北方工业大学-数字集成电路期末试卷

北方工业大学

《数字集成电路》课程补考试卷

A 卷

2014年春季学期

开课学院：信息工程学院

考试方式：闭卷

考试时间：120 分钟

班级姓名学号题号一二三四五六七总分得分阅卷人

一、简答（共20分，每题10分）

（1）用AOI 逻辑实现()

D B C A Z +?=，给出详细电路图。

序号

订

线

装

（2）简述用NMOS、PMOS和CMOS做传输门的优缺点。

二、版图设计（共20分）

根据给出的设计规则找出图示版图中的错误，并画出双阱工艺中CMOS反相器的版图，图中每个点间距为1um。

Well Minimum Width 阱最小宽度4um

Active Minimum Width 有源区最小宽度5um

Poly Minimum Width 多晶硅最小宽度3um

Active to select Edge有源区与选择区边缘间距1um

Select to Well Edge 选择区与阱边缘间距1um

Gate Extension out of Active硅栅对有源区最小出头量2um

Metal1 Minimum Width 金属最小宽度3um

ActiveContact exact Size 有源区最小接触孔尺寸2umx2um

Metal1 Overlap of ActiveContact 金属对有源接触的最小覆盖2um

ActCnt to ActCnt Spacing 有源区接触孔间距2um

三、网表分析题（共20分，每小题10分）

（1）. 画出下面T-spice网表对应的电路图，解释要完成的模拟并给出示意性的输出波形。*

* Example 2: DC Transfer Analysis

* Circuit: invert_dc.cir

.include ml2_125.md

m1n out in GND GND nmos l=5u w=8u

m1p out in vdd vdd pmos l=5u w=12u

c2 out GND 800ff

vdd vdd GND 3.0

vin in GND 1.0

.dc vin 0 3 0.02

.print dc in out

（2）、完成用CMOS与非门的T-spice网表，仿真时间600ns。

0 40ns 80ns t

* Example : tran Analysis

.include ml2_125.md

四、分析题（共20分，每小题10分）

（1）、由MOSFET的简化数字模型，推导CMOS反相器转换电压。（2）、根据以上结果推导N输入与非门转换电压的表达式。

五、给出下面两图的逻辑符号（与非门、或非门）和详细电路图，并说明多晶硅弯曲摆放部分的意义（共20分，每小题10分）。

集成电路测试

第一章集成电路的测试 1.集成电路测试的定义集成电路测试是对集成电路或模块进行检测，通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较，以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程，是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理输入Y 被测电路DUT（Device Under Test）可作为一个已知功能的实体，测试依据原始输入x 和网络功能集F（x），确定原始输出回应y，并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此，测试的基本任务是生成测试输入，而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件，并分析其输出的正确性。测试过程中，测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚，第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应，最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试集成电路的不正常状态有缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure）等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素，使集成电路不符合技术条件而不能正常工作，称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化，称为故障。故障可能使集成电路失效，也可能不失效，集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能，称为集成电路失效。故障和缺陷等效，但两者有一定区别，缺陷会引发故障，故障是表象，相对稳定，并且易于测试；缺陷相对隐蔽和微观，缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备测试仪：通常被叫做自动测试设备，是用来向被测试器件施加输入，并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范，包括：器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素：费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。

数字集成电路复习笔记

数集复习笔记 By 潇然名词解释专项摩尔定律：一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。传播延时：一个门的传播延时t p定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同，所以需定义两个传播延时。 t pLH定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间，而t pHL则为输出由高至低翻转的响应时间。传播延时t p定义为这两个时间的平均值：t p=(t pLH+t pHL)/2。设计规则：设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。它们包括图形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求。定义设计规则的目的是为了能够很容易地把一个电路概念转换成硅上的几何图形。设计规则的作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口，或者说是他们之间的协议。速度饱和效应：对于长沟MOS管，载流子满足公式：υ= -μξ(x)。公式表明载流子的速度正比于电场，且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之，载流子的迁移率是一个常数。然而在（水平方向）电场强度很高的情况下，载流子不再符合这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界值ξc时，载流子的速度将由于散射效应（即载流子间的碰撞）而趋于饱和。时钟抖动：在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化，即时钟周期在每个不同的周期上可以缩短或加长。逻辑综合：逻辑综合的任务是产生一个逻辑级模型的结构描述。这一模型可以用许多不同的方式来说明，如状态转移图、状态图、电路图、布尔表达式、真值表或HDL描述。噪声容限：为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好。一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限NM L和高电平噪声容限 NM H来度量的，它们分别量化了合法的“0”和“1”的范围，并确定了噪声的最大固定阈值： NM L =V IL - V OL NM H =V OH - V IH

电阻分拣仪课程设计

一级电阻分选电路的设计摘要本设计充分利用了现代集成芯片技术，采用了阻抗变换和比较的方法，其结果简单、控制可靠、使用方便、具有很高的灵敏性，又不易产生错误。具有很高的使用价值。主要运用桥式整流电路，窗口比较电路和显示电路等基本电路，并利用三端稳压器稳定输出电压，并通过窗口比较电路输出高低电平，再通过LED显示电路显示出合适的电阻，从而方便快捷的挑选出一级电阻。本设计主要运用的芯片有W7805,W7905,CD4001,LM324D等。整体设计遵循硬件工程的方法，经过需求分析，总体设计，安装调试，模块测试和系统实现几个阶段。关键词：稳压电路，窗口比较器，CD4001，电阻测量

目录 1 课题描述 (1) 2 设计方案 (1) 2.1电源电路设计 (2) 2.2检测电路 (2) 2.3显示电路 (5) 3元件选择 (5) 3.1 三端稳压器 (5) 3.2 LM324四运放 (6) 3.3 四输入或非门 (6) 4整体电路 (7) 总结 (8) 致谢 (9) 参考文献 (10)

1 课题描述随着工业的快速发展，很多东西得到了批量的生产。但是，这就给质量检验增加了难度。过去的微电子技术已经不能满足现状所需，因此微电子技术的发展应运而生，新的测试方法，新的测试理论，新的测试领域以及新的测试领域不断出现，在许多方面已经冲破了传统仪器的观念，电子仪器的功能和作用发生了质的变化。因此，如何快速而又高效的检测便成了人们关注的问题。比如，生产出来的电阻由于各种原因而造成在一定范围内浮动，如何筛选变化在0.95~1.05范围内的合格电阻而抛弃那些不合格的电阻。本设计是对电阻进行检测，有电源部分，检测部分和显示部分构成。并且，此设计可以直接加载在220V 交流电上。其中，电源部分由整流桥整流和三态稳压管进行稳压，以输出+/- 5V 的直流电压，用以检测电路模块的工作。检测部分通过选定门限电压、标准电阻，通过窗口比较器进行比较，就可以快速而又准确的检测出被测电阻是否合格。 2 设计方案整个电路系统如图1所示，由电源部分、检测部分和显示部分三部分构成[1]。图1 整体电路框图电源模块由桥式整流、电容滤波和三端集成稳压块W7805和W7809等部分组成，可使输出电压为+/-5V 。检测电路由LM324四运放集成芯片构成，其中一个运放作为电压跟随器事项阻抗变换，另外两个运放组成窗口比较器。由门限电

集成电路设计基础_期末考试题

集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um （大小），指的是右图中的W （字母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱三种。在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤；其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻

⑤外延三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类：（2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。

模拟集成电路设计期末试卷

《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)复习资料

第一章数字集成电路介绍第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。可变成本（重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。理想数字门特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。传播延时、上升和下降时间的定义传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。第三章、第四章CMOS 器件手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很慢。当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接地电容。平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚度。边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分：一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著，因为这些导线离衬底更远。例4.5与4.8表格电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电容。耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。例4.2 金属线的电阻考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□?(0.1?106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。电压范围集总RC 网络分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ? 10 k Ω ? 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ? 10 k Ω ? 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (22) 22 +=+=+++?? ? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN = τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38?RC = 0.38 ? (0.075 Ω/μm) ? (110 aF/μm) ? (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ? (150 Ω/μm) ? (88+2?54 aF/μm) ? (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ? (0.0375 Ω/μm) ? (5.2+2?12 aF/μm) ? (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为2.67cm 第五章CMOS 反相器静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 → 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 → 晶体管可以采用最小尺寸 → 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 → 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) → 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) → 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的。开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()()()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35.320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266==?==----?-???----=－－－＝分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为 1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点用来定义V IH 和V IL 。点。

专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分） 1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS器件的灵敏度。（2分） A. B. C. D. .标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案：C 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2分） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：A 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A

我国集成电路封装测试行业的研究

中国集体经济ＣＨＩＮＡＣＯＬＬＥＣＴＩＶＥＥＣＯＮＯＭＹ势、消除劣势、抓住机会、规避威胁。（一）内部环境分析 1．农村信用社的优势。（1）地域优势；（2）政策优势；（3）决策优势；（4）网点优势；（5）人员优势。 2．农村信用社的劣势。（1）历史包袱重，不良资产占比高；（2）规模小，风险管理能力低；（3）经营区域受限；（4）人员素质仍是短板；（5）金融创新能力不足；（6）市场定位仍不明确。（二）外部环境分析 1．机会。（1）支农惠农政策为农信社提供了更广阔的发展空间；（2）当地社会影响力大；（3）行业管理水平的提高，有力推动了农信社的发展。 2．威胁。（1）行业竞争者多，同业竞争压力大；（2）宏观经济下行，客户违约风险增加；（3）利率市场化进程的推进增加了农信社的财务压力和经营风险；（4）人才流失仍是重要威胁；（5）影子银行的威胁。（三）农信社的SWOT 分析首先制定出农信社的SWOT 矩阵，如表1所示。将SWOT 矩阵进行分解，对SO ———优势与机会、WO ———劣势与机会、ST ——— 优势与威胁、WT ———劣势与威胁等条件进行分析，并根据分析找出相应的可选择的目标市场。 1．基于SO 战略应确定的贷款目标市场：利用地域、网点、人员优势，挖掘、深耕各类个人贷款市场；利用地域、网点、人员、决策优势，做好公司贷款的拓展。 2．基于WO 战略应确定的贷款目标市场：拓展全部个人贷款市场，增加积累，消化不良；积极介入公司贷款市场中的中小微企业市场，但根据自身风险管理能力以及资本的承受能力，要做好单户额度的控制，大型企业谨慎进入；受风险管理水平、人员素质制约，企业贷款市场以流动资金贷款市场为主，固定资产贷款市场谨慎进入；受风险管理水平、人员素质制约，贸易型公司谨慎进入。 3．基于ST 战略应确定的贷款目标市场：全部个人贷款市场。一方面提高服务水平，提高客户贷款便利度，另一方面强化风险控制；企业贷款市场中的中小微企业，但要注意行业风险，做好成本测算；大型企业贷款市场谨慎进入，避免议价能力不足，降低资金运用效率；生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识；铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 4．基于WT 战略应确定的贷款目标市场：出于风险管理、风险承受能力以及资金收益考虑，大型公司贷款市场应谨慎进入；企业贷款市场中的中小微企业，但要注意行业风险，做好成本测算；生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识；铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。通过SWOT 分析，得出农信社应确定的目标市场：积极拓展个人贷款市场，但要提高贷款便利度，加强风险控制；将公司类贷款市场中的中小微企业作为重要的市场目标，但要根据自身风险管理能力以及资本的承受能力，做好单户额度的控制。要注意防范行业风险。企业固定资产贷款市场、铺底性流动资金贷款市场等要谨慎进入；出于风险管理、风险承受能力以及资金收益率考虑，大型公司类贷款市场要谨慎进入。总之，农信社应选择个人及中小微企业贷款市场为目标市场，但要控制中小企业的单户额度限制，求小、求散。（作者单位：山东省农村信用社联合社）摘要：近年来，集成电路封装测试行业技术进步较快，行业发展也十分迅速，一些内资和本土品牌企业的质量、技术和产能已经接近国际先进水平。未来国内集成电路封测市场增长前景广阔，但也需要应对各种挑战。国内封测企业必须进一步增强技术创新能力、加大成本管控，才能在日新月异的市场竞争中取得更大进步。关键词：技术进步；行业发展前景；经营模式；核心竞争力一、集成电路封装测试的技术进步封装测试是集成电路制造的后续工艺，为了使集成电路芯片的触点能与外界电路如PCB 板连接，也为了给芯片加上一个“保护壳”，防止芯片受到物理或化学损坏，需要对晶圆芯片的进一步加工，这一环节即封装环节。测试环节则是对芯片电子电路功能的检测确认。集成电路封装技术发展历程大约可以分为三个阶段：第一阶段是1980年之前的通孔插装(THD)时代，插孔直接安装到PCB 上，主要形式包括TO(三极管)、 DIP(双列直插封装)，优点是可靠、散热好、结实、功耗大，缺点是功能较少，封装密度及引脚数难以提高，难以满足高效自动化生产的要求。第二阶段是1980年代开始的表面贴装（SMT ）时代，该阶段技术的主要特点是引线代替针脚，引线采用翼形或丁形，以两边或四边引线封装为主，从两边或四边表1 农信社的SWOT 矩阵优势（S ）劣势（W ）机会（O ）SO 战略发挥优势，把握机会 WO 战略利用外部机会，弥补内部劣势威胁（T ） ST 战略发挥优势，规模外部威胁 WT 战略减少劣势，规避威胁，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，我国集成电路封装测试行业的研究 ■ 尤晟张燕 53

《数字集成电路》期末试卷(含答案)

浙江工业大学 / 学年第一学期《数字电路和数字逻辑》期终考试试卷 A 姓名学号班级任课教师一、填空题（本大题共10小题，每空格1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．十进制数（68）10对应的二进制数等于； 2．描述组合逻辑电路逻辑功能的方法有真值表、逻辑函数、卡诺图、逻辑电路图、波形图和硬件描述语言（HDL ）法等，其中描述法是基础且最直接。 3．1 A ⊕可以简化为。 4．图1所示逻辑电路对应的逻辑函数L 等于。 A B L ≥1 & C Y C 图1 图2 5．如图2所示，当输入C 是（高电平，低电平）时，AB Y =。 6．两输入端TTL 与非门的输出逻辑函数AB Z =，当A =B =1时，输出低电平且V Z =0.3V ，当该与非门加上负载后，输出电压将(增大，减小) 。 7．Moore 型时序电路和Mealy 型时序电路相比，型电路的抗干扰能力更强。 8．与同步时序电路相比，异步时序电路的最大缺陷是会产生状态。 9．JK 触发器的功能有置0、置1、保持和。 10．现有容量为210×4位的SRAM2114，若要将其容量扩展成211×8位，则需要片这样的RAM 。二、选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 11．十进制数（172）10对应的8421BCD 编码是。【】 A ．（1111010）8421BCD B ．（10111010）8421BCD C ．（000101110010）8421BC D D ．（101110010）8421BCD 12．逻辑函数AC B A C B A Z +=),,(包含个最小项。【】

数字逻辑信号测试器的设计

2012~ 2013 学年第二学期《模拟电子技术基础》课程设计报告题目：数字逻辑信号测试器的设计专业：电子信息工程班级：组成员：指导教师：电气工程学院 2013年6月5 日

任务书课题名称数字逻辑信号测试器的设计指导教师（职称）倪琳执行时间2012 — 2013 学年第二学期第 15 周学生姓名学号承担任务音响信号产生电路音响信号产生电路音响信号产生电路输入信号识别电路输入信号识别电路输入信号识别电路及仿真音响驱动电路及仿真音响驱动电路及仿真音响驱动电路及仿真设计目的1、学习数字逻辑电平测试仪电路的设计方法； 2、研究数字逻辑电平测试仪电路的设计方案。设计要求 1、技术指标：测试高电平、低电平，发出不同的声响。测量范围：低电平＜0.8V, 高电平＞3.5V ，高低电平分别用1KHZ和800HZ的声响表示；被测信号在0.8～3.5v之间不发声；工作电源为5V ,输入阻抗大于20KΩ。 2、设计基本要求（1）设计一个数字逻辑电平测试仪电路；（2）拟定设计步骤；（3）根据设计要求和技术指标设计好电路，选好元件及参数；（4）运用仿真软件绘制设计电路图；（5）撰写设计报告。

数字逻辑电平测试仪设计摘要在检修数字集成电路组成的设备时，经常需要使用万用表和示波器对电路中的故障部位的高低电平进行测量，以便分析故障的原因。使用这些仪器能较准确的测出被测点信号的电平的高低和被测电平的周期，但是使用者必须一方面用眼睛看着万用表的表盘或示波器的屏幕，另一方面还要寻找测试点，因此使用起来很不方便。本文介绍了一个逻辑信号电平测试器，它可以方便快捷的测量某一点的电位的高低，通过声音的有无和声音的频率来判定被测电位的电平范围，从而能解决平常对电路中某点的逻辑电平进行测试其高低电平时，采用很不方便的万用表或示波器等仪器仪表的麻烦。该测试器采用运算放大器作电压比较器进行电平判断，根据电平高低使音响电路产生不同频率方波驱动扬声器，使扬声器有相应不同的声调输出提示。从而达到了测试效果。关键词放大器；逻辑信号；电平测试；高电平；低电平

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

2017年数字IC类笔试面试试题

2017年数字IC类笔试面试试题威盛logic design engineer考题 1。一个二路选择器，构成一个4路选择器，满足真值表要求、 2。已知A,B,C三个信号的波形，构造一个逻辑结构，使得从AB可以得到C，并且说明如何避免毛刺 3。一段英文对信号波形的描述，理解后画出波形，并采用verilog 实现。 4。169.6875转化成2进制和16进制 5。阐述中断的概念，有多少种中断，为什么要有中断，举例 6。这道比较搞，iq题，5名车手开5种颜色的车跑出了5个耗油量（milespergallon)，然后就说什么颜色的车比什么车手的耗油量多什么的，判断人，车，好油量的排序ft致死，看了一堆FSM和数字电路没啥用，结果基本的冬冬把自己搞死了。不过mixedsignal里的数字部分到是很全的考察了数字的冬冬（转）几道威盛电子的FPGA工程师试题 7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法. 17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock 的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式. 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点. 19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing 22、卡诺图写出逻辑表达使. 23、化简F(A,B,C,D)=m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和 28Please draw the transistor level schematic of a cmos2input AND gate andexplain which input has faster response for output rising edge.(less del aytime). 30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate. 45、用逻辑们画出D触发器46、画出DFF的结构图,用verilog实现之. 68、一个状态机的题目用verilog实现73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之. 80、 Please draw schematic of a common SRAM cell with6transistors,point o utwhich nodes can store data and which node is word line control?(威盛笔试circuit design)（转） VIA数字IC笔试试题 1。解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。

2010年数字集成电路设计期中考试_中国科技大学

中国科学技术大学苏州研究院软件学院数字集成电路设计期中考试 (2010年10月11日2:00pm—3:30pm) 1.问答题 a)叙述摩尔定律（5分）。 b)叙述评价数字集成电路设计质量的四个基本特性（6分）。 c)叙述长沟MOS晶体管与短沟MOS晶体管的区别(6分）。 d)MOS管的电容由哪几部分构成?并说出在不同工作模式下的区别(8分）。 e)以反相器为例,说出静态CMOS电路的功耗包括哪几部分(6分）？ f)数字集成电路按比例缩小有几种情形（6分）? g)下面的两种电路哪个性能(速度)更优越一些?并说出原因(5分）。 h)下面的电路哪个是无比逻辑,哪个是有比逻辑?并说出有比逻辑与无比逻辑的区别(5分）。 2．下图为一RC网络。计算： a)从输入In到Out1的Elmore延时（5分）;b)从输入In到Out2的Elmore延时（5分）;c)确定哪条路径是关键路径（3分）?

3.假设下图中反相器由标准CMOS实现,并且具有对称的电压传输特性。假设 C intrinsic = C gate (γ=1),单位尺寸反相器的等效电阻与电容为R和C。单位尺寸反相器的本征延时为t inv。反相器inv2, inv3和inv4的尺寸S1，S2和S3不小于1。 a)确定S1，S2和S3使时延最小（5分），并计算总的最小时延（以t inv为单位）（5分）。 b)确定反相器inv2, inv3和inv4的尺寸S1，S2和S3使功耗达到最小（4分）。4．如下图所示的逻辑网络，要求确定复合门电容y和z使A端到B端延时最小。 a)计算A端到B端总的逻辑努力LE（3分）;b)计算A端到B端总的电气努力F （2分）;c)计算A端到B端总的分支努力B (3分）;d)计算A端到B端总的路径努力PE (2分）;e)确定最佳级努力SE (3分）(近似为整数);f)确定A端到B端的最小时延（以t inv为单位）(3分）;g)确定电容y (5分）;h)确定电容z (5分）。

ZD9610型在线电路维修测试仪发展历程

第三代ZD9610型在线电路维修测试仪的发展历程 ——中国改革开放40年精密电路板维修检测设备领域发展缩影摘要：第三代ZD9610型在线电路维修测试仪是精密电路板维修（芯片级）检测设备，在关键技术上取得重大突破，许多被长期困扰的维修测试难题得到解决。第三代ZD9610电路测试仪的发展历程，是中国改革开放40年精密电路板维修检测设备领域发展的一个缩影。关键词：第三代ZD9610电路测试仪 >40管脚数字器件动态性能测试 5cVI曲线 0.前言北京正达时代电子技术有限公司成立于1997年，核心人员是1990年代初期国内最早研制在线电路维修测试仪的专家骨干，长期致力于精密电路板维修仪器/电子元器件检测设备研发和服务。特别是第三代ZD9610型在线电路维修测试仪，在国内外业界具有重要影响力。回顾中国改革开放40年，在经济腾飞浪潮中，国内在线电路维修测试仪经历了1998~2018高速发展的黄金20年。第三代ZD9610电路测试仪的发展历程，正是中国改革开放40年精密电路板维修检测设备领域发展的一个缩影。 1.国内在线电路维修测试仪黄金20年在线电路维修测试仪设计精密，测试高效，结合计算机技术并且综合运用器件功能测试和器件管脚阻抗特性测试等测试手段，是重要的精密电路板维修（芯片级）检测设备。 1.1国内电路测试仪研制背景： 1980年代初，伴随改革开放步伐，国内陆续引进了大量现代化电气设备。由于这些设备上普遍采用数字集成电路器件，因而常被冠以“数控设备”这一时髦的名称。当时国内电路维修人员对数字器件概念模糊，器件故障无从判别，迫切需要检测手段。 1980年代末，新加坡“创能”品牌BW4040型在线电路维修测试仪（下文简称：电路测试仪）进入国内。名称中“在线”是指：测试电路板时无须焊下器件。型号中“4040”是指：具有40路数字通道，40路VI曲线通道。电路测试仪将测试技术与计算机技术相结合，具有+5V 数字器件库。既可以测试+5V数字器件功能，也可以采用VI曲线测试数字器件/模拟器件管脚阻抗特性。面对电路测试仪在电路板维修中的巨大优势，国内企业也积极开始研究与试制，不断推出一代又一代电路测试仪产品。 1.2第一代电路测试仪：国内第一代电路测试仪是从对BW4040电路测试仪的学习和仿制开始的，代表机型是正达ZD4040电路测试仪。主要特点：40路数字通道，40路VI曲线通道，器件库包含40管脚以下+5V数字器件。具有40路数字通道，提供+5V测试电源是第一代电路测试仪的基本特征。由于增加VI曲线通道难度不大，所以ZD4080电路测试仪（80路VI曲线通道）也属于第一代电路测试仪。第一代电路测试仪始于1990年代初，那时的计算机还是DOS操作系统。随着计算机技术的飞速发展，第一代ZD4040电路测试仪也同步改进和升级。今天的ZD4040-N电路测试仪可以支持windows10_64位操作系统，在维修中依然发挥着重要作用。 1.3第二代电路测试仪：国内第二代电路测试仪开始摆脱全面仿制阶段，推出一些自主创新的特色功能。代表机型是正达ZD9001电路测试仪。主要特点是：40路数字通道，80路VI曲线通道，20路模拟功能

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路