:了解所读电路应用于何处及其所起作用。 2.化整为零:将所读电路分解为若干具有独立功能的部分。 3.分析功能:选择合适的方法分析每部分电路的工作原理和主要功能。 4.统观整体:将每部分电路用框图表示,根据各部分联系将框图连接起来,得到整个电路的方框图。 5.性能估算:对各部分电路进行定量估算,从而得出整个电路的性能指标。 二、基本分析方法回顾 1.小信号情况下的等效电路法 用半导体管在低频小信号作用下的等效电路取代放大电路交流通路中的管子,便可得到放大电路的交流等效电路。 2.频率响应的求解办法 : 首先画出适于信号频率0∞的等效电路,求出电路的上、下限频率,然后写出电压放大倍数的表达式,最后画出波特图。 3.反馈的判断方法 反馈的判断方法包括有无反馈、直流反馈和交流反馈、反馈极性(利用瞬时极性法)的判断,以及交流负反馈反馈组态(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)的判断。

5.运算电路运算关系的求解方法 以“虚短”和“虚断”为基础,利用节点电流法和叠加原理适于多个输入信号的情况.即可求出输出与输入的运算关系式。 6.电压比较器电压传输特性的分析方法 令集成运放同相输入端和反相输入端电位相等求出阈值电压,根据输入电压作用于集成运放的同相、反相输入端来确定输出电压在输入电压过阈值电压时的跃变方向。 7.波形发生器的判断方法 ①正弦波振荡:需要满足正反馈和选频网络两个条件才能振荡; ②非正弦波振荡:先观察是否有RC电路或积分电路,然后观察两个输出状态是否可以自动转换,即能否起振。 8.功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法 首先求出最大不失真输出电压,然后求出负载上可能获得的最大交流功率,即为最大输出功率。输出最大输出功率时,电源提供的平均电流与电源电压相乘,即得到电源的平均功率。最大输出功率与此时电源提供的平均功率之比为转换效率。

模电-童诗白课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β

七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 (1)A C (2)A (3)C (4)A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D =(V -U D )/R =,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 (1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t

考研政治知识点总结

一、从自由竞争资本主认到垄断资本主义 1.从自由竞争到垄断 19世界70年代以前:自由竞争资本主义阶段 19世纪末20世纪初:垄断资本主义阶段 2.生产集中与资本集中 是资本家追求剩余价值和自由竞争的结果,也是生产社会化和资本社会化的重要表现 3.垄断的形成及本质 形成:自由竞争——生产集中——垄断 垄断组织的本质:通过联合来操纵并控制商品生产和销售市场,操纵垄断价格,以攫取高额垄断利润。 4.垄断条件竞争的特点 垄断并不能消除竞争,而是凌驾于竞争之上,与之并存 垄断条件下的竞争规模大、时间长、手段残酷、程度更加激烈,具有更大的破坏性 5. 金融资本与金融寡头 6.垄断利润和垄断价格 垄断利润是垄断资本家凭借其在社会生产和流通中的垄断地位而且获得的超过平均利润的高额利润。 垄断价格长期偏离生产价格和价值,但它的产生没有否定价值规律。

二、国家垄断资本主义 1.垄断资本主义的形成 国家垄断资本主义是国家政权和私人垄断资本融合在一起的垄断资本主义。 一战前开始形成,二战结束后至今,国家垄断资本主义获得广泛而迅速的发展。 2.国家垄断资本主义的形式 一是国家所有并直接经营的企业;二是国家与私人共有、合营企业;三是国家通过多种形式参与私人垄断资本的再生产过程,包括国家向私人垄断企业订货、提供补贴等;四是宏观调节和微观规制。 3.国家垄断资本主义的作用 积极作用:首先在一定程度中有利于社会生产力的发展;其次,有利于缓解资本主义生产的无政府状态;再次,使劳动人民生活水平有所改善和提高;最后,加快了资本主义国家现代化进程。 要注意国家垄断资本主义的出现并没有改变资本主义的性质。 4.垄断资本在世界范围内扩张 三种形式:借贷资本输出、生产资本输出和商品资本输出。 垄断资本向世界范围的扩展,对资本输出国和资本输入国产生了不同的影响。 当代国际垄断同盟的形式:跨国公司和国家垄断资本主义的国际联盟 各种国际垄断组织,同盟等在一定程度上促进了经济全球化的发展,但它们从根本上说是为了维护资产阶级的利益、为他们攫取高额垄断利润服务的。 5.垄断资本主义的实质

数字电路考研康华光电子技术基础数字部分考研真题与笔记

数字电路考研康华光电子技术基础数字部分考研真题 与笔记 一、数电考研考点复习笔记 1.1 复习笔记 本章是《电子技术基础数字部分》的开篇,主要讲述了模拟信号和数字信号以及数字信号的描述方法,进而讨论了数制、二进制的算术运算、二进制代码和数字逻辑的基本运算,是整本教材的学习基础。笔记所列内容,读者应力求理解和熟练运用。 一、模拟信号与数字信号 1模拟信号和数字信号(见表1-1-1) 表1-1-1 模拟信号和数字信号 2数字信号的描述方法(见表1-1-2)

表1-1-2 数字信号的描述方法 3数字波形详细特征 (1)数字波形的两种类型见表1-1-3 表1-1-3 数字波形的类型 (2)周期性和非周期性 与模拟信号波形相同,数字波形亦有周期型和非周期性之分。周期性数字波形常用周期T和频率f来描述。脉冲波形的脉冲宽度用表示,所以占空比 (3)实际数字信号波形 在实际的数字系统中,数字信号并不理想。当从低电平跳变到高电平,或从高电平跳到低电平时,边沿没有那么陡峭,而要经历一个过渡过程。图1-1-1为非理想脉冲波形。

图1-1-1 非理想脉冲波形(4)波形图、时序图或定时图 波形图、时序图或定时图概述见表1-1-4。 表1-1-4 波形图、时序图或定时图概述 时序图和定时图区别与特征见表1-1-5。 表1-1-5 时序图、定时图特征 二、数制 1几种常用的进制(见表1-1-6) 表1-1-6 几种常用的进制

2进制之间的转换 (1)其他进制转十进制 任意一个其他进制数转化成十进制可用如下表达式表示: 其中R表示进制,Ki表示相应位的值。例如(二进制转十进制):(1011.01)2=1×23+0×22+1×21+1×20+0×2-1+1×2-2=(11.25)10。 (2)十进制转二进制 ①整数部分的转换:将十进制数除以2,取所余数为k0;将其商再除以2,取其余数为k1,……以此类推,直到所得商等于0为止,余数k n…k1k0(从下往上排)即为二进制数。以273.69为例,如图1-1-2所示。 ②小数部分的转换:将十进制数乘以2,取乘积的整数部分为k-1;将乘积的小数部分再乘以2,取乘积的整数部分为k-2,……以此类推,直到求出要求的位数

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得:U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ,所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系,当 ..'t

1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时,若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时,由于上述同样的原因, U O = 5V 。 当 U I = 35V 时,U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).;R=29mA > I ZM = 25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。

某某年考研政治重要知识点总结

某某年考研政治重要知识点总结 一、和谐世界理念的内涵 和谐世界是继走和平发展道路之后,我国在国际上提出的一个重要理念。XX年4月,******参加亚非峰会时第一次提出这个理念。同年7月,******出访莫斯科,“和谐的世界”被写入《中俄关于21世纪国际秩序的联合声明》。XX年9月,******在出席联合国成立60周年首脑会议时,系统阐述了和谐世界的理念。在他发表的题为《努力建设持久和平、共同繁荣的和谐世界》的重要讲话中,对建立和谐世界提出四点基本主张。此后“和谐世界”这个新名词,频频出现在重大国际场合,得到越来越多国家的理解和赞同。 和谐世界理念的内涵主要包括: (1)政治上,不同社会制度和发展模式相互借鉴,建设各国和谐共处、公正、民主的世界。 (2)经济上,提倡进行互利合作,实现全球经济和谐发展。 (3)文明方面,提倡不同文明开展对话、取长补短,倡导开放、包容的精神。 (4)安全方面,提出实行全球新安全观,建立和平、稳定的世界。 二、和谐世界理念的依据 1.建立和谐世界符合人类进步的时代潮流

进入新世界“要和平、促发展、谋合作是时代的主旋律。”国际局势总体稳定,经济全球化的深化促进了生产要素在全球范围内流动的加快。为中国走和平发展道路提供了机遇,也建立和谐世界提供了条件。我国提出走和平发展的道路,就是要争取和抓住世界和平与发展自己,又以自己的发展来促进世界和平。 2.推动建立和谐世界,是为了适应世界和平与发展面临的挑战 进入新世纪,和平与发展遇到了新问题,不稳定不确定因素在增多,新挑战新威胁在增加。面对当今纷繁复杂的世界,我们应该重视和谐,强调和谐,促进和谐。 3.和谐世界是和谐社会在外交领域的延伸 我国在建设高水平小康社会的过程中,遇到了一系列问题。在经济领域国内生产总值快速增长的同时,生态环境恶化;经济与社会不能协调发展,出现了地区发展不平衡、贫富差距拉大、教育和医疗卫生发展滞后,甚至人民群众利益受到损害的问题。在世界范围内也存在着同样问题,石油价格高涨、资源短缺、生态环境恶化等全球性问题等,中国与世界遇到共同挑战。 三、和谐世界理念的重大意义 (1)丰富了我国对外政策的宗旨,深化了我国对外战略的基本主张

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了,而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒,到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电,我觉得模电的难度要大一些,学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲,虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异,但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效,上课的互动也能加深学习印象,更重要的是模电离不开电路,单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间,有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题,比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过,但是很少有人注意到。 2.要有个线索,建立自己的知识树,注意前后的联系,不要脱节。比如:半导体材料的性 质,半导体构成的元件,半导体元件组成的放大电路,处理电路。前后紧密相连,环环相扣,围绕着一个核心问题:信号的放大,运算,处理,转换,产生。在学习的时候,一定要从前往后切实的掌握基本概念,理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法,掌握工作原理,结构特点,性能特点。比如典型 的差分电路,多级放大电路的基本组成,各种功率放大电路等,唯有如此,才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真,这也是模电数电的一个重大区别,数电电路复杂,但是一 旦接对结果一定正确,而模电虽然电路简单,但是即使设计和电路都正确,结果还是出不来。这时就要具体分析电路,哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适,在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手,可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍,一方面对这些元件有个初步的认识,另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看:电路的识别及定性分析,首先根据电路特征判断其属于哪种电路,然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选:在已知需求情况下选择电路形式,在已知功能情况下选择元器件类型,在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选,比如选择合适的放大电路,应根据动态静态,带负载能力输入电阻大小等来选择,选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流,带负载能力,输入电阻等来选择。 3.会算:电路的定量分析,例如对于放大电路会求解静态工作点,Au,输入输出电阻,上 下限截止频率,会画出交直流等效电路;对于运算电路会求解运算关系等 4.会调:电路参数的调节和设置,主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数,比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真,是由于哪些因素引起,相应调节对应参数 5.会设计:能够根据要求设计相应功能的电路,这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路,设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多,但是主线清晰的学科,具有很强的工程性和实践性,对于我来说还是很有难度和挑战性的,但是迎难而上收获才会更多!

最新模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可

视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =,最小稳定电流 min 5Z I mA =,最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值; (2)若35I U V =时负载开路,则会出现什么现象? 为什么? 解:(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时,V U R R R U I L L O 3.3=+= ; V U I 15=时,5L O I L R U U V R R = =+; V U I 35=时,11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+,∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时,mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=,故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中,发光二极管导通电压 U D =1.5V ,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记

数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中,是无权码的有()。[北京邮电大学2015研] A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码,两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值,常见的有8421BCD码、5421BCD码等;无权码的每一位不具有权值,整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1(10100011.11)2=()10=()8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为(),十六进制数为()。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111;27.E查看答案

【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111.1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421BCD=()2=()8=()10=()16。[山东大学2014研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。(1000 0111)8421BCD=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 111)2=(127)8。同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=()2=()8=()10=()8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二进制数与其权值相乘,然后再相加得到相应的十进制数,(0010 1011)2=(43)10;8421BCD码是一种二进制的数字编码形式,用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码,(43)10=(0100 0011)8421BCD。

考研政治归纳总结

第一部分:马克思主义哲学原理总结(58个) (一)、唯物论(三观、两原理、一方法论)10个原理 ●三观:物质观、意识观和实践观 ①物质观: 物质和运动的辩证关系原理(并列,相互依存)。 运动和静止的辩证关系原理(并列,都有)。 运动的物质与时间、空间的辩证关系原理(并列,相互依存)。 时空的绝对性和相对性的辩证关系原理(并列,相互依存)。 时空的有限性与无限性的辩证关系原理(并列,相互依存)。 ②意识观:意识的能动性原理: 第一,在认识世界过程中,意识不仅可以反映事物的现象,而且可以通过抽象思维反映事物的本质和规律。 第二,在改造世界的过程中,意识具有指导性。意识可以通过实践把观念的东西变成现实的东西。意识的这一能动作用具有两种不同的性质:(a)正确的意识促进事物的发展,使人们的实践活动获得成功;(b)错误的意识阻碍事物的发展,使人们的实践活动遭到失败。意识的这一作用是意识能动性最突出的表现。 第三,意识能够反作用于主体,影响人的生理过程。人的精神是否愉悦,对于其身体健康状况有重要影响。 ③实践观: 主体与客体的辩证关系原理(并列,都有)。 自在世界与人化世界的辩证关系原理(并列,都有)。 ●两原理: ①物质和意识的辩证关系原理(从属) ②世界的物质统一性原理:辩证唯物主义主张世界统一于物质,是指统一于所有物质形态的共同的本质的属性----客观实在性;世界的统一是无限多样的统一,是包含着质的差别的统一;世界的物质统一性是运动和发展的充满联系的统一。 ●一方法论:一切从实际出发、实事求是 (二)、辩证法(一个一,两个二,三个三,四个四)23个原理 ●一个一是指一个核心——矛盾 ①矛盾的同一性和斗争性的辩证关系原理(并列,都有); ②矛盾的普遍性与特殊性的辩证关系原理(并列,都有); ③矛盾的不平衡性原理: 主要矛盾和次要矛盾的辩证关系原理(并列,都有);矛盾的主要方面和次要方面的辩证关系原理(并列,都有)。 ④矛盾是事物发展动力的原理: 第一,矛盾双方相互依存,使每一方在相互统一中得以存在和发展。 第二,矛盾双方相互包含,使任何一方都从对方那里吸收到了有利于自身的因素,从而在相互利用、相互促进中共同地得到发展。 第三,矛盾双方相互贯通,规定了事物发展的基本趋势。 第四,矛盾双方相互排斥、相互否定、相互斗争,推动事物的发展。矛盾的斗争性首先引起事物的量变,一旦矛盾双方的斗争突破原有事物的限度,就会引起事物的质变。 ⑤内因与外因的辩证关系原理(并列,都有)。 ●两个二是指两大总特征:联系和发展

(完整版)模电学习心得集

个人建议:认真分析几个典型电路,主要掌握晶体管的等效模型,以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了,模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕,开始不要太关注乱七八糟的内容,抓住主要的,次要的回过头来很容易解决。 我现在大三,自动化的。个人建议就是,不要要求每字每句都会,大概的了解那些理论,就可以。在以后的学习中,你会慢慢地发现,理解原来的知识的! 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短,稳压电路, 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象,其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法,所不同的是,新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件,首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材,一开始都会介绍pn结的特性,个人觉得可以不要太在乎里面的结构,但其特性方程是一定要记得的。然后,二极管比较简单,就是一个单一的pn结,在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决(理想模型、恒压降模型、小信号模型,前两者是用于直流分析的,而最后一个是用于交流分析的)。而对于三极管,就相对来说复杂些,在此本人不想说书上有的东西,只想强调一下学习中该注意的问题: 1、对于三极管,它总共有三种工作状态,当它被放在电路中时,我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。(在模电的习题中,除非那道题是专门地考你三极管的状态,否则都是工作在放大区,因为只有这样,管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中,我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的) 2、既然管子基本在放大区,那么它的直流特性就有:be结的电压为0.7V(硅管,锗管是0.2V),发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系,我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是:ce间电压,三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢?这就要弄清直流和交流之间的关系了:在模电里,我们研究的对象都是放大电路,而其中的放大量都是交流信号,并且是比较微弱的交流信号。大家知道,三极管要工作是要一定的偏置条件的,而交流信号又小又有负值,所以我们不能直接放大交流信号,在此我们用的方法就是:给管子一个直流偏置,让它在放大区工作,然后在直流上叠加一个交流信号(也就是让电压波动,不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动,而是围绕你加的那个直流电压波动),然后由于三极管的性质,就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路:从以上的叙述,我们可以看出分析电路应该分为两部分:直流分析和交流分析。不同的分析下,电路图是不一样的,这是因为元件在不同的量下,它的特性不同。(例如电容在直流下就相当于开路,而在交流下可以近似为短路)。而三极管,在交流下就有一个等效模型,也就是把be间等效为一个电阻,ce间等效为一个受控电流源,其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

邱关源《电路》笔记及课后习题(电路定理)【圣才出品】

第4章电路定理 4.1 复习笔记 一、叠加定理 叠加定理:在线性电路中,任一支路的电流或电压,等于每一独立电源单独作用于电路时在该支路所产生的电流或电压的代数和。 应用方法:给出电路中变量的参考方向;画出各独立源单独作用时的等效电路;在等效电路中求出相应的待求电压电流变量或中间变量;运用叠加定理求出原电路中的待求电压电流变量。 注:①该定理只适用于线性电路;②计算元件的功率时不可应用叠加的方法;③在各个独立电源单独作用时,不作用的电压源短路,不作用的电流源开路;各分电路在叠加计算时电压和电流的参考方向可取为与原电路相同方向,取代数和时注意各分量的正负号。 二、替代定理 给定任意一个线性电阻电路,如果第j条支路的电压u j和电流i j已知,那么这条支路就可以用一个具有电压等于u j的独立电压源,或者一个具有电流等于i j的独立电流源来代替,替代后的电路中的全部电压和电流均将保持原值,如图4-1-1所示。

图4-1-1 三、戴维宁定理和诺顿定理 1.一个线性含源一端口网络如图4-1-2(a)所示,对外电路来说,可以用一个电压源和电阻的串联组合来等效替代,这一等效电路称为戴维宁等效电路,如图4-1-2(b)所示。电压源的电压等于该一端口网络的开路电压u oc,而电阻等于该一端口网络中所有独立源为零值时的等效电阻R eq。 图4-1-2 2.一个线性含源一端口网络N,可以等效为一个电流源和电阻的并联组合,这样的等效电路称为诺顿等效电路,如图4-1-2(c)所示。电流源的电流等于该网络N的短路电流i sc,并联电阻R eq等于该网络中所有独立源为零值时所得网络N0的等效电阻R eq。

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

考研政治重要知识点归纳总结

考研政治重要知识点归纳总结考研政治重要知识点归纳总结 (一)树立社会主义法治观念 1.坚持走中国特色社会主义法治道路 (1)党的领导是中国特色社会主义最本质的特征,是社会主义法治最根本的保证。 (2)中国特色社会主义制度是中国特色社会主义法治体系的根本制度基础,是全面依法治国的根本制度保障。 (3)中国特色社会主义法治理论是中国特色社会主义法治体系的理论指导和学理支撑,是全面依法治国的行动指南。 2.坚持党的领导、人民当家作主与依法治国相统一 (1)党的领导是人民当家作主和依法治国的根本保证。 (2)人民当家作主是党的领导和依法治国的本质要求。 (3)依法治国是党领导人民当家作主的治国方略。 3.坚持依法治国和以德治国相结合 (1)正确认识法治和德治的地位。法治是治国理政的基本方式,依法治国是基本方略。 (2)正确认识法治和德治的作用。法治发挥作用以国家强制力为后盾。 (3)正确认识法治和德治的实现途径。 4.加强宪法实施,落实依宪治国 (1)深刻认识宪法实施和依宪治国的重大意义

我国宪法是党和人民意志的集中体现,是通过科学民主程序形成的根本大法,是全国各族人民、一切国家机关和武装力量、各政党 和各社会团体、各企业事业组织的根本活动准则。 (2)全面实施宪法的基本要求 一要在全社会树立宪法意识,弘扬宪法精神;二要加强宪法实施;三要加强宪法实施,要坚持党的依宪执政,自觉在宪法法律范围内 活动。 (3)准确把握宪法实施的正确方向 加强宪法实施,坚持依宪治国和依宪执政,要注意与西方国家宪政划清界限。 培养社会主义法治思维 1.法治思维的含义和特征 第一,法治思维以法治价值精神为指导,是一种正当性思维; 第二,法治思维以法律原则和法律规则为依据来指导人们的社会行为,是一种规范性思维; 第三,法治思维以法律手段与法律方法为依托分析问题、处理问题,解决纠纷,是一种最可靠的逻辑思维; 第四,法治思维是一种符合规律、尊重事实的科学思维。 2.法治思维的基本内容 (1)法律至上。尤其指宪法至上,因为宪法具有最高的法律效力。具体表现为:法律的普遍适用性、法律的'优先适用性、法律的不可 违抗性(即法律的权威性所在,通过法律的外在强制力和内在说服力 来实现)。 (2)权力制约。具体体现为职权由法定、有权必有责、用权受监督、违法受追究。

相关文档
最新文档