模电基础

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模拟电路的基本放大电路知识

1.2.1 模拟信号的放大

放大是最基本的模拟信号处理功能,它是通过放大电路实现的,大多数模拟电子系统中都应用了不同类型的放大电路。放大电路也是构成其他模拟电路,如滤波、振荡、稳压等功能电路的基本单元电路。

电子技术里的“放大”有两方面的含义:

一是能将微弱的电信号增强到人们所需要的数值(即放大电信号),以便于人们测量和使用;

检测外部物理信号的传感器所输出的电信号通常是很微弱的,例如前面介绍的高温计,其输出电压仅有毫伏量级,而细胞电生理实验中所检测到的细胞膜离子单通道电流甚至只有皮安(pA,10-12A)量级。对这些能量过于微弱的信号,既无法直接显示,一般也很难作进一步分析处理。通常必须把它们放大到数百毫伏量级,才能用数字式仪表或传统的指针式仪表显示出来。若对信号进行数字化处理,则须把信号放大到数伏量级才能被一般的模数转换器所接受。

二是要求放大后的信号波形与放大前的波形的形状相同或基本相同,即信号不能失真,否则就会丢失要传送的信息,失去了放大的意义。

某些电子系统需要输出较大的功率,如家用音响系统往往需要把声频信号功率提高到数瓦或数十瓦。而输入信号的能量较微弱,不足以推动负载,因此需要给放大电路另外提供一个直流能源,通过输入信号的控制,使放大电路能将直流能源的能量转化为较大的输出能量,去推动负载。这种小能量对大能量的控制作用是放大的本质。

针对不同的应用,需要设计不同的放大电路。

1.2.2 放大电路的四种模型

放大电路的一般符号如图1所示,为信号源电压,Rs为信号源内阻,

和分别为输入电压和输入电流,RL为负载电阻,和分别为输出电压和输出电流。在实际应用中,根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求,放大电路可分为四种类型。

电压放大电路

如果只需考虑电路的输出电压和输出电压的关系,则可表达为

式中为电路的电压增益。前述炉温控制系统中对高温计输出电压信号的放大,就是使用了这种放大电路。

电流放大电路

若只考虑图1中放大电路的输出电流和输入电流的关系,则可表达为

式中为电流增益,这种电路称为电流放大电路。

互阻放大电路

当需要把电流信号转换为电压信号,如前述细胞电生理技术中,需要检测细胞膜离子通道的微弱电流时,则可利用互阻放大电路,其表达式为

式中为放大电路的输入电流,为输出电压,为互阻增益,其量纲为W。这里把信号放大的的概念延伸了,与前述无量纲的电压增益和电流增益不同。

互导放大电路

当电路中输入信号取

,输出信号取

,输出对输入信号的关系可表达为

式中

称为放大电路的互导增益,它具有导纳量纲S 。相应地,这种放大电路得名为互导放大电路。

一、电压放大模型

如上一知识点所述,根据实际的输入信号和所需的输出信号是电压或者电流,放大电路可分为四种类型,即:电压放大、电流放大、互阻放大和互导放大。为了进一步讨论这四类放大电路的性能指标,可以建立起四种不同的双口网络作为相应类型放大电路模型。这些模型采用一些基本的元件来构成电路,只是为了等效放大电路的输入和输出特

性,而忽略各种实际放大电路的

内部结构。

图1虚线框内的电路是一般

化的电压放大电路模型,它由输

入电阻Ri 、输出电阻Ro 和受控

电压源

三个基本元件构成,其中

为输入电压,

为输出开路(RL = ¥)时的电压增益。图中放大电路模型与电压信号源

、信号源内阻Rs 以及负载电阻RL 的组合,可在RL 两端得到对应

的输出信号

。 从图1可以看出,由于Ro 与RL 的分压作用,使负载电阻RL 上的电压信号 小于受控电压源的信号幅值,即

1

可见,其电压增益为

的恒定性受到RL变化的影响,随RL的减小而降低。这就要求在电路设计时努力使Ro<

信号衰减的另一个环节在输入电路。信号源内阻Rs和放大电路输入电阻Ri 的分压作用,致使到达放大电路输入端的实际电压只有

只有当Ri>>Rs时,才能使Rs对信号的衰减作用大为减小。这就要求设计电路时,应尽量设法提高电压放大电路的输入电阻Ri。理想电压放大电路的输入

电阻应为Ri=¥ 。此时,= ,信号免受衰减。

从上述分析可知,电压放大电路适用于信号源内阻Rs较小且负载电阻RL 较大的场合。

图1中所示电路模型的下部,输入回路和输出回路之间都有一根连线,并标以“^”符号,这是作为电路输入与输出信号的共同端点或参考电位点。这个参考点对于分析电子电路是必要的,而且是很

方便的。图2

然而,当前有许多工业控制设备及医疗

设备,为了提高安全性和抗干扰能力,在前

级信号预放大中,普遍采用所谓的隔离放大,

即放大电路的输入与输出电路(包括供电电源)相互绝缘,输入与输出信号之间不存在任何公共参考点。这种类型的电压放大电路模型如图2所示。输入和输出之间有无公共参考点对本章所有内容的讨论没有影响。

二、电流放大模型

图1的虚线框内是电流放大电路模型。与电压放大电路模型在形式上不同之

处在输出回路,它是由受控制电流源

和输出电阻Ro并联而成,其中

输入电流,

为输出短路(RL=0)的电流增益。受控电流源是另一种受控信号

源,本例中控制信号是输入电流

。电流放大电路与外电路相连同样存在信号

衰减问题。与电压放大电路相对应,衰减发生是由于放大电路输出电阻Ro和信号源内阻Rs分别在电路输出和输入端对信号电流的分流。由图1可知,在输出端,RL和Ro有如下的分流关系

带负载RL时的电流增益为

在电路输入端,Rs和Ri有如下的分流关系

由此可见,只有当Ro>>RL和Ri<

从电路特性可知,电流放大电路一般适用于信号源内阻Rs较大而负载电阻RL较小的场合。

三、互阻与互导放大电路模型

图1(a)和(b)的虚线框内分别为互阻放大和互导放大电路模型。两电路

的输出信号分别由受控制电压源和受控制电流源产生。在理想状态下,互阻放大电路要求输入电阻Ri=0且输出电阻Ro=0,而互导放大电路则要

求输入电阻Ri=¥ ,输出电阻Ro=¥ 。电路中的称为输出开路时的互阻增益,

称为输出短路的互导增益。两模型的详细情况读者可自行分析。

(a)

(b)

图1

四、模型的转换

根据信号源的戴维宁-诺顿等效变换原理,上述四种电路模型相互之间可以

实现任意转换。例如图1(a)电压放大电路模型的开路输出电压为,而

根据图(b)电流放大电路模型可得开路输出电压为且,令两电路等效,于是有

即可得。

同理可得和两式。

(a)

(b)

图1

这样其他三种电路模型都可转换为电压放大电路模型。同理可实现其他放大电路模型之间的转换。

一个实际的放大电路原则上可以取四类电路模型中任意一种作为它的电路模型,但是根据信号源的性质和负载的要求,一般只有一种模型在电路设计或分析中概念最明确,运用最方便。例如,信号源为低内阻的电压源,要求输出为电压信号时,以选用电压放大电路模型为宜。而某种场合需要将来自高阻抗传感器的电流信号变换为电压信号时,则以采用互阻放大电路模型较合适,如此等等。

1.2.3 放大电路的性能指标

放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣的标准,并决定其适用范围。这里主要讨论放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真等几项主要性能指标。

放大电路除上述五种主要性能指标外,针对不同用途的电路,还常会提出一些其他指标,诸如最大输出功率、效率、信号噪声比、抗干扰能力等等,甚至在某些特殊使用场合还会提出体积、重量、工作温度、环境温度等要求。其中有些在通常条件下很容易达到的技术指标,但在特殊条件下往往就变得很难达到,如强背景噪声、高温等恶劣环境下运行,即属这种情况。要想全面达到应用中所要求的性能指标,除合理设计电路外,还要靠选择高质量的元器件及高水平的制造工艺来保证,尤其是后者经常被初学者所忽视。上述问题有些在后续各章中进行讨论,有些则不属于本课程的范围,有兴趣的读者可参考有关资料及在以后工作实践中学习。

一、输入电阻

图1

前述四种放大电路,不论

使用哪种模型,其输入电阻Ri

和输出电阻Ro 均可用图1来

表示。如图所示,输入电阻等于输入电压

与输入电流

的比值, 即

输入电阻Ri 的大小决定了放大电路从信号吸取信号幅值的大小。对输入为电压信号的放大电路,即电压放大和互导放大,Ri 愈大,则放大电路输入端的值愈大。反之,输入为电流信号的放大电路,即电流放大和互阻放大,Ri 愈小,注入放大电路的输入电流愈大。

当定量分析放大电路的输入电阻Ri 时,一般可假定在输入端外加一测试电压

,如图2所示,根据放大电路内的各元件参数计算出相应在的测试电流,

二、输出电阻

放大电路输出电阻Ro 的大

小决定它带负载的能力。

图2

图1

当定量分析放大电路的输

出电阻Ro时,可采用图1所示

的方法。在信号源短路(=0,

但保留Rs)和负载开路(RL = ¥)

的条件下,在放大电路的输出端加一测试电压,相应地产生一测试电流,于是可得输出电阻为

根据这个关系,即可算出各种放大电路的输出电阻。

必须注意,以上所讨论的放大电路的输入电阻和输出电阻不是直流电阻,而是在线性运用情况下的交流电阻,用符号R带有小写字母下标i和o来表示。

三、对数增益

如前所述,四种放大电路分别具有不同的增益,如电压增益

、电流增益

、互阻增益

及互导增益

。它们

实际反映了放大电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量的能

力。其中和两种无量纲增益在工程上常用以10为底的对数增益表达,其基本单位为B(贝尔,Bel),平时用它的十分之一单位dB(分贝)。

这样用分贝表示的电压增益和电流增益分别如下式所示:

电压增益=20lg| | dB

电压增益=20lg| | dB

由于功率与电压(或电流)的平方成比例,因而功率增益表示为

功率增益=10lg dB

上述电压增益和电流增益用其幅值。在某些情况下,或也许为负数,这意味着输出与输入之间的相位关系为180°,这与对数增益为负值时的意义不能混淆。在某种情况下,放大电路的增益为-20dB,这表示信号电压衰减到1/10,即||=0.1。

用对数方式表达放大电路的增益之所以在工程上得到广泛的应用是由于:

(1)当用对数坐标表达增益随频率变化的曲线时,可大大扩大增益变化的视野;

(2)计算多级放大电路的总增益时,可将乘法化为加法进行运算。

上述二点有助于简化电路的分析和设计过程。

四、频率响应与带宽

如前所述的放大电路模型是极为简单的模型,实际的放大电路中总是存在一些电抗性元件,如电容、电感、电子器件的极间电容以及接线电容与接线电感等。因此,放大电路的输出和输入之间的关系必然和信号频率有关。放大电路的频率响应所指的是,在输入正弦信号情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。

若考虑电抗性元件的作用和信号角频率变量,则放大电路的电压增益可表达为

式中:

ω——信号的角频率;

AV(ω)——表示电压增益的模与角频率之间的关系,称为幅频响应;

j(ω)——表示放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系,称为相频响应。

幅频响应和相频响应综合起来

可全面表征放大电路的频率响应。图1

图1是一个普通音响系统放大

电路的幅频响应。为了符合通常习

惯,横坐标采用频率单位f =ω

/(2p),与角频率ω只存在标尺倍率

之差。值得注意的是,图中的坐标

均采用对数刻度,称为波特(Bode)图,这样处理不仅把频率和增益变化范围展得很宽,而且在绘制近似频率响应曲线时也十分简便。

图1所示幅频响应的中间一段是平坦的,即增益保持常数60dB ,称为中频区。在20Hz 和20kHz 两点增益分别下降3dB ,而在低于20Hz 和高于20kHz 的两个区域,增益随频率远离这两点而下降。在输入信号幅值保持不变条件下,增益下降3dB 的频率点,其输出功率约等于中频区输出功率的一半,通常称为半功率点。一般把幅频响应的高、低两个半功率点间的频率差定义为放大电路的带宽,

即 BW = fH - fL

fH ——频率响应的高端半功率点,也称

为上限频率;

图2

由于通常有fL << fH的关系,故有BW

?fH。

有些放大电路的频率响应,中频区平坦

部分一直延伸到直流,如图2所示。可以认

为它是图1的一种特殊情况,即下限频率为

零。这种放大电路称为直流(直接耦合)放

大电路。现代模拟集成电路大多采用直接耦

合进行放大。

五、频率失真

从信号的频谱一节的讨论可知,理论上许多非正弦信号的频谱范围都延伸到无穷大,而放大电路的带宽却是有限的,并且相频响应也不能保持常数。例如图1中输入信号由基波和二次谐波组成,如果受放大电路带宽所限制,基波增益较大,而二次谐波增益较小,于是输出电压波形产生了失真,这种由于放大电路对

不同频率信号的增益不同,产生的失真叫作幅度失真。

生的相移不同时也要产生失真,称为相位失

真,在图2中,如果放大后的二次谐波滞后

了一个相角,输出电压也会变形。由傅里叶

级数或傅里叶反变换也可反映出,无论频谱

函数还是相位谱函数发生变化,相应的时间

函数波形都会由此而失真。幅度失真和相位

失真总称为频率失真,它们都是由于线性电

抗元件所引起的,所以又称为线性失真,以

区别于因为元器件特性的非线性造成的非线

性失真。

为使信号的频率失真限制在容许的程度之内,则要求设计放大电路时正确估计信号的有效带宽(即包含信号主要能量或信息的频谱宽度),以使放大电路带宽与信号带宽相匹配。放大电路带宽过宽,往往造成噪声电平升高或生产成本增加。

上述音响系统放大电路带宽定在20Hz~20kHz,这与人类听觉的生理功能相匹配。由于人耳对声频信号的相位变化不敏感,所以不过多考虑放大电路的相频响应特性。但在有些情况下,特别是对信号的波形形状有严格要求的场合,确定放大电路的带宽还须兼顾其相频响应特性。

六、非线性失真

信号的另一种失真是由放大器件的非线性特性所引起的。放大器件包括分立

器件(如半导体三极管等)和集成电路器件(如集成运算放大器等)。对于分立

器件放大电路来说,电子电路设计工作者应设法使它工作在线性放大区。当要求信号的幅值较大,如多级放大电路的末级,特别是功率放大电路,非线性失真难以避免。

对于集成运算放大器,通常是由正、负双电源供电,当输出信号的幅值接近双电源值时,其输出将产生非线性失真,称为饱和失真。有关上述非线性失真的细节,将在后续各章讨论。

向放大电路输入标准的正弦波信号,可以测定输出信号的非线线失真,并用下面定义的非线性失真的系数来衡量。

Vo1——输出电压信号基波分量的有效值;

Vok——高次谐波分量的有效值,k为正整数。

非线性失真对某些放大电路的性能指标,显得比较重要,例如,高保真度的音响系统和广播电视系统即是常见的例子。随着电子技术的进步,目前即使增益较高、输出功率较大的放大电路,非线性失真系数也可做到不超过0.01%。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题 图 1 图 2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流, 小 的电路是 ②,输出电阻最小 的电路是 ③ ② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ① 不能放大电压 的电路是 ③ ;只能放大电压,不能放大电流 的电路是 ② 。 2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系 BEQ 数为β,B- E 间动态电阻为 r 。填空: be V CC U BEQ ( 1)静态时, I 的表达式为 BQ , I 的表达式为 CQ I BQ R B I CQ I BQ ; ,U 的表达式为 CEQ U CEQ V CC I R C CQ R L (2)电压放大倍数 的表达式为 A u ,输入电阻 的表达式为 r be ,输出电阻 的表达式为 R R // r be R R ; 0 C i B (3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将 i C , A B CQ bc u R 将 B 。 o

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 B A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图 1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻 A u 为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。 i (2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R B Rc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67 。 增大或将 截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路 的“桥”是以 RC 串联支路 、 RC 并联支路 、 电阻 R1 和 R2 各为一臂而组成 的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为 变压器反馈式 、电感 三点式 和 电容三点式 三种电路,其中 电容三点式 振荡电路 的振荡频 率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用 正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由 整流电路 、滤波电路和 稳压电路 三部分电 路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小 的时候,应采用 电容 滤波电

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模电基础知识

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电 极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy )1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

模电数电基础笔试总结

模拟电路(基本概念和知识总揽) 1、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用) 3、基尔霍夫定理的内容是什么? 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用? 反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。 电压(流)负反馈的特点:电路的输出电压(流)趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别? 无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点,广泛采用差分结构的原因。 答:基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路,简称共基、共射、共集放大电路。 共射放大电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻在三种电路中居中,输出电阻较大,频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。 共基放大电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当,频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。 共集放大电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。 广泛采用差分结构的原因是差分结构可以抑制零点漂移现象。 ?7、二极管主要用于限幅,整流,钳位. ?判断二极管是否正向导通: 1.先假设二极管截止,求其阳极和阴极电位; 2.若阳极阴极电位差>UD ,则其正向导通; 3.若电路有多个二极管,阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通;其导通后,其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压(0.7V 或0.3V );再判断其它二极管.

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电基础知识教程

模电基础教程 01单元半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 基本放大电路的工作原理 基本放大电路的组成 直流通路与静态工作点 交流通路与放大原理 放大电路的性能指标

放大电路的图解分析法 放大电路的静态图解分析 放大电路的动态图解分析 输出电压的最大幅度与非线性失真分析 微变等效电路分析法 晶体管的h参数 晶体管的微变等效电路 用微变等效电路法分析放大电路 静态工作点的稳定 温度变化对静态工作点的影响 工作点稳定的电路 场效应管放大电路 场效应管放大电路的静态分析 多级放大电路 多级放大电路的级间耦合方式 多级放大电路的分析方法 放大电路的频率特性 单级阻容耦合放大电路的频率特性 多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类 反馈的基本概念和一般表达式 反馈放大电路的类型与判断 负反馈放大电路基本类型举例 电压串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 负反馈对放大电路性能的影响 降低放大倍数 提高放大倍数的稳定性

展宽通频带 减小非线性失真 改变输入电阻和输出电阻 负反馈放大电路的分析方法 深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识 概述 甲类单管功率放大电路 互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路 复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路 概述 直接耦合放大电路中的零点漂移 基本差动放大电路的分析 基本差动放大电路 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理 基本差动放大电路的静态分析 基本差动放大电路的动态分析 差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识 集成电路的特点 集成电路恒流源 有源负载的基本概念 集成运放的典型电路及参数 典型集成运放F007电路简介 集成运放的主要技术参数

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子电路基础答案第四章答案

简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别:对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人,栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs,那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为当咲?定,而l,SD持续增人时,则相应的1&;减小,近漏极端的沟道深度进-步减小,直至沟道预夹断,进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化,而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流: (1)Ks = 5V且仏二IV: (2)= 2V 且仏二: (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V;, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7;[(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V;, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区,咕=0 (4)根据条件匕2?,%>(沧一?),该场效应管工作在饱和区B =4;学(心 -%)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确宦夹断电压或开启电压值。

数电模电超有用知识点,值得拥有

《数字电子技术》重要知识点汇总 一、主要知识点总结和要求 1.数制、编码其及转换:要求:能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。 举例1:(37.25)10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解:(37.25)10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2.逻辑门电路: (1)基本概念 1)数字电路中晶体管作为开关使用时,是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2)TTL 门电路典型高电平为3.6 V ,典型低电平为0.3 V 。 3)OC 门和OD 门具有线与功能。 4)三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5)门电路参数:噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。 要求:掌握八种逻辑门电路的逻辑功能;掌握OC 门和OD 门,三态门电路的逻辑功能;能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2:画出下列电路的输出波形。 解:由逻辑图写出表达式为:C B A C B A Y ++=+=,则输出Y 见上。 3.基本逻辑运算的特点: 与 运 算:见零为零,全1为1;或 运 算:见1为1,全零为零; 与非运算:见零为1,全1为零;或非运算:见1为零,全零为1; 异或运算:相异为1,相同为零;同或运算:相同为1,相异为零; 非 运 算:零 变 1, 1 变 零; 要求:熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表(组合逻辑电路)或状态转换真值表(时序逻辑电路):是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式:是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图:是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。 ,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

《模拟电子技术》及《数字电路》试题及答案

模拟电子技术基础试卷一 附答案 一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。 (a) (b) 二.(10分)放大电路如图所示。已知: R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K,R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C β=80,V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态, 画出该电路的直流通路;(5分) 2.计算该电路的静态工作点。(5分) 3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。 4.说明电路属于何种组态,

三.(18分)放大电路如图所示。已知C足够大,场效应管的参 数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数 β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。(4分) 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。(10分) 3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。(4分) 四.(12分)反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。 (4分) 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按 深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。并简单说 明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分) (a)(b) 五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。 1.求出电路(a)的输出电压。(4分)

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模电基础答案

模电基础答案 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。

模电数电面试的复习知识点.doc

电路与系统复试专题 模拟电路 1.有源滤波器和无源滤波器的区别 答:无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成。具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 2.什么是负载?什么是带负载能力? 答:把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。对于不同的负载,电路输出特性(输出电压,输出电流)几乎不受影响,不会因为负载的剧烈变化而变,这就是所谓的带载能力 3.什么是输入电阻和输出电阻? 答:在独立源不作用(电压源短路,电流源开路)的情况下,由端口看入,电路可用一个电阻元件来等效。这个等效电阻称为该电路的输入电阻。从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro。 4.什么叫差模信号?什么叫共模信号? 答:两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。差动放大电路输入差模信号(uil =-ui2)时,称为差模输入。两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。差动放大电路输入共模信号(uil =ui2)时,称为共模输入。在差动放大器中,有用信号以差模形式输入,干扰信号用共模形式输入,那么干扰信号将被抑制的很小。 5.怎样理解阻抗匹配? 答:阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方式。阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。 低频:当负载电阻跟信号源内阻相等时,负载可获得最大输出功率,这就是我们常说的阻抗匹配之一。对于纯电阻电路,此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性阻抗时,结论有所改变,就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等,虚部互为相反数,这叫做共扼匹配。 在高频电路中:如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗不相等(即不匹配)时,在负载端就会产生反射。为了不产生反射,负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等,这就是传输线的阻抗匹配。 6. 解释电流偏置的产生电路。 答:偏置电路:以常用的共射放大电路说吧,主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的IB。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件,其中有一重要电阻,往往要调整阻值,以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻。 7.偏置电阻: 答:在稳态时(无信号)通过电阻为电路提供或泄放一定的电压或电流,使电路满足工作需求,或改善性能。 8. 什么是电压放大?什么是电流放大? 什么是功率放大? 答:电压放大就是只考虑输出电压和输入电压的关系。比如说有的信号电压低,需要放大后才能被模数转换电路识别,这时就只需做电压放大。

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