东莞电子信息高技术产业项目商业计划书

东莞电子信息高技术产业项目

商业计划书

投资分析/实施方案

报告摘要

据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存

化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。作为半导体产

业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。

当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，持续为半导体产业提供强劲市场需求，全球集成电路产业将迎来新一轮的

发展机遇。

该半导体集成电路项目计划总投资10512.85万元，其中：固定资

产投资7405.61万元，占项目总投资的70.44%；流动资金3107.24万元，占项目总投资的29.56%。

达产年营业收入24772.00万元，净利润4254.86万元，达产年纳

税总额2397.97万元；达产年投资利润率53.96%，投资利税率63.28%，投资回报率40.47%，全部投资回收期3.97年，提供就业职位370个。

东莞电子信息高技术产业项目商业计划书目录

第一章项目基本信息

第二章投资背景和必要性分析

第三章产业分析

第四章投资建设方案

第五章土建工程

第六章运营管理模式

第七章项目风险评估

第八章 SWOT分析

第九章项目实施方案

第十章投资规划

第十一章经济收益

第十二章项目评价结论

第一章项目基本信息

一、项目名称及建设性质

（一）项目名称

东莞电子信息高技术产业项目

（二）项目建设性质

该项目属于新建项目，依托xx经济合作区良好的产业基础和创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以半导体集成电路为核心的综合

性产业基地，年产值可达25000.00万元。

二、项目承办单位

xxx实业发展公司

三、战略合作单位

xxx公司

四、项目建设背景

1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将

半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。

半导体材料升级换代。作为集成电路发展基础，半导体材料逐步更新

换代，第一代半导体材料以硅（Si）为主导，目前，95%的半导体器件和99%

以上的集成电路都是硅材料制作。20世纪90年代以来，光纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）为代表的第二代半导

体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS导航等领域。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等

于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。

xx经济合作区把加快发展作为主题，以经济结构的战略性调整为

主线，大力调整产业结构，加强基础设施建设，积极推进对外开放，

加速观念创新、体制创新、科技创新和管理创新，努力提高经济的竞

争力和经济增长的质量和效益。该项目的建设，通过科学的产业规划

和发展定位可成为xx经济合作区示范项目，有利于吸引科技创新型中

小企业投资，吸引市内外、省内外、国内外的资本、人才、技术以及

先进的管理方法、经验集聚xx经济合作区，进一步巩固xx经济合作

区招商引资竞争力。

五、投资估算及经济效益分析

（一）项目总投资及资金构成

项目预计总投资10512.85万元，其中：固定资产投资7405.61万元，占项目总投资的70.44%；流动资金3107.24万元，占项目总投资

的29.56%。

（二）资金筹措

该项目现阶段投资均由企业自筹。

（三）项目预期经济效益规划目标

项目预期达产年营业收入24772.00万元，总成本费用19098.86

万元，税金及附加197.18万元，利润总额5673.14万元，利税总额6652.82万元，税后净利润4254.86万元，达产年纳税总额2397.97万元；达产年投资利润率53.96%，投资利税率63.28%，投资回报率

40.47%，全部投资回收期3.97年，提供就业职位370个。

十、项目评价

1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合xx经

济合作区及xx经济合作区半导体集成电路行业布局和结构调整政策；

项目的建设对促进xx经济合作区半导体集成电路产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、xxx科技公司为适应国内外市场需求，拟建“东莞电子信息高

技术产业项目”，项目的建设能够有力促进xx经济合作区经济发展，

为社会提供就业职位370个，达产年纳税总额2397.97万元，可以促

进xx经济合作区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做

出积极的贡献。

3、项目达产年投资利润率53.96%，投资利税率63.28%，全部投资回报率40.47%，全部投资回收期3.97年，固定资产投资回收期

3.97年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

4、改革开放以来，我国非公有制经济发展迅速，在支撑增长、促进就业、扩大创新、增加税收，推动社会主义市场经济制度完善等方面发挥了重要作用，已成为我国经济社会发展的重要基础。但部分民营企业经营管理方式和发展模式粗放，管理方式、管理理念落后，风险防范机制不健全，先进管理模式和管理手段应用不够广泛，企业文化和社会责任缺乏，难以适应我国经济社会发展的新常态和新要求。公有制为主体、多种所有制经济共同发展,是我国的基本经济制度；毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持和引导非公有制经济发展，是党和国家的大政方针。今天，我们对民营经济的包容与支持始终如一，人们在市场经济中创造未来的激情也澎湃如昨。国家支持民营经济发展，是明确的、一贯的，而且是不断深化的，不是一时的权宜之计，更不是过河拆桥式的策略性利用。对于非公有制经济的地位和作用，“三个没有变”的判断：“非公有制经济在我国经济社会发展中的地位和作用没有变，我们毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展的方针政策没有变，我们致力于为非公有制经济发展

营造良好环境和提供更多机会的方针政策没有变。”同时，公有制为

主体、多种所有制经济共同发展，是写入党章和宪法的基本经济制度，这是不会变的，也是不能变的。进入新时代，中国的民营经济只会壮大、不会离场，只会越来越好、不会越来越差。提振民营经济、激发

民间投资已被列入重要清单。民营经济是经济和社会发展的重要组成

部分，在壮大区域经济、安排劳动就业、增加城乡居民收入、维护社

会和谐稳定以及全面建成小康社会进程中起着不可替代的作用，如何

做大做强民营经济，已成为当前的一项重要课题。

第二章投资背景和必要性分析

一、项目承办单位背景分析

（一）公司概况

本公司奉行“客户至上，质量保障”的服务宗旨，树立“一切为

客户着想” 的经营理念，以高效、优质、优惠的专业精神服务于新老

客户。成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产

管理能力和风险控制能力。

公司通过了GB/ISO9001-2008质量体系、GB/24001-2004环境管理体系、GB/T28001-2011职业健康安全管理体系和信息安全管理体系认证，并获得CCIA信息系统业务安全服务资质证书以及计算机信息系统

集成三级资质。公司是强调项目开发、设计和经营服务的科技型企业，严格按照高新技术企业规范财务制度。截止2017年底，公司经济状况

无不良资产发生，并严格控制企业高速发展带来的高资产负债率。同时，为了创新需要及时的资金作保证，公司对研究开发经费的投入和

使用制定了相应制度，每季度审核一次开发经费支出情况，适时平衡

各开发项目经费使用，最大限度地保证开发项目的资金落实。

为了确保研发团队的稳定性，提升技术创新能力，公司在研发投入、技术人员激励等方面实施了多项行之有效的措施。公司自成立以来，一直奉行“诚信创新、科学高效、持续改进、顾客满意”的质量

方针，将产品的质量控制贯穿研发、采购、生产、仓储、销售、服务

等整个流程中。公司依靠先进的生产、检测设备和品质管理系统，确

保了品质的稳定性，赢得了客户的肯定。公司生产运营过程中，始终

坚持以效益为中心，突出业绩导向，全面推行内部市场化运作模式，

不断健全完善全面预算管理体系及考评机制，把全面预算管理贯穿于

生产经营活动的各个环节。通过强化预算执行过程管控和绩效考核，

对生产经营过程实施全方位精细化管理，有效控制了产品生产成本；

着力推进生产控制自动化与经营管理信息化的深度融合，提高了生产

和管理效率，优化了员工配置，降低了人力资源成本；坚持问题导向，不断优化工艺技术指标，强化技术攻关，积极推广应用新技术、新工艺、新材料、新装备，原料转化率稳步提高，降低了原料成本及能源

消耗，产品成本优势明显。

（二）公司经济效益分析

上一年度，xxx科技公司实现营业收入18343.96万元，同比增长28.55%（4073.66万元）。其中，主营业业务半导体集成电路销售收入

为15018.56万元，占营业总收入的81.87%。

上年度主要经济指标

根据初步统计测算，公司实现利润总额5066.60万元，较去年同期相比增长560.44万元，增长率12.44%；实现净利润3799.95万元，较去年同期相比增长384.47万元，增长率11.26%。

上年度主要经济指标

二、半导体集成电路项目背景分析

1956年国务院制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。

半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。

直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。原电子工业部部长在其著作《芯路历程》中回忆这一阶段历史，提到发展中

第一个误区“有设备就能生产”，70年代从日本、美国引进了大量二手、淘汰设备建立了超过30条生产线，但引进后无法解决技术、设计

问题，也没有管理、运营能力，第一批生产线未能发挥应有的作用，

就淡出了市场。

90年代，国家再度启动系列重大工程，为改变半导体行业发展困境，最知名的为908、909工程，908工程在1990年启动，投资20亿

元建设国际领先的1微米(1000nm)制程工艺的晶圆制造产线。由于中

国彼时整体经济力量还在蓄积，因此经费、设备引进、建厂等环节仍

然阻力较大，直至1998年产线得以竣工。此时国际工艺节点达到0.18微米，中国生产线刚建成就落后两代。在1996年国家启动了“909”

工程，整体投资约100亿元，并且做出很多打破审批的特事特办，参

与其中的公司如今只剩两家，一个是909工程的主体华虹集团，另一

个则是完全自筹 1.355亿元资金的华为设计公司，也就是后来的海思。

集成电路产业链主要分为集成电路设计、集成电路制造以及集成

电路封装测试等三个主要环节，同时每个环节配套以不同的制造设备

和生产原材料等辅助环节。

半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导

体设备支出的占比普遍达到80%。一条晶圆制造新建产线的资本支出占

比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。

其中晶圆制造设备在半导体设备中占比最大，进一步细分晶圆制

造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。

2017年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比增长37%，2018年约在600亿美元规模。中国是全球半导体设备的第三大市场，2018年中国半导体设备123.78亿元。

我国半导体设备销售收入一直保持高速增长状态，2018年全国半

导体设备销售收入123.78亿元，同比增长39.14%，2015-2018年期间，我国半导体设备销售收入复合增长率高达37.93%。

半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美

所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。

目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的

国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。

从政策上看，随着《国家集成电路产业发展推进纲要》《中国制

造2025》等纲领的退出，国内针对半导体装备的税收优惠、地方政策

支持逐步形成合力，为本土半导体设备厂商的投融资、研发创新、产

能扩张、人才引进等创造良好环境。

财政部先后于2008、2012、2018年出台税收政策减免集成电路生

产企业所得税。从地方产业政策来看，多地退出集成电路产业扶持政

策及发展规划，从投融资、企业培育、研发、人才、知识产权、进出

口以及政府管理等方面退出一系列政策，对符合要求的企业给予奖励

和研发补助。

全球半导体分为IDM模式和垂直分工模式两种商业模式，老牌大

厂由于历史原因，多为IDM模式。随着集成电路技术演进，摩尔定律

逼近极限，各环节技术、资金壁垒日渐提高，传统IDM模式弊端凸显，新锐厂商多选择Fabless（无晶圆厂）模式，轻装追赶。集成电路设计为知识密集型产业，国际上比较典型的参与者主要有AMD、英伟达、高通、联发科、苹果、华为海思等公司。芯片设计可以分为数字集成电

路设计和模拟集成电路设计两大类。模拟集成电路设计包括电源集成

电路、射频集成电路等设计。模拟集成电路包括运算放大器，线性整

流器，锁相环，振荡电路，有源滤波器等。相较数字集成电路设计，

模拟集成电路设计与半导体器件的物理材料性质有着更大的关联。数

字集成电路设计包括系统定义，寄存器传输级设计，物理设计，设计

过程中的特定时间点，还需要多次进行逻辑功能，时序约束，设计规

则方面的检查，调试，以确保设计的最终成果合乎最初的设计收敛目标。全球芯片设计产业现状全球芯片设计产业龙头企业主要分布在美国，中国，台湾等国家地区，2018年，中国企业海思半导体首次入围

全球芯片设计前十企业，营收规模排名全球第五。从整体来看，美国

企业仍然占据了绝对主流，前10大芯片设计公司中有8家都来自美国，其他仅有海思半导体和联发科(中国台湾)上榜。

2018年全球芯片设计产业规模大约为1139亿美元，同比增速14%，过去五年符合增速约为6.6%。由于近几年智能手机等终端对于芯片性

能和数量需求的快速提升，全球芯片设计产业得以快速增长。特别是

随着整体芯片设计工艺的持续升级，芯片设计产业充分享受了下游芯

片制造大规模投资的产业红利，产业持续高速增长。

三、半导体集成电路项目建设必要性分析

半导体材料升级换代。作为集成电路发展基础，半导体材料逐步

更新换代，第一代半导体材料以硅（Si）为主导，目前，95%的半导体

器件和99%以上的集成电路都是硅材料制作。20世纪90年代以来，光

纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）

为代表的第二代半导体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器

件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS导航等领域。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为

宽禁带半导体材料。

国内半导体材料市场高速增长。半导体材料市场会根据半导体行

业的变化而变化。目前，2015年全球半导体材料市场产值已达到434

亿美元，约占据整体产业的13%，其规模巨大。国内半导体材料市场近年来受产业链增长拉动，半导体材料销售额保持较高增速，2006-2015

年保持平均14%的增长率。2015年已经达到61.2亿美元的规模，且占

有率有持续增长的趋势。预计随着全球半导体产业向大陆转移，日本、台湾等占有率将有所下降，而大陆半导体材料市场将会进一步扩大。

新一代半导体应用领域广泛，潜在市场空间大。第二、三代半导

体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是通信、照明、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对

这种高性能的半导体材料有着极大的需求。未来第三代半导体技术的

应用将催生我国多个领域的潜在市场，届时将产生巨大的市场应用空间。

通信技术更新换代，传输速度呈数量级增长。从上世纪80年代至今，每一代移动通信标准都有着其标志性的能力指标和核心关键技术。1G只能提供模拟语音业务；2G的GSM网络可提供数字语音和低速数据

业务；3G以CDMA为技术特征，用户峰值速率达到2Mbps至数十Mbps，可以支持多媒体数据业务；4GLTE网络用户峰值速率可达100Mbps以上，能够支持各种移动宽带数据业务。

5G技术将引领新革命。相比前四代通讯技术，5G网络的变革将更

加全面，在进一步提高通讯传输速度的同时，更加强调连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等场景下的技术需求，为

进一步升级的移动互联网市场，和新兴的物联网、智能汽车、智能制造、虚拟现实等市场提供多元化的技术方案。目前国际主流的行业组织、运营商、设备厂商和芯片厂商都在积极投入5G标准的制定，预计

到2020年前后，5G网络将实现商用。

未来，5G网络的商用必然将催生移动通信芯片升级换代的海量市场，同时也将带来通讯芯片市场版图的巨大变化。5G技术高速率和低

延迟的要求，对化合物半导体提出了新的需求。比如功率、线性度、

工作频率、效率、可靠性等都需要达到极高的标准。由于5G通信全频

带通信的特性，5G手机中射频前端芯片数量将进一步增加，带动以GaAs为代表的第二/三代化合物半导体产业链发展。具体到实践当中，可以从设备端和基站端两分析。基站端需求。5G实际应用中，带相控

阵天线的手机将发射信号给基站和微蜂窝基站，基站和微蜂窝基站将

与相控阵天线对接以实现信号连接。基站使用的射频功率管一般采用LDMOS工艺，但现在LDMOS工艺正在被氮化镓（GaN）工艺取代。GaN

是宽禁带材料，意味着GaN能够耐受更高的电压，有更高的功率密度

和可工作温度更高，能够满足5G通信基站的要求。

同时，5G采用高频频谱虽然能提供更高的数据传输速率，但这一

频段的电磁波传输距离很短，且容易被障碍物阻挡。因而移动运营商

可能需要建设数百万个小型基站，将其部署至每根电线杆、每栋大楼，每户房屋，甚至每个房间，这也就意味着基于GaN的PA芯片需求将出

现飞跃增长。根据市场调查机构Yole的估计，GaN功率器件需求有望

在今后5年内爆发，复合增长率可达90%以上。

手机端需求。4G手机中数字电路部分包括应用处理器和调制解调器，射频前端则包括功率放大器（PA）、射频信号源和模拟开关。功

率放大器通常采用砷化镓（GaAs）材料的异质结型晶体管（HBT）技术

制造。未来的5G手机也要有应用处理器和调制解调器。不过与4G系

统不同，5G手机还需要相控阵天线，每根天线都有独立的PA和移相器，并与一个覆盖整个工作频率的信号收发器相连，相应的半导体器件需

求将会更大。

2015年全球智能手机销量达14.3亿部，中国智能手机出货量达

5.39亿部。根据估算，2016年度全球智能手机出货量预计达到15部，手机砷化镓功率元件需求量超过160亿只，国内手机市场砷化镓元件

需求量接近60亿只。未来随着4G手机渗透率的不断提升和5G技术的

商用化，手机用砷化镓元件还将不断增长。