数字电子技术复习提纲

数字电子技术复习提纲
数字电子技术复习提纲

《数字电子技术》复习提纲

一、填空题

第1章数制与码制

1. 模拟信号通常是时间的连续函数,其取值在一定的范围内是连续的,或者在一定范围内有无穷多个取值,并且每一个取值都有其具体的物理意义,任何外界干扰、噪声等都会引起模拟信号的失真并带来误差。对模拟信号进行传输、处理的电子线路称为模拟电路,模拟电路主要研究的是任何不失真地放大、处理模拟信号。

2. 数字电路是在时间和数值上都具有离散变化的特点,数值的大小按有限个或可数的量化单位取值,每次的增减变化都只能某个最小单位的整数倍。相应的处理电路称为数字电路。

3. 二进制、十进制、十六进制分别对应有2、10、16个数码,计数的基数也分别是2、10、16。

第2章逻辑代数基础

1. 逻辑代数的基本运算有与(AND)、或(OR)、非(NOT)三种,逻辑运算表达式分别是Y=A.B,Y=A+B,Y=A’。

2. 与、或、非的图形符号?

第4章组合逻辑电路

1. 根据逻辑功能的特点,数字电路分成两大类,一类是组合逻辑电路,另一类是时序逻辑电路。

2. 在组合逻辑电路中,任意时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入,与电路原来的状态无关。

3. 编码器、译码器、加法器、数据选择器、数值比较器属于组合逻辑电路

第5章触发器

1. 触发器是具有记忆功能的基本逻辑单元,它能够存储1位二进制数0或1。

2. 触发器的触发方式分为:电平触发、脉冲触发和边沿触发三种。

3. 同步S-R触发器、主从S-R触发器、D触发器分别属于电平触发、脉冲触发和边沿触发。

4.

第6章时序逻辑电路

1. 在时序逻辑电路中,任意时刻的输出不仅取决于当前时刻的输入,而且还取决于电路原来的状态。

2. 寄存器、移位寄存器、计数器属于时序逻辑电路。

3.

第7章半导体存储器

1. 半导体存储器是一种能存储大量二进制数据的半导体器件。

2. 半导体存储器分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM),只读存储器又分为掩膜只读存储器、可编程只读存储器(PROM)、可擦除的可编程只读存储器(EPROM:UVE-PROM、EEPROM=E2ROM)和快闪存

储器(Flash Memory);随机存储器包括静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。

3. 由于半导体存储器的存储单元数目极其庞大,而器件的引脚数目有限,所以在电路结构上就不可能像寄存器那样把每个存储单元的输入和输出引脚都直接引出。而是给每个存储单元编一个地址代码,只有被输入地址代码选中的单元才能与公共的输入、输出引脚接通,进行数据的读出或写入。

第10章脉冲波形的产生和整形

1. 获取矩形脉冲波形的途径有两种,一种是利用多谐振荡器直接产生所需要的矩形脉冲波形;另一种是通

过各种整形电路(施密特触发器、单稳态触发器)将已有的周期性变换波形变换成符合要求的矩形脉冲波形。

2. 基于555定时器,可以方便地构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器。

第11章数/模和模/数转换

1. 将一种从数字信号到模拟信号的转换称为数-模转换,简称D/A转换;将一种从模拟信号到数字信号的

转换称为模-数转换,简称A/D转换。

2. A/D转换的性能指标是转换精度和转换速度。

二、选择题

1同步计数器是指(B)的计数器。

a)由同类型的触发器构成。

b)各触发器时钟端连在一起,统一由系统时钟控制。

c)可用前级的输出做后级触发器的时钟。

d)可用后级的输出做前级触发器的时钟。

2 若四位同步二进制计数器当前的状态是0111,下一个输入时钟脉冲后,其内容变为(c)。

a )0111b)0110

c)1000d)0011

3 若四位二进制加法计数器正常工作时,由0000状态开始计数,则经过43个输入计数脉冲后,计数器的状态应是(b)。

a )0011b)1011

c)1101d)1010

5 主从JK触发器是(b)。

a )在CLK上升沿触发b)在CLK下降沿触发

c)在CLK=1稳态触发d)与CLK无关

6 用8级触发器可以记忆( d )种不同的状态。

a )8b)16

c)128d)256

7 存在约束条件的触发器是( A)。

a)基本RS触发器b)D锁存器

c)JK触发器d)D触发器

8 构成模值为256的二进制计数器,需要(c )级触发器。

a )2b)128

c)8d)256

9 已知R、S是与非门构成的基本RS触发器的输入端,则约束条件为( d )。

a )R+S=1b)R+S=0

c)RS=1d)RS=0

10 若JK触发器的原状态为0,欲在CLK作用后仍保持为0状态,则激励函数JK的值应是( c )。

a)J=1,K=1b)J=O,K=0

c)J=0,K=Χd)J=Χ,K=Χ

11 同步计数器是指( b )的计数器。

a)由同类型的触发器构成。

b)各触发器时钟端连在一起,统一由系统时钟控制。

c)可用前级的输出做后级触发器的时钟。

d)可用后级的输出做前级触发器的时钟。

11 16个触发器构成计数器,该计数器可能的最大计数模值是( 4)

①16 ②32

③162④216

12.一个64选1的数据选择器有()个选择控制信号输入端。( 1 )

① 6 ②16

③32 ④64

13 一个时钟占空比为1:4,则一个周期内高低电平持续时间之比为( 2 )

①1:3 ②1:4

③1:5 ④1:6

14 在ADC工作过程中,包括保持a,采样b,编码c,量化d四个过程,他们先后顺序应该是( 4 )

①abcd ②bcda

③cbad ④badc

15 一片64k×8存储容量的只读存储器(ROM),有( 3 )

①64条地址线和8条数据线②64条地址线和16条数据线

③16条地址线和8条数据线④16条地址线和16条数据线

16 -17的二进制补码正确的是(2)

①01110001 ②11101111 ③01101111 ④00010001

17 +17的二进制补码正确的是(4)

①11110001 ②11101111 ③01101111 ④00010001

18 已知Y=A+AB’+A’B,下列结果中正确的是(2)

①Y=A ②Y=A+B ③Y=B ④Y=A’+B’

19 下列等式中正确的是(1)

①A+AB+B=A+B ②AB+AB’=A+B ③A(AB)’=A+B’④A(A+B+C)’=B’C’

20下列等式中不正确的是(1 4)

①1+A=A ②1.A=A ③A+A’=1 ④(A+B)’=A’+B’

21 1位十六进制数,最少可用几位二进制数表示(1)

①1 ②21 ③4 ④16

22 有一个或非门构成的SR 锁存器,欲使该锁存器保持原态不变,则输入信号应为( 1)

①S=R=0 ②S=R=1 ③S=1,R=0④S=0,R=1

23 当被加数A=1010,加数B=0101,低位进位Ci=1时,进位加法器的求和结果( 3)

①S=1111,C0=1 ②S=0000,C0=1 ③S=1111,C0=0④S=1111,C0=0

24 采用主从结构的触发器,其触发方式为( 2)

①电平触发方式 ②脉冲触发方式 ③ 边沿触发方式 ④不确定

三、计算题

第1章 数制与码制

1.二-十进制转换

(10100)2= 20; (1001011)2=75 ; (0.0101)2= 0.3125 (0.1001)2=0.5625; (1011.01)2= 11.25

2.十-二进制转换

(173)10=(10101101)2; (173)10=(...)2; (173)10=(...)2; (173)10=(...)2; (173)10=( (2)

3.二-十六进制转换

(1110.1011001)2=( E.B2 )16; (101100.110011)2=( https://www.360docs.net/doc/9618939905.html,

)16; (01011110.10110010)2=( 5E.B2 )16;

第2章 逻辑代数基础

(1)由真值表→逻辑表达式,P58 [题2.3]

(2)逻辑表达式→真值表,P59 [题2.5(1)]

(3)逻辑电路图→逻辑函数表达式,P60 [题2.7]

(4)由波形图→真值表,逻辑函数式,P60 [题2.8]

第4章 组合逻辑电路

(1)组合逻辑电路图→逻辑表达式,P210 [题4.3]

(2)逻辑函数表达式→组合逻辑电路图,P212 [题4.12]

第5章 触发器

(1)画触发器输出电压波形图,P248 [题5.5]

五、证明下列逻辑恒等式(方法不限)(10)

(1)、B A B A B B A +=++

(2)、C B AB D B D B C A +=+++))()((

(2)、1))(()(=+++++C B D B A C B D C C B A

(3)、D B D B C A C A D C B A ABCD D C B A D C B A +++=+++

四、简述题

1. 使用十进制进行数据运算非常方便,为什么在数字电路中要使用二进制数?

参考答案:

(1)在日常生活中,人们习惯使用十进制进行数据运算。但十进制数有0~9共10个数码,在数字电路

中用电的方法表示这10个数码,必须由10个不同的而且能够严格区分的电路状态与之对应,这将在技术上带来许多困难,而且也不经济。例如,用电压表示十进制数,需要10个电压值。

(2)二进制只有0和1两个数码,用两个对立的电路状态表示这两个数码很容易实现。例如,可以用开

关电路实现,开关闭合时,输出电压为0,表示二进制数字0;开关断开时,输出电压为5V ,表示二进制数字1。

(3)在实际中具有开关功能的电子器件很多,可见实现二进制数的开关动作要简单得多,二进制数很容

易用开关电路实现。因此,在数字电路中一般不直接采用十进制,多使用二进制。

2. 二进制数中的0和1与逻辑值的0和1意义有何不同?

参考答案:

(1)在数字电路中,0和1两个数码可以表示数量大小,也可以表示逻辑值。

(2)当用0和1表示数量大小时,可以构成以二为基数,逢二进一的数制系统,它们之间可以进行加、

减、乘、除运算;

(3)当用0和1表示逻辑值时,没有任何数量上的含义,仅代表两种相反的逻辑状态,例如“真”与

“假”,“是”与“不是”,“通”与“断”等,0和1的具体含义要根据所研究的具体事件来确定。 逻辑值之间的运算关系遵循的是“与”、“或”、“非”。

(4)逻辑运算和二进制数运算之间是完全不同的。

3. 什么是模拟电路?什么是数字电路?相比于模拟电路,简述数字电路的优点。

参考答案:

对模拟信号进行传输、处理的电子线路称为模拟电路,在模拟电路中,主要电路单元是放大器,模拟

电路的主要功能是放大;

对数字信号进行传输、处理的电子线路称为数字电路。在数字电路中,最基本的单元电路是逻辑门和

触发器,数字电路的主要功能则是“逻辑思维”和“记忆”功能,即进行逻辑、算术运算和数字存储。

数字电路的优点:

(1)数字电路不仅可以对信号进行算术运算,而且还能够进行逻辑判断,即具有一定的逻辑运算能力;

(2)虽然自然界绝大多数都是模拟量,但都可利用模数转换电路将模拟量转换为数字量,然后再用数

字电路来处理。

(3)数字电路对元件的要求不高,允许有一定的误差,只要能可靠地区分出0和1两种状态即可。干扰往往只是影响脉冲的幅度,在一定范围内不会混淆0和1两个数字信息,因此,数字电路的抗干扰能力强。

(4)由于数字技术具有的明显优势,所以现代电子产品的主体部分绝大多数都采用数字电路。在数字计算机、数字控制、数据采集和处理和数字通信等领域中获得广泛的应用。

(5)但是,无论数字技术如何发展,终将不能代替模拟技术。数字技术不能直接接受模拟信号并进行处理,也无法将处理后的数字信号直接送到外部物理世界。因此,模拟技术在电子系统中是不可缺少的,实际电子系统一般是模拟电路和数字电路的结合。

4. 简述电平触发方式、脉冲触发方式和边沿触发方式触发器的动作特点。

参考答案:

电平触发方式:

(1)只有当CLK=1时,触发器才能接受输入信号;

(2)在CLK=1的全部时间里,S和R状态的变换都可能引起输出状态的改变;在CLK回到0以后,触发器保存的是CLK回到0以前瞬间的状态;

(3)如果在CLK=1期间,S和R的状态多次发生变化,那么触发器输出的状态也将发生多次翻转,所以,电平触发器的抗干扰能力弱。

脉冲触发方式:

(1)触发器的翻转分两步动作。

第一步,在CLK=1期间主触发器接收输入端(S、R或J、K)的信号,被置成相应的状态,而从触发器不动;

第二步,CLK下降沿到来时从触发器按照主触发器的状态翻转,所以Q、Q’端状态的改变发生在CLK 的下降沿。

(2)因为主触发器本身是一个同步RS触发器,所以在CLK=1的全部时间里输入信号都将对主触发器起控制作用。所以,必须考虑CLK=1期间输入状态的全部变换过程,才能确定CLK下降沿到达时触发器的次态。

边沿触发方式:

(1)触发器的次态仅取决于CLK信号的上升沿或下降沿到达时输入的逻辑状态,而在这以前或以后,输入信号的变化对触发器输出的状态没有影响。

(2)这一特点有效地提高了触发器的抗干扰能力,因而也提高了电路工作的可靠性。

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时,若给其施加正向电压时,二极管导通,若施加反向电压时,则二极管截至,这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 V C >V B >V E ,基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中,测得I C=3mA,I E=,则I B= , = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式,可组成共基、共集和共射三种基本放大电路;其中共集电路输出电阻低,带负载能力强;共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态,并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端,对于每一组输入代码,有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时,其B、E两端可用一个线性电阻等效代替,其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种,分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反,因而使 净输入量 减小的反馈,称为 负反馈 。 为了判别反馈极性,一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区,使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0,见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码,则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等,而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端,则会出现( C )问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ,负极电位是,则该二极管处于( A )状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时,具有如下特点( A ). A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管,它一般工作在( C )状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管,其各极对地电压分别为,2V ,6V ,则该管( A )。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区,当+u >-u 时,则( A ) A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时;时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为( B )。

电子技术基础课程标准

〖专业课〗 《电子技术基础》 课程标准

二O一二年八月 三年制中等职业教育 《电子技术基础》课程标准 一、概述 (一)课程性质。本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程,贯彻以培养学生实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容,注重理论与实践相结合,从而提高学生分析问题及解决问题的能力,增强学生适应职业变化的能力,为继续学习打下基础。 (二)课程设计基本理念。注重以人为本的教学理念,培养学生个性发展;以理论与实验相结合,充分体会有关电子基础知识的重要性;注重学科渗透,关注科技发展,有机结合时代的新产品;创造团结协作的氛围,提倡学习方式的多样化;从分析解决实际问题,提高学生应知能力;建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 (三)课程设计思路。该课程是依据“电子技术应用专业工作任务与职业能力分析表”中的以能力目标指导下,基于职业教育的校企合作、工学结合、基于生产过程的工作项目设置的。其总体设计思路是,打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式,转变为以工作任务为中心组织课程内容,并让学生在完成具体的项目中学会完成相应的工作任务,并构建相关理论知识,发展职业能力。课程内容突出对学生职业能力的训练,理论知识的选取紧紧围绕工作任务完成的需要来进行,同时又充分考虑了中等职业教育对理论知识学习的需要,并融合了相关职业资格证书对知识、技能和态度的要求。项目设计以生产过程为线索来进行。教学过程中,要通过校企合作,校内实训基地建设等多种途径,采取工学结合、半工半读等形式,充分开发学习资源,给学生提供丰富的实践机会。教学效果评价采取过程评价与结果评价相结合的方式,通过理论与实践相结合,重点评价学生的职业能力。

电工电子技术基础复习提纲

电工电子技术基础复习提纲 一、单项选择题(四选一) 1、一个理想独立电压源的基本特性是 : 答(A ) A .其两端电压与流过的电流无关 ;流过的电流可为任意值 ,由外电路即可确定 B .其两端电压与流过的电流有关 ;流过的电流不为任何值 ,由电压源即可确定 C. 其两端电压与流过的电流无关 ;电流必定由电压源正极流出 ,可为任意值 D. 其两端电压与流过的电流有关 ;电流未必由电压源正极流出 ,可为任意值 2、 电路如图所示 , 支路电流 I AB 与支路电压 U AB 分别应为 : 答 (C ) A. 05. A 与15.V B. 0A 与1V C. 0 A 与 1 V D. 1A 与0V 20 2 4V 1 A 1 40 30 1 1 1V 1 1A 50V 45V 1V a B 10 (第 2题) (第 3题) 3、图示电路中, a 点对地的电压 U a 应为 : 答 ( D ) A. -49 V B. -47 V C. -54V D. -51 V 4、图示二端电路中与理想电压源并联的电阻 R A. 对端口电压有影响 B. 对端口电流有影响 C. 对 U S 支路的电流有影响 D. 对端口电压与端口电流均有影响 答( C ) 5、图( a )电路中, U S 20V ,R 1 900 , R 2 1100 ,稳压管的伏安特性曲线如图(b ),则其工作点应是: 答( C ) A. u 10V , i 0m A B. u 10V , i 10m A C. u 10V , i 5mA D. u 0V , i 10mA i / mA U S R 1 10 5 a i u / V + R 2 u 5 U S R _ 10 b (a) ( b) (第 4 题) (第 5 题)

模拟电子技术复习提纲资料

;1;β β αβ+=??=??????????= E C B C I I I I 模拟电子技术复习提纲 (各章重点及公式汇编) 第三章 1. 半导体 | 2.PN 结正偏时: 反 偏时 : 削弱内电场 增强内电场 PN 结变窄,导通; PN 结变宽,截止 > 第四章 1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系 条件 关系式 NPN 型 PNP 型 ] BE 结正偏 BC 结反偏 Ic=βIb 放大功能 V = (Si) (Ge) ; U >1V V =- (Si) (Ge) U >-1V I= I+I 3、三极管热稳定性差; I ≥ I >>I 半导体 N 型 > P 型 掺杂 5价 施主杂质 3价 受主杂质 多子 电子 ~ 空穴 少子 空穴 电子

中小值 和取不产生饱和失真不产生截止失真om om om CES CEQ om L CQ om U U U U U U R I U -==L C L b BE BQ R R R R V Vcc I //;='????????????-= be L i O V r R Rc V V A -== )//(βbe L i O V r R Rc V V A -== ) //(βR r R V V A L be L i O V 1Re//)1())(Re//1(≈+++== ββ 反向饱和电流I ;穿透电流I = (1+β) I 4、共射放大器 (2)最大不失真V om (振幅)计算 (1)图解方法: U 为饱和压降 : (3)NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U (t )截止失真波形 、 U (t )饱和失真波形 (4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握 (5)三极管小信号等效电路 — (6)放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大 | ¥ 电 路 静态工作点Q 的计算 动

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r = ,o r = 。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 (填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以 通频带, 非线性失真。

10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA , 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中, 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

完整版电子技术基础课程标准

电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程,贯彻以培养学生实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类:第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容,注重理论与实践相结合,从而提高学生分析问题及解决问题的能力,增强学生适应职业变化的能力,为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习,使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点,熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法,初步具有查阅电子元器件手册,正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能,并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路,并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识,为今后从事实际

工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际,使课内与课外实验,科技活动紧密结合,提高学生学习兴趣,增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备,加大实验比重,使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情,勇于探究与日常生活有关 的电学问题;享受快乐的学习过程及学习成果,养成持之以恒的学习精神;形成主动与他人合作的精神,具有团队精神;关心国内外科技发展现状与趋势,有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念,培养学生个性发展;以理论与实验相结合,充分体会有关电子基础知识的重要性;注重学科渗透,关注科技发展,有机结合时代的新产品;创造团结协作的氛围,提倡学习方式的多样化;从分析解决实际问题,提高学生应知能力;建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念;二极管的单

电子技术基础-考试大纲

电子技术基础-考试大纲 参考书: 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可);秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》(第三版或第四版);童诗白主编,高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》(第四版);阎石主编,高等教育出版社 考试时间:2小时(满分100分)。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数;尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。

(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理,判断电路能否产生正弦波振荡,掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简,分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ; 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质, 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理:了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 1.热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流子。 2.空穴的运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 (1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。 (2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。 (3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。 (4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质,可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体。 1. N型半导体 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素,由于这类元素的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键结构中,由于存在多余的价电子而产生大量自由电子,这种半导体主要靠自由电子导电,称为电子半导体或N型半导体,其中自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴

《电子技术基础》复习要点

《电子技术基础》复习要点 课程名称:《电子技术基础》 适用专业:2018级电气工程及其自动化(业余) 辅导教材:《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社 复习要点 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子

浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。 ◆单向导电性:正向导通,反向截止。 ◆正向导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 ◆死区电压:硅管0.5V,锗管0.1V。 ?分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: ◆若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); ◆若V阳

模拟电子技术复习提纲

模拟电子技术复习提纲 第一章常用半导体器件 1.知道什么叫半导体?半导体有哪三种特性?什么叫本征激发?本征激发使半导体内产生的两种载流子的数目为何种关系?温度升高后载流子数目会怎样变化? 2.掌握杂质半导体的掺杂情况?杂质半导体内部多子和少子各是什么载流子?多子和少子分别由什么途径产生?杂质半导体对外是否显电性?为什么? 3.掌握在PN结的形成过程中扩散和漂移运动分别是什么原因产生的?它们对空间电荷区有什么影响? 4.掌握PN结的导电特性?何为外加正向电压?何为外加反向电压?外加电压对PN结内部空间电荷区宽度有什么影响?对PN结电阻有什么影响? 6.熟练掌握半导体二极管理想化处理的有关情况: 外加正向电压时,管电阻看成------ ,二极管压降看成------- ,管子看成------开关,通过二极管的电流的大小由-----决定,电流方向------;外加反向电压时,管电阻看成-------,通过管子的电流看成-------,管子看成--------开关,二极管两端压降的数值由-------决定。 7.掌握半导体二极管有哪些主要应用?给出限幅电路、整流电路、箝位电路,根据输入波形画出输出波形(参考习题1.2,1.3,1.5),或根据输入电压判断输出电压。 8.半导体二极管在使用中I C与I CM、U R与U RM、f与f M应为何种关系?用万用表欧姆挡挑选二极管时,什么样的管子单向导电特性好些? 9.稳压二极管与普通二极管有什么相同和不同?稳压二极管的主要作用是什么?当外加正向电压时管子两端压降如何?当外加反向电压数值小于U Z时管子两端电压如何?当外加反向电压数值大于U Z时管子两端电压如何? 10.了解双极型三极管内部结构和工作原理。 11.掌握双极型三极管的输入特性和输出特性;三种工作状态与极间电压的定性关系(参考习题1.8,1.9);由输出特性曲线求 。 12.画出NPN、PNP三极管I CB0、I CE0测试电路。 13.掌握温度变化时双极型三极管哪些参数会发生变化?如何变化? 14.了解场效应管的内部结构和工作原理。熟悉场效应管符号,由符号指出管子的沟道、是结型还是绝缘栅型、是耗尽型还是增强型?处在放大状态极间电压的定性关系。 第二章基本放大电路 1.给出自测T2.2所示电路,指出能否放大,并指出理由;对不能放大的电路如何改进才能有电压放大作用? 2.掌握放大电路的图解分析法;对于基本放大电路来说,当V CC、R C、R B分别变化时,用图解法分析Q点的变化。给出输入波形作出有关波形。对于有失真的电路如何改变电路参数才能改善失真波形。对给定电路能分析最大不失真输出电压值。 3.熟练掌握用近似计算法计算各种双极型三极管放大电路的静态工作点。 4.熟练掌握用微变等效法分析计算各种双极型三极管放大电路的性能指标。(参考习题2.7,2.9,2.11,2.12,2.13) 5.了解场效应管放大电路的分析。 6.熟练掌握复合管是否正确的判断。 第三章多级放大电路 1.掌握多级放大电路级间耦合有哪几种形式?各有什么特点?计算两级双极型三极管放大电路的静态工作点和性能指标(参考习题3.2,3.3)。 2.知道直接耦合放大电路产生零点漂移的原因和主要原因。 3.掌握差分放大电路有哪几种输入、输出接法?它们的Ad与Au的关系如何?uo与ui 的相位关系如何?长尾电路中Re的作用如何?它的数值改变对电路对差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比各有什么影响?

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

电子技术基础课程设计题目

《电子技术基础》课程设计题目 一、脚步声控制照明灯 要求:1.白天光线较强,照明灯不会点亮; 2.晚上又脚步声照明灯被点亮,脚步声小时后灯亮延时十秒再自动熄灭; 3.元件:功率集成电路家分立元件; 二、报警声响发生器 要求:1.能发出消防车报警,救护车报警灯的报警声; 2.输出功率≥1W 要求:1.当池中水位低于设定点时水泵自动抽水;; 3.元件:NE555时基电路加分立元件; 三、水位控制器 2.当水位到达设定点时水泵自动停止; 3.元件:NE555电路加分立元件; 4.说明:水泵工作可用灯泡亮灭进行模拟; 四、金属探测器; 要求:1.能探测木材中≥5mm深处的残留铁钉; 2.当探测到金属物时能用声或光报警; 3.元件:与非们加分立元件,探头可用带铁芯线圈自制; 五、循环灯 要求:1.有四路输出,单循环; 2.能带动6V小灯泡四只; 3.元件:J-K触发器、555时基电路、分立元件; 六、数字水位探测器 要求:1.能测出水位的高度,精度韦1/16; 2.能输出数字形式(即二进制); 3.能以模拟电压输出; 七、直流电压升压器 要求:1.输入电压30V;输出电压45V; 2.输出电流能达到0.5A; 八、上下课铃声识别系统 要求:1.设计一个开关电路仅对学校的上课、下课铃声敏感; 2.铃声来时输出高电平; 3.能识别出上课铃声和下课铃声; 九、厕所冲水控制器 要求:1.能识别有无人进出厕所; 2.当进出人数每达6人次时,电路输出一个脉冲; 十、步进电机及启动电路 要求:1.利用数电知识设计一个步进电机驱动电路; 2.能由两根线的输入电平组合使电机能向前进、后退、保持; 十一.教室用电节能控制电路

201X年《电子技术基础》复习资料(题目)

一、填空题 1、多极放大电路常用的耦合方式有三种: 耦合、 耦合和 耦合。 2、半导体中中存在两种载流子: 和 。纯净的半导体称为 ,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为 。杂质半导体分为两种: 半导体——多数载流子是电子;P 型半导体——多数载流子是 。当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个 ,这是制造半导体器件的基础。 3、在本征半导体中加入5价元素可形成 半导体,加入3价元素可形成 半导体。 4、对一个放大电路进行静态分析,首先应作该放大电路的 通路,而作,动态分析时,应作该放大电路的 通路。 若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大,在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为 失真和 失真。 5、一只三极管的β=50,当A I B μ10=时,集电极电流是 mA 。 6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数 ;负反馈使放大倍数 ;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是 ,交流负反馈能够 改善放大电路的 。 7、电压负反馈使输出 保持稳定,因而 了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而 了输出电阻。串联负反馈 了放大电路的输入电阻;并联负反馈则 了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态: 式、 式、 式和 式。 8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的 成分,同时,尽量保留其中的 成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于 电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低 成分。 9、直流稳压电源一般由变压器电路、 及 和稳压电路四部分组成。 10、在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av= Av1是 放大器,Av2是 放大

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

模拟电子技术基础复习提纲 第一章绪论 )信号、模拟信号、放大电路、三大指标。(放大倍数、输入电阻、输出电阻) 第三章二极管及其基本电路 )本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。N型半导体和P型半导体。在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。 )二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线) )二极管的三种模型表示方法。(理想模型、恒压降模型、折线模型)。(V BE=) 第四章双极结型三极管及放大电路基础 )BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。(由三端的直流电压值判断各端的名称。由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数) )什么是直流负载线什么是直流工作点 )共射极电路中直流工作点的分析与计算。有关公式。(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。 )小信号模型中h ie和h fe含义。 )用h参数分析共射极放大电路。(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。 )常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。各种组态的特点及用途。P147。(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。) 复合管类型及判别。(类型与前一只管子决定) )什么是波特图怎样定义放大电路的带宽(采用对数坐标的幅频和相频特性曲线。) )RC低通电路的波特图及特点。(3dB带宽) )影响三极管带宽上限的原因是晶体管极间电容和分布电容的存在,使高频信号增益降低。 第五章场效应管放大电路 )什么叫单极性器件场效应管和BJT放大原理的最根本的不同点是什么 )场效应管的种类及符号识别。(重点为N沟道增强型场效应管,该管在放大状态下,开启电压V T为正值,栅极电压应大于源极电压)。

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题:(每空1分,共16分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、( 逻辑图 )、( 逻辑表达式 )和( 卡诺图 )。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是( 0 )。 3.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是( TTL )电路和( CMOS )电路。 4.施密特触发器有( 两 )个稳定状态.,多谐振荡器有( 0 )个稳定状态。 5.已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( 10 )条,数据线( 4 )条。 6.已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( 20 )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( 50 )。 7.GAL 器件的全称是( 通用阵列逻辑 ),与PAL 相比,它的输出电路是通过编程设定其( 输出逻辑宏单元 )的工作模式来实现的,而且由于采用了( E 2CMOS )的工艺结构,可以重复编程,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共16分) 1. 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解:1. 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成,图3由 CMOS 门电路构 成,试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解:.2. 三、已知电路及输入波形如图4(a )(b )所示,其中FF1是D 锁存器,FF2是维持-阻塞D 触发器,根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 (8分) 解: R +

模拟电子技术总结复习资料

半导体二极管及其应用电路 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 * PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是() 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是() 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为() 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域() 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

电子技术基础课程标准.

《电子技术基础》学科课程标准

吉林财经学校 电子教研室 《电子技术基础》学科课程标准 一、课程性质 (一)课程性质 本课程是一门电子技术方面的入门性质技术基础课程,它具有自身的体系,是实践性很强的课程。它的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术基础的某些领域,以及为电子技术基础在专业中的应用打好基础。 (二)基本理念 为保证教学的规范性及计划性,本着及时反映相关学科领域的最新成果、随着技术发展及时更新教学内容的原则特指定本课程标准。要求授课教师在保证学生掌握基本理论及基础知识的基础上,强调启发式教学,注重学生的创新能力的培养。本课程要求先行学完物理和电工基础。 (三)设计思路 1.体现21世纪电子技术的新知识、新器件、新工艺、新技术的应用。 2.体现能力本位的职教特色。 3.吸收了本课程先进的教学经验和教学改革成果,充分考虑中专学校的教学实际,力求内容简洁、重点突出。 4.加强对学生实践能力和应用能力的培养,减少验证性实验,增强提高应用能力的实验。

二、课程目标 本课程的教学目标是:使学生具备高素质劳动者和中初级专门人才所必需的电子技术的基本知识和基本技能,初步形成解决实际问题的能力,为学习专业知识和职业技能打下基础,并注意渗透思想教育,逐步培养学生的辨证思维,加强学生的职业道德观念。以培养学生综合职业能力为主线,同时课程进行整体优化。 (一)课程教学目标 基本知识教学目标是: 1. 电工与电子技术中的基本概念和基本原理; 2. 常用设备和器件的特性及应用范围、途径。 能力目标是: 1. 能正确使用常用电工电子仪器仪表; 2. 能阅读简单的电路原理图及设备的电路方框图; 3. 具有查阅手册等资料的能力; 4. 能处理电器及电子设备的简单故障。 思想教育目标是: 1. 初步具备辨证思维的能力; 2.具有热爱科学,实事求是的学风和创新意识、创新精神; 3.加强职业道德意识。 (二)教学基本要求 A. 模拟电路部分 1. 掌握常用半导体器件工作原理、特性和主要参数,并正确使用。 2. 掌握基本放大电路、多级放大电路和差动放大电路的工作原理,静态和动态性能 计算和分析。熟悉阻容耦合放大器的频率响应。 3. 掌握运算放大器特点、分析方法和基本应用(线性和非线性)。 4. 掌握放大器反馈极性的判别、负反馈的基本方式及其对放大器性能的影响。 5. 掌握正弦波振荡器、整流器、稳压器、比较器、功率放大器的电路组成、工作原 理及主要应用。 6. 正确运用下列分析方法:用于分析静态工作点、输出幅度和波形失真的图解法; 分析运算放大器的虚短、虚断法;判断正、负反馈的瞬时极性法;处理工程实际问题时的估算法。 7. 具有以下能力:初步读图能力;具有对基本电路性能指标的定量估算能力;根据 功能要求,具有选定适当基本电路和选择元器件的能力。 B. 数字电路部分 a. 器件及电路方面 1. 掌握半导体器件的开关特性,正确理解正、负及混合逻辑; 2. 熟悉集成门和集成触发器的结构,工作原理,主要参数; 3. 掌握基本功能电路的电路结构,工作原理和逻辑功能。 b. 基本分析方法

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