《太阳能电池基础与应用》太阳能电池-第一章

太阳能电池发展现状综述

太阳能电池发展现状综述 摘要:随着社会的发展,传统能源消耗殆尽,能源越来越收到重视。其中发展前景最为广阔的莫过于太阳能。太阳能绿色环保,因此逐渐受到了人们的普遍重视。太阳能已成为新能源领域最具活力的部分,世界各国都致力于发展太阳能。本文主要阐述了太阳能电池的发展历程,太阳能电池的种类,太阳能电池的现状以及发展前景. 关键词:太阳能电池;太阳能电池种类;发展现状; Narration on the Current Situation of Solar Battery Abstract:With the development of society, traditional energy will be used up in a short time.Eneygy are being payed more and more attention.And the solar energy is the most promising.Because of its’environmental protection,it gets widespread attention. Solar energy has become the most vibrant part among the new energy field,and all countrise tried their best to develop solar energy.This article mainly explains the development of solar battery,the types of solar battery,curent situation of solar battery and its’ prospect. Key Words:solar battery; types of solar battery; curent situation of solar battery 1引言 随着经济的发展,能源的重要性日趋凸显。但是石油、煤等不可生起源消耗殆尽,人们开始探索新的能源。太阳能取之不尽用之不竭,因此受到了人们的亲睐。在太阳能电池领域中,太阳能的光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域[1].太阳能电池的研制和开发日益得到重视.制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础.其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生的光电子转化反应。根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:①硅太阳能电池;②以无机盐如砷化镓Ⅲ一V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;③纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池,对太阳能电池材料一般的要求有:①半导体材料的禁带不能太宽;②要有较高的光电转换效率;③材料本身对环境不造成污染;④材料便于工业化生产且材料性能稳定。基于以上几个方面考虑,硅是最理想的太阳能电池材料[2].这也是太阳能电池以硅材料为主的主要原因. 本文简要地综述了太阳能电池发展进程,太阳能电池的种类,以及发展现状,并讨论了太阳能电池的发展趋势。 2太阳能电池现状及其前景

太阳能电池

太阳能电池及材料研究 引言 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源.也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。不论以何种材料来制作电池,对太阳能电池材料一般的要求有:1、半导体材料的禁带不能太宽;②要有较高的光电转换效率:3、材料本身对环境不造成污染; 4、材料便于工业化生产且材料性能稳定。基于以上几个方面考虑,硅是最理想的太阳能电池材料,这也是太阳能电池以硅材料为主的主要原因。但随着新材料的不断开发和相关技术的发展,以其它村料为基础的太阳能电池也愈来愈显示出诱人的前景。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状,并讨论了太阳能电池的发展及趋势。 1 硅系太阳能电池 1.1 单晶硅太阳能电池 硅系列太阳能电池中,单晶硅大阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是*单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过以上制得的电池转化效率超过23%,是大值可达23.3%。Kyocera公司制备的大面积(225cm2)单电晶太阳能电池转换效率为19.44%,国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发,研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%,刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本价格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料,寻找单晶硅电池的替代产品,现在发展了薄膜太阳能电 池,其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。 1.2 多晶硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜,但由于生长的硅膜晶粒大小,未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜,人们一直没有停止过研究,并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等

太阳能电池种类、发展历史及发展现状

太阳能电池种类、发展历史及发展现状 摘要:太阳是一个巨大的能源,它以光辐射的形式每秒钟向太空发射约3.8×10M焦耳的能量,有22亿分之一投射到地球上。太阳光被大气层反射、吸收之后,还有70%透射到地面。尽管如此,地球上一年中接受到的太阳能仍然高达1.8×10^18kW·h。由于不可再生能源的减少和环境污染的双重压力,使得光伏产业迅猛发展;太阳电池的发展也日新月异。本文综述了太阳能电池的种类,发展历程以及发展现状。 关键词:发展进程、单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、微晶硅太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、染料敏化层叠太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、纳米晶化学太阳能电池、现状 引言:太阳能可以说是“取之不尽,用之不竭”的能源,与传统矿物燃料相比,太阳能具有清洁和可再生等独特优点。将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础,其转换途径有很多,有光热电间接转换和光电直接转换,前者主要有太能能热水器等,后者主要指太阳能电池。 太阳能电池发展进程第一代太阳能电池:包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池。从单晶硅太阳能电池发明开始到现在,尽管硅材料有各种问题,但仍然是目前太阳能电池的主要材料,其比例约占整个太阳电池产量的90%以上。我国北京市太阳能研究所从20世纪90年代起开始进行高效电池研究,采用倒金字塔表面织构化、发射区钝化、背场等技术,使单晶硅太阳能电池的效率达到了19.8%。第二代太阳能电池:第二代太阳电池是基于薄膜材料的太阳电池。薄膜技术所需的材料较晶体硅太阳电池少得多,且易于实现大规模生产。薄膜电池主要有非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、碲化镉以及铜铟硒薄膜电池。我国南开大学于20世纪80年代末开始研究铜铟硒薄膜电池,目前在该研究领域处国内领先、国际先进地位。其制备的铜铟硒太阳电池的效率已经超过12%。铜铟硒薄膜太阳电池的试生产线亦已建成。我国在染料敏化纳米薄膜太阳电池的科学研究和产业化研究上都与世界研究水平相接近。在染料敏化剂、纳米薄膜修饰和电池光电效率上都取得与世界相接近的科研水平,在该领域其有一定的影响。第三代太阳能电池:第三代太阳电池必须具有以下条件:薄膜化,转换效率高,原料丰富且无毒。目前第三代太阳电池还在进行概念和简单的试验研究。已经提出的第三代太阳电池主要有叠层太阳电池、多带隙太阳电等。虽然太阳能电池材料的研究已到了第三个阶段,但是在工艺技术的成熟程度和制造成本上,都不能和常规的硅太阳能电池相提并论。硅太阳能电池的制造成本经过几十年的努力终于有了大幅度的降低,但是与常规能源相比,仍然比较昂贵,这又限制了它的进一步大规模应用。鉴于此点,开发低成本,高效率的太阳能电池材料仍然有很长的路要走[3]。 1、单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池,是当前开发得最快的一种太阳能电池。它的构造和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。 为了降低生产成本,地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片一般片厚约0.3毫米。硅片经过抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就硅片上形成P>N结。

CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料的研究进展

?136?材料导报A:综述篇2012年lo月(上)第26卷第10期CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料的研究进展+ 王卫兵1,刘平2,李伟2,马凤仓2,刘新宽2,陈小红2 (1上海理工大学机械工程学院,上海200093;2上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093) 摘要CIGS薄膜太阳能龟池的缓冲层为低带隙C1GS吸收层与高带隙ZnO窗口层之间形成过渡,减少两者带隙的晶格失配和带隙失调,并可防止溅射Zn0窗口层时给CIGS吸收层带来损害等,对提高CIGS薄膜太阳能电池效率起了重要作用。介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料的分类和制备工艺,主要阐述了CdS、ZnS及InzS3薄膜缓冲层材料及化学水浴法、原子层化学气相沉积法、金属化合物化学气相沉积法等制备工艺的研究现状,最后指出CIGS太阳能电池缓冲层在制备工艺、环境保护及大规模工业化生产中遇到的问题,并展望了其发展方向。 关键词CIGS太阳能电池缓冲层 ResearchProgressonBufferLayerMaterialsofCIGSThinFilmSolarCell WANGWeibin91,LIUPin92,LIWei2,MAFengcan92,LIUXinkuan2,CHENXiaohon92 (1SchoolofMechanicalEngineering,UniversityofShanghaiforScienceandTechnology,Shanghai200093;2SchoolofMaterialsScienceandEngineering,UniversityofShanghaiforScienceandTechnology,Shanghai200093) AbstractThebufferlayersofCIGSthinfilmsolarcellscanformtransition1ayersbetween10WbandgapCIGSabsorberlayersandhighbandgapofZnOwindowlayers,whichreducesthelatticematchingandbandgapdifference,andpreventsdamageofCIGSabsorberlayerfromsputteringZnOwindowlayer,andthereforeplaysanimportantroleinimprovingefficiencyOfCIGSthinfilmsolarcells.ClassificationandpreparationtechnologyofCIGSthimfJimsolarcellsmaterialarediscussed,includingtheresearchprogressofCdS,ZnSandIn2S3thinfilmbufferlayermaterials,andchemicalbathdeposition(CBD)。atomiclayerchemicalvapordeposition(ALCVD)。metalorganicchemicalvapordepo—sition(MOCVD)andotherpreparationtechnologies.Theproblemsanddevelopmentdirectionsofbufferlayermate-rialsofCIGSthinfilmsolarcellsinpreparationprocess,environmentprotectionandlarge-scaleindustrialproductionarefinallyprospected. KeywordsCIGS,solarcells,bufferlayer 0引言 CIGS薄膜太阳能电池具有成本低、光电转化效率高、性能稳定等特点,是最有发展前景的新型光伏电池之一[1],越来越受到人们的关注。1974年,美国Belt实验室的Wagner等[23首先研制出了光电转化率为5%的单晶体CIS太阳能电池。1982年波音(Boeing)公司的Chen等[3]采用蒸发Cdl。一Z珥S代替CdS为缓冲层,与CIS多晶体薄膜形成异质结,提高了器件的开路电压,使CIS多晶体太阳能电池的光电转化率达到10.6%。1985年,Potter等[41研究出了以CIS为吸收层、CdS为缓冲层、Zn0为窗口层结构的新型电池,很好地改善了电池的性能。随着CIGS太阳能电池的逐渐发展,2008年美国可再生能源实验室(NREL)制备了光电转化效率为19.9%的CIGS薄膜太阳能电池bj。2010年4月,德国太阳能和氢能研究机构(ZSW)创造了光电转化效率为20.1%的记录,同时也标志着CIGS太阳能电池的光电转化效率首次突破20%。2010年8月ZSW又报道了CIGS薄膜太阳能电池光电转化效率达20.3%[6],这是迄今为止最好的光电转化效率,与多晶体硅太阳能电池的光电转化效率的差距缩d,N了0.1%。CIGS薄膜太阳能电池的典型结构由玻璃衬底、底电极Mo层、CIGS吸收层、缓冲层、i-ZnO和Al—Zn0窗口层、减反射层及顶电极7层材料组成[7]。 缓冲层是低带隙CIGS与高带隙Zn0窗口层之间的过渡层,其减少了两者之闭的带隙台阶与晶格失配,调整导带边失调值,对提高CIGS薄膜太阳能电池的pn结质量有重要作用。由于沉积方法与制备工艺条件的不同,缓冲层还有修复CIGS吸收层表面及防止溅射ZnO窗口层时给CIGS吸收层带来损害等作用∞]。很多学者和专家对缓冲层的重要性做了论证,结果表明,加缓冲层CdS或含CdS的CIGS薄膜太阳能电池与不加时的光电转化率相差4%~6%[9]。本文综述了常用缓冲层材料及缓冲层制备工艺的研究现状,并指出了其存在的问题,展望了其发展方向。 *上海市科技攻关项目(08110511600);上海市教委重点学科项目(J50503) 王卫兵:男,硕士研究生,主要从事CIGS薄膜太阳能电池的研究Tel:021—55271692E-mail:wangwb421@163.corn刘平:男,教授,博士生导师,主要从事金属功能材料的研究和开发 万方数据

太阳能电池的种类特点及发展趋势

太阳能电池的种类特点及发展趋势一、种类 按照材料分类 ?硅太阳能电池:以硅为基体材料(单晶硅、多晶硅、非晶硅) ?化合物半导体太阳能电池:由两种或两种以上的元素组成具 半导体特性的化合物半导体材料制成的太阳能电池(硫化镉、 砷化稼、碲化镉、硒铟铜、磷化铟) ?有机半导体太阳能电池:用含有一定数量的碳-碳键且导电 能力介于金属和绝缘体之间的半导体材料制成的电池(分子 晶体、电荷转移络合物、高聚物) 单晶硅太阳电池 特点 硅系列太阳能电池中,单晶硅的光电转换效率最高,技术也最成熟,高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关成熟的加工工艺基础上。提高转换效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。单晶硅太阳能电池的转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍旧占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本据高不下,严重影响了其广泛应用。 单晶硅太阳能电池的特点是对于大于0.7μm的红外光也有一定的灵敏度。以p 型单晶硅为衬底,其上扩散n型杂质的太阳能电池与n型单晶硅为衬底的太阳能电池相比,其光谱特性的峰值更偏向左边(短波长一方)。它对从蓝到紫色的短波长(波长小于0.5μm)的光有较高的灵敏度,但其制法复杂,成本高,仅限于空间应用。此外,带状多晶硅太阳能电池的光谱特性也接近于单晶硅太阳能电池的光谱特性。 1.多晶硅太阳电池 特点 单晶硅太阳能电池的缺点是制造过程复杂,制造电池的能耗大。为解决这些问题,用浇铸法或晶带法制造的多晶硅太阳能电池的开发取得了进展。在1976年证明用多晶硅材料制作的太阳能电池的转换效率已超过10%,对大晶粒的电池,有报道效率可达20%。这种低成本的多晶硅太阳能电池已经大量生产,目前,它在太阳能电池工业中所占的分额也相当大。 但是多晶硅材料质量比单晶硅差,有许多 晶界存在,电池效率比单晶硅低; 晶向不一致,表面织构化困难。 单晶、多晶与非晶的区别 多晶:短程有序(团体有序),成百上千个原子尺度,通常是在微米的量级; 非晶:局部有序(个体有序),微观尺度,几个原子、分子尺度,一般只有十几

有机太阳能电池研究进展(1)

专题介绍 有机太阳能电池研究进展 X 林 鹏,张志峰,熊德平,张梦欣,王 丽 (北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044) 摘 要:有机太阳能电池与无机太阳能电池相比,还存在许多关键性问题。为了改善有机太阳能电池的性能,各种研究工作正在进行,这些研究主要是为了寻找新的材料,优化器件结构。对电池原理、部分表征方法、效率损失机制、典型器件结构、最近的发展、以及未来的发展趋势作了简要描述。 关键词:有机太阳能电池;器件结构;给体;受体;转换效率 中图分类号:T N 383 文献标识码:A 文章编号:1005-488X(2004)01-0055-06 Progres s in Study of Organic Sola r Ce ll LIN Peng ,ZHANG Zhi -feng ,XIONG De -ping ,ZHANG Meng -xin ,WANG Li (I nstitute of O p toelectronics T echnology ,Beij ing J iaotong University ,Beijing ,100044,China )Abstr act :Compaer ed with inorganic solar cells ,organic solar cells still have many critical pr oblems.In order to improve the properties of organic solar cells,a lot of different studies have been carried on.T he main purposes of these studies are to seek new mater ials and new device structure.A brief review of the theory of photovoltaic cells,along with some aspects of their characterization ,the basic efficiency loss mechanism ,typical device structures ,and the trends in research will be presented. Key wor ds :organic photovoltaic cell;device structure;donor;acceptor ;conversion effi-ciency 前 言 进入21世纪以来,由于煤、石油、天然气等自然资源有限,已经不能满足人类发展的需要。环境污染也已经成为亟待解决的严重问题。同使用矿物燃料发电相比,太阳能发电有着不可比拟的优点。 太阳能取之不尽,太阳几分钟射向地球的能量相当 于人类一年所耗用的能量。太阳能的利用已经开始逐年增长。但目前使用的硅等太阳能电池材料,因成本太高,只能在一些特殊的场合如卫星供电、边远地区通信塔等使用。目前太阳能发电量只相当于全球总发电量的0.04%。要使太阳能发电得到大规模推广,就必须降低太阳能电池材料的成本,或 第24卷第1期2004年3月 光 电 子 技 术OPT OELECT RONIC T ECHNOLOGY Vol.24No.1 Mar.2004   X 收稿日期:2003-11-17 作者简介:林 鹏(1978-),男,硕士生。主要从事光电子技术研究。 张志峰(1977-),男,硕士生。主要从事有机电致发光(OLED)的研究工作。熊德平(1975-),男,硕士生。主要从事无机半导体材料方面的研究工作。

太阳能电池材料的发展及应用

太阳能电池材料的发展及应用 材料研1203 Z石南起新材料(或称先进材料)是指那些新近发展或正在发展之中的具有比传统材料的性能更为优异的一类材料。新材料是指新近发展的或正在研发的、性能超群的一些材料,具有比传统材料更为优异的性能。新材料技术则是按照人的意志,通过物理研究、材料设计、材料加工、试验评价等一系列研究过程,创造出能满足各种需要的新型材料的技术。 随着科学技术发展,人们在传统材料的基础上,根据现代科技的研究成果,开发出新材料。新材料按组分为金属材料、无机非金属材料(如陶瓷、砷化镓半导体等)、有机高分子材料、先进复合材料四大类。按材料性能分为结构材料和功能材料。21世纪科技发展的主要方向之一是新材料的研制和应用。新材料的研究,是人类对物质性质认识和应用向更深层次的进军。 功能材料是指那些具有优良的电学、磁学、光学、热学、声学、力学、化学、生物医学功能,特殊的物理、化学、生物学效应,能完成功能相互转化,主要用来制造各种功能元器件而被广泛应用于各类高科技领域的高新技术材料。 功能材料是新材料领域的核心,是国民经济、社会发展及国防建设的基础和先导。它涉及信息技术、生物工程技术、能源技术、纳米技术、环保技术、空间技术、计算机技术、海洋工程技术等现代高新技术及其产业。功能材料不仅对高新技术的发展起着重要的推动和支撑作用,还对我国相关传统产业的改造和升级,实现跨越式发展起着重要的促进作用。 功能材料种类繁多,用途广泛,正在形成一个规模宏大的高技术产业群,有着十分广阔的市场前景和极为重要的战略意义。世界各国均十分重视功能材料的研发与应用,它已成为世界各国新材料研究发展的热点和重点,也是世界各国高技术发展中战略竞争的热点。在全球新材料研究领域中,功能材料约占85%。我国高技术 (863)计划、国家重大基础研究[973]计划、国家自然科学基金项目中均安排了许多功能材料技术项目(约占新材料领域70%比例),并取得了大量研究成果。

CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展

2010年(第39卷)第3期甘肃科技纵横 CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的研究及其发展 赵静,王智平,王克振,冯晶晖 (兰州理工大学可再生能源研究院,甘肃兰州730050) 摘要:本论述简要介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层的发展,重点阐述了CdS和ZnS缓冲层的研究现状,指出缓冲层的制备工艺上以化学水浴法居多,从成膜机理到工艺参数的优化都做了充分的研究,对真空蒸发法的制备工艺研究则相对较少,而且大部分都集中在蒸发温度、衬底温度和沉积温度对薄膜性能的影响上。最后指出了发展过程中遇到的两个问题:一Cd对环境的污染,二化学水浴法不利于工业化大生产。 关键词:CIGS;薄膜电池;缓冲层;CdS薄膜;ZnS薄膜 CIGS薄膜太阳能电池的典型结构为Al/MgF2/ ZnO/CdS/CIGS/Mo/衬底,并以衬底为支撑。该电池成本低,性能稳定、抗辐射能力强、光电转换效率高、光谱响应范围宽、弱光性好,有可能成为未来光伏电池的主流产品之一。不加缓冲层CdS,其转换效率只有7%。如果在ZnO和CIGS之间加上缓冲层CdS,则太阳能电池的转换效率达到11%至13%,缓冲层改善了CIGS太阳能电池的性能[1]。由于缓冲层中含有有毒元素Cd,限制了薄膜太阳能电池的大规模使用;同时其制备工艺通常采用化学水浴法,但制备电池器件需要进出真空室,不利于一次成型,限制了电池的大规模生产。正是由于缓冲层对CIGS薄膜太阳能电池有着重要影响,使得很多学者对它做了深入的研究。 1缓冲层的形成及发展 1974年Bell实验室的Wagner等人[2]采用提拉法制备出了第一块CIS太阳能电池。到了1975年,经过结构改进,电池的光电转换效率为12.5%,这是CIGS 太阳能电池的雏形。1982年Boeing公司采用ZnxCd1-xS代替CdS,电池效率为10%[3]。直到1985年,R.R.Potter等人[4]才研究出了目前这种CIS电池的基本结构,即其中铜铟硒(CIS)为吸收层,CdS为缓冲层,ZnO 为窗口层,这种结构改善了电池的短波响应。薛玉明等人[5]建立异质结模型,得出了形成异质结前后的能带图。蒋方丹等[6]对CdS做为缓冲层的作用和弊端做了分析。认为CdS是非常适合作为CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料,但由于Cd有毒、能隙偏窄、制备工艺不匹配等因素的制约,限制了电池的大规模应用。因此,目前对缓冲层的研究主要集中在薄膜的制备工艺和无镉缓冲层材料方面。2CdS缓冲层及其制备方法 2.1化学水浴法(CBD) 化学水浴法是在溶液中利用化学反应在衬底上沉积薄膜的一种技术。因为它成本低、工艺简单、成膜质量好、反应参数易于控制等优点,因此人们从成膜机理到浓度、温度等参数优化上都做了大量的研究。 2.1.1成膜机理的研究 周向东等人[7]对成膜机理做了深入的研究,提出CdS薄膜的成核机理是Cd(NH3)42+先附着在衬底表面形成晶核,然后Cd(NH3)42+和S2-同晶核作用长大成膜,此时Cd(NH3)42+在热驱动下变得不稳定,放出氨气,同时Cd2+同S2-相互作用形成CdS。 2.1.2浓度对CdS薄膜质量影响的研究 南开大学的孙云、敖建平等人[8,9]研究了醋酸氨、硫脲的浓度对CdS薄膜晶相、S/Cd原子比、沉积速率的影响。研究表明,增加醋酸氨的浓度有利于立方相的生成,以立方相CdS制备的电池最佳效率可达到12.17%;沉积速率和S/Cd原子比随着醋酸氨、硫脲浓度的增大而增大。李华维等人[10]研究了Cd2+浓度对薄膜晶相的影响,发现随着Cd2+浓度(0.002~0.008mol·L-1)增加,沉积速率加快,薄膜晶相由六方相向立方相转变。可见关于对各溶质的不同浓度对CdS薄膜的晶相、沉积速率、S/Cd原子比和形貌的影响都做了研究。2.1.3PH值对CdS薄膜质量影响的研究 崔岩等人[11]通过加氨水调节溶液的PH值在8.43~10.09间变化,研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、能隙等特征。结果表明,薄膜全为立方晶型,随着pH值的降低,晶粒尺寸逐渐变大,颗粒尺寸逐渐变小,晶粒倾向于沿着立方(111)面择优生长,能隙增大。敖建平 资源环境70

《太阳能电池基础与应用》太阳能电池-第四章-4

第四章
4.1 3 4.2 4.3 3 4.4 4.5 4.6
太阳电池基础
光生伏特效应 光生载流子的浓度和电流 太阳电池的伏安特性 太阳电池的性能表征 太阳电池的测试技术 太阳电池的效率分析

4.6 太阳电池效率分析-极限效率
太阳电池的理论效率
VOC I SC ? FF ?? ?100% Pin
当入射太阳光谱AM0或AM1.5确定后, 为获得较高的转换效率, 需要增加Voc、Isc和FF
填充因子FF
在理想情况下(当voc>10),填充因子FF仅是开路电压Voc的函数
Voc的函 数
voc ? ln(voc ? 0.72) q FF ? voc ? Voc , voc ? 1 kT

4.6 太阳电池效率分析-极限效率
短路电流Isc
I sc ? ? I L I L ? qAG ? Le ? W ? Lh ? ,
假设到达电池表面的每一个能量大于材料禁 带宽度Eg的光子,会产生一个电子-空穴对。 将光通量对波长进行积分,可以得到产生率G。
开路电压Voc
Voc ?
2
? kT ? I L ln ? ? 1? q ? I0 ?
? Eg ? I 0 =1.5 ? 10 exp ? ? ? kT ? ?
5
Eg ) I0∝ ni ? N C N V exp(? kT
禁带宽度Eg减小,I0增加,Voc减小

4.6 太阳电池效率分析-极限效率
最佳带隙宽度
禁带宽度Eg减小
Isc增加
Voc减小

光电池的应用与发展

光电池的应用与发展 摘要: 光电池是利用光伏效应制成的检测光辐射的器件,主要是利用价带电子在光的照射下产生电动势。光电池也叫太阳能电池,直接把太阳光转变成电。因此光电池的特点是能够把地球从太阳辐射中吸收的大量光能转化换成电能。 光电池的种类很多,常用有硒光电池、硅光电池和硫化铊、硫化银光电池等。主要用于仪表,自动化遥测和遥控方面。有的光电池可以直接把太阳能转变为电能,这种光电池又叫太阳能电池。太阳能电池作为能源广泛应用在人造地卫星、灯塔、无人气象站等处。 随着可持续发展战略在世界范围内的实施,新能源的开发与利用显得尤为重要。在有关光电池的技术走进了我们的生活,因此这对于光电池的应用与发展方向进行的研究具有较为广泛的意义。 关键字:光电池;光伏效应;价带电子

目录 1.光电池简介 (3) 1.1光电池的定义 (3) 1.2光电池的种类 (3) 2.光电池的原理 (3) 3.光电池发展历史 (4) 4.光电池的应用与前景 (5) 4.1光电池的应用 (5) 4.1.1光电池的运用范围 (6) 4.1.2光电池家庭化的应用 (6) ①太阳能电话 (6) ②太阳能冰箱 (6) ③太阳能空调器 (7) ④太阳能电视机 (7) 4.1.3光电池的市场与应用 (7) 4.2光电池的前景 (8) 总结 (8) 参考文献 (9)

1.光电池简介 1.1光电池的定义 光电池(photovoltaic cell)是利用光伏效应(光电效应的衍生)制成的检测光辐射的器件,是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。可见光电池也是一种光电传感器。 光电池广泛用于把太阳能直接转换成电能,亦称太阳能电池。 1.2光电池的种类 光电池的种类很多,有硒光电池、硅光电池和硫化铊、硫化镉、砷化镓光电池等。其中硅光电池由于其转换效率高、寿命长、价格便宜而应用最为广泛。 2.光电池的原理 光电池是一种特殊的半导体二极管,能将可见光转化为直流电。有的光电池还可以将红外光和紫外光转化为直流电。 最早的光电池是用掺杂的氧化硅来制作的,掺杂的目的是为了影响电子或空穴的行为。 光伏发电是利用半导体pn结(pn junction)的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池(solar cell)。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件(module),再配合上功率控制器等部件就形成了光

光伏电池的原理及发展现状

光伏电池的原理及发展现状 众所周知,太阳能是一种用之不竭、储量巨大的清洁可再生能源,每天到地球表面的辐射能量相当于数亿万桶石油燃烧的能量,太阳能开发与利用逐步成府重点发展的战略。热能和光能利用是太阳能应用的两种重要形式。光伏发电是利用光伏电池的光伏效应将太阳光的光能直接转换为电能的一种可再生、无污染的发电方式,正在全球范围内迅猛发展,其不仅要替代部分化石能源,而且未来将成为世界能源供应的主体,是世界各国可再生能源发展的重点。本文阐述了太阳能光伏电池的原理,综述了国内外光伏发电技术的发展现状及发展趋势。 光伏电池的原理及发展现状1839 年,法国的Edmond Becquerel 发现了光伏效应,即光照能使半导体材料内部的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流。光伏电池是基于半导体P- N 结接受太阳光照产生光伏效应,直接将光能转换成电能的能量转换器。1954 年,美国Bell 实验室的G.Pearson 等发明了单晶硅光伏电池,其原理如图1 所示。 图 1 中,太阳光照射到光伏电池表面,其吸收具有一定能量的光子,在内部产生处于非平衡状态的电子-空穴对;在P- N 结内建电场的作用下,电子、空穴分别被驱向N,P 区,从而在P- N 结附近形成与内建电场方向相反的光生电场;光生电场抵消P- N 结内建电场后的多余部分使P,N 区分别带正、负电,于是产生由N 区指向P 区的光生电动势; 当外接负载后,则有电流从P 区流出,经负载从N 区流入光伏电池。图2 为光伏电池等效电路,其中,Iph为与光伏电池面积、入射光辐照度成正比的光生电流(1 cm2硅光伏电池的Iph值为16 ~30 mA);ID,Ish分别为P- N 结的正向电流、漏电流;串联电阻RS主要由电池体电阻、电极导体电阻等组成(RS一般<1 );旁漏电阻Rsh 由硅片边缘不清洁或体内缺陷所致(Rsh一般为几k);RL 为外接负载电阻,IL,UO 分别为光伏电池输出电压、电流;当负载开路(RL= )时,UO即为开路电压Uoc,其与环境温度成反比、与电池面积无关(在100 mW/cm2的光谱辐照度下,硅光伏电池的Uoc一般为450 ~600 mV。与图2 对应的光伏电池解析模型,

太阳能电池工作原理和应用

太阳能电池的分类简介 (1)硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24.7%,规模生产时的效率为15%(截止2011,为18%)。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于单晶硅成本价格高,大幅度降 低其成本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅 薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代 产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低 廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其实验室最高转 换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%(截 止2011,为17%)。因此,多晶硅薄膜电池不久 将会在太阳能电池市场上占据主导地位。 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换效率较高,便于大规模生产,有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅太阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。

2)多晶体薄膜电池 多晶体薄膜电池硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高,成本较单晶硅电池低,并且也易于大规模生产,但由于镉有剧毒,会对环境造成严重的污染,因此,并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产 品。 砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率 可达28%,GaAs化合物材料具有十分理想的光学 带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热 不敏感,适合于制造高效单结电池。但是GaAs 材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用 GaAs电池的普及。 (3)有机聚合物电池 以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好,制作容易,材料来源广泛,成本低等优势,从而对大规模利用太阳能,提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始,不论是使用寿命,还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品,还有待于进一步研究探索。 (5)有机薄膜电池 有机薄膜太阳能电池,就是由有机材料构成核心部分的太阳能电池。大家对有机太阳能电池不熟悉,这是情理中的事。如今量产的太阳能电池里,95%以上是硅基的,而剩下的不到5%也是由其它无机材料制成的 6)染料敏化电池 染料敏化太阳能电池,是将一种色素附着在TiO2粒子上,然后浸泡在一种电解液中。色素受到光的照射,生成自由电子和空穴。自由电子被TiO2吸收,从电极流出进入外电路,再经过用电器,流入电解液,最后回到色素。染料敏化太阳能电池的制造成本很低,这使它具有很强的竞争力。它的能量转换效率为12%左右。 (7)塑料电池 塑料太阳能电池以可循环使用的塑料薄膜为原料,能通过“卷对卷印刷”技术大规模生产,其成本低廉、环保。但塑料太阳能电池尚不成熟,预计在未来5年到10年,基于塑料等有机材料的太阳能电池制造技术将走向成熟并大规模投入使用。 太阳能工作原理 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能发电有两种方式,一种是光一热一电转换方式,另一种是光一电直接转换方式。其中,光一电直接转换方式是利用光电效应,将太阳辐射能直接转换成电能,光一电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种大有前途的新型

第三代太阳能电池简介

第三代太阳能电池简介 何宇亮1,2,3,4王树娟1高全荣1沈文忠3丁建宁2施毅4 1,无锡新长江纳米电子科技有限公司(无锡长江路7号,2140287) 2,江苏大学微纳米科技中心(镇江学府路301号,212013) 3,上海交通大学太阳能研究所(上海闵行区东川路800号,200240) 4,南京大学物理学(南京汉路37号,210093) 摘要 在当前迅速发展的绿色能源中,硅片状太阳能电池占有很大的优势(又被称做第一代太阳能电池),然而为了大幅度降低成本扩大产量,以非晶硅薄膜太阳能电池(又被称为第二代太阳能电池)为代表的薄膜型太阳电池正在赶上,专家估计不久将会占有市场。为了进一步克服前二者存在着的不可克服的弱点,不断提高电池的光电性能及转换效率,近些年叠层式薄膜太阳能电池的研究已受到各国科学界重视。由于它已表现出比前二者具有更强的优势和应用前景,因此已被国内外学术界命名为第三代太阳能电池。作者结合自己在这方面的工作和一些设想对它做一些简要的介绍。 1、第三代太阳能电池指的是什么 在全球绿色能源大幅度蓬勃发展中,对太阳能的利用已被各个先进国家列为非常重要的地位。一般称目前正在大量生产且在市场上占主要地位的单晶硅、多晶硅片状电池为第一代太阳能电池,它从上世界50年代发展到今天其工艺技术已成熟且光电转换效率已达15~25%(其理论上极限值为29%)。正是由于它使用的是体硅材料,不仅对硅材料消耗量很大,以至成本高,而且其转换效率已接近于理论极限值,进一步发展的空间有限。 近十多年来属于第二代的薄膜型太阳能电池发展迅速,且已有大量投产,具有与第一代太阳能电池抗衡的苗头。据了解,日本Sharp公司将于今年在大阪市建立一座年产量达1GW的非晶硅薄膜太阳能电池厂。我国已计划将在无锡建造一条全自动化非晶硅太阳能电池生产线,每年可生产光电155MW。大家知道,非晶硅薄膜对可见光的吸收能力比晶体硅高500倍,电池厚度仅为晶体硅电池的百分之几(μm量级),它可以以廉价玻璃、柔性塑料以及不锈钢薄片为衬底材料。这不仅大大降低了制作成本,节省硅材料,还能根据需要制成大面积的电池板,这些都是它的优势。虽然它的光电转化效率还较低,仅为(6~10)%,但提高的空间较大。随着科学技术的不断提高以及人们对低温成膜技术的不断改进,几年之后很有可能超过目前多晶硅电池的转变效率。

硅基太阳能电池的发展及应用

.. 硅基太阳能电池的发展及应用 摘要:太阳能电池是缓解环境危机和能源危机一条新的出路,本文介绍了硅基太阳能电池的原理,综述了硅基太阳电池的优点与不足,以及硅基太阳能电池和其他太阳能电池的横向比较,硅基太阳能电池在光伏产业中的地位,并展望了发展趋势及应用前景等。 关键词:硅基太阳能电池转换效率 1引言 二十一世纪以来,全球经济增长所引发的能源消耗达到了空前的程度。传统的化石能源是人类赖以生存的保障,可是如今化石能源不仅在满足人类日常生活需要方面捉襟见肘,而且其燃烧所排放的温室气体更是全球变暖的罪魁祸首。随着如今全球人口突破70亿,能源的需求也在过去30年间增加了一倍。特别是电力能源从上世纪开始,在总能源需求中的比重增长迅速。中国政府己宣布了其在哥本哈根协议下得承诺,至2020年全国单位国内生产总值二氧化碳排放量比2005年下降40% --45%,非化石能源占一次能源消费的比重提高至少15%左右【6】。 目前太阳能电池主要有以下几种:硅太阳能电池,聚光太阳能电池,无机化合物薄膜太阳能电池,有机化合物薄膜太阳能电池,纳米晶薄膜太阳能电池,叠层薄膜太阳能电池等,其材料主要包括产生光伏效应的半导体材料,薄膜衬底材料,减反射膜材料等【5】。

(图1:太阳能电池的种类) 太阳电池的基本工作原理是:在被太阳电池吸收的光子中,那些能量大于半导体禁带宽度的光子,可以使得半导体中原子的价电子受到激发,在p区、空间电荷区和n区都会产生光生电子左穴对,也称光生载流子。这样形成的光生载流子由于热运动,向各个方向迁移。光生载流子在空间电荷区中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被推进n区,光生空穴被推进p区。因此,在p-n结两侧产生了正、负电荷的积累,形成与内建电场相反的光生电场。这个电场除了一部分要抵消内建电场以外,还使p型层带正电,n型层带负电,因此产生了光生电动势,这就是光生伏特效应(简称光伏)。

《太阳能电池基础与应用》太阳能电池-第四章-1

第四章 太阳电池基础 光生载流子的浓度和电流4.2太阳电池的测试技术4.4光生伏特效应34.1太阳电池的伏安特性34.34.5太阳电池的效率分析 太阳电池的性能表征4.6

太阳电池基本结构 以晶体硅太阳电池为例。 (1)以p型晶体硅半导体材料为衬底; (2)为了减少光的反射损失,常制作绒面减反结构(3)采用扩散法在硅衬底上制作重掺杂的n型层(4)PECVD生长SiO 减反层 2 (5)在n型层上面制作金属栅线,作为正面接触电极(6)在衬底背面制作金属膜,作为背面欧姆接触电极

半导体 吸收光子产生电子空穴对,电子空穴对在p-n结内建电场作用下分离,从而在p-n结两端产生电动势。 p-n结是太阳电池的核心 光生载流子形成一个与热平衡结电场方向相反的电场,使得势垒降低;光生电流与正向结电流相等时,pn结建立稳定的电势差,即光生电压 Electric Field

载流子运动的角度 太阳电池工作原理:当太阳光照射到太阳电池上并被吸收时,其中 的光子能把价带中电子激发到导带上去,形成 能量大于禁带宽度E g 自由电子,价带中留下带正电的自由空穴,即电子—空穴对,通常 称它们为光生载流子。自由电子和空穴在不停的运动中扩散到p-n结的空间电荷区,被该区的内建电场分离,电子被扫到电池的n型一例,空穴被扫到电池的p型一侧,从而在电池上下两面(两极)分别形成了正负电荷积累,产生“光生电压”,即“光伏效应”。如果在电 池的两端接上负载,在持续的太阳光照下,就会不断有电流经过负载。这就是太阳电池的基本工作原理。

能带的角度 持续光照条件下,大量的光生载流子产生,光生电子和空穴被源源不断地分别扫到n型和p型一两侧,致使n区和p区费米能级的分裂,若太阳电池断路,光生电压V即为开路电压V 。若外电路短路,pn结正向电流为 oc 零,外电路电流为短路电流,理想情况下也就是光电流。

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