半导体工业流程图

Semiconductor manufacturing process

１．Cleaning (洗净)

Silicon wafer ２．Deposition (成膜)

(CVD法/熱酸化法

３．Photoresist Coating(涂怖光阻

(Spin coater)

光光Photo mask ４．Expouse (暴光)光掩膜

(Stepper)

５．Developing (显影)

(Developer)

６．Etching (蚀刻)

７．不純物注入

(离子(ion)注入法、拡散法)

８．Resist stripping (剥离)

(Stripper)

以上１～(７)、８を繰返し、回路Patternを形成する。

反复操作以上1到(7)，8程序，形成回路Pattern。

１．Cleaning (洗净) machine

WET bench ２．Deposition (成膜)

(CVD 法/熱酸化法等)

３．Photoresist Coating (涂怖光阻)

(Spin coater)

４．Expouse (暴光)

(Stepper)

５．Developing ( (Developer)

６．Etching (蚀刻)

WET bench

７．不純物注入

(离子(ion)注入法、拡散法)

８．Resist stripping (剥离)

(Stripper)

工业工程专业部分题库(及答案)

工业工程专业部分题库(及答案) 一.填空题: 1.标准时间＝观测时间*评比系数/正常评比*(1+放宽率) 2.1MOD＝ 0.129 秒 3.平准化法：将熟练，努力，工作环境和一致性四者作为衡量工作的主要评比因素，每个评比因素再分为超佳、优、良、平均、可、欠佳六个高低程度的等级. 4.测时方法有归零法周程测时法累积计时法连续测时法四种. 5. MOST是Management Operation Standard Technique的缩写,即动作分析方法. 6.动作分析方法有目视动作分析动素分析影片分析三种. 7.动作经济原则的四大黄金准则(ECRS)取消, 合并,重排,简化. 8.人体的动作分为5等级.人体动作应尽可能用低等级动作得到满意的结果. 9. 动素分析（Therblig）的基本动作元素有18种. 10. 工作抽样中获得记录结果的概率分布为正态分布。 11, 最早提出科学管理的人是美国,国的泰勒; 12, 工业工程-‘IE’是INDUSTRIAL ENGINEERING两英文单词的缩写; 13, 标准时间由作业时间和宽放时间组成; 14, 生产的四要素指的是人员,机械设备,原材料和方法; 15, 写出以下工程记号分别代表的内容: ○--- (加工) ◇---- (质量检查)； □--- (数量检查) ▽----- (储存) 16．美国工业工程师学会(AIIE)于1955年正式提出，后经修订的定义，其表述

为：“工业工程是对人员、物料、设备、能源和信息所组成的集成系统进行设计、改善和设置的一门学科，它综合运用数学、物理学和社会科学方面的专门知识和技术，以及工程分析和设计的原理与方法，对该系统所取得的成果进行确定、预测和评价。” 17.IE的核心是降低成本、提高质量和生产率。 18.IE的功能具体表现为规划、设计、评价和创新等四个方面。 19.物料需求计划系统，简称_MRP_系统。 20. 模特法(MOD)将人体基本动作划分为两类，它们是移动动作和终结动作。 21.模特法将动作归纳为21种。 22.根据不同的调查目的，操作分析可分为人机操作分析、联合操作分析和双手操作分析。 21．基本生产过程包括操作过程、检验过程、运输过程、存储过程。 22．工作抽样中获得记录结果的概率分布为正态分布。 23. 作业宽放包括组织性宽放和技术性宽放。 24.方法研究的内容有程序分析操作分析动作分析。 25.线路图主要用于搬运或移动线路的分析。 26. 预定时间标准法简称PTS法。MOD法中M4G3＝0.903。 27．所谓标准资料是将直接由作业测定所获得的大量测定值或经验值分析整理，编制而成的某种结构的作业要素正常时间的数据库。 28.IE的最高目标是提高系统的总生产率。 29．通过对以人为主的工序的详细研究，使操作者操作对象操作工具三者科学的组合、合理地布置和安排，达到工序结构合理，减轻劳动强度，减少作业的工

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

基础工业工程各章节作业习题答案.doc

各章节作业习题 ※<第一、二章> 1.什么是工业工程？试简明地表述IE的定义。 2.如何理解工业工程的内涵？ 3.试述经典IE与现代IE的关系。如何理解经典IE是现代IE的基础和主要部分？ 4.如何理解工业工程与生产率工程的关系？ 5.IE学科的性质如何，这样理解这一性质？ 6.IE学科与相关学科的关系是什么？ 7.IE的学科范畴包括哪些主要知识领域？企业应用的主要领域是哪些？ 8.企业工业工程师要求具备什么样的知识结构？ 9.什么是IE意识？为什么说“掌握IE方法和技术是必要的，而树立IE意识更重要”？ ※<第三章生产率概述> 1.企业的生产运作有哪几种类型？各有什么特点？ 2.企业生产运作与管理存在的主要问题是什么？ 3.生产率从本质上讲反映的是什么？ 4.生产率测评的意义是什么？

5.生产率测评的种类与方法有哪些？ 6.提高生产率的方法有哪些？ ※<第四章工作研究> 1.什么是工作研究？工作研究的对象、特点是什么？ 2.工作研究的内容和分析工具是什么？ 3.工作研究包括哪些内容？工作研究的两种技术的关系如何？ 4.工作研究的步骤是什么？ 5.方法研究的概念、特点与目的是什么？ 6.方法研究的内容是什么？ 7.方法研究的基本步骤有哪些？ ※<第五章程序分析> 1．程序分析的概念、特点、种类是什么？ 2．程序分析的步骤和常用工具是什么？ 3．工艺程序分析的概念、特点和分析对象是什么？ 4．工艺程序图的组成和作用规则是什么？ 5．工艺程序图有哪几种基本形式？ 6．流程程序分析的概念、特点和种类是什么？

7．布置和经路分析的概念、特点、目的是什么？ 8．布置和经路分析的种类有哪些？ 9．任意选定一个超市，绘出其设施布置简图以及顾客移动路线图，分析现行布置的优缺点，提出改进意见。 10．某空气调节阀由阀体、柱塞套、柱塞、座环、柱塞护圈、弹簧、O型密封圈、锁紧螺母、管堵等组成。各组成部分的加工工艺和装配顺序如下：（1）阀体：切到规定长度、磨到定长、去毛刺、钻铰4孔、钻铰沉头孔、攻螺纹、去毛刺、检验与柱塞以及柱塞套组件装配、加锁紧螺母、加管堵、检查、包装、贴出厂标签、最终检查、出厂。（2）柱塞套：成型、钻、切到长度、加工螺纹、钻孔、去毛刺、吹净、检查与柱塞组件装配、装配后在加弹簧与阀体装配。（3）柱塞：铣、成型、切断、检查与座环组件装配，装配后在加O 形环与柱塞套装配。（4）座环：成型、钻、切断、检查与柱塞护圈装配，装配后组件加O形环与柱塞装配。（5）柱塞护圈：成型、钻、攻内螺纹、套外螺纹、检查与座环装备。根据给定的资料数据，绘制出该空气调节阀的工艺流程图。 11．某产品的制造工艺过程如表4-1所示，绘制该产品流程程序图。（表格） 12．某汽车零部件生产产家，打算组装汽车内部用来连接电气零部件的电线，并将其制作成一个用组合电线。现行设施布置以及物流路线

光刻工艺简要流程介绍

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。

目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120℃,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。

工业工程基本知识点汇总汇编

1, 简述什么叫生产线平衡? 依照流动生产线的工程顺序,从生产目标算出作业周期时间,将作业分割或结合,使各个工位的工作负荷达到均匀,提高生产效率的技法叫生产线平衡; 2, 一般在什么情况下必须进行现场改善? 1), 生产系统发生变更时; 2), 因技术的进步变化时; 3), 设计变更时; 4), 现状的工场布置效率低时; 5), 生产量常有增减时; 6), 现场必须移动时; 7), 新产品投入时 5,请说说作为一名IE工程师应具备哪些条件? 问题的创造能力,问题的解决能力,抽象化能力,综合能力,创造能力,经济性价值判断能力,理解人际关系能力,表现能力,推销自己的能力等; 6.标准时间由作业时间,宽放时间组成; 7.生产的四要素指的是人员,机械设备,原材料和方法 8.生产效率指的是在单位时间内实际生产的合格品数量与标准产能的比值; 9.作业周期指的是加工对象从投入至产出所需要的总时间 10.通常作业的基本动作有:伸手,搬运\,抓取,放手,拆卸,安置,旋转,加压等 11.影响生产质量的因素有: 人员,机器,设备,方法,环境及材料等 12.通常产品投放流水线时主要依据工程作业流程图文件进行排拉作业; 13. ‘5S’管理中,5S指的是整理,整顿,清扫,清洁,素养 14, ○--- (加工) ◇---- (质量检查) □--- (数量检查) ▽----- (储存) 15.质量改善循环‘PDCA’指的是计划,执行,检查,矫正 16. ‘PTS’指的是预定动作时间标准法; 17,ISO是(国际化标准组织INTERNATIONAL ORGANIZATION FOR STANDARDIZATION INTERNATIONAL ORGANIZATION STANDARDIZATION) 18, ISO-2000版体系文件包括: 质量手册/QM,程序文件/QP,作业指导书/OP,窗体/WI四阶文件; 19.ERP （Enterprise Resourse Planning）企业资源规划。它是一个以管理会计为核心的信息系统，识别和规划企业资源，从而获取客户订单，完成加工和交付，最后得到客户付款。ERP将企业内部所有资源整合在一起，对采购、生产、成本、库存、分销、运输、财务、人力资源进行规划，从而达到最佳资源组合，取得最佳效益。 20.MRPⅡ（制造资源计划）是先进的现代企业管理模式，目的是合理配置企业的制造资源，包括财、物、产、供、销等因素，以使之充分

基础工业工程课后习题答案

第二章 #1.什么是工业工程？是简明地表述IE的定义。答：工业工程是对人、物料、设备、能源、和信息等所组成的集成系统，进行设计、改善和实施的一门学科，它综合运用数学、物理、和社会科学的专门知识和技术，结合工程分析和设计的原理与方法，对该系统所取得的成果进行确认、预测和评价。” IE是这样一种活动，它以科学的方法，有效地利用人、财、物、信息、时间等经营资源，优质、廉价并及时地提供市场所需要的商品和服务，同时探求各种方法给从事这些工作的人们带来满足和幸福。 @#2.如何理解工业工程的内涵？答：的核心是降低成本、提高质量和生产率。提高质量是提高生产率的前提和基础，提高生产率是IE的出发点和最终目的。把降低成本、提高质量和生产率联系起来综合研究，追求生产系统的最佳整体效益，是反映IE内涵的重要特点。是综合性的应用知识体系。IE是一个包括多种学科知识和技术的庞大体系，实际是把技术和管理有机地结合在一起的科学。应用注重人的因素。生产系统的各组成要素中，人是最活跃和不确定性大的因素。是系统优化技术。 3.试述经典IE与现代IE的关系。如何理解经典IE是现代IE的基础和主要部分？答：经典IE重视与工程技术相结合（不知道） 4.如何理解工业工程与生产率工程的关系？答：工业工程与生产率工程有着共同的目标——提高企业的生产率；工业工程技术和方法是企业提高生产率的直接途径，即工业工程师生产率工程的基础；工业工程技术的发展将推动生产率管理和控制方法的改善，而生产率改善方法的创新、发展将促进生产率的发展；生产率工程的发展将丰富工业工程技术、方法，推动工业工程的发展。学科的性质如何，怎样理解这一性质？答：IE是一门工程学科；为使生产系统有效运行，IE技术人员要不断对其加以改善，因而必须对系统及其控制方法进行模拟、实验、分析研究。选择最好的改进方案。所以，IE是一门工程学科。学科与相关学科的关系是什么？答：与管理。IE与管理的目的一致，只是做法不同与系统工程。系统工程是现代IE的技术基础和方法学。的学科范畴包括哪些主要知识领域？企业应用的主要领域是哪些？答：生物力学；成本管理；数据处理与系统设计；销售与市场；工程经济；设施规划（含工厂设计、维修保养、物料搬运等）；材料加工；应用数学；组织规划与理论；实用心理学；人的因素；工资管理；人体测量；安全；职业卫生与医学。 IE的学科范畴：管理科学、系统工程、运筹学、工效学。应用领域：制造业建

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械

工业用地项目审批流程

工业用地项目审批流程在宝泉岭经济技术开发区办理工业用地手续的，需按下列程序办理。一、用地单位提出用地申请接件单位：宝泉岭国土资源所申请用地单位提交材料： 1、农垦宝泉岭分局或上级人民政府有关部门下达的建设项目批准文件； 2、宝泉岭分局城镇规划局出具的规划选址意见书 3、建设项目的平面布置图；建筑面积的核算表宝泉岭国土资源所对用地单位提交的材料进行审查，经审查，申请用地单位提交的材料齐全且有效之日起3个工作日报宝泉岭国土资源分局主管副局长。二、用地现场踏查宝泉岭国土资源分局主管副局长在接到宝泉岭国土资源所申请现场踏查之日起3个工作日，组织有关科室进行现场踏查。主要查看：1、查看现场，确定选址位置的用地条件，看是否是耕地、是否是基本农田、是否符合宝泉岭农场土地利用总体规划。2、查看宝泉岭城镇地籍调查情况，看用地现场的现状是否符合农垦宝泉岭分局城镇规划局下达的选址面积；3、区分不同情况（是否符合土地利用总体规划、是否占用耕地、是否占用基本农田），向有关科室、国土资源所下达工作任务。三、用地预审接件单位：宝泉岭国土资源所承办单位：宝泉岭国土资源分局规划利用科（一）农垦宝泉岭分局批准的建设项目用地申请单位应提交的材料： 1、建设项目用地预审申请表

2、用地预审申请 3、建设项目立项批准文件 4、建设项目可行性研究报告 5、环评报告 6、补充耕地方案 7、补充耕地的位置图 8、建设项目平面布置图宝泉岭国土资源所审查用地申请单位应提交的材料，是否齐全有效，齐全有限之日起2个工作日内，组卷报宝泉岭国土资源分局规划利用科。宝泉岭国土资源分局规划利用科对宝泉岭国土资源所提交的材料审查合格后，2个工作日内报局领导审批，并出具用地预审文件。（二）省政府及有关部门批准的建设项目宝泉岭国土资源所按（一）要求组卷上报，宝泉岭国土资源分局规划利用科初审，报局领导审查批准后，报农垦总局国土资源局，由农垦总局国土资源局报省国土资源厅。审批机关：黑龙江省国土资源厅四、宗地测量接件单位：宝泉岭国土资源所承办单位：黑龙江省宝泉岭农垦金土测量有限公司用地预审通过后，由宝泉岭国土资源所委托黑龙江省宝泉岭农垦金土测量有限公司进行宗地定界、面积的测量。工作时限：5个工作日（确定土地使用权人后，由土地使用权人向黑龙江省宝泉岭农垦金土测量有限公司缴纳测量费）五、农用地转为建设用地接件单位：宝泉岭国土资源所

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结：半导体元件制造过程可分为前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型）半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

基础工业工程知识点

《基础工业工程》课后习题第一章生产与生产率管理 1、企业的生产运作有哪几种类型？各有什么特点？（一）离散型制造企业：（1）车间任务型生产：①每项生产任务仅使用整个企业的一小部分能力和资源②生产设备一般按机群方式布置。（2）流水线型生产：①工作地专业化程度高，按产品或加工对象组织生产②生产按节拍进行，各个工序同期进行作业，重复相同的作业内容③各道工序的单件作用时间与相应工序的工作地（或设备）数比值相等④工艺过程是封闭的。（二）流程型制造企业：流程型制造是指通过对于一些原材料的加工，使其形状或化学属性发生变化，最终形成新形状或新材料的生产方式。（三）重入离散型制造企业：重入型制造是指产品或零件在制造过程中被某些机器（至少一台）重复加工两次以上。（四）服务型企业：必须以为人们提供服务，以社会服务为中心组织生产，努力使顾客满意。 2、企业生产运作与管理存在的主要问题是什么？浪费严重，无效劳动普遍存在，现场环境较差。 3、生产率从本质上讲反映的是什么？资源的有效利用程度。 4、生产率测评的意义是什么？ ①定期或快速评价各种投入资源或生产要素的转换效率及系统效能，确定与调整组织发展的战略目标，制定适宜的资源开发与利用规划和经营管理方针，保证企业或其他组织的可持续发展。②合理确定综合生产率目标水平和相应的评价指标体系及调控系统，制定有效提高现有生产率水平、不断实现目标要求的策略，以确保用尽可能少的投入获得较好或满意的产出。③为企业或组织的诊断分析建立现实可行的“检查点”，提供必要的信息，指出系统绩效的“瓶颈”和发展的障碍，确定需优先改进的领域和方向。④有助于比较某一特定产业部门或地区、国家层次中不同微观组织的生产率水平及发展状况，通过规范而详细的比较研究，提出有针对性的并容易被人们所接受的提高与发展方案和相应的措施，以提高竞争力，求得新的发展。⑤有助于决定微观组织内各部门和工作人员的相对绩效，实现系统内各部分、各行为主体间利益分配的合理化和工作的协同有序，从而保证集体努力的有效性。 5、生产率测评的种类与方法有哪些？（一）按生产系统投入资源或要素范围分类：劳动生产率，资本生产率，设备生产率，能源生产率，原材料生产率，成本生产率。（二）按生产系统的运作结果分类：狭义生产率，广义生产率。（三）按生产率测评层次和对象分类：国民经济生产率等。（四）按生产率测评的方式分类：静态生产率，动态生成率指数。 6、提高生产率的方法有哪些？外部：①全社会管理者和职工对提高生产率的态度；②提高生产率的经济和环境方面的要素。内部：①工厂布置、机器和设备②成本会计和降低成本的技术③生产的组织、计划和控制④人事策略

工业项目申请办理全流程

第一步：工业园区签订协议第二步：项目核准备案（市发改委窗口或工业园区办理）提交材料： 1、营业执照； 2、用地协议； 3、项目简介（核准项目提供可研报告）； 4、申请报告（市发改委窗口受理、办理时限1-2个工作日办结）。第三步：规划选址意见书（含设计条件）（规划局窗口）提交材料： 1、项目核准备案批文； 2、与工业园区签订的协议； 3、地形图2xx； 4、建设项目选址意见书申请表（加盖印章）； 5、相关单位审核意见办理程序：窗口受理→经办人现场勘查→局（分局）业务会通过→并联审批会通过（需征求相关部门意见）→窗口审批

时限：选址5个工作日，设计条件10个工作日征用土地：与园区签订意向性用地协议（国土部门预审通过的）→核准备案、选址→国土局（分局）组织实施挂牌→市政府批准后→出让金（企业缴纳）→登记、发证（需出公告的，公告期15天）第四步： 1、企业委托设计单位设计规划总平面方案，单体方案（符合资质要求的设计院）（重大工程或涉及主次干道的项目，先设计总平面规划方案，待总平面规划方案审查通过后，再设计单体方案） 2、企业委托有资质的环评机构做环境影响评价报告表（书）第五步：建设用地规划许可证（含总平面方案、单位方案审查）（规划局窗口）提交材料： 1、申请表（加盖印章）； 2、选址意见书设计条件及地形图； 3、方案电子文件及平面规划图2xx； 4、相关单位部门审核意见； 5、规划部门要求提供的其他材料； 6、项目核准备案批文办理程序：窗口受理→现场勘查→局（分局）业务会通过→（需征求相关部门意见）中心并联审批会通过→窗口审批时限：

基础工业工程(易树平)作业习题

基础工业工程作业习题 ——重庆大学易树平教授说明：所有内容整理自重庆大学易树平教授负责的精品课程，仅供交流学习之用，请勿用于商业用途。涉及版权问题，请直接联系版权所有者。如本百度文库文档侵犯了版权所有者版权，请留言，吾当立即撤除。第一章生产率与生产率管理 (一)选择题 1．生产率的定义是( )。 A．一切经济价值的源泉B．产出与投入之比C．衡量生产系统转换效率D．生产要素(资源)的使用效率 2．按测定方式分类，生产率可分为( )。 A．静态生产率和动态生产率 B．直接劳动生产率和总成本生产率 C．劳动生产率，资本生产率，原材料生产率，能源生产率，总成本生产率，外汇生产率 D．单要素生产率、多要素生产率、全要素生产率 3．IE的最高目标是( )。 A．提高生产效率B．提高劳动生产率 C．降低成本D．提高系统的总生产率 (二)填空题 1. 生产率就是____与____之比。生产率实际上是衡量____的使用效率。 2. 产出与投入比值愈大，即____愈高，意味着用____资源消耗，能够生产较多的产品；或者说生产同样的产品而花费的成本____，具有____效益。 (三)简答题 1．何谓单要素生产率? 2．何谓多要素生产率? 3．试分别写出静态生产率和动态生产率表达式。解答： (一) 选择题 1 B 2 A 3 D (二)填空题 1. 解产出投入生产要素 2. 解生产率同样多的较少更高的 (三)简答题 1．何谓单要素生产率? 。答单要素生产率是指一种生产过程的实际产出量对某一种给定要素的实际投入量之比，如劳动生产率、资本生产率、材料生产率、能源生产率等各种要素生产率。 2．何谓多要素生产率? 答多要素生产率是指一种生产过程的实际产出量对某几种要素的实际投入量之比，它表明几种要素的综合使用效率。 3．试分别写出静态生产率和动态生产率表达式。答静态生产率：

工业项目建设前期所涉及的行政审批事项

工业项目审批流程说明工业项目建设前期所涉及的行政审批事项有13项，竣工验收阶段有5项。其中：一、建设前期行政审批事项。 1、选址、红线。项目供地后，业主须先至规划局用地规划科办理《建设项目选址意见书》并划定用地红线图。须提供的相关收件材料包括：授权委托书、委托代理人身份证复印件、《建设项目选址意见书》纸质申请表并加盖公章，说明申报原因、建设规模、建设方案实施设想的申请报告，并由开发区国土规划建设局提供同意选址的函件。办理时限为20个工作日。选址结束后，业主应立即委托有资质设计院进行厂区总平布置设计，并确定用电、用水、通讯需求。 2、基建立项。计委办理基建立项手续，所须提供的材料包括：开发区经发局建设项目申请表、法人代表身份证明（复印件）、投资者开业证明（复印件）、选址意见书及红线图复印件及扩建项目总平面布置图。办理时限为7个工作日。 3、环评审批。环保局环保监督管理科，办理时限3-10个工作日（登记表3个工作日，报告表5个，报告书10个）。须提供的相关材料包括申请报告、可行性研究报告、立项批复、建设项目基本情况概况和平面图、红线图、选址意见书、总平面图、管线综合图，或建筑使用功能确认函、环境影响登记表或有资质评价单位编制的环境影响报告表（含行业主管部门预审意见）或有资质评价单位编制的环境影响报

告书（报批稿）（含行业主管部门预审意见及环境影响报告书专家审查意见）；登记表或报告表或报告书在环评初审阶段确定。 4、总平审批即办理《建设用地规划许可证》。规划局用地规划科，办理时限20个工作日。须提供的收件材料包括：授权委托书原件、代理人身份证复印件（若与选址是系同一人可不提供）、申请报告、《建设用地规划许可证》申请表加盖单位公章、选址意见书及附件复印件、总平面规划方案图纸(1：500)一式八份及相应的电子文件光盘一份、立项批文复印件、工商营业执照复印件、“企业法人登记证”复印件(限于新设立企业法人在选址阶段未提供的项目)、涉及征求相关部门意见的项目，应提交相关部门意见原件。总平审批后应委托有资质的地质勘察单位进行施工图设计前的地质勘探工作，待地勘报告出来后，委托设计院进行施工图设计，并经施工图审查单位审图后（由设计院负责委托），由规划局组织进行管综（综合管线总平面规划图）会审并进行施工图审查。即 5、建筑设计方案审查。规划局建审科，办理时限10个工作日。提供的收件材料包括：授权委托书原件、代理人身份证复印件、申请报告、《建筑方案设计规划审查意见书》电子申请表、立项批复、批准的总平面规划图复印件、综合管线总平面规划图及会审纪要复印件、《建设用地规划许可证》及附件复印件、《建设用地批准书》及附件或《土地使用权证》复印件、方案设计图及设计说明文件一式三份（含绿地系统系统平面图、交通系统平面图、透视效果图原件，审查后退还二份）、方案设计阶段电子图形文件1份、提供设计单位盖章的建筑面

芯片制作工艺流程

芯片制作工艺流程工艺流程 1) 表面清洗晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反

第九章_基本光刻工艺流程-显影到最终检验

第九章基本光刻工艺流程-曝光到最终检验概述在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法。本章末尾将涉及膜版工艺的使用和定位错误的讨论。目的完成本章后您将能够： 1.划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。 2.列出显影的方法。 3.解释硬烘焙的方法和作用。 4.列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个原因。 5.划出显影-检验-重做工作过程的示意图。 6.解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。 7.列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器 8.解释最终检验的方法和作用。显影晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上（图9.1）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的膜版上图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是不完全显影，它会导致开孔的不正确尺寸，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下，显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第三个问题是过显影它会过多地从图形边缘或表面上去除光刻胶。要在保证开孔的直径一致和由于清洗深孔时液体不易进入而造成的清洗困难的情况下保持具有良好形状的开孔是一个特殊的挑战。负和正的光刻胶有不同的显影性质并要求不同的化学品和工艺。负光刻胶显影在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理。负光刻胶暴露在光时会有一个聚合的过程它会导致光刻胶聚合在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率以使聚合的区域只失去很小部分光刻胶。对于大多数的负光刻胶显影二甲苯是受欢迎的化学品。它也在作负光刻胶中作溶液使用。显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶，通常使用n-丁基醋酸盐作为冲洗化学品，因为它既不会使光刻胶

工业建设项目报建流程

工业建设项目报建流程-证件办理明细一、办理项目选址意见书审批程序： 1、建设单位向区规划办领取规划用地审请表 2、填报表格，资料准备齐全后交规划初审、加具意见上报市规划局； 3、市规划局科审核，通过后核发《选址意见书》；提交资料： 1、选址意见书申请表二份 2、规划用地申请表一份 3、用地可行性报告二份 4、选址规划图三份 5、规划设计总平面图三份 6、单位设计方案二份电子文件 7、收费项目：规划测量：测量费为0、1元/亩规划设计费为15000元/公顷；计算机制图费2000-3000元/份 8、联系人：区规划办（区府联系人：联系电话：镇区规划办市规划局规划科：地址：二、购买土地 1、买卖双方确认价格，，实地测量，卖方提供用地红线图。

2、公司提供规划方案图。（平面图）卖方协助办理相关手续。 3、联系部门：联系人：联系电话：三、用水、用电、锅炉、电梯、电视、电话申请 1、用电申请（供电局）：报手续及报装费均由建设单位承担 2、用水申申请（自来水公司）：联系电话：联系人： 3、电话申请（电信局）：联系人：联系电话：申装费：2000元/对工料费：300元/对 4、有线电视申请联系人：联系电话：费用： 5、锅炉报装、电梯报装均（质量监督局）由施工方负责，此项可与公司外事联系人：联系电话：四、地质勘探 1、委托地质勘探院进行地质勘探作地质报告，费用：55元/-已降至45元/至45元/。触探检测费用：300元/点（点地面积1000M2以内不少于6个点，以上部分每增加300M2增加一个点） 2、勘探院联系人: 五、新增建设用地预审审批程序：区国土局 1、建设单位向区规划办领取规划用地审请表领取项目用地预审申请表、填写： 2、建设单位备齐材料交国土分局初审； 3、国土局将有关预审材料送市发展中国家窗办文； 4、窗口收齐资料移交资源规划科审核； 5、国土局按照要求在5 个工作日内完成初审，加具初审意见

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold）封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form）剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于

(IE工业工程)工业工程从入门到精通

工业工程简介： 1．工业工程定义最具有权威性的和今天被广泛采用的美国工业工程学会（SIE）于1995年正式提出，后经修订的定义：工业工程，是对人员，物料，设备，能源和信息所组成的集成系统进行设计，改善和设置的一门学科。它综合运用数学，物理学，和社会科学方面的专门知识和技术，以及工程分析和设计的原理与方法，对该系统所取得的成果进行确定，预测评价。《美国大百科名书》（1982年出版）对IE的解释是：工业工程是一个组织中的人，物料和设备的使用及其费用作详细分析研究，这种工作由工业工程师完成，目的是使组织能够提高生产率，利润和效率。工业工程专家Philipe Hicks博士指出：工业工程的目标就是设计一个生产系统及该系统的控制方法，使它以最低的成本生产具有特定质量水平的某种或几种产出，并且这种生产必须是在保证工人和最终用户的健康和安全条件下进行。从上可看出，工业工程的目标就是使生产系统投入的要素得有效利用，降低成本，保证质量和安全，提高生产率，获得最佳效益。 2．工业工程研究范围：美国国家标准ANSI-294（1982年修订版），把IE分为17个分支：生物力学，成本管理；数据处理与系统设计；销售与市场；工程经济；设施规划；材料加工（含工具设计。工艺研究，自动化等）；应用数学（含运筹学，管理经济学，统计质量控制，统计学）；组织规划；生产规划与控制（含库存管理，运输路线，调度和发货等）；实用心理学；方法研究作业测定；人的因素；工资管理；人体测量；安全；职业卫生与医学。 3．现代IE的基本工作内容及特点： 1）核心是降低成本，提高质量和生产率。 -------如果用一名话来表明工业工程师的抱负的话，就是生产率。 2）I E是综合性的应用知识体系。 3）注重人的因素是IE区别于其它工程学科的特点之一生产系统和各种组成要素中，人是最活跃的和不确性最大的因素。I E为实现其目标，在进行系统设计，实施控制和改善的过程中，都必须充分考虑到人和其它要素这间的关系和相互作用，发人为中心行设计。 4）I E 重点是面向微观管理。为达到减少浪费，降低成本的目的，IE重点面向微观管理，解决各种管理问题，从制订作业标准和劳动定额，现场管理优化直至各职能部门之间的直辖市和管理改善，都需要I E发挥作用。 5）I E是系统优化技术。 I E所强调的优化是系统整体的优化，不单是某个生产要素（人，物料，设备…….）或某个局部(工序,生产线,车间…….)的优化，其最终目标是追求系统整体最佳的效益（最少投入，最大产出）特别指出的是：生产系统的优化不是一次性，I E所追求的也不是一时的优化，而是经常地研究系统的优化，对系统不断地更新，以使其适合新的工艺。新的管理方式，永远获得更高的综合效益。