模电第三章习题

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1、在双端输入、输出的理想差分放大电路中,若两输入电压V i1=V i2,则输出电压V o= ,若V i1=+1500μV,V i2=+500μV,则可知差动放大电路的输入差值电压V id= 。

解: 0 1000μV

2、改进差动放大电路时:

(1)用电流源电路取代R e的目的是;

(2)用电流源电路取代R c的目的是;

(3)用共集-共基组合型差动电路的目的是;

(4)用复合管或超β管作差动管的目的是。

解:(1)用三极管代替大电阻,三极管相当于一个阻值很大的抑制零漂电阻R e;

(2)采用有源负载可以得到很高的电压放大倍数;

(3)有较高差模输入电阻和电压放大倍数,频率响应较好;

(4)降低输入偏置电流提高输入阻抗。

3、在实际应用的差分放大电路中,为了提高共模抑制比,通常用代替R e,这种电路采用

电源供电方式。

解: 恒流源双

4、电路如图所示,两管的β= 60 电路的输入电阻为

A. 2.5kΩ

B. 7 kΩ

C. 10 kΩ

D. 30 kΩ

( B )

电路的输出阻抗为

A. 150Ω

B. 2.5 kΩ

C. 5 kΩ

D. 8kΩ(A )

第一级静态工作电流I CQ1大致为

A. 0.8A

B. 1mA

C. 1.2mA

D. 2mA ( B )

第二级静态电压V CEQ2大致为

A. 7.3V

B. 8.7V

C. 9.3V

D. 10.7V ( B )

电路的电压的放大倍数为

A. –1

B. –2

C. –200

D. –450 (B )

5、图示单端输出差分放大电路中,若输入电压△v S1 = 80mV ,△v S2 = 60mV ,则差模输入电压│△v Id │为

A. 10mV

B. 20mV

C. 70mV

D. 140mV (B )

6、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是

A. 便于设计

B. 放大交流信号

C. 不易制作大容量电容

D. 以上各项都不是 ( C )

7、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以场效应管与双极型晶体

管也不能组成复合管。(× )

8、差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ,v i2 = -1mV ,是差模输入。(√ )

差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ,v i2 = 1mV ,是共模输入。(√ ) 差动放大电路输入信号为v i1 = 3mV ,v i2 = -2mV ,是差模输入。( × ) 差动放大电路输入信号为单端输入时即v i1 = 2mV ,v i2 = 0,是差模输入伴随有共模输入。( √ )

9、在下图所示电路中设R L ′=R L //R c =5k Ω,R e = 14.3k Ω,R b =5.1k Ω,V CC =V EE = 15V,β= 50,r bb ′= 200Ω,V BE = 0.7 V 。当v s1 = 5mV ,v s2 = 1mV 时,求电路的主要指标A vd1、A dc1、K CMR 和v o1的值。

解:设V B = 0 V 则V E = 0.7 V 即

mA 13

.14157.0)(e EE E E =+-=--=R V V I I C1= I E / 2 = 0.5mA r be = r be1= r be2 = r bb ′+(1 +β)26 / I C1= 2.85k Ω

单端输出差模电压放大倍数

A vd1 7.15)

85.21.5(2550)(2'-=+?-=+-=be b L

r R R β 单端输出共模电压放大倍数

A dc117.03

.1425185.21.55502)1('-=??++?-=+++-=e be b L R r R R ββ 共模抑制比K CMR = │A vd1 / A dc1│= 92.35

求v o1的值,由两管输入的差模信号 v id = v s1-v s2= 5mV -1mV= 4 mV

两管输入的共模信号 v ic =(v s1+v s2)/ 2= 3 mV

则 v o1 = v od1 + v oc1 = v id A vd1+ v ic A dc1= -63.31 mV

10、在下图所示电路中,设T 1~T 4的β= 120,r bb ′= 200Ω,R c = 10k Ω,R e3= R e4=100Ω,R = 4.3k Ω,R b =1k Ω,V CC =12V ,V EE = 6V ,V BE = 0.7 V 。试计算电路的静态工作点及A vd1。

解:具有电流源的差分放大电路,计算电路的静态工作点应从电流源

入手。图中,T 3、T 4管组成比例电流源电路。R 、T 4、R e4、V EE 构成基

准电流源。则有

mA 2.11.03.47.064e BE EE REF ≈+-=+-=

R R V V I mA 2.1REF 3

e 4e 3C =?=I R R I I C1 = I C2 = I C3 / 2 = 0.6 mA

V C1 = V CC -I C1 R c = 6V

又 r be = r be1= r be2 = r bb ′+(1 +β)26 / I C1= 5.4k Ω 及 A vd1 94)(2-=+-=be b c

r R R β

11、差分放大电路如下图所示,已知β1=β2=β3= 50,V BE = 0.7 V ,R o3= 100k Ω,r bb ′= 400Ω。

试计算:(1)各管的静态工作点;

(2)电路的主要指标A vd1、A dc1、K CMR 。

解:(1)I C = 0.5mA ,V CE1= 6.7 V

(2)A vd =-200,A vd1=-100,A dc1=-0.06,K CMR = 1666

12、恒流源式差分放大电路如图所示,R b =1.2M Ω、 R s =10k Ω、R =100Ω、R c =10k Ω、 R 1=12k Ω、R 2=3.9k Ω、R 3=5.1k Ω、R P =200Ω。设T 1、T 2特性相同。 试计算:

(1) 电路的静态工作点I CQ1、I CQ2;

(2) 静态时使V B1=0的β1值;

(3) 双端输出时的差模电压放大倍数和共模抑制比;

(4) 双端输出时的差模输入电阻和差模输出电阻。

解:(1)恒流源式差动放大电路的静态工作点计算,应以恒流源电路为突破口;恒流源电路是具有电流串联负反馈的工作点稳定的电路。

V 2.57.09.39

.31212123BE 221EE CC 1R =-?++=-+-=

V R R R V V V mA 1.51

.522.522133R 3E 1CQ ≈?===∴R V I I V 9.61051.0121e 1CQ CC 1CQ =?-=-=R I V V (2)静态时T 1的基极电流为

111βCQ BQ I I =

且 s 1B b 1B CC 1BQ R V R V V I --= 当V B1= 0时的β1为

5112

102.151.03CC b

1CQ 1=??==V R I β (3)根据静态电流I CQ1可得

Ω≈?+=++≈295051

.0265230026)1(300111CQ be I r β 则 1.28)2.02

1)(1(111-≈?+++-=ββbe s c vd r R R A 又0=vc A 所以电路的共模抑制比为 ∞≈=vc

vd CMR A A K (4)电路的差模输入电阻和差模输出电阻分别为

}//)]2

1)(1({[2113R R r R r P be id β+++?=2.01.022=?=≈R k Ω 201022=?=≈C od R r k Ω

= 200Ω的差分放大电路如下图所示。设

13、具有射极调零电位器R

T1、T2的特性相同,β= 150,R e=10kΩ,R P的滑动端置于中点位置。试计算差模电压放大倍数A vd、共模电压放大倍数A dc、输入电阻R id和输出电阻R od。

解:A vd=-60.7,A vc= 0,R id= 41kΩ,R od= 20kΩ

在下图所示电路中,设T1、T2的特性相同,β= 60,求:

(1)当v s1= 0时,(v o1-v o2)/ v s2= ?

(2)当v s2= 0时,v o2 / v s1 = ?

(3)差模输入电阻R id。

14、如图所示电路,求解下列问题:

(1)v i1=1500μV,v i2 =500μV,求差模输入电压v id,共模

输入电压vic;

(2)若A VD=100,求输出电压v od的值;

(3)当输入电压为v id时,若从T2的c2端输出,求v c2与v id

的相位关系;

(4)若输出电压v o=1000 v i1-999 v i2时,求电路的A VD、A VC

和K CMR的值

解:(1)差模输入电压v id = v i1-v i2 =1000μV

共模输入电压v ic = (v i1+ v i2)/2= 1000μV

(2)v od = A VD ·v id = 100 · 1000μV=100mV

(3)v c2与v id同相

(4)∵v id = v i1-v i2 ,v ic =(v i1+ v i2)/2

代入式:v o= A VD v id +A VC v ic得

v o= A VD(v i1-v i2)+A VC(v i1+ v i2)/2

=(A VD+0.5 A VC) v i1 -(A VD -0.5 A VC) v i2

而v o=1000 v i1-999 v i2比较两式有(A VD + 0.5 A VC)= 1000

(A VD -0.5 A VC)= 999 解得A VC=1,A VD = 999.5 和K CMR = A VD / A VC= 999.5 15、电路如下图所示R e1=R e2=100Ω,β=100,V BE=0.6V

求:(1)Q;

(2)当v i1=0.01V、v i2=-0.01V时输出电压v O的值;

(3)接入负载R L=5.6kΩ时的v O值;

(4)R id、R ic和R o

解:( 1 )I C1=I o/2=1mA,I B=I C1/100= 0.01mA

V CE1=V C1-V E1=V CC-I C1R c1-(-0.6 )= 5V

( 2 )∵A VD= -βR c1/[r be+(1+ β)R e1]

其中r be=300+(1+β)26mV/I E1= 2.9kΩ代入上式

A VD= -100 · 5.6×103/(2.9+10 )×103≈-44

∴v o= A VD (v i1 -v i2)= -44 ×0.02=0.88 V ( 3 )接入负载v o≈-0.28 V

( 4 )R id= 2[ r be+(1+β) R e1 ] = 25.8kΩ

R ic= [ r be+(1+β) (R e1 +2r o]/2 ≈10MΩ

R o =2 R c= 11.2kΩ

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模拟电子技术模电课后习题含答案第三版

第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。 1、两个管子都正接。(1.4V ) 2、6V 的管子反接,8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接, 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。(14V ) (2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。 1、 两个管子都反接,电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接,一个反接,电压小的先导通。(0.7V ) 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流: I ZM =P ZM / U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ~I U U R

模拟电子技术第一章 习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置?PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点? 答:二极管(PN结)阳极接电源正极,阴极接电源负极,这种情况称二极管正向偏置,简称正偏,此时二极管处于导通状态,流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极,阴极接正极,二极管处于反向偏置,简称反偏,此时二极管处于截止状态,流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少? 答:锗管死区电压约为0.1V,硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3V。硅管的反向电流比锗管小,硅管约为1uA,锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用? 答:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同?普通二极管有稳压性能吗? 答:普通二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 因此,普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数?这些参数的含义是什么? 答: 正向电流IF:在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 最大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB:二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM:二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么? 答:内部条件:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态?各有什么特点? 答:三极管输出特性曲线可以分为三个区,即三极管有三种工作状态。 (1)放大区(放大状态)。即三极管静态时工作在放大区(处于放大状态),发射结必

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

模电第1章 半导体器件练习(有答案)教学文案

模电第1章半导体器件练习2016(有答 案)

二极管和三极管练习题 1、N型半导体中的多数载流子是( A ),而P型半导体中的多数载流子是( B )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D. 负离子 2、要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A ),要得到N 型半导体,则需要掺入少量的( C )。 A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。 A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度,几乎与温度无关 C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关 4、PN结正偏是指( B )。 A.N区电位高于P区 B.P区电位高于N区 C.与外加电压无关 D.P区和N区电位相等 5、在常温下,硅二极管的开启电压约为( C )V。 A.0.1 B.0.7 C.0.5 D.0.2 6、当温度升高时,二极管伏安特性曲线的正向部分( C ),反向特性曲线( B )。 A.上移 B.下移

C.左移 D.右移 7、理想二极管模型相当于( A )。 A.一个理想开关 B.一个恒压源 C.一个动态电阻 D.一条斜线 8、理想二极管构成的电路如图所示,则( C )。 A.V截止U0=-10V B.V截止U0=-3V C.V导通U0=-10V D.V导通U0=-6V 9、由理想二极管构成的电路如图所示,电压U AB=( B )。 A. -3V B. -12V C. 0V D. - 15V

10、理想二极管构成的电路如图,则( D )。 A.V截止U0=-4V B.V导通U0=+4V C.V截止U0=+8V D.V导通U0=+12V 11、图示电路中,D1、D2为理想二极管, 则ao两端的电压为(C)。 A.-3V B.0V C.1V D.4V 12、图示电路,二极管VD1,VD2为理想元件, 则U AB 为( C )伏。 A.-12V B.15V C.0V D.3V 13、如图所示电路中的二极管性能均为理想,电路中的电压U AB=(C)。 A.-12V B.-3V C.-15V D.3V

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。(√) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 (×)(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S大的特点。(√) (6)若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零,则其输入电阻会明显变小。(×) 解: 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (4)U G S=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解:(1)A (2)C (3)B (4)A C 第一章题解-1

第一章题解-2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O 1≈1.3V ,U O 2=0,U O 3≈-1.3V ,U O 4≈2V ,U O 5≈1.3V , U O 6≈-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Z mi n =5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解:(a)图能击穿稳压,U O 1=6V ;(b)图不能击穿,靠电阻分压,U O 2=5V 。

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

模电第2章_作业答案

模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1.简答题: (1)放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响? 答:设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。 (2)说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答:不论那种组态的放大电路,如果希望能够正常放大信号,必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数,以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点,使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上,经过三极管放大后,又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法?几种方法分别有什么特点? 答:分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确,工程上常用来分析放大电路的静态工作点;微变等效法方便分析放大电路的动态;图解法直观,可同时用于分析放大电路的静态和动态。 (4)共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法,而反相电压放大器,电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系,如何从物理概念上来理解? 答:共射电路有电压放大作用,且输出电压与输入电压相位相反。为此,称这种放大电

路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此,可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此,可将它称为电流跟随器。 2.图1所示电路中,已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V, =100,临界放大饱和时三极管压降(集电极-发射极之间)为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解:分析:判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一: 1.对于NPN管,若U BE<0.7V,则管子截止;对于PNP管,若U BE>-0.7V,或U EB<0.7V 则管子截止; 2.若NPN管,U BE>0.7V,PNP管U EB>0.7V,则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管,如果假设三极管工作在放大区,计算结果得管子压降U CE>0.3V(设小功率三极管饱和压降为0.3V),说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V,说明管子工作在饱和区。 对于PNP管,如果假设三极管工作在放大区,计算结果得管子压降U EC>0.3V,说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V,说明管子工作在饱和区。方法二: 当确定三极管处于非截止状态时,计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS (U EC=0.3V),如果βI B I CS,说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解:

模电第一章习题解答

第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载? 解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中,已知I=2A ,求U ab 和P ab 。 解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解:I=I S =2A , U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W , U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W , U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W , 验算:P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解:(a )以c 为电位参考点,则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100,I 3=1A , I 2=I 3+2=3A , U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A , I X =I 1+I 2=10+3=13A ( 6×由 1.8 20 1a V I =,5502 +=a V I , 10503-=a V I 由KCL 得: I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中,设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ,电流I D =0.8mA ,其交流电阻 r D =( )。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2. BJT 放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ,据此 可判定BJT 为( A )型三极管,其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时CQ 5mA I =,晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4. 在图1所示电路中,已知晶体管的100β=, be 1k r =Ω,i 20mV U =;静态工作时BEQ 0.7V U =,CEQ 5V U =,BQ 20uA I =, 相应的电压增益为( )。 A .u 1003 3001A ?=-=-& B .u 1001.5 1501 A ?=-=-& C .u -352502010A =-=-?& D .u 57.140.7 A =-≈-& 5. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。 (A ) (B )(C ) (D ) 6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻i R 约为150k Ω,电压放大倍数的数值 u A &约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 A. 共集电路;共射电路 B .共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路 D. 共射电路;共射电路 7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益u 2000A =倍,其中第一级的电压增益

工学模电试题与答案

一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 ( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。 ( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( ) 二、选择填空 (10分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入。 (A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。 (A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用。 (A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。 (A )β(B )β2 (C )2β(D )1+β (5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。 (A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。 (A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 (A ) 大 (B ) 小 (C ) 相等 三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出 u 0。

最新模电题库附答案

最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时,发射结为____,集电结为____,工作在饱和区时,发射结为____,集电结为____。 A、正向偏置, B、反向偏置, C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____;P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子, B、带正电的离子, C、三价元素,如硼等, D、五价元素,如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN 结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。 A、大于, B、小于, C、等于, D、变宽, E、变窄, F、不变

[答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____;在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大, B、减小, C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时,反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下,当二 极管的结温升高10℃,反向电流大约为____。 A、0.05μA, B、0.1μA, C、0.2μA, D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,。 1.当V调到6V,则I将为____。 A、1mA, B、大于1mA,但小于2mA C、2mA, D、大于2mA

2.保持V=3V不变,温度升高20℃,则将为____。 A、小于0.7V, B、0.7V不变, C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示,,当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大, B、减小, C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____,电极②是____,电极③是____(A、发射极,B、基极,C、集电极);该晶体管的类型是____(A、PNP型,B、NPN型);该晶体管的共射电流放大系数约为____

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 ( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

作业1-2 一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

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