xilinx的7系芯片选型手册
西门子伺服电机选型手册
西门子伺服电机选择手册，SINAMICS S120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。普通异步电动机不能控制转矩，也不能控制三相异步电动机。 S120系列驱动与伺服电机选型手册第1部分：典型结构的多轴驱动控制单元电机模块与通用直流母线电源模块。带起动机（或scout）和SIMATIC manager软件或s7-300400的书本式柜式PC典型配置图，SIMOTION O/D/P 24 V DL说明：1：主控制模块cu320 2：电源模块SIM 或ALM+24 V电源3：单轴电机模块4：两轴电机模块234电源线终端模块驱动Cliq编码器反馈信号线选项板电抗器功率滤波器传感器模块无编码器电机运动控制，带drivc Cliq接口西门子（中国）自动化传动集团有限公司生产机械SINAMICS S120系列，选自《S120驱动与伺服电机选型手册》第1章多轴传动概述。Sinamics120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。它不仅可以控制普通的三相异步电动机，还可以控制步进电动机、转矩电动机和直线电动机。其强大的定位功能将实现进给轴的绝对和相对定位。2007年6月发布的DCC（drive control chart）功能将实现逻辑、计算和简单处理功能。SINAMICS S120产品包括：用于普通直流母线的DCAC逆变器和用于单轴的ACAC逆变器。具有公共直流母
线的DC/AC逆变器也称为多轴驱动。它的结构是电源模块和机器模块分开。电源模块将三个交流电整流成540V或600DC，并将电机模块（一个或多个）连接到直流母线。特别适用于多轴控制，特别适用于造纸、包装、纺织、印刷、钢铁等行业。优点是电机轴间能量共享，接线方便简单●单轴控制交流变频器，俗称单轴交流传动，其结构是功率模块和电机模块的组合，特别适合单轴速度和定位控制。本书第一部分包括第1至4章，主要介绍多轴交流传动。第二部分包括第五章至第八章，主要介绍单轴交流传动。第三部分包括第九章，主要介绍电机电缆和信号电缆。第四部分包括第10章，介绍了同步和异步伺服电机的指令数据。第五部分，包括第11章，简要介绍了运动控制系统的指令数据。这本书中的技术资料基本上是英文的。详情请参阅英文原文。西门子（中国）有限公司自动化与传动集团运动控制部生产的机械系列S120系列，源自《S120驱动与伺服电机选型手册》第二章。功率模块是我们通常所说的整流器或整流器/反馈单元。它将三相交流电整流成直流电，并为每个抑制模块（通常称为逆变器）供电。具有反馈功能的模块还可以向电网提供直流电。根据是否有反馈功能和反馈方式，将功率模块分为以下三类：基本线路模块：整流单元，但无反馈功能。智
ht7550中文资料_数据手册_参数
HT7530/33/36/44/50EOL Notification Features Cross Reference Part No. Item HT75XX-1HT75XX Output Voltage Same Same Electrical Specification Same Same Part No.HT7530-1 HT7533-1 HT7536-1 HT7544-1 HT7550-1 HT7530 HT7533 HT7536 HT7544 HT7550 Tolerance±3%±5% Package Form TO92(Bulk,T&R)TO92(Bulk,T&R) SOT89(T&R only)SOT89(Bulk,T&R) SOT25(T&R only)None Marking 75XX-1(for TO92and SOT89)HT75XX(for TO92and SOT89) 5XX1(for SOT25)None Availability Now available Last order:Jul/31/2003 Last shipment:Oct/31/2003 1November29,2002 EOL Notification Holtek hereby formally gives End Of Life(EOL)notification that the HT7530,HT7533,HT7536,HT7544and HT7550 (hereinafter denoted as HT75XX)100mA Voltage Regulator will be phased out of production with a latest purchase date of July31st2003.The suggested replacement device will be known as the HT7530-1,HT7533-1,HT7536-1, HT7544-1and HT7550-1(hereinafter denoted as HT75XX-1)and will offer superior performance by providing lower output voltage tolerance of3%in addition to having an additional SOT25packaging type. The following shows the phase out schedule for the HT75XX and the cross references between the phased out devices and the new release devices: ·Last time buy date:July31st2003 -Order placement deadline ·Production stops:October31st2003 -Cease production -Last delivery -Product reaches end of life status ·Suggested replacement device:HT75XX-1 -Output voltage tolerance of±3% -Additional SOT25package release -All devices are now available -Refer to the following tables for cross reference information.
(整理)集成电路IC知识
集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯
cc2590 芯片手册
FEATURES APPLICATIONS DESCRIPTION CC2590BLOCK DIAGRAM RF_P RXTX RF_N PAEN EN CC2590 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008 2.4-GHz RF Front End,14-dBm output power ?All2.4-GHz ISM Band Systems ?Seamless Interface to2.4-GHz Low Power RF Devices from Texas Instruments?Wireless Sensor Networks ?Wireless Industrial Systems ?Up to+14-dBm(25mW)Output Power ?IEEE802.15.4and ZigBee Systems ?6-dB Typical Improved Sensitivity on CC24xx ?Wireless Consumer Systems and CC2500,CC2510,and CC2511 ?Wireless Audio Systems ?Few External Components –Integrated Switches –Integrated Matching Network CC2590is a cost-effective and high performance RF –Integrated Balun Front End for low-power and low-voltage 2.4-GHz –Integrated Inductors wireless applications. –Integrated PA CC2590is a range extender for all existing and future –Integrated LNA 2.4-GHz low-power RF transceivers,transmitters and ?Digital Control of LNA Gain by HGM Pin System-on-Chip products from Texas Instruments.?100-nA in Power Down(EN=PAEN=0)CC2590increases the link budget by providing a power amplifier for increased output power,and an ?Low Transmit Current Consumption LNA with low noise figure for improved receiver –22-mA at3-V for+12-dBm,PAE=23% sensitivity. ?Low Receive Current Consumption CC2590provides a small size,high output power RF – 3.4-mA for High Gain Mode design with its4x4-mm QFN-16package. – 1.8-mA for Low Gain Mode CC2590contains PA,LNA,switches,RF-matching,? 4.6-dB LNA Noise Figure,including T/R Switch and balun for simple design of high performance and external antenna match wireless applications. ?RoHS Compliant4×4-mm QFN-16Package ? 2.0-V to3.6-V Operation Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
芯片手册
74系列 74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动 1 7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器 1 7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器 2 7476 TTL 带预置清除双J-K触发器 2 7483 TTL 四位二进制快速进位全加器 3 7485 TTL 四位数字比较器 4 7486 TTL 2输入端四异或门 5 7490 TTL 可二-五分频十进制计数器 5 7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器7 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器8 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器8 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器9 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门9 74138 TTL 3-8线译码器-复工器10 74139 TTL 双2-4线译码器-复工器11 74150 TTL 16选1数据选择-多路开关12 74154 TTL 4线—16线译码器13 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器14 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器15 74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器16 74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器16 74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器17 74173 TTL 三态输出四位D型寄存器18 74174 TTL 带公共时钟和复位六D触发器18 74175 TTL 带公共时钟和复位四D触发器19 74180 TTL 9位奇数-偶数发生器-校验器20 74185 TTL 二进制—BCD代码转换器21 74192 TTL 可预置BCD双时钟可逆计数器22 74194 TTL 四位双向通用移位寄存器22 74197 TTL 二进制可预置锁存器-计数器23 74245 TTL 八同相三态总线收发器23 74247 TTL BCD—7段15V输出译码-驱动器23 74248 TTL BCD—7段译码-升压输出驱动器24 74273 TTL 带公共时钟复位八D触发器24 74299 TTL 三态输出八位通用移位寄存器25 74323 TTL 三态输出八位双向移位-存贮寄存器25 CD系列 4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器26 4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器28 4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器29
合泰“烧录器”攻略_V100
合泰烧录器攻略 目录 一、让Hope3000默认弹出你要的封装 (2) 二、关于读不到ID (2) 三、关于空片，却读取发现Option有值 (2) 四、关于HIRC（内部振荡器） (2) 五、如何让你的烧录速度加快 (3) 1. 不用设置“查空” (3) 2. 可以从Data区下手（新手勿轻易使用） (3) 3. 可以从Code范围下手（新手勿轻易使用） (3)
一、让Hope3000默认弹出你要的封装 每次打开文档，都要从一堆下拉列表中挑选你要的封装，是不是很累？ 可以将你IDE3000的工程名称多加上你要的封装名称 Eg：XXXXXXX-package20DIP-A 这样产出的烧录档名称就含有封装信息了 那么你再使用Hope3000来开档案，就会直接弹出你要的封装了 （Hope3000需V3.05版本及以上） 二、关于读不到ID Flash是没有ID的，所以不会有“Check ID”可以勾选 OTP封装片有ID，但如果是“裸片”也会没有ID，所以你若是用“裸片”也请取 消Check ID 三、关于空片，却读取发现Option有值 因为芯片出厂时，会在Option个别位置烧录一些出厂数据 因此如果你发现“擦除/查空”后提示空片，但读取发现Option有值，那么这些值 就是出厂数据。 四、关于HIRC（内部振荡器） 内部HIRC频率的精准度和IC的工作电压有很大关系 因此请确保你在IDE3000中设置了正确的“工作电压”,如下是8MHz@5V 目前有3V和5V两个电压点可供选择
五、如何让你的烧录速度加快 1.不用设置“查空” 设置“智能烧录”时，不用设置“查空”，设置这个意义不大，却又耗时间！！！ 对于Flash只要你加入“擦除”就可以了 对于OTP芯片，万一真的不为空片，那你又能咋样是不是，都是要报废 所以不要“查空”了 2.可以从Data区下手（新手勿轻易使用） 如果你是用Flash芯片，并且烧录的时候，不需要初始化内部EEData 那么可以将“烧录”&“校验”这两个中的Data不勾选 记得“烧录”&“校验”都要同步做设置哦！ 3.可以从Code范围下手（新手勿轻易使用） 假设MCU为2K（8个Page） 而你的程序只用了前面的0~5个Page，剩余的2个Page没用，值都是0000 你就可以将“烧录”&“校验”这两个中Code的范围做调整！ 记得“烧录”&“校验”都要同步做设置哦！ 如下图：
西门子选型手册
西门子选型手册 16ES7?212-1AB23-0XB0CPU（8I/6O）晶体管输出 26ES7?212-1BB23-0XB0CPU??(8I/6O）?继电器输出 36ES7?212-1AB23-0XB8CPU（8I/6O）晶体管输出?CN 46ES7?212-1BB23-0XB8CPU??(8I/6O）?继电器输出?CN 56ES7?214-1AD23-0XB0CPU（14I/10O）晶体管输出 66ES7?214-1AD23-0XB8CPU（14I/10O）晶体管输出?CN 76ES7?214-1BD23-0XB0CPU（14I/10O）继电器输出 86ES7?214-1BD23-0XB8CPU（14I/10O）继电器输出??CN 96ES7?214-2AD23-0XB0CPU224XP（14DI/10DO，2AI,1AO）?晶体管输出? 106ES7?214-2BD23-0XB0CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出116ES7?214-2AD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）晶体管输出126ES7?214-2BD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出136ES7?216-2AD23-0XB0CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出 146ES7?216-2BD23-0XB0CPU（24I/16O）继电器输出 156ES7?216-2AD23-0XB8CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出?CN 166ES7?216-2BD23-0XB8CPU（24I/16O）继电器输出?CN 176ES7?221-1BF22-0XA08点24VDC输入 186ES7?221-1BF22-0XA88点24VDC输入?CN 196ES7?221-1BH22-0XA016点24VDC输入 206ES7?221-1BH22-0XA816点24VDC输入?CN 216ES7?222-1HF22-0XA08点继电器输出
74HC595中文芯片手册
74HC595 8位移位寄存器与输出锁存器 功能描述 这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗，以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。 此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入，并行出移位寄存器。存储寄存器具有8 TRI-STATE e输出。提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。 移位寄存器有直接首要明确，串行输入和串行输出（标准）引脚级联。两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。如果两个时钟被连接在一起时，移位寄存器的状态 将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。 该54HC/74HC逻辑系列就是速度，功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。所有输入免受损害，由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。 产品特点 1低静态电流：80 mA最大值（74HC系列） 2低输入电流为1mA最大 38位串行输入，并行出移位寄存器以存储 4宽工作电压范围：2V ± 6V 5级联 6移位寄存器直接明确 7保证移频率：DC至30兆赫
TL/F/5342-1 Top View Order Number MM54HC5S5 or MM74HC595 DuaHn-Line Package RCK SCK SCLR G Function X X X H Q A thruQH = TRI-STATE X X L L Shift Register cleared Q H -O X T H L Shift Register clocked C)N = Qnd ，Qo = SER T X H L Con tents of Shift Register transferred to output latches Operating Conditions Supply Voltage (V QC ) -0.5 to +7.0V DC Input Voltage (V IM ) -1.5 toV C c+15V DC OutpiX Voltage (V OUT ) -0.5 toVcc+0.5V Clamp Diode Current (I IK . I(X ) ±20 mA DC Output Current, per pin (lour) ±35 mA DC Vcc or GND Current, per pin (Icc) ±70 mA Storage Temperature Range (T STG ) -65"Cto+15(rC Power Dissipation (P Q ) (Note 3) 600 mW S.O. Package only 500 mW Lead Temp. (TO (Sobering 10 seconds) 2?TC Min Max Units Supply Voltage (Vcc) 2 6 V DC Input or Outpu* Voltage 0 Vcc V (Vw. VOUT ) Operating Temp. Range (T A ) MM74HC -40 +85 ?c MM54HC -55 + 125 ?c Input Rise or Fall Times VOC-20V 1000 ns V QC -4.5V 500 ns Vcc-6.0V 400 ns Absolute Maximum Ratings (Notes 1&2) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications ?
西门子PLC模块选型样本
SIMATIC S7- S7-2200可编程控制器 SIMATIC S7-200系列PLC适用于各行各业，各种场合中的检测、监测及控制的自动化。S7-200系列的强大功能使其无论在独立运行中，或相连成网络皆能实现复杂控制功能。因此S7-200系列具有极高的性能/价格比，S7-200系列出色表现在以下几个方面： *极高的可靠性*极丰富的指令集*易于掌握*便捷的操作*丰富的内置集成功能*实时特性*强劲的通讯能力*丰富的扩展模块 SIMATIC S7-200可编程控制器订货型号： 6ES7211-0AA23-0XB0CPU221DC/DC/DC6输入/4输出 6ES7211-0BA23-0XB0CPU221AC/DC/继电器6输入/4输出 6ES7212-1AB23-0XB0CPU222DC/DC/DC8输入/6输出 6ES7212-1BB23-0XB0CPU222AC/DC/继电器8输入/6输出 6ES7214-1AD23-0XB0CPU224DC/DC/DC14输入/10输出 6ES7214-1BD23-0XB0CPU224AC/DC/继电器14输入/10输出 6ES7214-2AD23-0XB0CPU224XP DC/DC/DC14输入/10输出 6ES7214-2BD23-0XB0CPU224XP AC/DC/继电器14输入/10输出 6ES7216-2AD23-0XB0CPU226DC/DC/DC24输入/16输出 6ES7216-2BD23-0XB0CPU226AC/DC/继电器24输入/16输出 6ES7221-1BF22-0XA0EM221数字量输入模块，8输入24V DC 6ES7221-1EF22-0XA0EM221数字量输入模块，8输入(交流120/230VAC) 6ES7221-1BH22-0XA0EM221数字量输入模块，16输入24VDC 6ES7222-1BF22-0XA0EM222数字量输出模块，8输出24VDC 6ES7222-1HF22-0XA0EM222数字量输出模块，8输出继电器 6ES7222-1EF22-0XA0EM222数字量输出模块，8输出(交流120/230VAC) 6ES7222-1BD22-0XA0EM222数字量输出模块，4输出24VDC-5A 6ES7222-1HD22-0XA0EM222数字量输出模块，4输出继电器-10A 6ES7223-1BF22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，4输入/4输出24V DC 6ES7223-1HF22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，4输入24VDC/4继电器输出 6ES7223-1BH22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，8输入/8输出24VDC 6ES7223-1PH22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，8输入24VDC/8继电器输出 6ES7223-1BL22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，16输入/16输出24VDC 6ES7223-1PL22-0XA0EM223数字量输入/输出模块，16输入24VDC/16继电器输出 6ES7231-0HC22-0XA0EM231模拟量输入模块，4输入 6ES7231-7PB22-0XA0EM2312路输入热电阻 6ES7231-7PD22-0XA0EM2314路输入热电偶 6ES7232-0HB22-0XA0EM232模拟量输出模块，2输出 6ES7235-0KD22-0XA0EM235模拟量输入/输出模块4输入/1输出 6ES7241-1AA22-0XA0EM241调制解调器模块 6ES7253-1AA22-0XA0EM253定位模块 6ES7277-0AA22-0XA0EM277PROFIBUS-DP模块 6GK7243-1EX00-0XE0CP243-1以太网模块 6GK7243-1GX00-0XE0CP243-1IT版以太网模块
S3C2416芯片手册-中文不完整版
微软中国[键入公司地址] [键入电话号码] [键入传真号码] [选取日期]微软中国 [在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。]
目录 1、产品概述 (3) 1、引言 (3) 2、特点 (3) 3、框图 (3) 4、引脚分配 (1) 4.1信号说明 (13) 2系统控制器 (35) 1概述 (35) 2、特点 (35) 3、框图 (36) 4、功能说明 (36) 4.1复位管理及类型 (36) 4.2硬件复位 (37) 4.3看门狗复位 (38) 4.4软件复位 (38) 4.5唤醒复位 (38) 5时钟管理 (39) 5.1时钟发生器概述 (39) 5.2时钟源选择 (39) 5.3PLL（锁相回路） (40) 5.4在正常操作下，改变PLL设置 (41) 5.5系统时钟控制 (41) 5.6ARM和总线时钟分频比 (42) 5.7配置时钟寄存器以产生AMBA时钟特定的频率 (42) 5.8ESYSCLK控制 (43) 6、电源管理 (43) 6.1功率模式状态图 (43) 6.2节能模式 (44) 6.3唤醒事件 (47) 6.4输出端口状态，以及停止和睡眠模式 (47) 6.5省电模式进入/退出条件 (48) 7寄存器说明 (48) 7.1地址映射 (48) 8独立的寄存器说明 (49) 8.1时钟源控制寄存器（LOCKCON0，LOCKCON1，OSCSET，MPLLCON，与 EPLLCON） (49) 8.2时钟控制寄存器（CLKSRC，CLKDIV，HCLKCON，PCLKCON，与SCLKCON） (51) 8.3电源管理寄存器（PWRMODE与PWRCFG） (54) 8.4复位控制寄存器（SWRST和RSTCON） (56) 8.5在普通模式和从休眠模式唤醒下，（I/O）保持位控制。 (56) 8.6系统控制器状态寄存器（WKUPSTAT与RSTSTAT） (57)
合泰(HT)入门攻略
合泰（HT）入门攻略 同V100版本相比，多出了如下红色内容 目录 一、网址链接 (2) 1. 芯片选型 (2) 2. 工具主页 (2) 3. 工具的使用视频 (3) 二、HT基本常识 (4) 1. Flash/OTP (4) 2. 编译器 (4) 3. 软件仿真 (4) 4. 资料更新 (4) 三、HT价格 (5) 1. 芯片价格 (5) 2. 仿真器价格 (5) 3. 烧录器价格 (6) 四、HT培训 (7) 1. 可以建议购买如下书籍 (7) 2. 仿真器购买M1001D+D1003C (7) 3. HT官方网站上有应用范例 (7) 4. 如果想有人手把手教 (7) 五、使用手册 (8)
一、网址链接 官网https://www.360docs.net/doc/8310991412.html, 1.芯片选型 ?选型系统 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/ecatalog_mvc_trunk/parametricSearchContr oller.do?compNo=H&groupNo=01 ?简易选型PDF文档 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/pdf/guide.pdf 2.工具主页 ?上位机软体下载 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/China/tech/tool/MainPage1.htm ?仿真器/烧录器硬件 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/China/tech/tool/MainPage1.htm
? 工具搭配组合查询https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/China/tech/tool/MainPage2.aspx?L=CN ? IC 烧录引脚需知 如果不使用HT 的专用e-Socket 转接座，可考虑使用如下ICP 方式： https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/english/literature/Holtek_MCU_In-Circuit_Pr ogramming_Guidelines.pdf 3. 工具的使用视频 https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,/HoltekC500 ○ 1 ○ 2 ○ 3
CY7C1051DV33芯片手册
PRELIMINARY 8-Mbit (512K x 16) Static RAM CY7C1051DV33 Features ?High speed —t AA = 10 ns ?Low active power —I CC = 110 mA @ 10 ns ?Low CMOS standby power —I SB2 = 20 mA ?2.0V data retention ?Automatic power-down when deselected ?TTL-compatible inputs and outputs ?Easy memory expansion with CE and OE features ? Available in lead-free 48-ball FBGA and 44-pin TSOP II packages Functional Description [1] The CY7C1051DV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 512K words by 16 bits. Write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte LOW Enable (BLE) is LOW,then data from IO pins (IO 0–IO 7), is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from IO pins (IO 8–IO 15) is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). Read from the device by taking Chip Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH.If Byte LOW Enable (BLE) is LOW, then data from the memory location specified by the address pins will appear on IO 0–IO 7.If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from memory will appear on IO 8 to IO 15. See the “Truth Table” on page 8 for a complete description of Read and Write modes. The input/output pins (IO 0–IO 15) are placed in a high-impedance state when the device is deselected (CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or a Write operation (CE LOW,and WE LOW) is in progress. The CY7C1051DV33 is available in a 44-pin TSOP II package with center power and ground (revolutionary) pinout, as well as a 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package. Note 1.For guidelines on SRAM system design, please refer to the “System Design Guidelines” Cypress application note, available on the internet at https://www.360docs.net/doc/8310991412.html, . 1415Logic Block Diagram A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 COLUMN DECODER R O W D E C O D E R S E N S E A M P S INPUT BUFFER 512K × 16ARRAY A 0A 11A 13A 12A A A 16A 17A 18 A 9A 10IO 0–IO 7OE IO 8–IO 15 CE WE BLE BHE
合泰芯片休眠问题
合泰芯片休眠问题 由于公司产品需要低功耗，本人也是菜鸟，但是在网上要这方面的介绍但是不是很详细，所以本人就在边学习边调试，功夫不负有心人终于调试好了，以下是本人对合泰芯片休眠状态调试的心得，希望对初学合泰单片机的菜鸟们借鉴。也是对本人学习的巩固。 1.调试以前把PCB板上面的元器件都焊接好，保证调试板一定是OK的。 2.开始调试静态电流，把单片机取下来，看整个PCB板的静态电流是多少， 如果有其它的芯片配合的，先把芯片VDD断开，看看外围控制电路的电流是多少，如果外围静态电流大，就自己慢慢找，这里就不详细说明了。 3.外围电路电流达到你想要的值了，就可以开始单片机的设置了。 4.一般的休眠都有一个定时过程，起码要1分钟以上才能进入休眠吧，到合泰 芯片掩膜选项里面把看门狗关闭不用，注；（我这里是I/O脚唤醒，所以这样设置）。把要设定的唤醒口设置为wake-up 。然后再选择带上拉 pull-high。 5.再设定使用的I/O口，如果你把I/O口作为输入口就要带上拉 pull-high。如 果你把I/O口作为输出口，就不能带上拉。我知道由于控制需要有些I/O口一定要这样设置的，特别注意这里，因为这里会消耗几百uA电流的，把没有使用的I/O设置为输出口。或者在芯片内部没有引出了的也一样。 6.在进入休眠以前要把所使用的I/O口一定要按要求设置好，把init初始化里 面的特殊寄存器都要关闭，再进入休眠函数_halt();，如果单步进入函数程序，当程序运行到_halt();软件左下脚会显示“掉电模式”。程序会一直停留在这里，等待I/O口唤醒。 7.在休眠函数_halt();后面要把关闭掉的特殊寄存器按init初始的要求重新设定 好。注意；按前面的设置一样，要不然程序运行会不对的。只要按上面的要求设定好基本上是没有问题了。 8.如果还是不明白就联系我邮箱；liuyuron@https://www.360docs.net/doc/8310991412.html,
关于STC单片机的一些牢骚
关于STC单片机的一些牢骚 STC 1T系列单片机，是目前为止，我个人认为最适 合灯光调光类产品的单片机IC。但是目前市场上，对 STC的骂声一片，至少在我经常上的一些关于单片机的 论坛也好，经常聊的一些关于单片机、电子技术的Q群 也好并不怎么看好STC单片机。至于原因嘛，有目共睹的，STC因吹牛皮不慎，引犯众恶。比如： 一、数据手册、规格书做得不专业，很严谨的数据手册、规格书被做得很像宣传手册一样，很奇怪，怎么不参照 一下Microchip或者ATMEGA AVR这些牌子的数据手册、规格书呢。 二、产地不详。STC号称中国大陆本土品牌，中国 人自己的单片机。既不能提供产地的资料，又不明确表 态所用的技术是出自哪里的。客户打电话过去咨询，说 是美国的技术，上海制造，但是打电话到美国咨询却没 人接听。官网上却宣称是中国自己的技术。有点矛盾。 不过最近STC官网发布了一些TSMC生产现场的照片，说明的确是上海制造。 三、STC的官网也搞得太不像样了，很简单的一个 页面，而且从我留意STC到现在版面一点点改变都没有。 四、ISP烧录软件不像样，经常出错，在装有
AUTOCAD上的电脑启动，将会一起启动AUTOCAD的安装程序。巨郁闷…… 五、自吹自擂，号称无法解密的单片机，现在最新 的15F都用第八代加密技术了，但是市场上随便三两千 元都能解密了。还悬赏十万请专家帮忙查找有无漏洞。 你说会不会有这么笨的人，我要是知道你的解密方法， 我也不去做这么蠢的事，断自己的财路，这么等同于杀 鸡取卵么？ 综上所述，STC的确缺点多多。但不得不承认STC仍拥有很多的优点、很强大的功能。比如说： 一、STC是1T单片机，速度十分的快。使用如此高速的单片机进行灯光PWM调光（多数为软件PWM，硬件PWM 在选型、移植、设计都有较多的不便，但软件PWM要求 较高的速度），能让光线柔和无闪烁感。这是其它单片机无法比拟的。也是STC适合于灯光调光类产品最主要的 原因。当然，1T、4T的单片机比比皆是。如Microchip、AVR、Silicon Labs。但STC可以用到30～40MHZ的单片机，Microchip、AVR的中低档单片机中根本没有。高档 就算啦，不是同一个价位的。而且进口货，也贵得惊人。有一次，Microchip一代理商给我打电话说，你们现在 用的单片机也几块钱啊，我们Microchip也有一块两块 美金的单片机啊。*，几块美金是多少人民币了？至于
ARM芯片手册知识点
1，norflash与nandflash的区别 【什么是OneNand Flash】NandFlash和NorFlash OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。 随着过去几十年的Nand技术的发展，一些公司，基于原先的NAND的架构， 设计出一种理想的单存储芯片，其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。 OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度，又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点。与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。 【OneNand Flash的用途】 基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb 的存储容量，并且在今年晚些时候，将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。 NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快 SRAM是静态随机存储器，DRAM是动态随机存储器。SRAM的速度更快，但比较贵。DRAM 便宜一点，但速度就慢一点了。 2.内存地址的计算方法 内存地址的计算方法 内存是按字节编址的，所以单位是字节，1字节可是等于8位的。因为计算的范围一般比较小，所以就记住两个就够了。记住几个常用的2的10次方为1024即1KB 2的20次方=（2的10次方）的平方，即1MB就行了 如果要求更大的，那就再记住2的40次方=（2的10次方）的4次方=1GB，一般就够用了。 题一： DFFFF-A0000 = 3FFFF 一眼看不出来大小滴，或许你要用笔算，不过用这个方法两眼就能看出来： 3FFFF展开为2进制就是2的18次方，是吧，即 2的10次方乘以2的8次方=1K*256即256KB