长电开关二极管SOD-323封装规格书
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV16WS/1N4148WS FAST SWITCHING DIODE
FEATURES
MARKING: T6, T4
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃
Parameter Symbol
Limit
Unit
Non-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R
100 V
RMS Reverse Voltage V R(RMS) 71 V
Forward Continuous Current I FM 300
mA Average Rectified Output Current I O 150 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs
@t =1.0s I FSM
2.0 1.0
A
Power Dissipation
Pd 200 mW Thermal Resistance Junction to Ambient
R θJA
625 ℃/W
Junction T emperature T j 150 Storage T emperature
T STG -55~+150
℃ Electrical Ratings @T a =25℃
Parameter
Symbol Min
Typ
Max
Unit Conditions V F1 0.715
V I F =1mA V F2 0.855
V
I F =10mA V F3 1.0 V I F =50mA Forward voltage
V F4 1.25 V
I F =150mA
I R1 1 μA V R =75V Reverse current
I R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T
2 pF V R =0V,f=1MHz Reverse r ecovery t ime
t rr
4 ns I F =I R =10mA Irr=0.1XI R ,R L =100?
SOD-323
℃
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
5
10
15
20
0.81.01.2
Reverse Characteristics
AMBIENT TEMPERATURE T a ()
℃1N4148WS
Typical Characteristics
F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )
REVERSE VOLTAGE V R
(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
1N4448WS FAST SWITCHING DIODE
FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance
MARKING: T5
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃
Parameter Symbol
Limit
Unit
Non-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R
75 V
RMS Reverse Voltage V R(RMS) 53
V
Forward Continuous Current I FM 500 mA
Average Rectified Output Current I O 250 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs @t =1.0s I FSM
4.0 1.5
A
Power Dissipation
Pd 200 mW Thermal Resistance Junction to Ambient
R θJA 625 ℃/W
Storage T emperature T STG -55~+150 ℃
Electrical Ratings @T a =25℃
Parameter
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Conditions
Reverse b reakdown v oltage V (BR)
75 V I R =10μA V F1 0.62 0.72 V
I F =5mA V F2 0.855
V
I F =10mA V F3 1.0 V I F =100mA Forward voltage
V F4 1.25 V
I F =150mA
I R1 2.5 μA V R =75V Reverse current
I R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T
4 pF V R =0V,f=1MHz
Reverse r ecovery t ime
t rr
4 ns I F =I R =10mA
0.6
0.81.01.21.4
1.6
0.1
1
10
100
REVERSE VOLTAGE V R (V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )
AMBIENT TEMPERATURE T a ()
℃0.3
3
30
300
F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )
1N4448WS
Typical Characteristics
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
1SS355 FAST SWITCHING DIODE
FEATURES
1) Small surface mounting type 2) High speed
3) High reliability with high surge current handling capability
MARKING: A
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter Symbol
Limit
Unit
Non-repetitive peak reverse voltage V RM 90 V
DC blocking voltage V R 80 V Peak forword current
I FM 225 mA
Average rectified output current I O 100
mA Surge current (@t=1s) I surge 500 mA Junction temperature Tj 150 ℃ Storage temperature
T STG -55~+150 ℃
Electrical Ratings @T a =25℃
Parameter
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Conditions Forward voltage V F
1.2 V I F =100mA Reverse current
I R
0.1 μA V R =80V
Capacitance between terminals
C T
3 pF V R =0.5V,f=1MHz Reverse r ecovery t ime t rr
4 ns I F =10mA ,V R =6V,R L =100?
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
5
10
15
20
0.81.01.2
AMBIENT TEMPERATURE Ta ()
℃ 1SS355
Typical Characteristics
F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )
REVERSE VOLTAGE V R
(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )
A,Jun,2012
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BAS16WX HIGH-SPEED SWITCHING DIODE
FEATURES z Fast Switching Speed
z For General Purpose Switching Applications z High Conductance
MARKING: T4
MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )
Symbol Parameter Value Unit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 85
V
V RRM V RWM Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage 75 V
V R(RMS)
RMS Reverse Voltage 53 V I O
Forward Current
100
mA
P D Power Dissipation 200 mW R θjA Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W T J
Junction Temperature
150
℃ T stg Storage Temperature
-55~+150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a =25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Reverse voltage
V (BR)
I R =10μA 75 V
I F =1mA 0.715
I F =10mA
0.855I F =50mA 1 Forward voltage
V F
I F =150mA
1.25
V
Reverse current I R V R =75V 1 μA Total capacitance C tot V R =0V,f =1MHz 2 pF
Reverse recovery time
t rr
I F = I R =10mA, I rr =0.1×I R,R L =100?
6 ns
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BAS316 SWITCHING DIODE
FEATURES
● Very Small Plastic Package ● High Switching Speed APPLICATIONS
● High-Speed Switching in e.g. Surface Mounted Circuits
MARKING: A6·
MAXIMUM RATINGS ( T a =25℃ unless otherwise noted )
Symbol Parameter
Value Unit V RRM Peak Repetitive Reverse Voltage 85 V R DC Blocking Voltage 75 V I O Continuous Forward Current 250 mA P D Power Dissipation
250 mW R θJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg
Storage Temperature
-55~+150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a =25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
Min Typ Max Unit Reverse voltage V (BR) I R =100μA 100 V V R =25V 30 nA Reverse current
I R
V R =75V 1 μA
I F =1mA
0.715 I F =10mA 0.855 I F =50mA 1 Forward voltage
V F
I F =150mA
1.25 V Total capacitance C tot V R =0V,f=1MHz 1.5 pF Reverse recovery time t rr
I F = I R =10mA, I rr =0.1×I R
4
ns
SOD-323
25
50
75
100
125
150
050
100
150
200
250
300
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
20
40
60
80
1
10
100
1000
10000
Power Derating Curve
P O W E R D I S S I P A T I O N P D (m W )
AMBIENT TEMPERATURE T a ()
℃BAS316
Typical Characteristics
F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )
FORWARD VOLTAGE V F (V)R E V E R S E C U R R E N T I R (n A )
REVERSE VOLTAGE V R (V)
REVERSE VOLTAGE V R
(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODE
FEATURES
z Low Reverse Current
z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion
z Fast Switching Speed
z For General Purpose Switching Applications
MARKING:
BAV19WS: A8
BAV20WS: T2
BAV21WS: T3
MAXIMUM RATINGS ( T a=25℃unless otherwise noted )
Value Symbol Parameter
BAV19WS BAV20WS BAV21WS
Unit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 120 200 250 V
V RRM Peak Repetitive Reverse Voltage V RWM Working Peak Reverse Voltage 100 150 200
V
V R(RMS)RMS Reverse Voltage 71 106 141 V
I O Average Rectified Output Current 200 mA
I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 1.7 A
P D Power Dissipation 250 mW
RΘJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W
T j Junction Temperature 150 ℃
T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25℃unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test
conditions Min
Typ Max Unit
V R
=100V BAV19WS0.1
V R
=150V BAV20WS0.1
Reverse current I R
V R
=200V BAV21WS0.1
uA
I F
=100mA
1
Forward voltage V F
I F
=200mA
1.25
V
Total capacitance C tot V R
=0V,f
=1MHz
5 pF Reverse recovery time t rr I F= I R =30mA, I rr=0.1*I R50 ns
25
50
75
100
125
150
110
100
5
10
15
20
0.40.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Forward Characteristics
Reverse Characteristics
AMBIENT TEMPERATURE Ta ()
℃400
BAV19WS
Typical Characteristics
30
3
F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )
REVERSE VOLTAGE V R
(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )
低压开关柜技术规格书
市地下综合管廊项目 技术规格书 （电力部分） 中铁四局集团电气化工程 2017年3月
0.4kV低压开关柜（含电容补偿柜） 1.概述 0.4kV低压开关柜为保证用电设备安全、连续正常使用，要求提供的低压开关柜应满足其环境条件并且技术先进、生产工艺成熟可靠、结构紧凑、便于安装和维护。要求投标人对所提供设备的要求：正确的设计、坚固的结构、所用材料具有足够的强度、并具有合格的质量且无缺陷。如果投标人所提供的设备具有下述招标人所要求之外的装置或功能，须加以注明。 柜体要求采用施耐德Blockset、ABB的MD190、西门子8PT-4000，三种柜体形式中的一种或同上述品质的柜型，低压开关柜采用抽出式MNS开关柜，断路器采用固定式结构。 与自动化控制系统接口要求：框架断路器须配置开关状态及脱扣指示，塑壳断路器须配置开关状态辅助接点，并将辅助接点接至专门为自动化控制系统设置的端子。 主进及分回路设置计量表计。 2.技术标准 本设备的制造、试验和验收除了满足本技术规格书的要求外，还符合如下标准：
上述标准均应是最新且已实施的版本。 3.使用环境条件 3.1.系统标称电压：0.4kV 3.2.中性点连接：直接接地 3.3.安装场所: 户 3.4.海拔高度：≤1000m 3.5.运行环境温度：-15℃～+40℃ 3.6.运行环境湿度：日平均相对湿度不大于95%，月平均相对湿度不大于 90% 3.7.周围空气没有明显的受到尘埃、烟、腐蚀性或可燃性气体、蒸汽或盐雾的 污染 地震强度：≤8度 4.系统参数 接地形式：TN-S。 系统电压：0.4/0.23kV。 额定绝缘电压：1.0 kV。
二极管封装大全
二极管封装大全 篇一：贴片二极管型号、参数 贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA（DO214AC） 2010-2-2 16:39:35 标准封装： SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二：常见贴片二极管三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 二极管： 名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管： LDPAK
DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三：常用二极管的识别及ic封装技术 常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长
开关二极管应用举例
开关二极管应用举例 【篇一：开关二极管应用举例】 ;;; 二极管应用范围很广，利用其单向导电性，tdc-gp2可以构成整流、检波、限幅和钳位等电路。;;; 【例1.2.1】二极管整流电路如图1.2.4(a)所示，vd为理想硅二极管，已知输入v．为正弦波电压，试 画出输出电压v的波形。;;; 解：由于二极管是理想二极管，根据单向导电性，当vi正半周时，vd导通 相当于短路线，vo - vi；vi负半周时，vd截止相当于开路，vo一0。由此画出输出的波形 【篇二：开关二极管应用举例】 开关电路是一种常用的功能电路，例如家庭中的照明电路中的开关，各种民用电器中的电源开关等。 在开关电路中有两大类的开关。 (1)机械式的开关。采用机械式的开关件作为开关电路中的元器件。 (2)电子开关。所谓的电子开关，不用机械式的开关件，而是采用二 极管、三极管这类器件构成开关电路。 1．开关二橛管开关特性 开关二极管同普通的二极管一样，也是一个pn结的结构，不同之 处是要求这种二极管的开关特性要好。 关于开关二极管的开关时间概念说明下列几点。 (1)开通时间。开关二极管从截止到加上正向电压后的导通要有一段 时间，这一时间称为开通时间。要求这一时间愈短愈好。 (2)反向恢复时间。开关二极管在导通后，去掉正向电压，二极管从 导通转为截止所需要的时间称为反向恢复时间。要求这一时间愈短 愈好。 (3)开关时间。开通时间和反向恢复时间之和，称为开关时间。要求 这一时间愈短愈好。 2．二极管开关电路等效电路 二极管开关电路中要使用二极管，由于普通二极管的开关速度不够高，所以在这种开关电路中所使用的二极管为专门的开关二极管。 图11-50(a)所示是开关二极管的等效电路，从图中可看出，此时开 关二极管在等效成一只开关sl的同时，还有两只电阻。等效电路中 的开关sl可认为是一个理想的开关，即其接通电阻小到为零，其断 开电阻大到为无穷大。 在分析电子开关电路时，为了方便电路的分析，通常将二极管的开 关作用等效成一个理想的电子开关，即可以用图11-50( b)所示的开 关电路图形符号来等效开关二极管。
常用贴片元件封装尺寸
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200
1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
直插式电阻电容封装与尺寸图解
直插式电阻电容封装与尺寸图解 2010年06月23 | 分类: 硬件应用| 1 条评论| 标签: Wiki 之前介绍过贴片式电阻电容封装与功率映射关系，本文看一下直插式电阻电容封装尺寸，由于直插式无源器件体积普遍要比贴片式要大一些，而且直插式器件在制作PCB时需要打孔，焊接工艺跟贴片式也有差别，较为麻烦，相对而言，直插式电阻电容多是面向大功率电路应用。本文图文并茂，看完想不懂都难。贴片类电容电阻请参考文章贴片电阻电容封装规格、尺寸和功率对应关系。 一、直插式电阻封装及尺寸 直插式电阻封装为AXIAL-xx形式（比如AXIAL-0.3、AXIAL-0.4），后面的xx 代表焊盘中心间距为xx英寸，这一点在网上很多文章都没说清楚，单位为英寸。这个尺寸肯定比电阻本身要稍微大一点点，常见的固定（色环）电阻如下图： 常见封装：AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9、AXIAL-1.0。 尺寸大小如下图（AXIAL-0.3，默认焊盘直径为62mil，其中焊孔直径为32mil）：
另外很多热敏、压敏、光敏、湿敏电阻的封装很像个电容，或看起来根本不像个电阻器，如下图，这类电阻可以参照下文的无极电容封装来设计，比如RAD-0.2等等。 而可调式电阻器封装也很有特点，比如引导的独特性，很多引脚宽度也不能使用传统的圆形，一般都不能按照上述封装进行，需要遵照产品手册进行单独设计。如下图：
二、直插式电容封装及尺寸 1、无极电容 常见的电容分为两种：无极电容和有极电容，典型的无极电容如下： 无极电容封装以RAD标识，有RAD-0.1、RAD-0.2、RAD-0.3、RAD-0.4，后面的数字表示焊盘中心孔间距，如下图所示（示例RAD-0.3）。
GGD低压配电柜技术规范
GGD系列低压配电柜技术规范 .概述 1.1 GGD型交流低压配电柜是根据能源部、广大电力用户及设计部门的要求，本着安全、经济、合理、可靠的原则设计的低压开关柜。 1.2 本开关柜具备以下特点： 分断高、动热稳定性好、电气方案灵活、系列性、实用性强、防护等级高等。 1.3 本技术规范引用了GGD型低压开关柜《技术条件》。 2.引用标准 2.1 GB7251.1-97《低压成套开关设备》； 2.2 IEC439《低压成套设备和开关设备》； 2.3 GB/T4942.2-93《低压电器外壳防护等级》。 3.设备运行环境 3.1周围空气温度，上限+40°C，下限-15°C。 3.2海拔高度，不大于1500m。 3.3 环境相对湿度：日平均不大于60%，月平均不大于90%。（20℃时） 3.4 地震烈度：不超过8度。（中国12级度标准） 3.5耐受地震能力：（承受三相正弦波，水平面和垂直加速度同时作用） 水平：0.25g； 垂直：0.125g； 正弦波持续时间：5周波； 安全系数：动态 1.67；静态：3.5； 4.电气性能 4.1 额定工作电压：400V； 4.2 额定电流：1000A，1600A，3150A； 4.3 额定短路开断电流：15kA，30kA，50kA； 4.4 额定短时耐受电流（1S）：15kA，30kA，50kA； 4.5 额定峰值耐受电流：30kA，63kA，105kA。 4.结构性能 5.1 外形尺寸
5.1.1 柜高尺寸系列：2200mm； 5.1.2 柜宽尺寸系列：600，800，1000，1200mm； 5.1.3 柜深尺寸系列：600，800mm。 5.2 防护等级 5.2.1 正常使用环境：IP30； 5.2.2 特殊作用环境：IP40。 5.3 涂装 5.3.1涂装采用环氧树脂粉末静电喷涂。 5.3.2颜色：驼灰色、整体单色调。 5.4结构设计 5.4.1开关柜柜体结构是采用通用柜的形式，选用优质冷轧钢板制造。构架用8MF冷弯型钢局部焊接组装而成，由构架零件及型钢配装，从而保证了柜体的精度和质量。 5.4.2通用柜的零部件按模块原理设计，并有20模的安装孔，通用系数高，缩短了制造周期，提高了工作效率。 5.4.3柜体在设计时充分考虑到运行中的散热问题。在柜体上下两端均有不同数量的散热槽孔，当柜内热量到一定量时，热量上升，通过上端槽孔排出，而冷风不断地由下端槽孔补充进柜，使密封的柜体自下而上形成一个自然通风道，达到散热的目的。 5.4.4柜体按照现代工业产品造型设计，采用黄金分割比的原理设计柜体外型，使整柜比例合理，美观大方，面目一新。 5.4.5柜门用转轴式活动铰链与构架相连，装卸方便。门的折边处嵌有山型橡塑条，具有一定的压缩行程，能防止门与柜体直接碰撞，也提高了门的防护等级。 5.4.6装有电器元器件的仪表门用多股软铜线与构架相连，柜内的安装件与构架间用滚花螺钉连接，整柜构成完整的接地保护电路。 5.4.7柜体的顶盖在需要时可拆除，便于现场主母线的装配和调整。柜顶的四角装有吊环，用于起吊和装运。 5.4.8母线、导电部件和绝缘导线。 5.4.8.1母线、导电部件的材料均为高导电率的铜材制造。 5.4.8.2绝缘导线选用铜质线，辅助电路的绝缘导线为多股铜绞线。 5.4.8.3母线搭接处镀锡、搪锡。 6.试验 6.1试验分类 6.1.1型式试验，目的是验证开关柜的结构是否合理，其电气和机械性能是否达到了技术条件规定的要求。
开关二极管--型号类别及其参数
1．开关二极管的作用开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。 图4-10是开关二极管的应用电路。 开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。 开关二极管的封装形式有塑料封装和表面封装等。如图4-11所示。
2．普通开关二极管常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管，表4-8为2AK系开关二极管的主要参数。 3．高速开关二极管高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2CK系列，见表4-9。
进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装），见表4-10和表4-11。 表4-11
4．超高速开关二极管常用的超高速二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装），见表4-12。 5．低功耗开关二极管低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。 常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封），表4-13为其主要参数。
6．高反压开关二极管高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封），其主要参数见表4-14。 7．硅电压开关二极管硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
低压开关柜技术规格书_(终版)(DOC)
设备/材料请购单 请购单编号：200702-1 第1 页共1 页
低压开关柜技术规格书 1.设备名称、规格、位号和数量 2.通用要求 2.1投标方应响应招标文件的要求，提供相应的文件和填全数据表，否则视为未响应，按废标处理。 2.2低压开关柜应是经过法定机关检验合格的且经过考验的成熟产品，而不应是试制品或不成熟的产品。 2.3投标方必须有能力提供技术图纸、性能试验、帮助安装和开车及需要的性能分析等要求。 2.4本技术规格书规定了蒙大120万吨/年二甲醚项目一期工程项目中的低压开关柜的供货范围、制造、检验和验收等技术要求。 2.5投标方应提供主要元器件和材料分供商清单。 2.6材料 投标方应根据本技术规格书的要求选择合适的材料，并对所选择或确认的材料是否符合设计条
件负全部责任，投标方应在《电气数据表》或《投标方产品规格书》中给出设备主要元件选型和所采用的材料。 2.7文件优先权 除非另有说明，招标方提供的文件之间若有相矛盾或歧义处，应以下列优先顺序为准： (1) 带有特殊条款的定单 (2) 投标者须知 (3) 一般条款与条件 (4) 采用的标准规范 (5) 采购技术规格书（含数据表/图纸） 发现矛盾时，投标方应及时书面通知招标方并提出澄清。 若投标方无书面说明/声明，将被认为已完全接受本文件的各项条款。 2.8技术偏离 若投标方从节省投资、技术改进或其他角度考虑采用自己的标准规范来代替本规格书中规定的有关标准规范或与招标方的技术要求有偏离时，投标方应在其报价中列出所有偏离项目及其原因的偏离表。未列入偏离表中的项目，招标方将认为投标方皆能满足。对于未列入投标方先前提交的偏离表中的任何技术偏离，投标方应承担由此所引发的额外费用。 2.9专利权 投标方应保证招标方在使用其货物或其任何一部分时，不会受到第三方提出侵犯其专利权的起诉。 2.10油漆 2.11包装运输见商务条款。 2.12 铭牌 在设备的适当位置装订铭牌，铭牌应采用耐腐蚀材料制作。设备铭牌上的字迹应 清晰，设备铭牌形式和内容按制造厂标准。但铭牌内容应至少包括制造厂名称、设备名称、设备位号、系统电压、系统频率、短路分断能力、主母线额定电流等。 3.供货范围 3.1投标方应按双方共同商定的正常运行、维修条件和有关标准规范对该项产品的设计、制造和元器件采购负全部责任。 3.2 设计 投标方应按照本技术规格书、数据表、图纸等技术文件的要求进行元件选型、控制电路图和端子接线图等的设计工作，并向招标方提供设计成品，供招标方审查、采用。设计应依据国家有关的标准、规范。控制电路图和端子接线图等的设计工作在中标后完成。 3.3 制造范围 投标方应按照本技术规格书、数据表等技术文件的要求提供符合要求的成套产品及其它所需的附件和配件。附件和配件至少包括：槽钢底座、连接螺栓、吊耳等。 3.4工具 为正确安装和维护开关柜，投标方应提供成套的专用工具或设备。 3.5 备品备件 投标方应提供本产品随机、安装开车、两年操作的备品备件，并在报价文件分项
常见二极管封装
二极管常用封装 （2013.9.22 Wu Edited.） 目录 一、常用二极管封装概述 (3) 二、常用二极管封装尺寸 (5) 1、表面安装模压型 (5) 1.1、SOD-723 (5) 1.2、SOD-523 (6) 1.3、SOD-323 (7) 1.4、SOD-123 (8) 1.5、DO-213AA (LL-34,Mini-Melf) (9) 1.6、SOD-106 (12) 1.7、DO-214AC(SMA) ........................................................................ 错误!未定义书签。 1.8、DO-213AB(Melf) (13) 1.9、SMAJ (17) 1.10、DO-214AA(SMB) (18) 1.11、DO-214AB(SMC) (20) 2、管脚式 (21) 2.1、DO-34 (21) 2.2、DO-35 (22) 2.3、DO-41Mini (23) 2.4、A-405 (24) 2.5、DO-15 (25) 2.6、DO-27 (26) 2.7、DO-204AR (27) 2.8、DO-41 (28) 2.9、R-1 (29) 2.10、R-3 (30)
2.11、R-6 (31) 3、直插式 (32) 3.1、TO-220AC (32)
一、常用二极管封装概述 1、表面安装模压型 英制公制封装系列封装管脚数0402 1006 VMD2 2 1406 SOD-723 2 0603 1608 EMD2 SOD-523 2 0603 1608 EMD3 SOT-416 3 0603 1608 EMD4 4 0805 2012 UMD2 SOD-323 2 0805 2012 UMD3 SOT-323 3 0805 2012 UMD4 SOT-343 4 0805 2012 UMD5 SOT-353 5 0805 2012 UMD6 SOT-363 6 2913 SSD3 SOT-23 3 2916 SMD3 SOT-346 3 2916 SMD4 SC-61A 4 2916 SMD5 SC-74A 5 2916 SMD6 SOT-457 6 1206 3216 PMPU SOD-123 2 3516 Mini-Melf DO-213AA(LL-34) 2 4526 PMDS SOD-106 2 2010 5025 SMA DO-214AC 2 2010 5025 Melf DO-213AB 2 5426 DO-214 2 5626 SMAJ 2 2114 5436 SMB DO-214AA 2 3220 8250 SMC DO-214AB 2 2、管脚式 英制公制封装系列封装管脚数2718 MSD DO-34 2 3718 GSD DO-35 2 3025 MSR DO-41Mini 2 5025 A-405 2 6333 DO-15 2 8952 DO-27 2 9363 DO-204AR 2 5126 DO-41 2 3025 R-1 2 3939 R-3 2 8988 R-6 2
低压开关柜技术规格书
低压开关柜技术规格书 1.0 总则 1.1 本规格书适用于武汉站工程的0.4kV低压开关柜。它包括采购的0.4kV低压开关柜及辅助设备的功能设计、结构、性能、安装、试验和检修等方面的技术要求。 1.2 本规格书提出的是最低限度的技术要求，并未对一切技术细节做出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，卖方应保证提供符合本规格书和有关工业标准，并且功能完整、性能优良的优质产品及其相应服务。同时必须满足国家有关安全、环保等强制性标准和规范的要求。 1.3 如果卖方没有以书面对本规格书的条文提出异议，则意味着卖方提出的产品完全符合本规格书的要求。如有异议，必须清楚地表示在“差异表”中。 1.4 中标确认后x天内，卖方提出合同设备的设计、制造、检验、装配、安装、调试、试运、验收、试验、运行和维护等标准清单给买方，供买方确认。 1.5 设备采用的专利涉及到的全部费用均被认为已包含在设备报价中，卖方应保证买方不承担有关设备专利的一切责任。卖方应具有良好的银行资信的商业信誉，没有处于被责令停业，财产被接管、冻结，破产状态。 1.6 卖方应提供高水平的设备，开关柜应至少是90年代的国际先进水平，在国内相应行业拥有良好业绩，证明是成熟可靠的产品。如果该设备为卖方从国外公司引进的柜型，则卖方应具有国外品牌授权证明。 1.7 卖方在设备设计和制造中所涉及的各项规程，规范和标准必须遵循相关的IEC标准或者中国国家标准。 1.8 在签订合同之后，买方有权提出因规范、标准或规程发生变化而产生的一些补充要求，具体项目由供、需双方共同商定。 1.9 本技术规格书经供、需双方确认后作为合同的技术附件，与合同正文具有同等法律效力。 1.10 本技术规格书未尽事宜, 由供、需双方协商确定。 2.0 规范和标准 380V低压开关柜及其相关电器应符合下列各现行标准的要求： IEC 60947 —低压空气断路器 IEC 60439-1 —低压成套开关设备
原理图中封装尺寸的说明
有源晶振DIP14封装和DIP8封装除了引脚不同外还有什么区别？[]收藏转发至天涯微博 悬赏点数20 3个回答 qalan2009-10-29 11:00:17 有源晶振DIP14封装和DIP8封装除了引脚不同外还有什么区别？ 回答 ajwa32009-10-29 11:48:17 首先确认你的原理图连接正确，所有元件都具有编号和封装，如果没有的话在TOOLS里面选择Annotate…这个选项对元件进行标号，之后会自动生成表显示标号结果，之后确认封装： 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W 0402 1/ 16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 120 6=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2 N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W 的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容RAD0.1-RAD0.4 有极性电容RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT1、P OT2）VR1-VR5 当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，
低压开关柜技术规格书
景德镇市地下综合管廊项目 技术规格书 （电力部分） 中铁四局集团电气化工程有限公司 2017年3月
0.4kV低压开关柜（含电容补偿柜） 1.概述 0.4kV低压开关柜为保证用电设备安全、连续正常使用，要求提供的低压开关柜应满足其环境条件并且技术先进、生产工艺成熟可靠、结构紧凑、便于安装和维护。要求投标人对所提供设备的要求：正确的设计、坚固的结构、所用材料具有足够的强度、并具有合格的质量且无缺陷。如果投标人所提供的设备具有下述招标人所要求之外的装置或功能，须加以注明。 柜体要求采用施耐德Blockset、ABB的MD190、西门子8PT-4000，三种柜体形式中的一种或同上述品质的柜型，低压开关柜采用抽出式MNS开关柜，断路器采用固定式结构。 与自动化控制系统接口要求：框架断路器须配置开关状态及脱扣指示，塑壳断路器须配置开关状态辅助接点，并将辅助接点接至专门为自动化控制系统设置的端子。 主进及分回路设置计量表计。 2.技术标准 本设备的制造、试验和验收除了满足本技术规格书的要求外，还符合如下标准：
上述标准均应是最新且已实施的版本。 3.使用环境条件 3.1.系统标称电压： 0.4kV 3.2.中性点连接：直接接地 3.3.安装场所: 户内 3.4.海拔高度：≤1000m 3.5.运行环境温度： -15℃～+40℃ 3.6.运行环境湿度：日平均相对湿度不大于 95%，月平均相对湿度不大于 90% 3.7.周围空气没有明显的受到尘埃、烟、腐蚀性或可燃性气体、蒸汽或盐雾的 污染 地震强度：≤8度 4.系统参数 接地形式：TN-S。 系统电压：0.4/0.23kV。 额定绝缘电压：1.0 kV。 过电压等级：III 额定频率：50Hz。 污染等级：3级 4.1 各种电气设备回路电压 电气设备控制、保护、信号回路电压由投标单位根据标准并结合施工图纸确定。 在上述数值的80%~120%范围内，各种电气设备动作准确可靠。 断路器的合闸电压在上述数值的85%~110%范围内能关合额定关合电
贴片与直插电阻电容封装与尺寸资料(自己整理的)
直插式电阻电容封装与尺寸图解 0.1in 0.2in 0.3in 0.4in 0.5in 2.54mm 5.08mm 7.6mm 10.16mm 12.7mm 0.6in 0.7in 0.8in 0.9in 1.0in 15.24mm 17.78mm 20.32mm 22.86mm 25.4mm 之前介绍过贴片式电阻电容封装与功率映射关系，本文看一下直插式电阻电容封装尺寸，由于直插式无源器件体积普遍要比贴片式要大一些，而且直插式器件在制作PCB时需要打孔，焊接工艺跟贴片式也有差别，较为麻烦，相对而言，直插式电阻电容多是面向大功率电路应用。本文图文并茂，看完想不懂都难。 一、直插式电阻封装及尺寸 直插式电阻封装为AXIAL-xx形式（比如AXIAL-0.3、AXIAL-0.4），后面的xx代表焊盘中心间距为xx英寸，这一点在网上很多文章都没说清楚，单位为英寸。这个尺寸肯定比电阻本身要稍微大一点点，常见的固定（色环）电阻如下图： 常见封装：AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9、AXIAL-1.0。 尺寸大小如下图（AXIAL-0.3，默认焊盘直径为62mil，其中焊孔直径为32mil）： 另外很多热敏、压敏、光敏、湿敏电阻的封装很像个电容，或看起来根本不像个电阻器，如下图，这类电阻可以参照下文的无极电容封装来设计，比如RAD-0.2等等。
而可调式电阻器封装也很有特点，比如引导的独特性，很多引脚宽度也不能使用传统的圆形，一般都不能按照上述封装进行，需要遵照产品手册进行单独设计。如下图： 二、直插式电容封装及尺寸 1、无极电容 常见的电容分为两种：无极电容和有极电容，典型的无极电容如下：
低压开关柜技术规范
项目：沁水县梅园·悦港新城小区 0.4kV低压开关柜 技术协议 需方：晋城市巨能电网工程有限公司沁水分公司供方：江苏亚盟电气有限公司 2017年4月
GCS低压配电设备
垂直加速度不超过0.10g u 电力供应：电压为380V/220V，-15%~+10%，TN-S制，频率为50HZ±2% u 腐蚀性：有轻度盐雾 2、技术标准 GCS型抽屉式开关柜中采购的设备及配件全部满足设计图纸所列出标准。另外还满足以下标准：国家标准GB7251-87《低压成套开关设备》、国家专业标准ZBK36001-89《低压抽出式成套开关设备》、国际标准IEC439，德国标准VDE0660。 3、技术参数 —主电路额定绝缘电压交流660V —主电路额定工作电压交流 380V 660V —额定频率 50HZ —母线额定工作电流 水平母线（主母线）： 3150A 垂直母线（支母线）：1500A —额定短时耐受电流（1S） 水平母线（主母线）：50kA、80kA 垂直母线（支母线）：50kA 保护导体（接地主母线）：30、48kA 中性母线（中性主母线）：30、48kA —额定峰值耐受电流 水平母线（主母线）：105、176kA 垂直母线（支母线）：105kA 4、选用元件 4.1 一次主元件
（2）、母线系统：母线采用刚性，硬拉高导电的电解铜，符合IEC431，其加工工艺完全满足招标文件条款的要求。 （3）、中性和接地母线：所有母排出厂前均开有模数孔，便于电缆连接。 （4）、电缆：柜内电缆采用硬拉的交联乙烯绝缘聚氯乙烯护套高导电多股铜芯线，能耐高温并符合IEC60502和GB12706有关标准，电缆采用接线端子和专用导轨固定，使其整齐美观并且牢固，可承受指定的故障条件。 （5）、色标：在低压开关柜内的动力线可采用连续油漆的色标。 6、开关柜的辅助导线 开关柜的柜内辅助导线采用国标铜质黑色导线，电压用1.5平方铜导线，电流用2.5平方铜导线。 7、开关柜内的功能单元 本工程所采用的设备全部按需方提供图纸的要求选定，满足所有的技术要求，可实现所要求的操作、联锁、接口等功能，这些设备被按容量分别每一个回路装在一个不同大小抽屉单元内，抽屉单元设有工作位置、主开关分闸、抽屉位置、隔离位置，可与主开关机械联锁，并可在操作手柄上挂锁，从而保证了操作的严格性和操作人员的人身安全。同容量的抽屉可以相互互换。面板左上方用有机塑胶板激光打印回路编号。
开关电源中开关管及二极管 EMI抑制方法分析
开关电源中开关管及二极管EMI抑制方法分析摘要：随着电子技术的不断进步,开关电源向高频化、高效化方向迅猛发展，EMI抑制已成为开关电源设计的重要指标。本文结合开关电源中开关管及二极管EMI产生机理，列举出：并接吸收电路、串接可饱和磁芯线圈、传统准谐振技术、LLC串联谐振技术四种抑制EMI的方法，并对其抑制效果进行比较分析。叙词：EMI RC、RCD电路磁芯线圈准谐振LLC谐振Abstract：With the progress of electronic technology , the switch power supply turns to high frequency and high efficiency development,so restraint of EMI has become the important index in the design of the switch power supply.Base on the principle of EMI which is generated by switch and diode, this paper offers four kinds of methods which can restrain it.The first, parallel connection absorbing circuitthe second, in series with saturated magnetic loopsthe third, tradition resonance technologythe forth, LLC resonance technology. Keyword：EMI RCRCD Circuit Saturated magnetic loops Tradition resonance technology LLC Resonance technology 1 引言 电磁干扰( EMI) 就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。近年来，开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。开关电源已逐步取代了线性稳压电源，广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易产生比较强的电磁干扰(EMI)信号。EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射会污染电磁环境，对通信设备和电子产品造成干扰。所以，如何降低甚至消除开关电源中的EMI问题已经成为开关电源设计师们非常关注的问题。本文着重介绍开关电源中开关管及二极管EMI的四种抑制方法。 2 开关管及二极管EMI产生机理 开关管工作在硬开关条件下开关电源自身产生电磁干扰的根本原因，就是在其工作过程中的开关管的高速开关及整流二极管的反向恢复产生高di/dt和高dv/dt，它们产生的浪涌电流和尖峰电压形成了干扰源。开关管工作在硬开关时还会产生高di/dt和高dv/dt，从而产生大的电磁干扰。图1绘出了接感性负载时，开关管工作在硬开关条件下的开关管的开关轨迹，图中虚线为双极性晶体管的安全工作区，如果不改善开关管的开关条件，其开关轨迹很可能会超出安全工作区，导致开关管的损坏。由于开关管的高速开关，使得开关电源中的高频变压器或储能电感等感性负载在开关管导通的瞬间，迫使变压器的初级出现很大的浪涌电流，将造成尖峰电压。开关管在截止期间，高频变压器绕组的漏感引起的电流突变，从而产生反电势E=-Ldi/dt，其值与电流变化率(di/dt)成正比，与漏感量成正比，叠加在关断电压上形成关断电压尖峰，从而形成电磁干扰。此外，开关管上的反向并联二极管的反向恢复特性不好，或者电压尖峰吸收电路的参数选择不当也会造成电磁干扰。由整流二极管的反向恢复引起的干扰源有两个，它们分别是输入整流二极管和输出整流二极管。它们都是由电流的换向引起的干扰。由图2表明，t0=0时二极管导通，二极管的电流迅速增大，但是其管压降不是立即下降，而会出现一个快速的上冲。其原因是在开通过程中，二极管PN 结的长基区注入足够的少数载流子，发生电导调制需要一定的时间tr。该电压上冲会导致一个宽带的电磁噪声。而在关断时，存在于PN结长基区的大量过剩少数载流子需要一定时
低压配电柜招标技术要求
1 技术要求及规格 概述 1.1.1 工程概况 1.1.2 环境条件 （1）地区环境温度：-10～+43?C。 （2）环境温度：-5～+40?C。 （3）相对湿度：日平均值不大于95%，月平均值不大于90%（20?C）。 （4）海拔高度：<2000 m。 （5）地震烈度：≤7度。 （6）振动：f?10HZ时，振幅为，10? f?150HZ时，加速度为。 （7）安装：户内安装，垂直安装与垂直面的倾斜角度不超过5度，整组柜排列应保持相对平整。 （8）雷暴日：中雷区。 （9）污染等级：3级。 （10）在高湿期内可能有凝露现象，投标人应采取措施防止凝露对设备的危害。防凝露设备具有手动/自动投入功能，手动/自动投入装置每所设置一套。 1.1.3 采用标准 按本技术条件提供的设备应遵循下列标准的最新版本或修订本，但不局限于这些标准： GB/ 《低压开关设备和控制设备总则》 GB7947-87 《绝缘导体和裸导体的颜色标志》 GB7251-97 《低压成套开关设备和控制设备》 JB/T9661-99 《低压抽出式成套开关设备》 JB/T5877-99 《低压固定封闭成套开关设备》 GB/ 《低压系统内设备的绝缘配合第一部分：原理、要求和试验》 《低压开关设备和控制设备低压开关、隔离器、隔离开关及熔断器组合电器》GB50057-94 《建筑物防雷设计规范》 《低电压并联电容器》 JB7113-1993 《低电压并联电容器装置》 IEC112-1979 《固体绝缘材料在潮湿条件下的相对起痕指数和耐痕指数的测定方法》说明：所采用的标准均应为项目执行时的最新有效版本。若投标人采用除上述之外的其它被承认的相关国内、国际标准，应明确提出并提供相应标准复印件，经招标人批准后方可采用。 变电所部分（A1） 1.2.1 系统参数 低压配电系统采用三相五线制配电系统，接地保护系统采用TN-S方式。系统参数见下表：
常用元器件封装尺寸大小
封装形式图片国际统一简称 LDCC LGA LQFP PDIP TO5 TO52 TO71 TO71 TO78 PGA Plastic PIN Grid Array 封装形式图片国际统一简称 TSOP Thin Small OUtline Package QFP Quad Flat Package PQFP 100L QFP Quad Flat Package SOT143 SOT220 Thin Shrink Qutline Package uBGA
PLCC LQFP LQFP 100L TO8 TO92 TO93 T099 EBGA 680L QFP Quad Flat Packa ge TQFP 100L Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid Array PCDIP ZIP Zig-Zag Inline Pa cka SOT223 SOT223 SOT23 SOT23/SOT323 SOT25/SOT353
SBGA LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L CLCC SC-705L SDIP SIP Single Inline Package SOT26/SOT363 FBGA FDIP SOJ SOP EIAJ TYPE II 14L SSOP 16L SSOP SOJ 32L Flat Pack HSOP28
SO Small Outline Package CNR CPGA Ceramic Pin Outline Package DIP Dual Inline Package DIP-tab DUAL Inline Packag e with Metal Heatsink BQFP 132 C-Bend Lead ITO220 ITO3P TO220 TO247 TO264 TO3 JLCC LCC TO263/TO268 SO DIMM Small Outline Dual In-line Memory
贴片二极管封装
贴片二极管封装各位读友大家好，此文档由网络收集而来，欢迎您下载，谢谢MMBD4148贴片式-SOT封装-二极管SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes Electrical Ratings @TA=25℃ Parameter Reverse Breakdown V oltage Typ. Max. Conditions V (BR) RIR=100μA IF=1mA IF=10mA Forward voltage VF3IF=50mA VF4IF=150mA IR1μR=75V IR2VR=20V VR=0V,f=1MHz CTIF=IR=10mA trrIrr=,RL=100? Reverse current Capacitance between terminals Reverse Recovery Time贴片元件封装-电阻,电容,电感,二极管,三极管,IC
贴片元件封装1电阻 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2016、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 ±±±0402 1005 ±±±0603 1608 ±±±0805 2016 ± ± ± 1206 3216 ± ± ± 1210 3225 ±±±1812 4832 ±±±2016 5025 ±±±2512 6432 ± ± ± 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表：英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 06031/20W 25 040210051/16W 50 060316081/10W 50 080520161/8W 150 1206 32161/4W 200 1210 32251/3W 200 181248321/2W 200 201650253/4W