反激变压器设计
FPS 设 计 助 手
蓝色单元格为输入参数
红色单元格为输出参数1、定义SMPS的规格
最小输入电压（Vline_min):175V.rms
最大输入电压（Vline_max):265V.rms
输入电压频率(f L):50HZ
Vo Io Po KL
用于反馈控制的第一输出220.00V0.23A50.2W100第二输出0.00V0.60A0.0W0第三输出0.00V0.00A0.0W0第四输出0.00V0.00A0.0W0第五输出0.00V0.00A0.0W0第六输出0.00V0.00A0.0W0最大输出功率(Po)50.16W
估计效率(Eff)80.00%
最大输入功率(Pin)62.70W
2、计算最小输入电压
DC电容3000u F
DC电压纹波1V
最小DC电压247V
最大DC电压375V
3、确定最大占空比(Dmax)
最大占空比0.47
最大标称MOSFET电压575V
反射至初级的输出电压200V
4、确定变压器初级感量(Lm)
FPS的开关频率(KHZ)85Khz
纹波因数1
初级侧电感(Lm)1262u H
最大漏极峰值电流 1.08A
RMS漏极电流0.43A
CCM模式中的最大DC电压V
FPS的电流极限 1.00A 最大磁通密度增量0.30T 饱和磁通量密度(Bsat)0.30T 磁芯的AP估算值
1737mm 4磁芯的截面积(Ae)
118mm 2最少初级匝数
35.7T Vo
VF VCC(采用VCC起始电压)
12V 1.2V 0.23946 =>10用于反馈的第一输出电压
220.00V 0.5V 4 =>5第二输出
0.00V 1.2V 0.02177 =>10第三输出
0.00V 0V 0 =>第四输出
0.00V 0V 0 =>第五输出
0.00V 0V 0 =>第六输出
0.00V 0V 0 =>VF:整流二极管的正相压降初级匝数
521.40909
足够多的匝数AL值(无间隙)
2130n H/T 2隙宽(中心磁柱间隙)
0.247988629mm 直径
并联Irms A/mm 2初级绕组
0.5mm 1T 0.43A 2.18VCC绕组
0.3mm 1T 0.10A 1.41第一输出绕组
0.4mm 4T 0.41A 0.82第二输出绕组
0.4mm 4T 0.00A 0.00第三输出绕组
mm T #DIV/0!A #DIV/0!第四输出绕组
mm T #DIV/0!A #DIV/0!第五输出绕组
mm T #DIV/0!A #DIV/0!第六输出绕组
mm T #DIV/0!A #DIV/0!
铜面积
18.457mm 2填充系数
0.2所需的窗口面积
92.2842842mm 2反向电压
Rms电流VCC二极管
37V 0.10A 第一输出二极管
633V 0.41A 第二输出二极管
2V 0.00A 第三输出二极管
0V #DIV/0!A 第四输出二极管
0V #DIV/0!A 第五输出二极管
0V #DIV/0!A 第六输出二极管0V #DIV/0!A
8、确定次级侧中的整流二极管#匝数n:
7、确定每个输出的合适导线
6、确定每个输出的匝数
5、确定合适的磁芯和最小初级匝数
电容值ESR 电流纹波电压纹波第一输出电容值1000u F 30
m R 0.3A 0.03068第二输出电容值
1000u F 40m R #NUM!A 0.00332第三输出电容值
u F 50m R #DIV/0!A #DIV/0!第四输出电容值
u F 50m R #DIV/0!A #DIV/0!第五输出电容值
u F 50m R #DIV/0!A #DIV/0!第六输出电容值
u F 50m R #DIV/0!A #DIV/0!初级侧漏电感
4u H 缓冲电容器标称电压
120V 缓冲电容器标称电压纹波因数
5%缓冲器电阻器
72.48464126k Ω缓冲器电容器
3.246123779n F 缓冲器电阻器的功耗
0.198662775W 最大缓冲电容器电压
111.0062566V 最大MOSFET电压
485.773V 控制---输出DC增益
控制---输出零点
HZ 控制---输出RHP零点
HZ 控制---输出极点
HZ 分压电阻(R1)
5.6k Ω分压电阻(R2)
5.6k Ω光耦合器二极管电阻(RD)
1k Ω431偏压电阻(Rbids)
1.2k Ω反馈引脚电容器(CB)
10n F 反馈电容器(CF)
33n F 反馈电阻器(RF)
4.7k Ω反馈积分器增益(fi)
HZ 反馈零点(fz)
HZ 反馈极点(fp)HZ
9、确定输出电容器
11、设计反馈控制电路
10、设计RCD缓冲器