医学影像物理学 第六章学习指南

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第六章 超声成像

教学大纲要求

了解声强、声压、声强级的基本概念,声波在媒质中的传播规律,掌握超声成像的基本原理,了解超声波的特性及其在医学中的应用,了解各种超声诊断仪。 重点和难点

声波在媒质中的传播规律,超声成像的基本原理和基本规律,B 超和多普勒彩超技术的成像特点。

教学要点

一、声波

1.声波的基本概念

(1)声波(sound wave )、超声波、次声波

频率为20~20000 Hz 的机械纵波(液体和气体中传播时)可以引起人的听觉,称为声波;频率高于20000 Hz 的机械波称为超声波;频率低于20Hz 的机械波称为次声波。

(2)声压(sound wave )

当声波在介质中传播时,介质的密度作周期性变化,稠密时压强大,稀疏时压强小,在某一时刻,介质中某一点的压强与无声波通过时的压强之差,称为该点的瞬时声压。用P 表示,对于平面简谐波而言,t 时刻的声压为

?????

?+-=2)(cos πωωρc x t cA P 式中,ωρcA P m =称为声压幅值。

(3)声阻(acoustic impedance )

声压与声速的比值,表征介质声学特性的一个重要物理量,其大小取决于介质密度与声速,即

c A cA P Z m m

ρω

ωρυ=== (4)声强(intensity level )

单位时间内通过垂直于声波传播方向的单位面积的声波能量,用I 表示

Z

P I cA c I m 2 21222===或ωρε (5)声强级(intensity of sound )

是用对数的标尺量度声强的物理量。取1000 Hz 声音的听阈值2120W.m 10--=I 为国际

标准声强,则声强级定义为

dB lg 100

I I L = (6)多普勒效应(Doppler effect )

当声源与接收者相对与媒质发生相对运动时,接收者收到的声波频率与声源发出的声波频率出现不相同的现象,称为多普勒效应。

(7)多普勒效应频率公式

0cos cos να

βννu c c μ±= 其中ν为接收者收到的声波频率,ν0为声源发出声波的频率,c 为声速,u 为声源运动速度,υ为接收者运动速度,α为声源运动方向与接收者和声源连线方向间的夹角,β为接收者运动方向与接收者和声源连线方向间的夹角,分子中的加号和分母中的减号适用于接收者和声源相对运动的情况,而分子中的减号和分母中的加号则适用于二者背离运动的情况。

(8)多普勒频移

发射频率与接收频率之差称为频移。可表示为

ννν-=?0

2.声波在介质中的传播

(1)声强反射系数I r 和透射系数I t ,

声波垂直入射时有

22121221221)(4 ;)()(Z Z Z Z I I t Z Z Z Z I I r i t I i r I +==+-==

式中,21Z Z >>时,0=I r ,1=I t 发生全透射;当Z 1 ≈ Z 2时,0=I t ,1=I r 发生全反射。

(2)衍射与散射

1)声影(acoustic shadowing ) 由于障碍物线度较大,声波不能完全绕过障碍物,在障碍物之后,存在声波不能达到的空间,称为声影。声影在图像上表现为暗区,是探测不到的盲区。

2)散射 当声波传到障碍物上时,如果介质中存在许多悬浮粒子,这些粒子又将成为新的波源而向四周发射超声波,有一部分声能就要偏离原来的传播方向,这种现象,称为声波的散射。

(3)干涉与驻波

声波的干涉(interference of sound wave ) 当两列相干声波在媒质中相遇时,有些质点因为两个声波的叠加而使振幅增加,有些质点则因声波的叠加而使振幅减弱,因此在媒质中形成一个强弱稳定分布的声场,这种现象称为声波的干涉。

驻波(standing wave ) 频率相同,振动方向相同,相差恒定,传播方向相反的两列相干声波叠加而成。主要特点是在驻波区域没有能量的传播,只有质点的振动。形成驻波时,驻波场是一个振动体,其频率与入射波频率相同,但最大振幅增值一倍。

(4)驻波比r

表示驻波的发生程度,可表示为

mr

mi mr mi P P P P r -+= 其中,mi P 和mr P 分别表示入射波和反射波的声压幅值。当0P =mr ,r =1驻波不存在;当mr mi P P =,r ≈∞,驻波比为无穷大,即全反射驻波。

(5)声通量反射系数φr 和透射系数φt

2cos cos p I i r I i r r r r r ====

θθφφφ 22

1cos cos cos cos p i i i t I i t t Z Z t t θθθθφφφ=== 其中I r 为声强反射系数,p t 为声压透射系数,Z l 、Z 2分别为界面两侧介质的声阻抗,显然,声通量的透射系数与声强的不一样。

3.声波在介质中的衰减规律

(1)声波的衰减(attenuation of sound wave )

声波在介质中传播时,随着距离的增加,其声强逐渐减弱,这种现象称为声波的衰减。

(2)声波衰减的主要原因

1)扩散衰减 由于声波在空间传输中由能量分布的改变造成的衰减,如反射、折射、波阵面表面的扩大造成单位截面积通过的声能减少。

2)散射衰减 散射过程可以看成是声波与众多的散射中心的多次相互作用的过程,作用的结果是部分声能转化为热能而散失掉。

3)吸收衰减 吸收衰减的本质是声能转变为其它形式的能量,包括热能及其它形式的机械能等。

(3)球面波扩散衰减公式

2200r

r I I = (4)吸收衰减公式

ax e I I -=0

式中,I 0为x =0处入射波声强,a 为介质的衰减系数,x 为传播距离。

二、超声波

1.超声与物质的相互作用

(1)超声与物质的相互作用

1)机械作用 高频超声波通过介质时,使介质中粒子作受迫高频振动,其加速度可达重力加速度的几十万至几百万倍,这种强烈的机械振动能破坏物质的力学结构。

2)空化作用 高频大功率超声通过液体时,液体中产生疏密变化,稠区受压,稀区受拉。在受拉时,因为液体承受拉力的能力很差,特别是在含有杂质和气泡处,液体将被拉断,形成空腔。在受压时,使空腔迅速闭合,从而产生局部高压、高温和放电现象,称为空化作用。空化作用可被用来清洗精密仪器的内部、雾化、乳化以及促进化学反应发生等多方面。

3)热作用 当超声波在介质中传播时,将会有一部分能量被介质吸收而转化为热量,引起介质温度升高,称为热效应或热作用。超声波的热效应可以用于临床理疗。

(2)压电效应(piezoelectric effect )

当压电晶体的两个表面受到压力或拉力时,它的厚度将发生变化,在晶体的两个表面出现等量异号电荷,这种机械能转变成电能的现象称为压电效应;反之,在晶体表面施加交变电场,晶体的厚度将沿着电场的方向而变化,在媒质中出现伸缩,这种现象称为逆压电效应。

(3)超声探头

超声探头又称作超声换能器,由压电晶体构成。有单晶片、多晶片、旋转探头和多普勒探头。

2.超声场轴线上的声压分布

(1)超声场轴线上的声压分布(圆形活塞声源)

??? ??-??

???????????????????? ??-+=D t X X D P P λπωλπsin 4sin 2220 式中0P 为圆形晶体表面的声压幅值,D 为晶体直径,λ为超声波长。

其中声压幅值为

???????????? ?

?-+=X X D P P m 2204sin 2λπ (2)近场区(near field region )内的声压分布

1)声压极小值 0)2(2

2>-λn D ,即λ

2D n <(取正整数) 2)声压极大值 0)12(222>+-λλm D ,即λλ2-

λ2

24a D L ==(a 晶片半径) (3)远场区(far field region )内的声压幅值分布

X A P X

A P P m 112sin 200?≈??? ???=λλ 声压随声程距离X 作单值变化。

3.超声场的角分布

(1)声压的空间角度分布 ??????=θθλsin )sin (210

ka ka J r A P P

其中r 为圆片中心到场点的距离,θ为r 与轴线之间的夹角,J 1为第一类贝塞尔函数。

(2)指向性因数c D

距晶片中心距离为r 并与声场的中轴线成θ角处的声压与中心轴线上同样距离r 处的声压之比,用公式表示为

θ

θθsin )sin (2)0,(),(1ka ka J r P r P D c ==

(3)半扩散角 D λθ22

.1sin 1-=(圆形晶片直径D )

4.声束聚焦 聚焦声束轴上的声压幅值(x > a ,f >a )

???? ??-÷?????????? ??-??=f x f x x f B P P m 112

sin 20π 其中f

L f a B ==λ2,当x → f 时,p = p 0πB ,说明聚焦距离愈短,声压上升幅度越高,聚焦效果愈好。但焦距不能比近场距离小得太多,否则焦点后面声束迅速扩散,无法探测信息。

三、超声成像的基本方法

1.超声成像简介

超声是超过正常人耳能听到的声波,频率在20000赫兹(Hertz ,Hz )以上。超声检查是利用超声的物理特性和人体器官组织声学性质上的差异,以波形、曲线或图像的形式显示和记录,借以进行疾病诊断的检查方法。20世纪40年代初就已探索利用超声检查人体,50年代已研究、使用超声使器官构成超声层面图像,70年代初又发展了实时超声技术,可观察心脏及胎儿活动。超声诊断由于设备不似CT 或MRI 设备那样昂贵,可获得器官的任意断面图像,还可观察运动器官的活动情况,成像快,诊断及时,无痛苦与危险,属于非损伤性检查,因此,在临床上应用已普及,是医学影像学中的重要组成部分。不足之处在于图像的对比分辨力和空间分辨力不如CT 和MRI 高。

2.USG 的成像基本原理

(1)超声的物理特性

超声是机械波,由物体机械振动产生。具有波长、频率和传播速度等物理量。用于医学上的超声频率为2.5~10MHz ,常用的是2.5~5 MHz 。超声在介质中传播的速度因介质不同而异,在固体中最快,液体中次之,气体中最慢。在人体软组织中约为15001

-?s m 。介质有一定的声阻抗,声阻抗等于该介质密度与超声速度的乘积。

1)超声在介质中以直线传播有良好的指向性,这是可以用超声对人体器官进行探测的基础。当超声传经两种声阻抗不同相邻介质的界面时其声阻抗差大于0.1%,而界面又明显大于波长,即大界面时,则发生反射,一部分声能在界面后方的相邻介质中产生折射,超声

继续传播,遇到另一个界面再产生反射,直至声能耗竭。反射回来的超声为回声。声阻抗差越大,则反射越强,如果界面比波长小,即小界面时,则发生散射。

2)超声在介质中传播还发生衰减,即振幅与强度减小。衰减与介质的衰减系数成正比,与距离平方成反比,还与介质的吸收及散射有关。超声还有多普勒效应,活动的界面对声源作相对运动可改变反射回声的频率。这种效应使超声能探查心脏活动和胎儿活动以及血流状态。

(2)超声成像的物理假定

1)声束在介质中以直线传播。

2)声波在各种介质中声速均匀一致(温度一定)。

3)在各种介质中介质的吸收系数均匀一致。

(3)超声的成像基本原理

人体结构对超声而言是一个复杂的介质,各种器官与组织,包括病理组织有它特定的声阻抗和衰减特性。因而构成声阻抗上的差别和衰减上的差异(见表6.1)。超声射入体内,由表面到深部,将经过不同声阻抗和不同衰减特性的器官与组织,从而产生不同的反射与衰减。这种不同的反射与衰减是构成超声图像的基础。将接收到的回声,根据回声强弱,用明暗不同的光点依次显示在荧屏上,则可显出人体的断面超声图像,这就是声像图(sonogram或echogram)。

表6.1人体不同介质的声速与声阻抗

介质密度(g·cmg-3)超声纵波速度(m·s-1)特征阻抗(105R*)测试频率(MHz)

空气水血液软组织肌肉骨脂肪肝0.001293

0.9934

1.055

1.016

1.074

1.658

0.955

1.050

332

1523

1570

1500

1568

3860

1476

1570

0.000429

1.513

1.656

1.524

1.684

5.571

1.410

1.648

2.9

2.9

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

*R(Rayls)=1kg·m-2·s-1

人体器官表面有被膜包绕,被膜同其下方组织的声阻抗差较大,形成良好界面反射,声像图上出现完整而清晰的周边回声,从而显出器官的轮廓。根据周边回声能判断器官的形状与大小。

(4)回声强度

超声经过不同正常器官或病变的内部,其内部回声可以是无回声、低回声或不同程度的强回声。

1)无回声是超声经过的区域没有反射,成为无回声的暗区(黑影),可能由下述情况造成:

①液性暗区由均质的液体构成,声阻抗无差别或相差很小,不构成反射界面,形成液性暗区,如血液、胆汁、尿和羊水等。这样,血管、胆囊、膀胱和羊膜腔等即呈液性暗区。病理情况下,如胸腔积液、心包积液、腹水、脓液、肾盂积水以及含液体的囊性肿物及包虫囊肿等也呈液性暗区,成为良好遗声区。在暗区下方常见回声增强,出现亮的光带(白影)。

②衰减暗区由于肿瘤(如巨块型癌)对超声的吸收,造成明显衰减,而没有回声,出现衰减暗区。

③实质暗区是均质的实质,声阻抗差别小,可出现无回声暗区。肾实质、脾等正常组织和肾癌及透明性变等病变组织可表现为实质暗区。

2)低回声 实质器官如肝,内部回声为分布均匀的点状回声,在发生急性炎症,出现渗出时,其声阻抗比正常组织小,透声增高,而出现低回声区(灰影)。

3)强回声可以是较强回声、强回声和极强回声:

①较强回声 实质器官内组织致密或血管增多的肿瘤,声阻抗差别大,反射界面增多,使局部回声增强,呈密集的光点或光团(灰白影),如癌、肌瘤及血管瘤等。

②强回声 介质内部结构致密,与邻近的软组织或液体有明显的声阻抗差,引起强反射。例如骨质、结石、钙化,可出现带状或块状强回声区(白影),由于透声差,下方声能衰减,而出现无回声暗区,即声影(acoustic shadow )。

③极强回声,含气器官如肺、充气的胃肠,因与邻近软组织之声阻抗差别极大,声能几乎全部被反射回来,不能透射,而出现极强的光带。

(5)时间增益补偿

1)在不同深度上的回波脉冲幅度由于其声程不同,造成的吸收程度也不同,这使回波脉冲幅度的差异很大,而回波幅度又决定了像点的亮度(灰度),同样声学性质的介质,在不同深度上,由于吸收衰减使回波亮度有很大差异,给成像造成困难,因此必须对不同深度上的回波进行增益补偿,使从深度部位声界面反射的回波信号的放大倍数较大,而距离换能器较近的反射信号,也就是时间上较早达到的回波信号的放大倍数较小。由此进行的幅度补偿称为时间增益补偿(time gain compensation, TGC ),也称深度增益补偿(DGC )或灵敏度时间补偿(STC )。

2)深度衰减规律

(6)USG 图像特点

1)回声强弱 声像图是以明(白)暗(黑)之间不同的灰度来反映回声之有无和强弱,无回声则为暗区(黑影),强回声则为亮区(白影)。

2)层面图像 改变探头位置可得任意方位的声像图,并可观察活动器官的运动情况。但图像展示的范围不像X 线、CT 或MRI 图像那样大和清楚。

(7)超声图像质量的评估

1)空间分辨力 横向分辨力和纵向分辨力。

横向分辨力是指在与超声波束垂直的平面上,能分辨开相邻两点间的最小距离,也就是分辨开这两点的能力。如圆形晶片的最小分辨距离a x Y λ2

.1=?,其中x 为两点到探头的距离,a 为晶片的半径。 纵向分辨力是指在超声传播方向上两界面回波不重叠时的最小距离。τc d 2

1=,其中τ为脉冲宽度,c 为声速。

2)对比度分辨力 指超声仪可显示不同灰阶细微差别的回声能力。图像的对比度主要取决于像素的大小。

3)图像的均匀性 指图像在整个显示画面内,能提供均匀分布的分辨力和清晰度的能力。

(8)伪像

由于成像系统原理上的不完善、技术上的限制、方法上的不全、诊断上的主观推断等客观条件和人为因素造成的图像畸变或假象,使检测到的数据与真实情况有差异,造成图像失真,称为伪像。超声伪像可分为两种,即形状位置失真造成的伪像和亮度失真造成的伪像。

四、血流测量中的定量计算

流体力学基础

1.泊肃叶公式

在粗细均匀的圆管中做稳定流动的液体,设管长为l ,管半径为R ,管两端的压强差为p 1 - p 2,管内液体的黏度为η,距管轴线外任一点的距离为r 处的流速度为

)(42221R r l

p p --=

ηυ 2.流量与流阻(外周阻力) r R p p R l p p Q 214218)(-=-=

ηπ 上式中,4

8R l R r πη=称为流阻。 mm 5.1102150021216=???==?-τc Y

半导体物理学第五章习题答案电子版本

半导体物理学第五章 习题答案

第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm -3, 空 穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品,假定光被均匀地吸收,产生过剩 载流子,产生率为,空穴寿命为 。 (1)写出光照下过剩载流子所满足的方程; (2)求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品,寿命是1us ,无光照时电阻率是10 cm 。今用光照射该样品,光被半导体均匀的吸 收,电子-空穴对的产生率是1022 cm -3s-1 ,试计算光照下样 品的电阻率,并求电导中少数在流子的贡献占多大比例? s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得:解:根据?求:已知:τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时,方程的通解:梯度,无飘移。 解:均匀吸收,无浓度g p L 0 .=+?-τ 光照达到稳定态后

4. 一块半导体材料的寿命=10us ,光照在材料中会产生 非平衡载流子,试求光照突然停止20us 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几? 5. n 型硅中,掺杂浓度N D =1016 cm -3 , 光注入的非平衡载流子浓度 n=p=1014cm -3 。计算无光照和有光照的电导率。 % 2606 .38 .006.3500106.1109.,.. 32.0119161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡 。 后,减为原来的光照停止%5.1320%5.13) 0() 20()0()(1020 s e p p e p t p t μτ ==???=?-- cm s q n qu p q n p p p n n n cm p cm n cm p n cm n K T n p n i /16.21350106.110:,/1025.2,10/10.105.1,30019160000003403160314310=???=≈+=?+=?+=?===?=??==---μμσ无光照则设本征 空穴的迁移率近似等于的半导体中电子、注:掺杂有光照131619140010(/19.20296.016.2)5001350(106.11016.2)(: --=+=+???+≈+?++=+=cm cm s nq q p q n pq nq p n p n p n μμμμμμσ

物理学简明教程1-9章课后习题答案

第一章 质点运动学 1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v,t 至(t +Δt )时间的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ|r |),平均速度为v ,平均速率为v . (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) |Δr |= Δs = Δr (B) |Δr |≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有|d r |= d s ≠ d r (C) |Δr |≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有|d r |= d r ≠ d s (D) |Δr |≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有|d r |= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) |v |= v ,|v |= v (B) |v |≠v ,|v |≠ v (C) |v |= v ,|v |≠ v (D) |v |≠v ,|v |= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t +Δt )时间沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs =PP′, 位移大小|Δr |=PP ′,而Δr =|r |-|r |表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动小也不相等(注:在直线运动中有相等的可能).但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有|d r |=d s ,但却不等于d r .故选(B). (2) 由于|Δr |≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即|v |≠v . 但由于|d r |=d s ,故t s t d d d d =r ,即|v |=v .由此可见,应选(C). 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ; (2)t d d r ; (3)t s d d ; (4)22d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x . 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确

半导体物理学第五章习题答案

第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品,假定光被均匀地吸收,产生过剩载流子,产生率为,空 穴寿命为。 (1)写出光照下过剩载流子所满足的方程; (2)求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品,寿命是1us ,无光照时电阻率是10??cm 。今用光照射该样品,光被半导体均匀的吸收,电子-空穴对的产生率是1022cm -3s-1,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数在流子的贡献占多大比例 s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得:解:根据?求:已知:τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时,方程的通解:梯度,无飘移。 解:均匀吸收,无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p n p n p n p n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101 :1010100 .19 16191600'000316622=+=???+???+=?+?++=+=Ω=+==?==?=?=+?-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后

4. 一块半导体材料的寿命=10us ,光照在材料中会产生非平衡载流子,试求光照突然停止20us 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几 5. n 型硅中,掺杂浓度N D =1016cm -3, 光注入的非平衡载流子浓度n=p=1014cm -3。计算无光照和有光照的电导率。 6. 画出p 型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 % 2606.38.006.3500106.1109. ,.. 32.0119 161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡Θ。 后,减为原来的光照停止%5.1320%5.13) 0() 20()0()(1020 s e p p e p t p t μτ ==???=?--cm s q n qu p q n p p p n n n cm p cm n cm p n cm n K T n p n i /16.21350106.110:,/1025.2,10/10.105.1,30019160000003403160314310=???=≈+=?+=?+=?===?=??==---μμσ无光照则设半导体的迁移率) 本征 空穴的迁移率近似等于的半导体中电子、 注:掺杂有光照131619140010(/19.20296.016.2)5001350(106.11016.2)(: --=+=+???+≈+?++=+=cm cm s nq q p q n pq nq p n p n p n μμμμμμσ

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。 解: 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。 3 22 23 3*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c )() (单位体积内的量子态数) () (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si ? 系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则:令) (关系为 )(半导体的、证明: 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E ?? ? ? )方向有四个, 锗在(旋转椭球,个方向,有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

半导体物理学第七章知识点

第7章 金属-半导体接触 本章讨论与pn 结特性有很多相似之处的金-半肖特基势垒接触。金-半肖特基势垒接触的整流效应是半导体物理效应的早期发现之一: §7.1金属半导体接触及其能级图 一、金属和半导体的功函数 1、金属的功函数 在绝对零度,金属中的电子填满了费米能级E F 以下的所有能级,而高于E F 的能级则全部是空着的。在一定温度下,只有E F 附近的少数电子受到热激发,由低于E F 的能级跃迁到高于E F 的能级上去,但仍不能脱离金属而逸出体外。要使电子从金属中逸出,必须由外界给它以足够的能量。所以,金属中的电子是在一个势阱中运动,如图7-1所示。若用E 0表示真空静 止电子的能量,金属的功函数定义为E 0与E F 能量之差,用W m 表示: FM M E E W -=0 它表示从金属向真空发射一个电子所需要的最小能量。W M 越大,电子越不容易离开金属。 金属的功函数一般为几个电子伏特,其中,铯的最低,为1.93eV ;铂的最高,为5.36 eV 。图7-2给出了表面清洁的金属的功函数。图中可见,功函数随着原子序数的递增而周期性变化。 2、半导体的功函数 和金属类似,也把E 0与费米能级之差称为半导体的功函数,用W S 表示,即 FS S E E W -=0 因为E FS 随杂质浓度变化,所以W S 是杂质浓度的函数。 与金属不同,半导体中费米能级一般并不是电子的最高能量状态。如图7-3所示,非简并半导体中电子的最高能级是导带底E C 。E C 与E 0之间的能量间隔 C E E -=0χ 被称为电子亲合能。它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 利用电子亲合能,半导体的功函数又可表示为 )(FS C S E E W -+=χ 式中,E n =E C -E FS 是费米能级与导带底的能量差。 图7-1 金属中的电子势阱 图7-2 一些元素的功函数及其原子序数 图7-3 半导体功函数和电子亲合能

华南农业大学物理学简明教程课后习题答案解剖

1 -1 质点作曲线运动,在时刻t 质点的位矢为r ,速度为v ,速率为v ,t 至(t +Δt )时间内的位移为Δr , 路程为Δs , 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ|r |),平均速度为v ,平均速率为v . (1) 根据上述情况,则必有( ) (A) |Δr |= Δs = Δr (B) |Δr |≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有|d r |= d s ≠ d r (C) |Δr |≠ Δr ≠ Δs ,当Δt →0 时有|d r |= d r ≠ d s (D) |Δr |≠ Δs ≠ Δr ,当Δt →0 时有|d r |= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有( ) (A) |v |= v ,|v |= v (B) |v |≠v ,|v |≠ v (C) |v |= v ,|v |≠ v (D) |v |≠v ,|v |= v 分析与解 (1) 质点在t 至(t +Δt )时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs =PP′, 位移大小|Δr |=PP ′,而Δr =|r |-|r |表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注:在直线运动中有相等的可能).但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有|d r |=d s ,但却不等于d r .故选(B). (2) 由于|Δr |≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠r ,即|v |≠v . 但由于|d r |=d s ,故t s t d d d d =r ,即|v |=v .由此可见,应选(C). 1 -2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即

半导体物理学第七版 完整课后题答案

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)与价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。试求: 为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1==π (1)禁带宽度; (2) 导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064 30382324 30)(2320212102 2 20 202 02022210 1202==-==<-===-== >=+== =-+ηηηηηηηη因此:取极大值处,所以又因为得价带: 取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04 3222* 83)2(1m dk E d m k k C nC ===η

s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3)()()4(6 )3(25104300222* 11-===?=-=-=?=-==ηηηηη所以:准动量的定义: 2、 晶格常数为0、25nm 的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m 的电场时,试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=?η s a t s a t 13719282 1911027.810106.1) 0(1027.810106.1) 0(----?=??--= ??=??-- =?π πηη 补充题1 分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先 画出各晶面内原子的位置与分布图) Si 在(100),(110)与(111)面上的原子分布如图1所示: (a)(100)晶面 (b)(110)晶面

半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求: 为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1== π (1)禁带宽度; (2) 导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值 处,所以又因为得价带: 取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===

s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以:准动量的定义: 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别 计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度 (提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图) Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示: (a )(100)晶面 (b )(110)晶面

半导体物理第七章总结复习_北邮全新

第七章 一、基本概念 1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。 金属功函数:金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差 2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。 3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws 4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V s m D -= 5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制,正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内,即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层:金属功函数大于N 型半导体功函数(Wm>Ws )的MS 接触中,电子从半导体表面逸出到金属,分布在金属表层,金属表面带负电。半导体表面出现电离施主,分布在一定厚度表面层内,半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考,从半导体内到表面,能带向上弯曲,即形成表面势垒,在势垒区,空间电荷主要有带正电的施主离子组成,电子浓度比体内小得多,因此是是一个高阻区域,称为阻挡层。 【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】 7.电子反阻挡层:金属功函数小于N 型半导体功函数(Wm

半导体物理学第七版完整答案修订版

半导体物理学第七版完 整答案修订版 IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k) 分别为: E C (K )=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ (1)禁带宽度; (2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=? 补充题1 分别计算Si (100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提 示:先画出各晶面内原子的位置和分布图) Si 在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:

(a )(100)晶面 (b )(110)晶面 (c )(111)晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为)2cos 81 cos 8 7()22ka ka ma k E +-= (, 式中a 为 晶格常数,试求 (1)布里渊区边界; (2)能带宽度; (3)电子在波矢k 状态时的速度; (4)能带底部电子的有效质量* n m ; (5)能带顶部空穴的有效质量*p m 解:(1)由 0)(=dk k dE 得 a n k π = (n=0,?1,?2…) 进一步分析a n k π ) 12(+= ,E (k )有极大值, a n k π 2=时,E (k )有极小值

半导体物理习题第六章第七章答案

第6章 p-n 结 1、一个Ge 突变结的p 区和n 区掺杂浓度分别为N A =1017cm -3和N D =5?1015cm -3,求该pn 结室温下的自建电势。 解:pn 结的自建电势 2(ln )D A D i N N kT V q n = 已知室温下,0.026kT =eV ,Ge 的本征载流子密度1332.410 cm i n -=? 代入后算得:1517 132 510100.026ln 0.36(2.410)D V V ??=?=? 4.证明反向饱和电流公式(6-35)可改写为 202 11()(1)i s n n p p b k T J b q L L σσσ=++ 式中n p b μμ= ,n σ和p σ分别为n 型和p 型半导体电导率,i σ为本征半导体电导率。 证明:将爱因斯坦关系式p p kT D q μ= 和n n kT D q μ=代入式(6-35)得 0000( )p n p n S p n n p n p n p p n n p J kT n kT p kT L L L L μμμμμμ=+=+ 因为002i p p n n p =,0 2 i n n n p n =,上式可进一步改写为 221111( )( )S n p i n p i n p p p n n n p p n J kT n qkT n L p L n L L μμμμμμσσ=+ =+ 又因为 ()i i n p n q σμμ=+ 22222222()(1)i i n p i p n q n q b σμμμ=+=+ 即 22 2 2222 2 ()(1) i i i n p p n q q b σσμμμ==++ 将此结果代入原式即得证

物理学简明教程马文蔚第1至7章课后习题答案详解

物理学简明教程马文蔚第1至7章课后习题答案详解

1 -1质点作曲线运动,在时刻t质点的位矢为r,速度为v,速率为v,t至(t +Δt)时间内的位移为Δr, 路程为Δs, 位矢大小的变化量为Δr ( 或称Δ|r|),平均速度为v,平均速率为v. (1) 根据上述情况,则必有() (A) |Δr|= Δs = Δr (B) |Δr|≠ Δs ≠ Δr,当Δt→0 时有|d r|= d s ≠ d r (C) |Δr|≠ Δr ≠ Δs,当Δt→0 时有|d r|= d r ≠ d s (D) |Δr|≠ Δs ≠ Δr,当Δt→0 时有|d r|= d r = d s (2) 根据上述情况,则必有() (A) |v|= v,|v|= v (B) |v|≠v,|v|≠ v (C) |v|= v,|v|≠ v (D) |v|≠v,|v|= v 分析与解(1) 质点在t 至(t +Δt)时间内沿曲线从P 点运动到P′点,各量关系如图所示, 其中路程Δs=PP′, 位移大小|Δr|=PP′,而Δr=|r|-|

r |表示质点位矢大小的变化量,三个量的物理含义不同,在曲线运动中大小也不相等(注:在直线运动中有相等的可能).但当Δt →0 时,点P ′无限趋近P 点,则有|d r |=d s ,但却不等于d r .故选(B). (2) 由于|Δr |≠Δs ,故t s t ΔΔΔΔ≠ r ,即|v |≠v . 但由于|d r |=d s ,故 t s t d d d d =r ,即| v |=v .由此可见,应选(C). 1 - 2 一运动质点在某瞬时位于位矢r (x,y )的端点处,对其速度的大小有四种意见,即 (1)t r d d ; (2) t d d r ; (3) t s d d ; (4) 2 2 d d d d ?? ? ??+??? ??t y t x . 下述判断正确的是( ) (A) 只有(1)(2)正确 (B) 只有(2)正确 (C) 只有(2)(3)正确 (D) 只有(3)(4)正确 分析与解 t r d d 表示质点到坐标原点 的距离随时间的变化率,在极坐标系中

半导体物理第七章作业答案

第七章 半导体表面层和MIS 结构 (1)p 型Si 的掺杂浓度分别为N =1015/cm 3,1017/cm 3。求表面刚刚达到强反型时的表面层电荷面密度,空间电荷层厚度和表面最大电场。 N =1015/cm 3时, 1710=N /cm 3时, 2/10)4(A F s M eN V d εε=2/10)4(A F s M B N eV Q εε-=kT eV i kT E E i F F Fi e n e n p ==-0i A i F n N e kT n p e kT V ln ln 0==00εεεεs BM s n BM M Q Q Q E -≈+-=]/[1076.8)4(2102/10cm e N eV Q A F s M B ?-=-=εε??==A eN V d A F s M 32/101076.8)4(εε]/[1032.140 0cm V Q Q Q E s BM s n BM M ?=-≈+-=εεεε)(41.0105.110ln 026.01017 V V F =?=]/[1004.1)4(2122/10cm e N eV Q A F s M B ?-=-=εε??==A eN V d A F s M 32/101004.1)4(εε

(2)氧化层厚度为1μm 的Si MOS 结构的p 型衬底的掺杂浓度分别为N =1015/cm 3,1016/cm 3,比较这两种结构的氧化层电容和耗尽层电容在决定结构总电容中的作用。 N A 大d s 小, C D 大, C i 作用大。 (3)在MOS 结构C V -特性测量的应用中,平带电容有什么作用? 可根据平带电容来确定平带电压 (4)从物理上说明C FB /C i 随氧化层厚度及掺杂浓度的变化趋势。由 图查N =1015/cm 3,d i =1000A 0的Si MOS 结构的C FB /C i 值,由此估算 德拜长度。与直接算得的值进行比较。 d i 大, C FB /C i 更接近1; p 0大, L D 小, C FB /C i 更接近1. 查图得C FB /C i =0.7, 估算L D =1.35?103 A ? 直接计算得L D =1.31?103 A ? (5)试讨论平带电压V FB 及阈值电压V T 中各个项的来源: i BM F FB T i ox i fc ms FB C Q V V V C Q C Q V V -+='--=2; V FB 各项的来源分别为:功函数之差、“附着”于半导体表面的电 荷、和氧化层中的电荷对半导体表面层内能带弯曲产生的影响。 V T 各项的来源分别为:平带电压、理想情况半导体内部的电压降 V s =2V F 、理想情况绝缘层上的电压降V i 。 ] /[1057.1500cm V Q Q Q E s BM s n BM M ?=-≈+-=εεεεD i s s i i C C d d C 11100+=+=εεεεi s D i i s D i i FB d L C L d C εεεεεε+=+=1100020p e kT L s D εε=

eejAAA半导体物理第五章习题答案

第五篇 题解-非平衡载流子 刘诺 编 5-1、何谓非平衡载流子?非平衡状态与平衡状态的差异何在? 解:半导体处于非平衡态时,附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度,额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所指的非平衡载流子是指非平衡少子。 热平衡状态下半导体的载流子浓度是一定的,产生与复合处于动态平衡状态 ,跃迁引起的产生、复合不会产生宏观效应。在非平衡状态下,额外的产生、复合效应会在宏观现象中体现出来。 5-2、漂移运动和扩散运动有什么不同? 解:漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动,而扩散运动是由于浓度分布不均匀导致载流子从浓度高的地方向浓度底的方向的定向运动。前者的推动力是外电场,后者的推动力则是载流子的分布引起的。 5-3、漂移运动与扩散运动之间有什么联系?非简并半导体的迁移率与扩散系数之间有什么联系? 解:漂移运动与扩散运动之间通过迁移率与扩散系数相联系。而非简并半导体的迁移率与扩散系数则通过爱因斯坦关系相联系,二者的比值与温度成反比关系。即 T k q D 0= μ 5-4、平均自由程与扩散长度有何不同?平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同? 答:平均自由程是在连续两次散射之间载流子自由运动的平均路程。而扩散长度则是非平衡载流子深入样品的平均距离。它们的不同之处在于平均自由程由散射决定,而扩散长度由扩散系数和材料的寿命来决定。 平均自由时间是载流子连续两次散射平均所需的自由时间,非平衡载流子的寿命是指非平衡载流子的平均生存时间。前者与散射有关,散射越弱,平均自由时间越长;后者由复合几率决定,它与复合几率成反比关系。 5-5、证明非平衡载流子的寿命满足()τ t e p t p -?=?0,并说明式中各项的物理意义。 证明: ()[] p p dt t p d τ?=?- =非平衡载流子数而在单位时间内复合的子的减少数单位时间内非平衡载流 时刻撤除光照如果在0=t

物理学简明教程(马文蔚等著)第六章课后练习题答案详解

物理学简明教程(马文蔚等著) 第六章课后练习题答案详解 6-1 电荷面密度均为+σ的两块“无限大”均匀带电的平行平板如图(A )放置,其周围空间各点电场强度E (设电场强度方向向右为正、向左为负)随位置坐标x 变化的关系曲线为图(B )中的( ) 分析与解 “无限大”均匀带电平板激发的电场强度为 2εζ ,方向沿带电平板法向向外,依照电场叠加原理可以求得各区域电场强度的大小和方向.因而正确答案为(B ). 6-2 下列说法正确的是( ) (A )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷 (B )闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和必定为零 (C )闭合曲面的电通量为零时,曲面上各点的电场强度必定为零 (D )闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零 分析与解 依照静电场中的高斯定理,闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和必定为零,但不能肯定曲面内一定没有电荷;闭合曲面的电通量为零时,表示穿入闭合曲面的电场线数等于穿出闭合曲面的电场线数或没有电场线穿过闭合曲面,不能确定曲面上各点的电场强度必定为零;同理闭合曲面的电通量不为零,也不能推断曲面上任意一点的电场强度都不可能为零,因而正确答案为(B ). 6-3 下列说法正确的是( )。

(A )电场强度为零的点,电势也一定为零 (B )电场强度不为零的点,电势也一定不为零 (C )电势为零的点,电场强度也一定为零 (D )电势在某一区域内为常量,则电场强度在该区域内必定为零 分析与解 电场强度与电势是描述电场的两个不同物理量,电场强度为零表示试验电荷在该点受到的电场力为零,电势为零表示将试验电荷从该点移到参考零电势点时,电场力作功为零.电场中一点的电势等于单位正电荷从该点沿任意路径到参考零电势点电场力所作的功;电场强度等于负电势梯度.因而正确答案为(D ). 6-5 一半径为R 的半球壳,均匀地带有电荷,电荷面密度为σ,求球心处电场强度的大小. 分析 这仍是一个连续带电体问题,求解的关键在于如何取电荷元.现将半球壳分割为一组平行的细圆环,如图所示,从教材第5-3节的例1可以看出,所有平行圆环在轴线上P 处的电场强度方向都相同,将所有带电圆环的电场强度积分,即可求得球心O 处的电场强度. 解 将半球壳分割为一组平行细圆环,任一个圆环所带电荷元θθR δS δq d sin π2d d 2?==,在点O 激发的电场强度为 () i E 3 /22 20d π41d r x q x ε+= 由于平行细圆环在点O 激发的电场强度方向相同,利用几何关系θR x cos =,θR r sin =统一积分变量,有

半导体物理第五章习题答案

第5章 非平衡载流子 1. 一个n 型半导体样品的额外空穴密度为1013cm -3,已知空穴寿命为100μs ,计算空穴的复合率。 解:复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数,因此 13 17306 101010010 U cm s ρτ--===?? 2. 用强光照射n 型样品,假定光被均匀吸收,产生额外载流子,产生率为g p , 空穴寿命为τ,请 ①写出光照开始阶段额外载流子密度随时间变化所满足的方程; ②求出光照下达到稳定状态时的额外载流子密度。 解:⑴光照下,额外载流子密度?n =?p ,其值在光照的开始阶段随时间的变化决定于产生和复合两种过程,因此,额外载流子密度随时间变化所满足的方程由产生率g p 和复合率U 的代数和构成,即 ()p d p p g dt τ =- ⑵稳定时额外载流子密度不再随时间变化,即() 0d p dt =,于是由上式得 0p p p p g τ?=-= 3. 有一块n 型硅样品,额外载流子寿命是1μs ,无光照时的电阻率是10Ω?cm 。今用光照射该样品,光被半导体均匀吸收,电子-空穴对的产生率是1022/cm 3?s ,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数载流子的贡献占多大比例? 解:光照被均匀吸收后产生的稳定额外载流子密度 226163101010 cm p p n g τ-?=?==?=- 取21350/()n cm V s μ=?,2 500/()p cm V s μ=?,则额外载流子对电导率的贡献 1619()10 1.610(1350500) 2.96 s/cm n p pq σμμ-=?+=???+= 无光照时00 1 0.1/s cm σρ= =,因而光照下的电导率 0 2.960.1 3.06/s cm σσσ=+=+= 相应的电阻率 1 1 0.333.06 cm ρσ = = =Ω?

半导体物理学 (第七版) 习题答案

半导体物理习题解答 1-1.(P 32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k )和价带极大值附近能量E v (k )分别为: E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h -0 2 23m k h ; m 0为电子惯性质量,k 1=1/2a ;a =0.314nm 。试求: ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(=0232m k h +0 12)(2m k k h -=0;可求出对应导带能量极小值E min 的k 值: k min = 14 3 k , 由题中E C 式可得:E min =E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ; 由题中E V 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k max =0; 并且E min =E V (k)|k=k max =02126m k h ;∴Eg =E min -E max =021212m k h =2 02 48a m h =11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????=0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=;∴ m n =022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=,∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k =h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1-2.(P 33)晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107V/m 的电场时,试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ,∵F =h dt dk =q E (取绝对值) ∴dt =qE h dk

半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带 极大值附近能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求: 为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1== π (1)禁带宽度; (2) 导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)

eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ηηηηηηηη因此:取极大值处,所以又因为得价带: 取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===η s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- ==ηηηηη所以:准动量的定义: 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场 时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=?η

半导体物理第七章

第七章 1、功函数:表示一个起始能量等于费米能级的电子,由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。W m=E0-(E F)m W s=E0-(E F)S 2、电子亲和能:使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。?=E0-E c 3、接触电势差:一块金属和一块n型半导体,假定wm>ws接触时,半导体中的电子向金属流动,金属电势降低,半导体电势升高,最后达到平衡状态,金属和半导体的费米能级在同一个水平面上,他们之间的电势差完全补偿了原来费米能级的不同。Vms=(Vs-Vm)/q这个由于接触而产生的电势差称为接触电势差。 4、阻挡层与反阻挡层n p Wm>Ws 阻上弯反阻上弯 WmWs时,与p形成反阻挡层。反阻挡层没有整流作用,选用适当的金属材料可得到欧姆接触。 2、实际生产中,主要利用隧道效应原理。 11、隧道二极管:具有正向负阻特性。正向电流开始随正向电压增加而迅速上升到极大值Ip,随后电流随电压增加而减少,当电压继续增加时电流随之能加。随着电压增大电流反而减少的现象称为负阻。这一电流电压特性曲线的斜线为负,这一特性为负阻特性。 第八章 1、表面态:⑴、在x=0处两边,波函数都是按指数关系衰减,这表明电子的分布概率主要 集中在x=0处,即电子被局限在表面附近。 ⑵、因晶格表面处突然中止,在表面的最外层的每个硅原子将有一个未配对电子,即有一个未饱和的键,与之对应的电子能态。 2、界面态:由于半导体与介质接触而形成接触电势差,在半导体一侧经会形成表面势,将这种由于接触引起的便面能级的变化称为~。晶体界面的存在使其周期场在界面处发生变化。 3、压阻效应:对半导体施加应力时,半导体的电阻率要发生改变,这种现象称为~。 4、多子堆积:Vg<0,Vs<0,表面处能带向上弯曲。热平衡时半导体费米能级应保持定值,随着向表面接近,价带顶逐渐移近甚至高过费米能级,同时价带中空穴浓度随之增加,这样表面层内出现空穴的堆积而带正电荷。 多子耗尽:Vg>0,Vs>0,表面处能带向下弯曲。这时越接近表面,费米能级离价带顶越远,价带中空穴浓度随之降低,在靠近表面附近,价带顶位置比费米能级低得多,根据珀尔兹曼分布,表面处空穴浓度比体内低得多,表面层的负电荷基本上等于电离施主杂志浓度,表面层的这种状态~ 少子反型:Vg进一步增大时,表面处能带进一步下弯,这时,表面出的费米能级位置可能高于禁带中央能量Ei,意味着表面处电子浓度将高过空穴浓度,形成与原来半导体衬底导电类型相反的一层叫做反省层。

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