2Gb Spansion GL—S：NOR闪存

NAND Flash中文版资料

NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006

目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18

通用U盘启动盘制作工具V

通用U盘启动盘制作工具V2.0(全能版） 软件版本:V2.0 应用平台:win7,Win2003,WinXP,Win2000,Win9X 软件语言:简体中文 软件大小:274 MB 发布时间:2011-12-31 下载次数: 722次 M D 5:fe1325980ea098570561e5c187211d3d[MD5校验工具下载] 下载地址： 迅雷下载 本地下载 汉化新世纪下载 多特下载 绿软下载 华军下载 天空下载 下载吧下载 ?>>通用U盘--个性化设置教程点击进入 ?>>通用U盘--GHOST还原系统教程点击进入 ?>>通用U盘--常用功能和工具介绍点击进入 ?>>通用U盘--设置USB启动教程点击进入 通用U盘启动盘制作工具 V2.0(万能版)更新：

1、修正了对旧式电脑，旧式U盘制作兼容性问题！ 2、添加了旧式电脑按F2提速功能. 3、增强了PE所用的常用软件. 4、增加了个性化设置功能，U盘引导界面可自定义引导界面、标题个性化、PE 背景个性化等实用功能.（完全属于自己的个性化U盘） 5、增加了修复升级U盘功能，如U盘引导损坏或原安装其它U盘系统可使用本系统升级成通用U盘系统，不用重新分区U盘和备份U盘资料遇上的烦脑. 6、系统添加了强大的WIN7PE,对每个PE系统改进了引导系统的速度跟兼容性问题. 本软件强大功能： 1、支持所有品牌、杂牌、U盘、SD卡、移动硬盘（经成功制作） 2、一盘两用、携带方便。独有启动文件防毒、防删、防格，U盘剩余部分可以当普通U盘一样使用。 3、一键制作，免格式化升级。 4、支持旧式电脑引导，按F2旧式电脑提速！ 5、支持WindowsXP、Windows7系统的安装。 6、支持启动自定义ISO或IMG文件。DIY目录

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X

U盘制作DOS启动盘(绝对经典)

铁老虎教你用DOS系列——U盘DOS启 动盘制作 如需转贴请注明作者：ZOL_WWET 硬件测评工作 室铁老虎 目录： 一、DOS的前世今生 二、Windows时代的DOS还能做什么 三、玩转DOS必备软件 四、U盘DOS启动盘制作 一、DOS的前世今生 很久以来，就想写一篇关于DOS的文章，老虎深知这个年代，DOS代表着一种遥远的过去，对一些朋友来讲，DOS甚至只是一种传说，那么就有人问了：你铁老虎今天翻出来DOS干什么？骗贴骗分么？老虎 曰：莫急莫及，且待老虎细细道来： DOS诞生于遥远的8086年代，虽然上了点年纪的玩家

都知道DOS是微软公司的产品，但是大家也许不知道，为微软创造辉煌的DOS并非微软的“亲生儿子”。DOS 的创建者是西雅图计算机公司的工程师——Tim Paterson。 1980年春天，Paterson开始动手开发磁盘操作系统（DOS）。1981年4月，86-DOS 1.0正式发布。1981年7月，微软从西雅图公司购得DOS的全部版权并将它更名为MS-DOS。 随后，IBM发布了第一台个人计算机(PC)，当时采用的操作系统是西雅图公司的86-DOS 1.14，但微软很快改进了MS-DOS并使它成功地成为IBM PC采用的操作系统，也就是后来大名鼎鼎的PC-DOS。 在为IBM生产PC-DOS的同时，微软同时也在不断完善着自家的MS-DOS，随着微软羽翼渐丰，MS-DOS的影响力渐盛，逐渐在操作系统市场中占据了主力地位，成为前Windows时代使用最广泛的操作系统。

二、Windows时代的DOS还能做什么 在Windows已经发展到第7代的今天，DOS还能为我们做什么呢？这要从DOS的优点谈起。 DOS最大的优点就是一个“小”字，在操作系统动辄以G来衡量容量的今天，DOS三个核心文件只有几百KB，却能提供丰富的文件操作功能，实在是令人无法不爱上它。 “小”带来的一个显而易见的好处就是“快”，正常启动DOS不过2-3秒时间，无数高手自诩的“XP滚动条1圈”恐怕也赶不上这个速度吧。 DOS另外的好处就是没有繁琐的验证环节，不像从XP年代出现的正版验证机制，绝大部分DOS应用程序都无需认证，所以DOS时代代表了一个“无法无天”的年代，这也是许多DOS爱好者津津乐道的原因之一。 DOS还有一个好处，就是可以直接对硬件进行操控，而无需通过Windows中庞大的动态链接库和驱动程

浅谈NorFlash的原理及其应用

浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

总结NAND FLASH控制器的操作

NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1

U盘装系统图解教程(带U盘启动盘制作工具)

如果电脑不带光驱或者光驱坏了，需要重装系统，怎么办？可以用U盘启动安装。为方便新手，以我的爱国者U盘为例，图解用U盘装XP系统全过程。明确一下思路：先找到一个U盘，制作成可启动U盘。关机，再从U盘启动电脑。然后在这个U盘系统中，运行OneKey Ghost，直接将XP系统安装到电脑上。 准备资源：U盘一个；《杏雨梨云U盘系统2011》（下载地址）；《G HOST XP SP3雨林木风2011元旦节装机版》（下载地址），下载得到的镜像文件为YLMF_GHOSTXP_SP3_YDJ.iso，右键用WinRA R解压。 解压后在System目录下有这两个文件OneKey Ghost.exe和ylmf.GH

O，备用。 启动安装操作，分四个步骤： ==========第一步开始，制作可启动U盘========== U盘将要格式化，所以需提前备份好数据。工具采用《杏雨梨云U盘系统2 011》，此工具为绿色单文件，不需要安装。插上U盘，直接双击运行。我的爱国者U盘容量大小是4g的，所以下图“要操作的磁盘”显示(4g)。其它U盘，

需要看容量，按实际大小选择到你的U盘。主界面如下图： 此时不要选错到电脑的硬盘，下图容量大小(466g)的是我的硬盘，如果选择到硬盘，那么硬盘的数据将被格式化掉。靠容量去区别，硬盘的容量很大，不要选

硬盘。错误选择如下图。 “安装方式”不需要选择，点击继续，出现下图界面：

“制作模式”一般默认(U盘不可启动时，可以试一试选USB-HDD-FAT32)，点击继续，出现下图对话框，点击是。 然后自动创建U盘启动盘。等待两分钟。 直到出现，

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程概要

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册

下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/

大白菜超级U盘启动盘制作工具使用说明

大白菜超级U盘启动盘制作工具软件功能： 1、真正的快速一键制作万能启动U盘，所有操作只需要点一下鼠标，操作极其方便简单。 2、启动系统集成大白菜精心制作和改良的PE系统，真正可以识别众多不同硬盘驱动的PE 系统，集成一键装机，硬盘数据恢复，密码破解，等等实用的程序。 3、自定义启动系统加载，用户只需要在大白菜官网或者在其他网上找到的各种功能的PE 或者其他启动系统，只需要制作时添加一下，自动集成到启动系统中。 4、U盘启动区自动隐藏，防病毒感染破坏，剩下的空间可以正常当U盘使用，无任何干挠影响！ 软件图文及功能介绍： 下载文件包后，请解压到任何目录，启动DBCUsb.exe，插入你的U盘。 软件界面：

点击“一键制成USB启动盘”软件自动进行制作。（当然制作前系统要提示一下风险，提醒你备份你U盘的数据） 特别提醒：制作过程中有可能安装了360或者其他的安全软件提示，有文件有风险，这是正常的，一定要设置为全部通过允许，不然制作不成功，安全软件现在都超级变态！ 制作中的软件界面：

制作成功会出提示：

到这里就完成了整个U盘的制作，是不是超级简单呀！真正的万能傻瓜制作现在U盘继续接上电脑，重启电脑看看大白菜的启动效果吧 如图：

进入第一个“运行windows PE(系统安装）” 这就是大白菜的PE系统了。开始里的工具好多，就不再给图列出了。

下面说一下软件的“U盘启动项配置“这个功能。 简单来说，就是如果你有你自己的启动系统或者软件功能镜像文件，直接添加进来。制作时会自动制作进启动系统。比如在网上下载个最新的win7pe系统，制作如下：

NAND FLASH在储存测试中的应用

NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo

u盘启动盘制作工具哪个好用

u盘启动盘制作工具哪个好用？ 随着4月8号windows XP停止服务以及window 8.1 update系统的放出，最近给自己爱机换系统的同学越来越多了。 重做系统，大部分同学的选择还是win7、win8.1，当然很多喜欢尝鲜的同学已经安装上或者马上就要装windows 8.1 with update了。 系统捣鼓的同学装系统都有自己的一套方法。但是大家有一样是相同的，那就是下载微软的原版镜像，用U盘安装系统。 所以，现在的问题就是U盘启动盘制作工具的选择。现在大家常用的大概有一下几种： 1.UltraISO 2.魔方U盘启动 3.PE类，电脑店，老毛桃，U大师，大白菜。。。等等 下面从我本人从个人使用的体验上简单说一下对这几款软件的看法。 一、UltraISO（百度第一个就能下载） 1.体积较小，只有5.07M 2.功能强大，除了能做系统盘外，还有刻录光驱，虚拟光驱等等功能。 3.可能需要付费，但是可以试用。 4.由于功能太多，太过专业，第一次使用可能需要看教程，比如制作启动盘： 首先要加载iso文件，如图： 。，然后选择“写入硬盘映像”第二步，点开“启动”

盘，可以根据自己需要做一些其他设置，然后点“写U第三步，在弹出窗口中直接选择好入”后，等待制作完成就可以 了。． 盘启动（魔方里的一个组件）二、魔方U 下载地址：体积超小，才1.1.4M 2.可以从魔方中提取出来，独立使用pe不但可以做系统启动盘，还可以制作工具，简单实用3. 盘，选择镜像文件后，直接制作完成，非常简单。U使用方便，打开软件自动识别4.

系统启动工具类，以电脑店为例。PE三、下载地址：系统，PE381M1.软件体积较大，由于自带系统）U盘启动盘（不是PE功能很多，眼花缭乱，找不到怎么做2. 打开软件，首页自家广告较多。3. 很好的装机工具。4. 综上所述，这几款软件各有优缺点：功能强大，比较专业，操作不方便；UltraISO 系统制作；U盘启动，体积小，操作简单，实用方便，可满足正常的盘启动盘及PEU魔方自己个性化装机盘。DIY系统，功能较多，适合PE类装机软件，体积较大，软件集成PE．

nandflash用法

6 NAND FLASH CONTORLLER OVERVIEW In recent times, NOR flash memory gets high in price while an SDRAM and a NAND flash memory is comparatively economical , motivating some users to execute the boot code on a NAND flash and execute the main code on an SDRAM. S3C2440A boot code can be executed on an external NAND flash memory. In order to support NAND flash boot loader, the S3C2440A is equipped with an internal SRAM buffer called ‘Steppingstone’. When booting, the first 4K Bytes of the NAND flash memory will be loaded into Steppingstone and the boot code loaded into Steppingstone will be executed. Generally, the boot code will copy NAND flash content to SDRAM. Using hardware ECC, the NAND flash data validity will be checked. Upon the completion of the copy, the main program will be executed on the SDRAM. comparatively 比较地、相当地 motivating v. 激励；刺激；调动…的积极性（motivate的ing形式） execute vt. 实行；执行；处死 internal n. 内脏；本质adj. 内部的；里面的；体内的；（机构）内部的 Steppingstone n. 踏脚石；进身之阶；达到目的的手段 validity n. [计] 有效性；正确；正确性 content n. 内容，目录；满足；容量adj. 满意的；vt. 使满足 FEATURES 1. Auto boot: The boot code is transferred into 4-kbytes Steppingstone during reset. After the transfer, the boot code will be executed on the Steppingstone. 2. NAND Flash memory I/F: Support 256Words, 512Bytes, 1KWords and 2KBytes Page. 3. Software mode: User can directly access NAND flash memory, for example this feature can be used in read/erase/program NAND flash memory. 4. Interface: 8 / 16-bit NAND flash memory interface bus. 5. Hardware ECC generation, detection and indication (Software correction). 6. SFR I/F: Support Little Endian Mode, Byte/half word/word access to Data and ECC Data register, and Word access to other registers 7. SteppingStone I/F: Support Little/Big Endian, Byte/half word/word access. 8. The Steppingstone 4-KB internal SRAM buffer can be used for another purpose after NAND flash booting. 特性 1。自动引导:在复位时，引导代码写入4-k字节的中转区，在转移后启动 代码将在中转区上执行。 2。NAND闪存接口:支持256字，512字节，1k字和2KB字节页。 3。软件模式:用户可以直接访问NAND闪存，例如这个特性可以用于 读/写/擦除NAND闪存。

NAND Flash原理和使用

目录 1．概述 (2) 2．功能框图 (3) 3．管脚 (3) 4．寻址 (4) 5．总线操作 (5) 6．命令表 (6) 7．PAGE READ，0x00-0x30 (7) 8．RANDOM DATA READ，0x05-0xE0 (7) 9．PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F (8) 10．READ ID，0x90 (8) 11．READ STATUS，0x70 (9) 12．编程操作 (9) 13．内部数据搬移 (11) 14．块擦除操作，0x60-0xD0 (12) 15．复位操作，0xFF (13) 16．写保护操作 (13) 17．错误管理 (14)

以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。 1．概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。 MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。 每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。 NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。 为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。 内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程

本文原创于观海听涛，原作者版权所有，转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND，并作驱动。 本文硬件：控制器：STM32F103ZET6，存储器：HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别，此类区别网上有很多，在此仅大致说明： 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度（4ms）远快于Nor（5s） 4、Nor 带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上，对CPU要求低 5、NAND用八个（或十六个）引脚串行读取数据，数据总线地址总线复用，通常需要CPU支持驱动，且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场，并且可以片内执行，适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场，通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块，需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度，以上内容部分摘自神舟三号开发板手册 下面是NAND的存储结构： 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash 的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍： Memory Cell Array = (2K+64) Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见，该NAND每页2K，共64页，1024块。其中：每页中的2K为主容量Data Field，64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的，并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte，即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口： 由此图可见，此颗粒为八位总线，地址数据复用，芯片为SOP48封装。 软件驱动：（此部分写的是伪码，仅用于解释含义，可用代码参见附件） 主程序： 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小，即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号

大容量NAND Flash在多媒体手机中的应用

大容量NAND Flash 在多媒体手机中的应用 1 引言随着手机市场竞争的日趋激烈，多媒体手机逐渐成为市场的宠儿。 因为有大量的多媒体数据，因此大容量存储是多媒体手机所要解决的首要问题。NOR 和NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR 的特点是芯片 内执行（XIP，eXecuteInPlace），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行， 不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB 的小容量 时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的 速度也很快，是大数据量存储的最佳选择。在选择存储方案的时候，设计师必 须综合考虑以下因素：（1）NOR 的读速度比NAND 稍快一些。（2）NAND 的 写入速度比NOR 快很多（3）NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快。（4）大多数写入操作需要先进行擦除操作。（5）NAND 的擦除单元更小，相应的擦 除电路更少。（6）NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR 的擦写次数是十万次。此外，NAND 的使用比NOR 的使用复杂的多。在NOR 器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND 器件上进行同样操作时，通 常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD），NAND 和NOR 器件在 进行写入和擦除操作时都需要MTD.使用NOR 器件时所需要的MTD 要相对少 一些，许多厂商都提供用于NOR 器件的更高级软件，这其中包括M-System 的TrueFFS 驱动，该驱动被 WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian 和Intel 等厂商所采用。2 TC58DDM82A1XBJ5 在多媒体手机中的应用在多媒体手机中，TC58DDM82A1XBJ5 主要用来存储图片、声音文件等数据量较大的文件。 TC58DDM82A1XBJ5 是Toshiba 公司生产的256MbitsNANDEEPROM.工作电压

如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转

如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转 近日某电子科技有限公司的客户邮件反馈：使用我们的SmartPRO 6000F-Plus烧录MICRON厂家的TSOP48封装的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比较高，甚至达到了10%的烧录不良率，而烧录SAMSUNG厂家的TSOP48封装的K9F1G08U0E这颗芯片就不会有这种状况，由此可以确定烧录器与烧录座本身固件是没有问题的，所以客户怀疑应该是芯片算法有问题，需要我们重新优化下。 烧录器的功能很简单、很专一，那就是把数据完完整整、重复地复制到每一颗芯片上，复制成功了就提示Pass，复制失败了就提示Fail；SmartPRO 6000F-Plus是一台全心专注于高品质、高效率的Flash专用烧录编程器；目前为止，有广泛的、优秀的烧录客户群，软件、硬件和算法都是客户批量生产验证过的，非常成熟。 那问题究竟出在哪里呢，让我们继续看吧！ 先友情提醒一下，我们的烧录软件做有一个监控“电子眼”(操作日记)，时刻记录着客户对每颗芯片的烧录情况；客户有任何违规操作或者烧录异常现象，我们都可以迅速重返到“案发现场”，找到问题的根源；

我们第一时间让客户把操作日记发过来，从操作日记上看，客户反馈的现象确实存在，日志也帮助我们很快找到了这种异常： 但是这种现象并不是因为烧录器造成，而是芯片本身存在的工艺差异原因导致的；可能有人就会马上反驳，明显地出现如此高的烧录不良率，编程器原厂就没有任何责任，而是一句话就把问题推到芯片原厂？不要着急，继续往下看。 首先，我们普及一下Nand Flash的一个特性：位反转；Nand Flash由于本身硬件的内在特性，会导致（极其）偶尔的出现位反转的现象。所谓的位反转(bit flip)，指的是原先Nand Flash中的某个位变化了，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。而出现这种怪异的现

U盘启动制作方法最全图解

U 盘启动 本文档内容包括：U 盘启动模式介绍，如何制作U 盘启动盘、制作U 盘WinPE，从U 盘安装操作系统。 一、各种U 盘启动模式简介 1、USB-HDD。硬盘仿真模式，DOS启动后显示C:盘，HP U盘格式化工具制作的U 盘即 采用此启动模式。此模式兼容性很高，但对于一些只支持USB-ZIP 模式的电脑则无法启动。 2、USB-ZIP。大容量软盘仿真模式，DOS 启动后显示A 盘，FlashBoot制作的USB-ZIP 启 动U 盘即采用此模式。此模式在一些比较老的电脑上是唯一可选的模式，但对大部分新电脑来说兼容性不好，特别是大容量U 盘。 3、USB-HDD+。增强的USB-HDD 模式，DOS启动后显示C:盘，兼容性极高。其缺点在于 对仅支持USB-ZIP 的电脑无法启动。 4、USB-ZIP+。增强的USB-ZIP 模式，支持USB-HDD/USB-ZIP 双模式启动(根据电脑的不同，有些BIOS 在DOS 启动后可能显示C:盘，有些BIOS 在DOS 启动后可能显示A:盘)， 从而达到很高的兼容性。其缺点在于有些支持USB-HDD 的电脑会将此模式的U 盘认为是USB-ZIP 来启动，从而导致4GB 以上大容量U 盘的兼容性有所降低。 5、USB-CDROM。光盘仿真模式，DOS 启动后可以不占盘符，兼容性一般。其优点在于可 以像光盘一样进行XP/2003 安装。制作时一般需要具体U 盘型号/批号所对应的量产工具来制作，对于U3 盘网上有通用的量产工具。 二、制作U 盘启动盘 让电脑从U 盘启动，或者说制作U 盘启动盘功很多，如：DOS 进行系统维护、去除系 统登录密码、从U 盘安装操作系统等。制作U 盘启动盘时在设置启动模式时要与主板支持的USB 启动模式相符，否则就无法引导U 盘启动。 提示：USB-ZIP 启动方式不支持大于2G 的U 盘，USB-HDD 启动方式对U 盘大小没有限制，USB-CDROM 启动方式需要对U 盘进行量产。 在制作U 盘启动盘之前应首先了解你的电脑支持的启动方式，以免造成制作好启动盘 后不能启动的尴尬。 （一）、DOS启动盘制作 用这种启动盘启动后，进入DOS，要在DOS 下进行操作。常用制作工具有USBoot、FlashBoot、UltraISO等。 1、用USBoot制作U盘启动盘 （1）、首先插入U 盘，再运行USBoot，选中你的U 盘（见下图）：