如何使三极管工作于开关状态

如何使三极管工作于开关状态
如何使三极管工作于开关状态

如何使三极管工作于开关状态?

晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区,即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态,就应该使之工作于饱和区;

要使晶体三极管工作于开关的断开状态,就应该使之工作于截止区,发射极电流iE=0,这时晶体三极管处于截止状态,相当于开关断开。集电结加有反向电压,集电极电流iC=ICBO,而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时,iB并不是为0,而等于-ICBO。基极开路时,外加电源电压VCC使集电结反向偏置,发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时,晶体管并未进入截止状态,这时iE=iC =ICEO 还是较大的。晶体管进入截止状态,晶体管基极与发射极之间加反向电压,这时只存在集电极反向饱和电流ICBO,iB =-ICBO,iE=0,为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值,当大于VBO时,发射结处于反向偏置而截止,流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO,这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO),iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高,集电极电流不断增加。同时基极电流也增加,随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高,而随着集电极电流iC的增加,集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时,将出现vBE =vCE 的情况。这时集电结为零偏,晶体管出现临界饱和。

如果进一步增大iB ,iB增大,使得集电结由零偏变为正向偏置,集电结位垒降低,集电区电子也将注入基区,从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对,当iB继续增大时,iC 基本维持不变,即iB失去对iC的控制作用,或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说,在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V,VCE(sat)近似等于0.3V。由图4.2.1(a)可看出,集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM= VCC/ RC。晶体管进入饱和状态,基极电流增大,集电极电流变化很小,即

iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为

IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC

基极电阻增大,驱动电流不足,特别是晶体管从放大区进入饱和区时时间太长,开关晶体管发热烧坏,因此此电阻的计算为:Rb《=Hfe*(Vb-0.7)/Icm

在简易自动控制电路中,将介绍一些模拟实验电路,利用一些物理现象产生的力、热、声、光、电信号,实现自动控制,以达到某种控制效果。

磁控和热控电路

在磁力自动控制电路中,传感元件是干簧管,当磁铁靠近时,常开触点闭合而接通传感电路,完成位置传感作用。能不能用干簧管开关直接控制电动机的转与停呢?玩具电动机是常用的动力装置,它能够把电能转换为机械能,可用于小电风扇转动、小离心水泵抽水等执行功能。通常玩具直流电动机工作电压低,虽然在1.5~3V就可以启动,但起动电流较大(1~2安培),如果用触点负荷仅为几十毫安的干簧管进行开关控制,将大大缩短其使用寿命。因此,在自动控制电路中,常使用电子开关来控制电动机的工作状态。

三极管电子开关电路

见图1 。由开关三极管VT,玩具电动机M,控制开关S,基极限流电阻器R和电源GB组成。VT采用NPN型小功率硅管8050,其集电极最大允许电流ICM可达1.5A,以满足电动机起动电流的要求。M选用工作电压为3V的小型直流电动机,对应电源GB亦为3V 。

VT基极限流电阻器R如何确定呢?根据三极管的电流分配作用,在基极输入一个较弱的电流IB,就可以控制集电极电流IC有较强的变化。假设VT电流放大系数hfe≈250,电动机起动时的集电极电流IC=1.5A,经过计算,为使三极管饱和导通所需的基极电流IB≥(1500mA/250)×2=12mA。在图1电路中,电动机空载时运转电流约为500mA,此时电源(用两节5号电池供电)电压降至2.4V,VT基极-发射极之间电压VBE≈0.9V。根据欧姆定律,VT基极限流电阻器的电阻值R=(2.4-0.9)V/12mA≈0.13kΩ。考虑到VT在IC较大时,hfe要减小,电阻值R还要小一些,实取100Ω。为使电动机更可靠地启动,R甚至可减少到51Ω。在调试电路时,接通控制开关S,电动机应能自行启动,测量VT集电极—发射极之间电压VCE≤0.35V,说明三极管已饱和导通,三极管开关电路工作正常,否则会使VT过热而损坏。

自动灭火的热量自动控制电路见图2。该电路是将图1中的控制开关S换成双金属复片开关ST,就成为热控电路了。当蜡烛火焰烧烤到双金属复片时,复片趋于伸直状态,使得开关ST接通,电动机启动,带动小风扇叶片旋转,对准蜡烛吹风,自动将火焰熄灭;当双金属片冷却后,开关断开,小电风扇自动停转,完成了自动灭火的程序。自动停车的磁力自动控制电路见图3。开启电源开关S,玩具车启动,行驶到接进磁铁时,安装在VT基极与发射极之间的干簧管SQ闭合,将基极偏置电流短路,VT截止,电动机停止转动,保护了电动机及避免大电流放电。

光电控制电路

在光电自动控制电路中,可以选用光敏电阻器做为光电传感元件。能否将光敏电阻器直接接入图1控制开关S的位置呢?通常光敏电阻器,例如MG45有光照射时的亮阻2~10kΩ,远大于偏置电阻器R的电阻值,显然不能产生维持VT饱和导通所需强度的基极电流。因此,需要先用一支三极管进行电流放大,再驱动开关三极管工作。

光电自动控制电路见图4。VT1和VT2接成类似复合管电路形式,VT1的发射极电流也是VT2的基极电流,R2既是VT1的负载电阻器又是VT2的基极限流电阻器。因此,当VT1基极输入微弱的电流(0.1mA),可以控制末级VT2较强电流——驱动电动机运转电流(500mA)的变化。VT1选用小功率NPN型硅管9013,hfe≈200。同前计算方法,维持两管同时饱和导通时VT1基极偏置电阻器R1约为3.3kΩ,减去光敏电阻器RG亮阻2kΩ,限流电阻器R1实取1kΩ。光敏传感器也可以采用光敏二极管,使用时要注意极性,光敏二极管的负极接供电电源正极。光敏二极管对控制光线有方向性选择,且灵敏度较高,也不会产生强光照射后的疲劳现象。

水位控制电路

最简单的水位传感元件是采用两个电极,当水面淹没电极时,利用不纯净水的导电性使电极之间导通,但导通电阻值较大,约50kΩ,不能代替光敏电阻器直接驱动如图4所示的光控电路,需要灵敏更高的控制电路。

水位自动控制电路如图5所示。它是在图4电路的基础上,增加了一级前置放大管VT1,在其基极输入很微弱的电流(10μA)就可以使VT1~3皆饱和导通。控制开关S可以用大头针做成两个电极,当其被水淹没而导电时,小电动机会自行运转。C1为旁路电容器,防止感应交流电对控制电路的干扰。VT1选用低噪音、高增益的小功率NPN硅管9014。根据上述电路水位控制的功能,能否设计成一个感知下雨自动关窗、自动收晾晒衣服绳索的自动控制器。下偏置水自动控制电路见图6 。图中,将两个电极改接在VT1下偏置,R1仍为上偏置电阻器。当杯内水面低于两个电极时,相当于下偏置开路,R1产生的偏置电流使电动机起动。当水位上升到淹没电极时,两个电极之间被水导通,将R1产生的偏置电流旁路一部分,使VT1~3截止,电动机停转,与图5控制效果恰好相反。

三极管的开关电路分析(12V—SW)

在这里做个小电路的分析,大家都可能用到,这里把模型分解一下,并介绍一下计算方法和各个元件的作用。

Q1:主开关,主要作用是提供12VSW电流,特点饱和时Vec必须很小,热阻不能太大。

Q2:副开关,主要作用是旁路Q1,在MCU置高电平时导通,ce拉低使Q1工作。R1:保证MCU无输出的时候电路不工作。R2:限制电流,给Q2一个工作电流。C1:去除干扰,防止Q1意外导通。下面是这个电路图的等效模型:

然后我们定义一下输出负载,假设有N个按键开关电路检测电路(Active Low)

经过以上分析我们可以列出所有公式:

这个时候我们可以看出,要想让这个电路处于良好的状态,两个开关管必须都处于饱和状态,一般要使得开关管饱和,Ic/Ib必须小于30.因此我们必须求取方法倍数,其中Q1中的Vbatt和Ib和Ic同时是正向关系,必须求取各个参数的偏导求最大的放大系数。这样就可以求得此时三极管的状态。另外一个需要验证的就是温度情况,公式如下:

这个主要是验证散发功率的情况。计算过程到此差不多了,在实际设计中,每个参数都是比较重要的,特别是在省电模式下,可能会打开电源后扫描接口电路,因此整个电路的响应时间非常重要。以后会讨论一下瞬态响应的做法(Laplas 变换的应用。)在这里大致可以描述一下,因为每个电路都有滤波电容,在打开电源的瞬间,所有的电容都需要充电,因此此时的Ic是非常大的,所以电路一时达不到饱和状态。这个参数主要是调整R2,R2增大,响应时间长,电路偏置功率小。R2减小,响应时间段,电路偏置功率大。做个tradeoff即可。

三极管的判断方法

三极管的判断方法一,三极管类型

1. 先判定基极b(一般中间的就是):先假定一个管脚是b,把 红表笔接这个b,用黑表笔分别接触另两个管脚,测得或者都是高阻值时,说明假定正确。 2.因为红表笔实际是表电源的负极,所以 当测得都是低阻值时,b是N型材料, 两端是P型材料,就是PNP型。 3.所以当测得都是高阻值时,b是P型材料, 两端是N型材料,就是NPN型。 4.我们一般可以容易找到基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c 极,红表笔接假设的e极,万用表打到*1K档测量两极间的电阻 Rce;之 后将假 设的c ,e 极对调 再测一

次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极 管符号中的 箭头方向一 致,所以此时 黑表笔所接 的一定是发 射极e,红表 笔所接的一定是集电极c。 4.直流放大倍数的hFE的测量:先转动开关至晶体管调节 Adj位置上,将红黑测试笔短接,调节欧姆调零电位器,使指针对准300hFE刻度线上,然后转动开关到hFE位置,将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内,指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数?值。N型插入N型插座,P型插入P型插座。 5.

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断

如何快速确定三极管的工作状态三极管的三种工作状态分析判断有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES=-0.3V),而UCES=0.3V,可见,UBE>0,UBC>0,也就是说,发射结和集电结均为正偏。三极管饱和后,C、E 间的饱和电阻RCE=UCES/ICS,UCES 很小,ICS 最大,故饱和电阻RCES很小。所以说三极管饱和后G、E 间视为短路,饱和状态的NPN 型三极管等效电路如图1a 所示。 2.三极管截止状态下的特点要使三极管处于截止状态,必须基极电流IB=0,此时集电极IC=ICEO≈0(ICEO 为穿透电流,极小),根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,集电极与发射极间的电压UCE≈EC。 三极管截止时,基极电流IB=0,而集电极与发射极间的电压UCE≈ECO 可见,UBE≤0,UBC1V 以上,UBE>0,UBC 二、确定电路中三极管的工作状态 下面利用三极管三种工作状态的特点和等效电路来分析实际电路中三极管的工作状态。 例题:图2 所示放大电路中,已知EC=12V,β=50,Ri=1kΩ,Rb=220kΩ,Rc=2kΩ,其中Ri 为输入耦合电容在该位置的等效阻抗。问:1.当输入信号最大值为+730mV,最小值为-730mV 时,能否经该电路顺利放大?2.当β=150 时,该电路能否起到正常放大作用?

三极管的工作原理

三极管的工作原理集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

项目一三极管的工作原理 三极管,全称应为半导体三极管,也称晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器·件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN 和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。下图是各种常用三极管的实物图和符号。 一、三极管的电流放大作用 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 二、三极管的偏置电路 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取)。当基极与发射极之间的电压小于时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基 极上加上一个 合适的电流 (叫做偏置电 流,上图中那 个电阻Rb就 是用来提供这 个电流的,所 以它被叫做基 极偏置电 阻),那么当 一个小信号跟 这个偏置电流 叠加在一起 时,小信号就

三极管工作状态 有图

NPN:放大,集电结反偏,发射结正偏; 截止,集电结反偏,发射结反偏; 饱和,集电结正偏,发射结正偏; PNP:放大,集电结正偏,发射结反偏; 截止,集电结正偏,发射结正偏; 饱和,集电结反偏,发射结反偏; 这是我脑子里的东西,你自己看一下是不是相反吧 简单的办法就是判断他们的电位变化的情况。以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反。(1)截止,Ube<0.7V,也就是发射结反偏,Ube<0的时候是可靠截止。(2)放大,Ube>0.7V,Uce>Ube,Ubc<0,也就是发射结正偏,集电结反偏。(3)饱和,Ube>0.7V,UceUon,UbUB,极电结正偏UC>UB,饱和 截止状态: 当“≤0时,集电极电流很 小,三极管相当于截止,电源电 压丘几乎全部加在管子两端 放大状态: “从O逐渐增大,集电极电流 J。也按一定比例增加,很小的 I变化引起很大的,;变化,三 极管起放大作用 饱和状态: 三投管饱和时,管子两端压降很 小,电源电压E几乎全部加在集电 极负载电阻磁两端I口越大,控制越 灵敏

三极管开关电路工作原理解析

三极管开关电路工作原理解析 图一所示是NPN三极管的共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。三极管是以B 极电流IB 作为输入,操控整个三极管的工作状态。若三极管是在截止区,IB 趋近于0 (VBE 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,IC = 0,VCE = VCC。若三极管是在线性区,B-E 接面为顺向偏压,B-C 接面为逆向偏压,IB 的值适中 (VBE = 0.7 V), I C =h F E I B 呈比例放大,Vce = Vcc -Rc I c = V cc - Rc hFE IB可被 IB 操控。若三极管在饱和区,IB 很大,VBE = 0.8 V,VCE = 0.2 V,VBC = 0.6 V,B-C 与B-E 两接面均为正向偏压,C-E间等同于一个带有0.2 V 电位落差的通路,可得I c=( Vcc - 0.2 )/ Rc ,Ic 与 IB 无关了,因此时的IB大过线性放大区的IB 值, Ic

关于三极管工作于开关状态的原理解析

关于三极管工作于开关状态的原理解析 晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区,即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态,就应该使之工作于饱和区; 要使晶体三极管工作于开关的断开状态,就应该使之工作于截止区,发射极电流iE=0,这时晶体三极管处于截止状态,相当于开关断开。集电结加有反向电压,集电极电流iC=ICBO,而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时,iB并不是为0,而等于-ICBO。基极开路时,外加电源电压VCC使集电结反向偏置,发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时,晶体管并未进入截止状态,这时iE=iC =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态,晶体管基极与发射极之间加反向电压,这时只存在集电极反向饱和电流ICBO,iB =-ICBO,iE=0,为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值,当大于VBO时,发射结处于反向偏置而截止,流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO,这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO),iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高,集电极电流不断增加。同时基极电流也增加,随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高,而随着集电极电流iC的增加,集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时,将出现vBE =vCE的情况。这时集电结为零偏,晶体管出现临界饱和。 如果进一步增大iB ,iB增大,使得集电结由零偏变为正向偏置,集电结位垒降低,集电区电子也将注入基区,从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对,当iB继续增大时,iC基本维持不变,即iB失去对iC的控制作用,或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说,在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V,VCE(sat)近似等于0.3V。由图4.2.1(a)可看出,集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM= VCC/ RC。晶体管进入饱和状态,基极电流增大,集电极电流变化很小,即iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC 基极电阻增大,驱动电流不足,特别是晶体管从放大区进入饱和区时时间太长,开关晶体管发热烧坏,因此此电阻的计算为:Rb《=Hfe*(Vb-0.7)/Icm 在简易自动控制电路中,将介绍一些模拟实验电路,利用一些物理现象产生的力、热、声、光、电信号,实现自动控制,以达到某种控制效果。

三极管的工作原理(经典)

三极管的工作原理(转载) 三极管的工作原理 对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。 但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。 放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。 在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。 饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。 在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。 而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。 结构与操作原理

三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集 极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中 性的p型区和n型区隔开。 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关,工作区间也依偏压方式来分类,这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active),在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压,而BC极间的pn接面则在反向偏压,通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的电洞会注入到基极,基 极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压,和偏压在正向活性区两种情形 下,电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例, 射极的电洞注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极 方向扩散,同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时, 会被此区内的电场加速扫入集电极,电洞在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入 射极的电子流InB? E(这部分是三极管作用不需要的部分)。 InB? E在射极与与电 洞复合,即InB? E=I Erec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。

三极管的工作原理

三极管的工作原理 对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。 但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水的时候,人们就打开小阀门,很小的水流涓涓流出,这涓涓细流冲击大阀门的开关,大阀门随之打开,汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小,那么大阀门也相应地不停改变,假若能严格地按比例改变,那么,完美的控制就完成了。在这里,Ube就是小水流,Uce就是大水流,人就是输入信号。当然,如果把水流比为电流的话,会更确切,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果某一天,天气很旱,江水没有了,也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门,尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门,并使之开启,但因为没有水流的存在,所以,并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。饱和区是一样的,因为此时江水达到了很大很大的程度,管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了,这就是二极管的击穿。在模拟电路中,一般阀门是半开的,通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候,水流也会流,所以,不工作的时候,也会有功耗。而在数字电路中,阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候,阀门是完全关闭的,没有功耗。 结构与操作原理 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,如图1所示,可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter, E)、基极(base, B)和集极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体,和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,将中性的p型区和n型区隔开。 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定

模电中三极管饱和及深度饱和状态的界定 三极管饱和问题总结: 1.在实际中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。 2.集电极电阻越大越容易饱和; 3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制 问题:基极电流达到多少时三极管饱和? 解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。 对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表: 问题:如何判断饱和?

判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流,如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流,则可判断电路此时处于饱和状态。 饱和的条件: 1.集电极和电源之间有电阻存在且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c 电压高的情况。 影响饱和的因素:1.集电极电阻越大越容易饱和;2.管子的放大倍数放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小; 饱和后的现象:1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右,基极为0.7左右(假设e极接地) 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R,则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R,随着Ib的增大,Vce减小,当Vce<0.6V时,B-C结即进入正偏,Ice已经很难继续增大,就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大,会使Vce再减小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。 另外一个应该注意的问题就是:在Ic增大的时候,hFE会减小,所以我们应该让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。 注意:饱和时Vb>Vc,但Vb>Vc不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数,有的管子Vb>Vc时还能保持相当高的放大倍数。例如:有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和,Ic/Ib<1应该属于深饱和了。 从晶体管特性曲线看饱和问题:我前面说过:谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。 以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的Vce仅画到2.0V为止,为了说明方便,我向右延伸到了4.0V。 如果电源电压为V,负载电阻为R,那么Vce与Ic受以下关系式的约束:Ic = (V-Vce)/R 在晶体管的输出特性曲线图上,上述关系式是一条斜线,斜率是 -1/R,X轴上的截距是电源电压V,Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限”)。这条斜线称为“静态负载线”(以下简称负载线)。各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图:

快速确定三极管工作状态的方法

快速确定三极管工作状态的方法 重庆易天龙 三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现,只要深刻理解三极管三种工作状态的特点,分析电路中三极管处于何种工作状态就会容易得多,下面结合例题来进行分析。 一、三种工作状态的特点 1.三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即Is≥IBs。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(Uces)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式Uce=Ec-IcRc,所以 三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs/Ics,UcEs很小,Ics最大,故饱和电阻RcEs很小。所以说三极管饱和后C、E问视为短路,饱和状态的NPN型三极管等效电路如图1a所示。 2.三极管截止状态下的特点 三极管截止后,C、E间的截止电阻Rce=UcE/Ic,UcEs很大,等于电源电压,Ics极小,C、E间电阻RcE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路,截止状态的NPN型三极管等效电路如图1b。 3.三极管放大状态下的特点

要使三极管处于放大状态,基极电流必须为:0

三极管状态判断

三极管状态判断 NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0 PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态VbUce. 当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介 晶体三极管的结构和类型 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律, 底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。 目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

pnp三极管工作原理

pnp三极管工作原理 三极管这类商品是我们日常生活中比较常见的一种商品,虽然用的不多,但是它的作用是很大的。对于一些没接触过它的人来说不知道pnp三极管的作用是什么,以及它的工作原理是怎么的,接下来小编就给大家介绍一下关于pnp三极管工作原理及它的一些基本知识。 1、PNP三极管结构建模 晶体三极管是半导体的基本器件之一。它的主要功能是放大电流和电子电路的核心元件。它的功能是放大电流和开关。其主要结构是在半导体的基本芯片上做两个相似的PN结,然后将正半导体分成三部分。 2、PNP三极管工作原理 晶体三极管可以分为以下两种类型根据材料,即锗管和硅管,无论哪一个结构形式,和我们用的最多的是硅NPN三极管和锗PNP型两种,其工作原理是利用收集电力半导体之间的联系。 点击放大图片 要理解三极管的放大效应,请记住一件事:能量不会无缘无故产生,所以晶体管不会产生能量,三极管的强大之处在于它可以通过小电流来控制大电流。放大原理是:通过小的交流输入,控制大的静态直流。假设三极管是一个水坝,这个水坝的奇怪之处在于它有两个阀门,一个大的和一个小的。小阀门可以人工开启,大阀门非常重,人工无法开启,只有通过液压开启小阀门。因此,正常的工作流程是,当水被排放,人们打开小阀门,小的水涓滴而出。涓涓细流冲击着大阀门的开关,大阀门打开,湍流的河流就顺流而下。如果你不断地改变小阀

门的开启尺寸,那么大阀门也会随之改变。如果你能严格按比例改变它,完美的控制就会完成。 这里,Uber是小电流,uce是大电流,human是输入信号。当然,比较水流和电流会更准确,因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果有一天,天气很干燥,河里没有水,也就是说,在大水流的另一边没有水。这时管理员打开了小阀门。虽然小阀门仍然像往常一样冲击大阀门,使其打开,但是没有水流,因为没有水流。这是三极管的截止区域。 饱和区是一样的,因为河水已经达到了非常大的程度,管理员开启的阀门通径不再有用。如果你不打开阀门,河水就会自己打开。这是二极管的击穿。 在模拟电路中,一般阀门是半开启的,通过控制阀门的开启尺寸来确定输出水量。当没有信号的时候,水就会流动,所以当它不工作的时候,就会有电力消耗。 在数字电路中,阀门是开启或关闭的。不工作时,阀门全关,不耗电。一种 晶体三极管是一种电流控制元件。发射极与基极之间形成的PN结称为发射极结,集电极与基极之间形成的PN结称为集电极结。晶体三极管有两种:锗管和硅管。它们都有NPN和PNP结构。硅NPN和PNP是应用最广泛的。除了电源极性不同外,它们的工作原理是相同的。当三极管工作在放大区域时,三极管的发射极结处于正偏置,而集电极结处于反偏置。基极电流的控制集电极电流IC IB. IC IB变

三极管原理全总结

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。 PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC

2、三极管的三种工作状态:放大、饱和、截止 (1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。对于NPN管来说,发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。 (2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。即饱和 导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取0.3V,对锗管取0.1V。此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。 (3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。由于两个PN 结都反偏,使三极 管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。这时的三极管c、e 极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。 3、三极管三种工作区的电压测量 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表 测基极与射极间的电压Ube。 饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V. 放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压. 截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源. 在实际工作中,可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。NPN型硅管的典型数据是:饱和状态Ube=0.7V,Uce=0.3V;放大区Ube=0.7V;截止区Ube=0V。这是对可靠截止而言,实际上当Ube<0.5V时,即已进入截止状态。对于PNP管,其电压符号应当相反。 截止区:就是三极管在工作时,集电极电流始终为0。此时,集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN型硅三极管来说,当Ube在0~0.5V 之间时,Ib很小,无论Ib怎样变化,Ic都为0。此时,三极管的内阻(Rce)很大,三极管截止。当在维修过程中,测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时,就可 知道三极管处在截止状态。

三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂

三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂 一、很多初学者都会认为三极管是两个PN 结的简单凑合(如图1)。这种想法是错误的,两个二极管的组合不能形成一个三极管。我们以NPN 型三极管为例(见图2 ),两个PN 结共用了一个P 区——基区,基区做得极薄,只有几微米到几十微米,正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体,它们之间存在着相互联系和相互影响,使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。三极管在外加电压的作用下,形成基极电流、集电极电流和发射极电流,成为电流放大器件。 二、三极管的电流放大作用与其物理结构有关,三极管内部进行的物理过程是十分复杂的,初学者暂时不必去深入探讨。从应用的角度来讲,可以把三极管看作是一个电流分配器。一个三极管制成后,它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了(见图 3 ),用式子来表示就是

β 和α 称为三极管的电流分配系数,其中β 值大家比较熟悉,都管它叫电流放大系数。三个电流中,有一个电流发生变化,另外两个电流也会随着按比例地变化。例如,基极电流的变化量ΔI b =10 μA ,β = 50 ,根据ΔI c =βΔI b 的关系式,集电极电流的变化量ΔI c =50×10 =500μA ,实现了电流放大。 三、三极管自身并不能把小电流变成大电流,它仅仅起着一种控制作用,控制着电路里的电源,按确定的比例向三极管提供I b 、I c 和I e 这三个电流。为了容易理解,我们还是用水流比喻电流(见图 4 )。这是粗、细两根水管,粗的管子内装有闸门,这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。如果细管子中没有水流,粗管子中的闸门就会关闭。注入细管子中的水量越大,闸门就开得越大,相应地流过粗管子的水就越多,这就体现出“以小控制大,以弱控制强”的道理。由图可见,细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极e 就对应着图4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。电路见图 5 ,若给三极管外加一定的电压,就会产生电流I b 、I c 和I e 。调节电位器RP 改变基极电流I b ,I c 也随之变化。由于I c =βI b ,所以很小的I b 控制着比它大β 倍的I c 。I c 不是由三极管产生的,是由电源V CC 在I b 的 控制下提供的,所以说三极管起着能量转换作用。 四、如图5,假设三极管的β=100,RP=200K,此时的Ib=6v/(200k+100k)=0.02mA,Ic=βI b=2mA 当RP=0时,Ib=6v/100k=0.06mA,Ic=βI b=2mA。以上两种状态都符合Ic=βI b,我们说,三极管处于"放大区"。假设RP=0,Rb=1k,此时,Ib=6v/1k=6mA按Ic=βI b计算,Ic应等于600mA,而实际上,由于图中300欧姆限流电阻(Rc)的存在,实际上Ic=(6v/300)≈20mA,此时,Ic≠βI b,而且,Ic不再受Ib控制,即处于"饱和区",当RP 和Rb大到一定程度,使Ube<死区电压(硅管约0.5V,锗管约0.3)此时be结处于不导通状态,Ib=0,则Ic=0, 处于"截止区"。

三极管工作原理及主要参数详解

三极管工作原理及主要参数详解 三极管(全称:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管),是一种控制电流的半 导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。介绍三极 管的工作原理以及主要参数。 晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能 发生了质的飞跃,具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用,首先,制造工 艺上的两个特点: (1)基区的宽度做的非常薄; (2)发射区掺杂浓度高,即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 晶体三极管的工作原理 三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过 1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得 输出必须施加负载。 当三极管满足必要的工作条件后,其工作原理如下: (1)基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压,所以电子从发射极向基极移动,又因为C极和E极间施加了反向电压,因此,从发射极向基极移动的电子,在高电压 的作用下,通过基极进入集电极。于是,在基极所加的正电压的作用下,发射极的大量电 子被输送到集电极,产生很大的集电极电流。 (2)基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时,由于C极和E极间 施加了反向电压,所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区,阻碍了从发射极向集电极的电子流动,因而就没有集电极电流产生。 综上所述,在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流,这就是三极管的 电流放大作用。此外,三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止,这就是 三极管的开关作用(开关特性)。 晶体三极管共发射极放大原理如下图所示: A、vt是一个npn型三极管,起放大作用。 B、ecc 集电极回路电源(集电结反偏)为输出信号提供能量。 C、rc 是集电极直流负载电阻,可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。

极管工作原理分析,精辟、透彻,看后你就懂

三极管工作原理分析,精辟、透彻,看后你就懂 随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。 3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic 的产生。 很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。笔者根据多年的总结思考与教学实践,对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法,并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法肯定会有所欠

缺,但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来,以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。 一、传统讲法及问题: 传统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例),如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1) 问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关,Ic只能受控于Ib。 问题2:不能很好地说明三极管的饱和状态。当三极管工作在饱和区时,Vc的值很小甚至还会低于Vb,此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic,也就是说在Vc很小时,集电结仍然会出现反向导通的现象。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾。 问题3:传统讲法第2步过于强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导

三极管的使用方法

1. 三极管工作状态的判断方法: 分析电路时,判断三极管的功能,如果能够知道该三极管三个管脚的电压和该三极管起得作用(放大还是开关),。对于NPN 而言,如果Uc>Ub>Ue ,该管处于放大状态,放大一定的电流,一般是在模拟电路中起了作用(此时Uce 之间的电压是不确定的);如果Ub>Ue ,Ub>Uc ,该管处于饱和状态,c-e 之间导通,其管压降为0.3-0.7V ,与截止区相对立,此时该三极管起到了开关的作用,一般应用在数字电路中。 如图所示: 对于PNP 而言,当Ue>Ub>Uc,即集电极反偏、发射极正偏,处于放大状态;当Ue>Ub 且Uc>Ub(这时候,Uc ≈Ue),即集电极和发射极都正偏,处于饱和状态。 2.三极管的使用方法: 我们经常在单片机系统中连接三极管起到开关的作用,经典电路如下图所示: ( 如果在单片机系统中出现三极管时,那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于开-关状态。因为单片机输出的都是数字量,要么是0,要么是1,不可能出现别的情况。因此对应的三极管也要么开通,要么关断。 在上面电路中,如果按照开始时说的三极管状态的判别方法,是不行的。因为c 点得工作电压是不确定的(实际上在真正的电路中c 点电压是确定的,但是从电路图中我们看不出来)。真正的判断方法如下:当I/0引脚为高电平时,b 点基极的电流是一定的,那么c 点电流也是一定的,而且是处在了三极管的饱和区,因此b 点的电压为0.7v ,三极管导通,则c 点的电压与e 点压相同(比e 点略大,约为0.5v,即为Uce ),即OUT (输出端处于低电平)端为低电平状态。当I/0引脚为低电平时,NPN 三极管断开,c-e 之间不导通,那么此时c 点(OUT )电位为高电平即VCC 电压。这从而达到了用单片机引脚来控制Vcc 的效果。 综上所述:当I/O 为高电平,b-e 之间有电压,三极管导通,c-e 管压降小,OUT 为低电平(≈0.5);当I/O 为低电平时,b-e 之间没电压,三极管关断,c-e 管压降非常大,OUT 为高电平=Vcc ; 上面就是NPN 的使用方法。我们可以这么理解:在使用NPN 时,要尽可能将e 端接地,当b 端比e 端至少高0.7v 时,管子导通;否则管子断开。 同理,我们可以得出PNP 三极管的使用电路和方法: 放大区 12 3 截止区 3.3 3 饱和区

相关文档
最新文档