模拟CMOS集成电路复习题库及解答

模拟CMOS集成电路复习题库及解答
模拟CMOS集成电路复习题库及解答

模拟CMOS集成电路期末复习题库及答案

整理人:李明1.MOSFET跨导g m是如何定义的。在不考虑沟道长度调制时,写出MOSFET在饱和区的g m与

V GS?V TH、√I D和1V GS?V TH的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。

2.MOSFET的跨导g m是如何定义的。在考虑沟道长度调制时,写出MOSFET在饱和区的g m与

V GS?V TH、√I D和1V GS?V TH的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。

解:MOSFET跨导g m的定义:由于MOSFET工作再饱和区时,其电流受栅源过驱动电压控制,所以我们可以定义一个性能系数来表示电压转换电流的能力。更准确地说,由于在处理信号的过程中,我们要考虑电压和电流的变化,因此我们把这个性能系数定义为漏电流的变化量除以栅源电压的变化量。我们称之为“跨导”,并用g m来表示,其数值表示为:

在不考虑沟道长度调制时:

在考虑沟道长度调制时:

3.画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET小信号等效电路。写出r o和g mb的定义,并由此定义推出r o和g mb表示式。

解:

4.画出由NMOS和PMOS二极管作负载的MOSFET共源级电路图。对其中NMOS二极管负载共源级电路,推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式,分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。对PMOS二极管负载的共源级电路,对其增益表示式作出与上同样的分析。

5.画出MOS共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。并推出此共源共栅级电路的电压增益和输出电阻表示式。

解:

6.画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式,并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in的变化曲线图。

7.画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS共源级电路的电路图和其对应的小信号

等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式,并由此推出考虑沟道长度调制和体效应情

况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in的变化曲线图。

解:

8.画出以二极管连接的MOS为负载的差动对和以电流源为负载的差动对的电路图。并求出这两种电路的小信号增益。

解:

9.下图给出一个电阻负载共源级放大器的高频模型。画出其小信号等效电路。并由此等效电路推出其传输函数。就此传输函数,简要说明电路的零极点分布情况。

解:

10.对如下图所示的共源级电路,画出其含有噪声的电路模型。并根据此模型图写出其输出噪声电压V n,out2和输入噪声电压V n,in2。

解:

11.下图是一个电路系统的环路增益波特图,由图分析此系统的极点和零点情况。指出系统的稳定性,写出系统的开环和闭环传输函数,并由此求出闭环系统的极点公式来。

解:

12.下图给出了一个采用共源共栅的两级运放电路。分析指出其极点位置,画出其环路增益的波特图。如要对此电路进行密勒补偿,补偿电容加在哪里,其值应等于多少?

解:

13.下图所示的电路,在忽略体效应的情况下,分析写出I out的表示式。并就此表示式进行简要的分析说明。

解:

14.对下图所示的有反馈的共栅级电路,忽略沟道长度调制,分析给出其开环和闭环输入阻抗表示式。并作简要分析说明。

解:

15.对下图(a)所示的电路,简要分析并明其功能。根据图(b)的简化等效电路,推出V out/V in的关系表达式。

解:

CMOS模拟集成电路课程设计

电子科学与技术系 课程设计 中文题目:CMOS二输入与非门的设计 英文题目: The design of CMOS two input NAND gate 姓名:张德龙 学号: 1207010128 专业名称:电子科学与技术 指导教师:宋明歆 2015年7月4日

CMOS二输入与非门的设计 张德龙哈尔滨理工大学电子科学与技术系 [内容摘要]随着微电子技术的快速发展,人们生活水平不断提高,使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲,集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来,集成电路产业的地位越来越重要,它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。 集成电路有两种。一种是模拟集成电路。另一种是数字集成电路。本次课程设计将要运用S-Edit、L-edit、以及T-spice等工具设计出CMOS二输入与非门电路并生成spice文件再画出电路版图。 [关键词]CMOS二输入与非门电路设计仿真

目录 1.概述 (1) 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作 (1) 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路 (1) 2-2.计算相关参数 (2) 2-3.电路spice文件 (3) 2-4.分析电路性质 (3) 3、使用L-Edit绘制基本CMOS二输入与非门版图 (4) 3-1.CMOS二输入与非门设计的规则与布局布线 (4) 3-2.CMOS二输入与非门的版图绘制与实现 (5) 4、总结 (6) 5、参考文献 (6)

1.概述 本次课程设计将使用S-Edit画出CMOS二输入与非门电路的电路图,并用T-spice生成电路文件,然后经过一系列添加操作进行仿真模拟,计算相关参数、分析电路性质,在W-edit中使电路仿真图像,最后将电路图绘制电路版图进行对比并且做出总结。 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路 使用S-Edit绘制的CMOS与非门电路如图1。 图1 基本的CMOS二输入与非门电路 1

电子科技大学集成电路原理实验CMOS模拟集成电路设计与仿真王向展

实验报告 课程名称:集成电路原理 实验名称: CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员: 实验地点:科技实验大楼606 实验时间: 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院

一、实验名称:CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时:4 三、实验原理 1、转换速率(SR):也称压摆率,单位是V/μs。运放接成闭环条件下,将一个阶跃信号输入到运放的输入端,从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益:当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积:放大器带宽和带宽增益的乘积,即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度:使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围:在差分放大电路中,二个输入端所加的是大小相等,极性相同的输入信号叫共模信号,此信号的范围叫共模输入信号范围。 6、输出电压摆幅:一般指输出电压最大值和最小值的差。 图 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构,M1、M2构成源耦合对,做差分输入;M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载;M5、M8构成电流镜提供恒流源;M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路,Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系:

转换速率:SR=I5 I I 第一级增益:I I1=?I I2 I II2+I II4=?2I I1 I5(I2+I3) 第二级增益:I I2=?I I6 I II6+I II7=?2I I6 I6(I6+I7) 单位增益带宽:GB=I I2 I I 输出级极点:I2=?I I6 I I 零点:I1=I I6 I I 正CMR:I II,III=I II?√5 I3 ?|I II3|(III)+I II1,III 负CMR:I II,III=√I5 I1+I II5,饱和 +I II1,III+I II 饱和电压:I II,饱和=√2I II I 功耗:I IIII=(I8+I5+I7)(I II+I II) 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置,为IC设计性实验。其目的在于: 根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计,掌握基本的IC设计技巧。 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法,并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求,针对CMOS两级共源运放结构,分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析,重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析,能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试,要求达到预定的技术指标。

模拟cmos集成电路设计实验

模拟cmos集成电路设计实验 实验要求: 设计一个单级放大器和一个两级运算放大器。单级放大器设计在课堂检查,两级运算放大器设计需要于学期结束前,提交一份实验报告。实验报告包括以下几部分内容: 1、电路结构分析及公式推导 (例如如何根据指标确定端口电压及宽长比) 2、电路设计步骤 3、仿真测试图 (需包含瞬态、直流和交流仿真图) 4、给出每个MOS管的宽长比 (做成表格形式,并在旁边附上电路图,与电路图一一对应) 5、实验心得和小结 单级放大器设计指标 两级放大器设计指标

实验操作步骤: a.安装Xmanager b.打开Xmanager中的Xstart

c.在Xstart中输入服务器地址、账号和密码 Host:202.38.81.119 Protocol: SSH Username/password: 学号(大写)/ 学号@567& (大写)Command : Linux type 2 然后点击run运行。会弹出xterm窗口。 修改密码

输入passwd,先输入当前密码,然后再输入两遍新密码。 注意密码不会显示出来。 d.设置服务器节点 用浏览器登陆http://202.38.81.119/ganglia/,查看机器负载情况,尽量选择负载轻的机器登陆,(注:mgt和rack01不要选取) 选择节点,在xterm中输入 ssh –X c01n?? (X为大写,??为节点名) 如选择13号节点,则输入ssh –X c01n13 e.文件夹管理 通常在主目录中,不同工艺库建立相应的文件夹,便于管理。本实验采用SMIC40nm工艺,所以在主目录新建SMIC40文件夹。 在xterm中,输入mkdir SMIC40 然后进入新建的SMIC40文件夹, 在xterm中,输入cd SMIC40.

【书】模拟CMOS集成电路设计 毕查德.拉扎维著

【简介】模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。. 美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&T,Bell Lab,HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名顶级公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。... 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

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实验室常用模拟集成电路

实验室常用模拟集成电路 序号型号名称 M001 2P4M 可控硅 M002 4N35 通用光电耦合器 M003 6N135 数字逻辑隔离 M004 24C01 1K/2K 5V I2C 总线串行EEPROM M005 24LC08B 8K I2C 总线串行EEPROM M006 93C46 1K 串行EEPROM M007 AD574 12-BIT,DAC 转换器 M008 BM2272 遥控译码器 M009 CA3140E 4.5MHz,BiMOS 运算放大器 M010 TLP521 可编程控制AC/DC 输入固态继电器 M011 7805 正5V 三端稳压集成电路 M012 LM7905 负5V 三端稳压集成电路 M013 LA7806 B/W 电视机同步、偏转电路,16PIN M014 7906C 负6V 三端稳压集成电路 M015 7808A 正8V 3 端稳压器,输入35V,功率20.8W M016 7908AC 正8V 3 端稳压器,输入35V,功率12W M017 LM7809 正9V 三端稳压集成电路 M018 ADS7809 正9V 三端稳压集成电路 M019 TA7810S 0.5A,3 端稳压器 M020 TDA7910N 负10V 3 端稳压器,输入-35V,1A,功率12W M021 IRF7811A N-MOSFET,功率场效应管,28V/11.4A/2.5W M022 7812A 正12V 3 端稳压器,输入35V,功率20.8W M023 LM7912 1A 3 端稳压器 M024 AD7813 2.5V-5.5V,400kSPS,8/10-BIT,采样,ADC 转换器M025 LM7815 正15V 三端稳压集成电路 M026 LM7915 负15V1A 3 端稳压器 M027 AD7819 2.7V-5.5V,200KSPS,8-BIT,采样,ADC 转换器 M028 LA7820 彩色电视机同步/偏转电路 M029 L7920C 负20V1A 3 端稳压器 M030 LC7821 模拟开关 M031 LM7824 正24V 三端稳压集成电路 M032 KA7924 负24V1A 3 端稳压器 M033 AD7825 3Vto5V、2MSPS、1/4/8 通道、8BitAD 转换器 M034 PJ7925CZ 负25V1A 3 端稳压器 M035 ADS7826 10/8/12 位取样模拟数字转换器用2.7V 的电源 M036 IRF840 功率场效应管,大功率、高速, 500V/8A/125W M037 ADC0809 8-BIT up 兼容8 通道多路复用器A/D 转换器 M038 ADC0832 2 路,8-BIT 串行输入/输出A/D 转换多路选择 M039 LM324N 四路运算放大器 M040 LM339 低功耗低失调电压四比较器 M041 LM358 低功率双运算放大器

cmos模拟集成电路设计_实验报告

北京邮电大学 实验报告 实验题目:cmos模拟集成电路实验 姓名:何明枢 班级:2013211207 班内序号:19 学号:2013211007 指导老师:韩可 日期:2016 年 1 月16 日星期六

北京邮电大学电子工程学院2013211207班何明枢CMOS模拟集成电路与设计实验报告 目录 实验一:共源级放大器性能分析 (1) 一、实验目的 (1) 二、实验内容 (1) 三、实验结果 (1) 四、实验结果分析 (3) 实验二:差分放大器设计 (4) 一、实验目的 (4) 二、实验要求 (4) 三、实验原理 (4) 四、实验结果 (5) 五、思考题 (6) 实验三:电流源负载差分放大器设计 (7) 一、实验目的 (7) 二、实验内容 (7) 三、差分放大器的设计方法 (7) 四、实验原理 (7) 五、实验结果 (9) 六、实验分析 (10) 实验五:共源共栅电流镜设计 (11) 一、实验目的 (11) 二、实验题目及要求 (11) 三、实验内容 (11) 四、实验原理 (11) 五、实验结果 (15) 六、电路工作状态分析 (15) 实验六:两级运算放大器设计 (17) 一、实验目的 (17) 二、实验要求 (17) 三、实验内容 (17) 四、实验原理 (21) 五、实验结果 (23) 六、思考题 (24) 七、实验结果分析 (24) 实验总结与体会 (26) 一、实验中遇到的的问题 (26) 二、实验体会 (26) 三、对课程的一些建议 (27)

实验一:共源级放大器性能分析 一、实验目的 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图(schematic)设计输入方法; 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真; 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析,绘制曲线; 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响 二、实验内容 1、启动synopsys,建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。 4、仿真并查看仿真结果,绘制曲线。 三、实验结果 1、实验电路图

模拟CMOS集成电路设计实验指导手册

目录 第一部分.前言 第二部分.实验的基础知识 第三部分.实验内容 1.cadence virtuoso schematic进行电路图的绘制2.cadence virtuoso analog environment电路性能模拟3.cadence virtuoso layout editor进行版图设计4.cadence virtuoso DRC Extract LVS以及后仿真等。第四部分.附件 1.Cadence schematic simple tutorial 2.cadence virtuoso layout editor tutorial 3.SMIC0.18um library

第一部分.前言 本实验为微电子系专业选修课程《模拟CMOS集成电路设计》的配套实验。本实验围绕如何实现一个给定性能参数要求的简单差分运算放大器而展开。 通过该实验,使得学生能够建立模拟集成电路设计的基本概念,了解设计的基本方法,熟悉模拟CMOS集成电路设计的典型流程,了解在每一个流程中所应用的EDA工具,并能较熟练地使用每个流程对应的设计工具。通过让学生自己分析每个流程中所出现的问题,把课程所学知识联系实际,从而增强学生分析问题、解决问题的能力。 本实验的内容以教材一至十章内容为基础,因此,该实验适合在开课学期的后半部分时间开展。 本实验讲义内容安排如下,首先是前言,其次是基础知识,接下来是实际实验内容,具体分成四个过程,最后是附录。建议在实际实验开始之前依次浏览三个附件文档。

第二部分.实验的基础知识 该实验内容所涉及的基础知识包括两部分:电路方面、流程方面和EDA设计工具使用方面。 1.电路有关的基础知识。 该实验是围绕如何实现基于SMIC0.18um工艺下,一个给定性能参数要求的简单差分运算放大器而展开,因此,以电流镜做负载的基本五管差分运算放大器的性能分析是该实验的理论基础。具体内容在讲义以及课件相关章节中有详细介绍。以下用一张图简单重述该电路的有关性能与各元件参数之间的关系分析结论。 相关的设计公式如下:

cmos模拟集成电路设计-实验报告

cmos模拟集成电路设计-实验报告

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北京邮电大学 实验报告 实验题目:cmos模拟集成电路实验 姓名:何明枢 班级:2013211207 班内序号:19 学号:2013211007 指导老师:韩可 日期:2016 年 1 月16 日星期六

目录 实验一:共源级放大器性能分析 (1) 一、实验目的 (1) 二、实验内容 (1) 三、实验结果 (1) 四、实验结果分析 (3) 实验二:差分放大器设计 (4) 一、实验目的 (4) 二、实验要求 (4) 三、实验原理 (4) 四、实验结果 (5) 五、思考题 (6) 实验三:电流源负载差分放大器设计 (7) 一、实验目的 (7) 二、实验内容 (7) 三、差分放大器的设计方法 (7) 四、实验原理 (7) 五、实验结果 (9) 六、实验分析 (10) 实验五:共源共栅电流镜设计 (11) 一、实验目的 (11) 二、实验题目及要求 (11) 三、实验内容 (11) 四、实验原理 (11) 五、实验结果 (15) 六、电路工作状态分析 (15) 实验六:两级运算放大器设计 (17) 一、实验目的 (17) 二、实验要求 (17) 三、实验内容 (17) 四、实验原理 (21) 五、实验结果 (23) 六、思考题 (24) 七、实验结果分析 (24) 实验总结与体会 (26) 一、实验中遇到的的问题 (26) 二、实验体会 (26) 三、对课程的一些建议 (27)

CMOS模拟集成电路复习提纲

2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲 第2章MOSFET 的工作原理及器件模型分析 重点内容: * CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识:MOS 器件的三个区域的判断,并且对应于各个区域的I D 表达式,和跨导的定义及表达式。 * 体效应的概念,体效应产生的原因,及体效应系数γ。 * 沟道调制效应的概念,沟长调制效应产生的原因,沟道电阻 D o I r λ1= ,λ与沟道长度成反比。 * MOS 管结构电容的存在,它们各自的表达式。 * MOS 管完整的小信号模型。 MOSFET 的I-V 特性 1. TH GS V V <,MOS 管截止 2. TH GS V V ≥,MOS 管导通 a.TH GS DS V V V -<,MOS 管工作在三极管区; ?? ? ???--=221)(DS DS TH GS ox n D V V V V L W C I μ 当)(2TH GS DS V V V -<<时,MOS 工作于深Triode 区,此时

DS TH GS ox n D V V V L W C I )(-≈μ,DS D V I ~为直线关系. 导通电阻:) (1TH GS ox n D DS on V V L W C I V R -= ??=μ b .TH GS DS V V V -≥,MOS 管工作在饱和区; 2)(21TH GS ox n D V V L W C I -=μ 跨导g m :是指在一定的V DS 下,I D 对V GS 的变化率。 饱和区跨导: ) (H T GS ox n const V GS D m V V L W C V I g DS -=??= =μ TH GS D D ox n H T GS ox n m V V I I L W C V V L W C g -= =-=22)(μμ 三极管区跨导:DS ox n m V L W C g μ= MOSFET 的二级效应 1. 体效应: 源极电位和衬底电位不同,引起阈值电压的变化. )22(0F SB F TH TH V V V φφγ-++= )22(0FP BS FP n TH THN V V V φφγ--+= )22(0FN FN BS P TH THP V V V φφγ---+=

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