电力电子模拟试卷二(附答案)
一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）
1、___ GTR ______存在二次击穿现象，______ IGBT ______存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压 _措施。
4、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ 2~4 I H。
5、电力变换通常可分为：交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。
6、在下图中，___ V1__和___ VD1_____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；__
V2_____和__ VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于__第2__象限。
二、选择题（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分共14分）
1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。
A、三相半波可控整流电路
B、三相桥式全控整流电路
C、单相桥式可控整流电路
D、单相全波可控整流电路外接续流二极管
2、晶闸管稳定导通的条件（ A ）
A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（ B ）
A、交流相电压的过零点
B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（C ）
A、增大三角波幅度
B、增大三角波频率
C、增大正弦调制波频率
D、增大正弦调制波幅度
5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ D ）
A、U2
B、U2
C、2U2 D.U2
6、晶闸管电流的波形系数定义为（ B ）
A、B、C、K f =I dT·I T D、K f =Id T-I T
7、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U o=12V，斩波周期T=4ms，则开通时T on=（ C ）
A、1ms
B、2ms
C、3ms
D、4ms
8、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（ C ）
A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平
B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平
C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平
D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平
9、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态
是（ D ）
A、P组阻断，N组整流
B、P组阻断，N组逆变
C、N组阻断，P组整流
D、N组阻断，P组逆变
10、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如图所示，在t2~t3时间段内，有（ B ）晶闸管导通。
A、1个
B、2个
C、3个
D、4个
三、简答题（本题共 4 小题，共30分）
1、电压型逆变电路的主要特点是什么？（7分）
1、（7分）
答：(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）
(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）
(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。（2分）
2、某一晶闸管，额定电压为300V，额定电流为100A，维持电流为4mA，使用在下图所示的各电路中是否合理?
说明其理由。(不考虑电压、电流裕量)（8分）
2、（8分）
答：图a不合理（1分），电流小于维持电流（2分）
图b不合理（1分），最高电压大于额定电压（1分）
图c合理（1分），电流为150A小于100×1.57（2分）
3、下面BOOST升压电路中，电感L、电容C与二极管的作用是什么？（7分）
3、（7分）
答：储存电能升压（3分）；保持输出电压稳定（4分）。
4、变压器漏感对整流电路有什么影响？（8分）
4、（8分）
答：出现换相重叠角，整流输出电压平均值Ud降低；整流电路的工作状态增多；（2分）
晶闸管的di/dt 减小，有利于晶闸管的安全开通；（2分）
有时人为串入进线电抗器以抑制晶闸管的di/dt；
换相时晶闸管电压出现缺口，产生正的du/dt，可能使晶闸管误导通，为此必须加吸收电路（2分）；
换相使电网电压出现缺口，成为干扰源。（2分）
四、作图题（本题共3小题，共26分）
1、画出三相桥式全控整流电路带阻感负载的原理图，并给图中6个晶闸管写上正确的编号，编号
写在晶闸管的正上方或正下方。变压器采用Δ/Y接法。（8分）
2、画出下图对应的U d、i T1、V T1的波形其中虚线
为脉冲信号。（12分）
3、将控制电路、检测电路、驱动电路、主电路填
入以下框图中，组成一个电力电子应用系统。（6
分）
1、（8分）
2、（12分）
3、（6分）
控
制
电
路
检测电路主
电
路
六、计算题（本题共1小题，共15分）
1、有一个三相全控桥整流电路。已知电感负载L=0.2H、α=60°、R=1Ω、变压器二次相电压U2=100V。试画出
U d的波形，计算负载端输出的直流电压U d和负载电流平均值I d，计算变压器二次电流的有效值I2
五、计算题：（本题共1小题，共15分）
解：1、∵w L=2πfL=62.8≥10R=10
∴此为大电感负载，负载端电流波形平直。（3分）
Ud=2.34U2cosα=117V（3分）
Id=Ud/R=117A （3分）
I2=＝175.5A。（3分）
波形绘制（3分）
面对强大的对手，明知不敌，也要毅然亮剑，即使倒下，也要化成一座山
电力电子技术-模拟试题2-试卷
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
2010年全国自考模拟、数字及电力电子技术模拟试卷(二)
2010年全国自考模拟、数字及电力电子技术模拟试卷(二) 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 根据真值表中的对应关系，Y与A、B之间的逻辑关系为() A. A B. B C. C D. D 答案：D 解析：(P150) 2. 在单相半波可控整流电路中，当负载为感性负载(设电感很大)时，若在负载端并联续流二 极管后，则() A. 续流二极管中的电流平均值与晶闸管中电流的平均值相等 B. 续流二极管中的电流平均值将大于晶闸管中电流的平均值 C. 续流二极管中的电流平均值将小于晶闸管中电流的平均值 D. 根据控制角α的不同，续流二极管中的电流平均值可能大于也可能小于晶闸管中电流的 平均值 答案：D 解析：(P下79)在单相半波可控整流电路中，若负载电感很大，由于电感的作用，延迟了晶闸管的关断时间，负载上电流流动时间加长，负载电流近似为一条平直线。当加了续流二极管，在输
入电压过零变负后，在电感电势作用下，续流二极管导通，使晶闸管关断。如果控制角α较大，因续流管导电时间可能比晶闸管导电时间长，这时续流管中的平均电流将大于晶闸管中的平均电流；如果α较小则相反。 3. 硅稳压二极管在稳压电路中起稳压作用时，应工作在（） A. 正向导通状态 B. 反向截止状态 C. 反向击穿状态 D. 反向饱和状态 答案：C 解析：(P16)稳压二极管是利用二极管在反向击穿时，反向电流在很大范围内变化而反向电压变化很小的特性来实现稳压的，因此必须工作在反向击穿状态。 4. 卡诺图如题图所示，其表示的逻辑函数最简式为() A. A B. B C. C D. D 答案：B
电力电子作业答案
2013电力电子技术作业 第一次作业 1．什么是线性系统？ 答: 状态变量和输出变量对于所有可能的输入变量和初始状态都满足叠加性和齐次性的系统叫做线性系统。 2．电力电子器件为什么要工作在开关状态？ 答:如果电力电子器件工作在放大状态，器件时时刻刻都有管压降和电流，此时将会产生较大的功耗。 当电力电子器件工作在开关状态时,首先一个开关管工作在理想导通状态时是不耗电的，因为饱和时只有电流没有管压降，因此没有功耗；当电力电子器件工作在截止状态时只有压降没有电流，也没有功耗。所以电力电子器件一般都工作在开关状态. 3．什么是集总参数电路？什么是分布参数电路? 答:以电路电气器件的实际尺寸(d)和工作信号的波长(λ)为标准划分，实际电路又可分为集总参数电路和分布参数电路。 满足d<<λ条件的电路称为集总参数电路。其特点是电路中任意两个端点间的电压和流入任一器件端钮的电流完全确定，与器件的几何尺寸和空间位置无关。 不满足d<<λ条件的电路称为分布参数电路。其特点是电路中的电压和电流是时间的函数而且与器件的几何尺寸和空间位置有关。
1．开关频率提高对变换器有什么好处？有什么坏处？ 答: 好处: (1)开关频率的提高会使系统的动态响应加快 (2) 电力电子装置的体积将减小,有助于电力电子器件的小型化 (3)变换器的输出纹波将减小 坏处：（1）开关器件的开关损耗增大 （2）系统的电磁干扰将会变得严重 （3）变压器的涡流损耗将会增大 2.PWM控制，PFM控制分别指什么意思？ 答：PWM控制表示脉冲宽度调制，脉冲的开关频率不变，改变脉冲导通时间 PFM控制表示脉冲频率调制，脉冲的导通时间不变，改变脉冲的频率 3.开关管导通和关断时其U，I，R是怎样的？ 答：在理想状态下 导通：U等于零 I为开通时流过开关管的电流 R等于零 关断：U为加在开关管两端的电压 I为零 R为无穷大 4.用图例方法说明开关过程的开通损耗和关断损耗情况？ 答：课本271页图7.2
电力电子技术模拟卷答案
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
电力电子作业题二
习题(二) 第一部分:填空题 1、在特定场合下,同一套整流电路即可工作在状态,又可工作在状态,故简称变流电路。 2、控制角α与逆变角β之间的关系为。 3、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互 差。 4、电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,放电时间常数为,输出电压最大, U 。 d 5、整流就是把电变换为电的过程; 6、逆变与整流的区别仅仅就是控制角不同, 时,电路工作在整流状态, 时,电路工作在逆变状态。 7、产生逆变的条件:要有直流电动势,其极性与晶闸管的导通方向,其值应大于变流电路直流侧的平均电压;要求晶闸管的控制角90度,使为负值。 8、三相桥式全控整流电路的触发方式有触发与触发两种。 第二部分:选择题 1、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° D、180° 2、三相可控整流与单相可控整流相比较,输出直流电压的纹波系数( )。 A 三相的大 B 单相的大C一样大 3、单相全控桥电阻性负载电路中,晶闸管可能承受的最大正向电压为() D6U2 A、2U2 B、2U2 C、12 2 4、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关()
A、α、负载电流I d以及变压器漏抗X C B、α以及负载电流I d C、α与U2 D、α、U2以及变压器漏抗X C 5、能够实现有源逆变的电路为()。 A、三相半波可控整流桥带续流二极管电路 B、单相全波可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 6、三相半波可控整流电路的自然换相点就是() A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 7、三相半波带电阻性负载时,α为( )度时,可控整流输出的电压波形处于连续与断续的临界状态。 A、0度 B、60度 C、30度 D、120度 8、三相桥式全控整流电路中6个晶闸管的导通顺序正确的就是() A、 B、 C、 D、 9、单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围就是()。 A、180° B、90° C、120° D、220° 10、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关() A、α、负载电流I d以及变压器漏抗X C B、α以及负载电流I d C、α与U2 D、α、U2以及变压器漏抗X C 11、当变压器二次电压有效值相等时,双反星形电路的整流电压平均值就是三相桥式电路的()。 A、2 B、1/2 C、3 D、1/3 12、最小逆变角一般取() A、B、C、D、 13、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理()。
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
电力电子作业题二
电力电子作业题二-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
习题（二） 第一部分：填空题 1、在特定场合下，同一套整流电路即可工作在状态，又可工作在状态，故简称变流电路。 2、控制角α与逆变角β之间的关系为。 3、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互 差。 4.电容滤波的单相不可控整流电路中，空载时，放电时间常数为，输出电压最大， U 。 d 5.整流是把电变换为电的过程； 6. 逆变与整流的区别仅仅是控制角不同，时，电路工作在整流状态，时，电路工作在逆变状态。 7. 产生逆变的条件：要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；要求晶闸管的控制角 90度，使为负值。 8. 三相桥式全控整流电路的触发方式有触发和触发两种。 第二部分：选择题 1、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A.90° B.120° C.150° D.180° 2、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。 A 三相的大 B 单相的大 C一样大 3、单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( ) 2212 6U2 2 4、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( ) A. α、负载电流I d以及变压器漏抗X C B. α以及负载电流I d C. α和U2 D. α、U2以及变压器漏抗X C 5、能够实现有源逆变的电路为( )。 A、三相半波可控整流桥带续流二极管电路 B、单相全波可控整流电路
电力电子模拟试卷七(附答案)
电力电子模拟试卷七（附答案） 一、填空题（本题共14小题，每空1分，共20分） 1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。 2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。 3、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。 4、同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L I H 。 5、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示，5表示。 6、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。 7、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用或。 8、三相半波整流电路有和两种接法。 9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。 10、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于，设U 2 为相电压有效值。 11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器 工作于有源逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E d | |U d |。 12、为了防止逆变失败，对于工作在逆变状态的电路，对其的可靠性， 的质量以及的保护功能，都比整流电路要求高，同时对逆变角的限制为。 13、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。 14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是措施。 二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定 2、在型号KP10－12G中，数字10表示( ) A、额定电压10V B、额定电流10A C、额定电压1000V D、额定电流100A 3、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A、90° B、120° C、150° D、180° 4、三相半波可控整流电路的自然换相点是( ) A、交流相电压的过零点 B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 5、在晶闸管三相桥式可控整流电路电流断续时的机械特性中，当α( )时，所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。 A、≤300 B、≤600 C、≤900 D、≤1200 6、在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出u 为负值，交流电源接受回馈的能量，电感( ) d A、释放储能 B、既不释放能量也不储能 C、吸收能量 D、以储能为主 7、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A、有源逆变器 B、A/D变换器 C、D/A变换器 D、无源逆变器 8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( ) A、减小输出幅值 B、增大输出幅值 C、减小输出谐波 D、减小输出功率 9、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行( ) A、同一相 B、不同相 C、固定相 D、不确定相 10、直波斩波电路是一种( )变换电路 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC
电力电子技术试题库-2013
电力电子技术作业题 一、选择题（每题20分） 1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。 A. 1～2倍 B. 2～3倍 C. 3～4倍 D. 4～5倍 2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（）。 A. 1.5～2倍 B. 2～2.5倍 C. 2.5～3倍 D. 3～3.5倍 3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（）。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSM D. 最小工作电流IMIN 4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的( )。 A. 1～2倍 B. 2～4倍 C. 3～5倍 D. 6～8倍 5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( )标定。 A. 平均值 B. 最大值 C. 最小值 D. 有效值 6.( )晶闸管属于 A. 全控型器件 B.场效应器件 C.半控型器件 D.不可控器件 7.( )晶闸管可通过门极( )。 A. 既可控制开通，又可控制关断 B.不能控制开通，只能控制关断 C.只能控制开通，不能控制关断 D.开通和关断都不能控制 8.（）使导通的晶闸管关断只能是( )。 A. 外加反向电压 B.撤除触发电流 C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零 D. 在门极加反向触发 9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( )。 A. 阴极K B. 阳极A C. 门极K D. 发射极E 10. （）晶闸管导通的条件是（）。 A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲 B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲 C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲 D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲 11. ( )可关断晶闸管（GTO）是一种（）结构的半导体器件。 A.四层三端 B.五层三端 C.三层二端 D.三层三端 12 . （）晶闸管的三个引出电极分别是（）。 A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极 D.发射极、基极、集电极 13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。 A.减小至维持电流I H以下 B.减小至擎住电流I L以下 C.减小至门极触发电流I G以下 D.减小至5A以下 14. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（）。 A．0～90° B. 0～120°C. 0～150°D. 0～180° 15. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（）时，U d = 0。 A．90° B. 120°C. 150°D. 180° 16. ( )单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（）时，U d=0.45 U2。 A．0° B. 90°C. 150°D. 180° 17.( )单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（）。 A．U2 B. 2 C. 2 D. 2U2 18.（）单相半波可控整流电路，带电阻性负载R，设变压器二次侧相电压有效值为U2，
电力电子模拟试卷四(附答案)
电力电子模拟试卷四（附答案） 一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分） 1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T（AV），如果I T（AV）=100 安培，则它允许的有效电流为安培。通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。 2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后 构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。 3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多， 但归纳起来可分为与两大类。 4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。 5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载时，电 路的移相范围，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围。 二、判断题：（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是 用电流有效值来表示的。（） 2、逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。（） 3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。（） 4、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工 作。（） 5、PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。（） 6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。（） 7、过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。（） 8、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。（） 9、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法（） 10、在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。（） 三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。A、0.45U2 B、0.9U2 C、1.17U2 D、2.34U2
模拟电子技术课程设计(Multisim仿真)
《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日
目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)
一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
全国自考模拟数字及电力电子技术试题
全国2003年4月自考模拟数字及电力电子技术试题 （课程代码：02238） 第一部分选择题 (共32分) 一、单项选择题(本大题共16小题，每小题2分，共32分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、 3.5V、6V， 则这只三极管属于（） A. 硅PNP型 B. 硅NPN型 C. 锗PNP型 D. 锗NPN型2．题2图所示理想运放组成的运算电路的电压放大倍数为（） A. -11 B. -10 C. 10 D. 11 u o 题2图
3．题3图所示反馈放大电路的级间反馈属于（） u u o + - A. 电流串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电压并联负反馈 4．逻辑函数F AB BC ACBDE =++的最简与或式为（） A. AB BC + B. A BC + C. AB BC + D. A BC + 5．逻辑函数F AB BC A C =??的标准与或式为（） A. ∑(0,1,3,5) B. ∑(2,3,5,6) C. ∑(1,3,4,5) D. ∑(0,2,6,7) 6．逻辑函数F(A,B,C)=∑(2,4,5,6)的最简或与式为（） A. ()() A B B C ++ B. ()() A C B C ++ C. ()() A B B C ++ D. ()() A C B C ++ 7．逻辑函数F(A,B,C,D)=∑(0,3,7,8,10)，其约束条件为0 AB CD +=，则最简与或式为（） A. AD AD CD ++ B. AD AD BC ++ C. AB CD BD ++ D. AB CD BD ++ 8．题8图中为TTL逻辑门，其输出F为（）
2021年电力电子技术考前模拟题(有答案)
电力电子技术考前模拟题 欧阳光明（2021.03.07） 一、选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A 度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 3、晶闸管触发电路中，若改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压， B、控制电压， C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路， B、三相半控桥整流桥电路， C、单相全控桥接续流二极管电路， D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。 A、30o-35o， B、10o-15o， C、0o-10o， D、0o。 6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 11、下面哪种功能不属于变流的功能（C） A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点； B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处； C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°； D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值 电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B） A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D ) A、0o-90° B、0o-120° C、0o-150° D、0o-180° 15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。