MLCC贴片电容选择及应用问题

MLCC贴片电容选择及应用问题
MLCC贴片电容选择及应用问题

MLCC贴片电容选择及应用问题(選型資料)

MLCC(片状多层陶瓷电容)现在已经成为了电子电路最常用的元件之一。MLCC表面看来,非常简单,可是,很多情况下,设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方。以下谈谈MLCC选择及应用上的一些问题和注意事项。

MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件。失效率高,一方面是MLCC 结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题。

由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解。在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了。但是对于MLCC,仅仅考虑这两个参数是远远不够的。

使用MLCC,不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。MLCC的材质有很多种,每种材质都有自身的独特性能特点。不了解这些,所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质,X7R材质,Y5V材质。C0G的工作温度范围和温度系数最好,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C。X7R次之,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%。Y5V的工作温度仅为-30°C至

+85°C,在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%。当然,C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。在选型时,如果对工作温度和温度系数要求很低,可以考虑用Y5V的,但是一般情况下要用X7R的,要求更高时必须选择COG的。一般情况下,MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大,但是随着温度上升或下降,其容量都会下降。

仅仅了解上面知识的还不够。由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的,所以,同样的尺寸和耐压下,能够做出来的最大容量也是依次减少的。有的没经验的工程师,以为想要什么容量都有,选型时就会犯错误,选了不存在的规格。比如想用0603/C0G/25V/3300pF的电容,但是0603/C0G/25V的MLCC一般只做到1000pF。其实只要仔细看了厂家的选型手册,就不会犯这样的错误。另外,对于入门不久的设计工程师,对元件规格的数序(E12、E24等)没概念,会给出0.5uF之类的不存在的规格出来。即使是有经验的工程师,对于规格的压缩也没概念。比如说,在滤波电路上,原来有人用到了3.3uF的电容,他的电路也能用3.3uF的电容,但他有可能偏偏选了一个没人用过的4.7uF或2.2uF的电容规格。不看厂家选型手册选型的人,还会犯下面这种错误,比如选了一个0603/X7R/470pF/16V的电容,而事实上一般厂家

0603/X7R/470pF的电容只生产50V及其以上的电压而不生产16V之类的电压了。

另外注意片状电容的封装有两种表示方法,一种是英制表示法,一种是公制表示法。美国的厂家用英制的,日本厂家基本上都用公制的,而国产的厂家有用英制的也有用公制的。一个公司所用到的电容封装,只能统一用一种制式来表示,不能这个工程师用英制那个工程师用公制。否则会搞混乱。极端的情况下,还会弄错。比如说,英制的有0603的封装,公制的也有0603的封装,但是两者实际上是完全不同的尺寸的。英制的0603封装对应公制的是1608,而公制的0603封装对应英制的却是0201!其实英制封装的数字大约乘以2.5(前2位后2位分开乘)就成为了公制封装规格。现在流行的是用英制的封装表达法。比如我们常说的0402封装就是英制的表达法,其对应的公制封装为1005(1.0*0.5mm)。

另外,设计工程师除了要了解MLCC的温度性能外,还应该了解更多的性能。比如Y5V介质的电容,虽然容量很大,但是,这种铁电陶瓷有一个缺点,在就是其静态容量随其直流偏置工作电压的增大而减少,最大甚至会下降70%。比如一个Y5V/50V/10uF的电容,在50V的直流电压下,其容量可能只有3uF!当然,不同的厂家的特性有差异,有的下降可能没这么严重。如果你一定要用Y5V的电容,除了要知道其容量随温度的变化曲线图外,还必须向厂家索取其容量随直流偏置电压变化的曲线图(甚至是要容量温度直流偏置综合图)。使用Y5V电容要有足够的电压降额。X7R的容量随其直流偏置工作电压的增大也减少,不过没有Y5V的那么明显。同时,MLCC尺寸越小,这种效应就越明显。

不同的材质的频率特性也不同。设计师必须了解不同材质的不同频率特性。比如C0G(又称高频热补偿型介质)的高频特性好,X7R的次之,Y5V的差。在做平滑(电源滤波)用途时,要求容量尽量大,所以可用Y5V电容,也就是说,Y5V电容可以取代电解电容。在做旁路用途时,比如IC的VCC引脚旁的旁路电容,至少要选用X7R电容。而振荡电路则必须用C0G电容。由于Y5V的性能较差,我一般都是不推荐使用的,要求设计工程师尽量考虑用X7R电容(或X5R电容)。如果对容量体积比要求高的场合,则考虑用钽电容而尽量避免用Y5V电容。当然,如果你们公司要求不高,还是可以考虑Y5V电容,但是要特别小心。

一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小,是相对于电解电容(包括钽电解电容)而言的。事实上,高频时,MLCC的ESL、ESR不可以忽略。一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到1MHz。谐振点意味着,超过了这个频率,电容已经不是电容特性了,而是电感特性了。如果想使MLCC 用于更高频率,比如微波,那么,就必须用专门的微波材料和工艺制造的MLCC。微波电容要求ESL、ESR必须更小。

MLCC一直在小型化的方向进展。现在0402的封装已经是主流产品。但是小型化可能带来其它的一些危害。事实上,不是所有的电子产品都是那么在意和欢迎小型化MLCC的。在意小型化的电子产品,比如手机、数码产品等等,这些产品成为MLCC小型化的主要推动力。对于MLCC 厂家来说,小型化MLCC占有主要的出货量。但是从整个电子业界来说,还有很多电子设备,对小型化不是那么在乎,性能和可靠性才是关键考虑因素,MLCC小型化带来了可靠性的隐患。比如通信设备、医疗设备、工控设备、电源等。这些电子设备空间够大,对MLCC小型化不是很感兴趣;而且,这些电子设备不像个人消费品那样追赶时髦且更新换代快,而是更在乎长久使用的可靠性,所以对于元件的余量要求更高(为了保证可靠性,余量要大,所以尺寸更大的MLCC 才满足要求。另外,更大的尺寸使得MLCC厂家在提高电容的可靠性上更有发挥的空间)。这点恰好与MLCC厂家追求小型化的方向不一致。这是个矛盾。这些高可靠性要求的电子设备的特点是量不是很大,但是价格昂贵(个别种类电源除外),可靠性要求也高。如果是知名的电子设备厂,日子会好过一点,因为MLCC厂会为他们保存一些大尺寸的规格的MLCC生产。如果不是知名的电子设备厂,也不用那么悲观,毕竟,还有少数MLCC厂定位不同,依然会继续生产大尺寸的电容。所以,作为这种电子设备的厂家,要善于寻找定位于高性能高可靠的较大尺寸的MLCC 厂家。但是有一个注意事项是,所选用的规格不可以是独家才有的规格,至少是有两家满足自己公司要求的MLCC厂家在生产这种规格。另外,对于小型化不影响性能和可靠性要求时,还是优先考虑小型化的M LCCC.

有的公司在MLCC的应用上也会有一些误区。有人以为MLCC是很简单的元件,所以工艺要求不高。其实,MLCC是很脆弱的元件,应用时一定要注意。

MLCC厂家在生产过程中,如果工艺不好,就有可能会有隐患。比如介质空洞、烧结纹裂、分层等都会带来隐患。这点只能通过筛选优秀的供应商来保证(后面还会谈到供应商选择问题)。

另外就是陶瓷本身的热脆性和机械应力脆性的故有可靠性,导致电子设备厂在使用MLCC时,使用不当也容易失效。

MLCC现在做到几百层甚至上千层了,每层是微米级的厚度。所以稍微有点形变就容易使其产生裂纹。另外同样材质、尺寸和耐压下的MLCC,容量越高,层数就越多,每层也越薄,于是越容易断裂。另外一个方面是,相同材质、容量和耐压时,尺寸小的电容要求每层介质更薄,导致更容易断裂。裂纹的危害是漏电,严重时引起内部层间错位短路等安全问题。而且裂纹有一个很麻烦的问题是,有时比较隐蔽,在电子设备出厂检验时可能发现不了,到了客户端才正式暴露出来。所以防止MLCC产生裂纹意义重大。

MLCC受到温度冲击时,容易从焊端开始产生裂纹。在这点上,小尺寸电容比大尺寸电容相对来说会好一点,其原理就是大尺寸的电容导热没这么快到达整个电容,于是电容本体的不同点的温差大,所以膨胀大小不同,从而产生应力。这个道理和倒入开水时厚的玻璃杯比薄玻璃杯更容易破裂一样。另外,在MLCC焊接过后的冷却过程中,MLCC和PCB的膨胀系数不同,于是产生应力,导致裂纹。要避免这个问题,回流焊时需要有良好的焊接温度曲线。如果不用回流焊而用波峰焊,那么这种失效会大大增加。MLCC更是要避免用烙铁手工焊接的工艺。然而事情总是没有那么理想。烙铁手工焊接有时也不可避免。比如说,对于PCB外发加工的电子厂家,有的产品量特少,贴片外协厂家不愿意接这种单时,只能手工焊接;样品生产时,一般也是手工焊接;特殊情况返工或补焊时,必须手工焊接;修理工修理电容时,也是手工焊接。无法避免地要手工焊接MLCC时,就要非常重视焊接工艺。

首先必须告知工艺和生产人员电容热失效问题,让其思想上高度重视这个问题。其次,必须由专门的熟练工人焊接。还要在焊接工艺上严格要求,比如必须用恒温烙铁,烙铁不超过315°C(要防止生产工人图快而提高焊接温度),焊接时间不超过3秒选择合适的焊焊剂和锡膏,要先清洁焊盘,不可以使MLCC受到大的外力,注意焊接质量,等等。最好的手工焊接是先让焊盘上锡,然后烙铁在焊盘上使锡融化,此时再把电容放上去,烙铁在整个过程中只接触焊盘不接触电容(可移动靠近),之后用类似方法(给焊盘上的镀锡垫层加热而不是直接给电容加热)焊另一头。

机械应力也容易引起MLCC产生裂纹。由于电容是长方形的(和PCB平行的面),而且短的边是焊端,所以自然是长的那边受到力时容易出问题。于是,排板时要考虑受力方向。比如分板时的变形方向于电容的方向的关系。在生产过程中,凡是PCB可能产生较大形变的地方都尽量不要放电容。比如PCB定位铆接、单板测试时测试点机械接触等等都会产生形变。另外半成品PCB板不能直接叠放。等等。

下面谈谈MLCC的厂家选择与样品认证。

MLCC作为相对低端的元件,欧美厂家一般不太愿意生产了或被日本品牌收购了。美国只剩下极少数的厂家还在生产MLCC,但是市场占有量少,货期长。所以,MLCC做得最好的是日本品牌。当然,台湾和大陆也有一些知名厂家的MLCC市场占有率不错。在普通的规格上,台湾和大

陆的名牌MLCC的技术和质量差不多向日本的厂家靠拢了。但是如果要用一些技术和质量更优良的MLCC,可能只能选择美国和日本的品牌。总体来说,MLCC可供选择的厂家很多,由于MLCC 价格不高,所以,选择知名企业一般公司还是很乐意的。如果选择的是一流企业的产品,那用起来自然是省心。但是,如果对一个品牌的MLCC质量不放心,或不是一流企业,那么选择供应商时就必须对他们的产品进行认证。电容不贵,样品数量可以多要点。要测试样品的温度特性、频率特性、直流偏置电压特性等等。有的参数自己的公司测不了,可以到供应商处测,或让他们出测试报告。事实上,MLCC的可靠性才是最关键的。通过上面的内容可知,MLCC的失效主要是热应力失效和机械应力失效。那么,样品也重点要测这些性能:抗热冲击和抗弯曲能力测试。注意,产生裂纹时,电容的容量等普通参数可能还是好的。这时主要是要测漏电(特别是有潮气进入时)才能测出来。当然,如果对可靠性要求特别高,可以选择某些公司特殊开发的防裂纹品种的MLCC,当然这要增加一些采购成本(同时有货期没那么好的问题),可以综合衡量

滤波电容、去耦电容、旁路电容的作用

滤波电容、去耦电容、旁路电容作用 滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。数字,集成电路,IC,FAQ,Design compiler,数字信号处理,滤波器,DSP,VCS,NC,coverage,覆盖率,modelsim,unix,c,verilog,hdl,VHDL,IP,STA,vera,验证,primetime,FIFO,SDRAM,SRAM,IIR,FIR,DPLL L a O(i_ P e 而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。 你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水, 这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了, 等水过来,我们已经渴的不行了。Digital IC Designer's forum:h X,t

py7A(r4QF 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer 的作用。 如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,L x!H\D"P/} 而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,:`&y"S$O(S9WV5s%^"L 阻抗Z=i*wL+R,线路的电感影响也会非常大,数字,集成电路,IC,FAQ,Design compiler,数字信号处理,滤波器,DSP,VCS,NC,coverage,覆盖率,modelsim,unix,c,verilog,hdl,VHDL,IP,STA,vera,验证,primetime,FIFO,SDRAM,SRAM,IIR,FIR,DPLL2G K v{I;N,J(R x 会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。数字,集成电路,IC,FAQ,Design compiler,数字信号处理,滤波器,DSP,VCS,NC,coverage,覆盖率,modelsim,unix,c,verilog,hdl,VHDL,IP,STA,vera,验证,primetime,FIFO,SDRAM,SRAM,IIR,FIR,DPLL1q Q&\6g i*V7o n O 而去耦电容可以弥补此不足。 这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一

陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别

陶瓷电容器分类 分类原因: 依据材料之介电特性及产品之温度系数 (Temperature coefficient of capacitance,TCC)特性所定分为三大类。 介质材料分类: 1类 (Class Ⅰ)或稱溫度補償型(temperature compensation) 2类(Class Ⅱ) 3类(Class Ⅲ)或稱半導體陶瓷電容器 产品使用分类: 温度补偿型高Q值C0G 高频C0G 中高压型 低感抗型片式排容 1类(Class Ⅰ): C0G 或称温度补偿型(temperature compensation),产品低介 电系数,无论时间和温度如何改变,其电容量是极稳定的;正常电容量下有低介电损失及较小公差。 1类产品应用于精密计时电路、高频杂讯虑波、阻抗匹 配、ESD/EMI(回声探测仪或电磁干扰)的限制。 2类( Class Ⅱ): X7R/X5R 具有较高的介电常数,容量比1类电容器高,具有较稳 定的温度特性, 应用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔 直流、耦合、旁路、鉴频等电路中。 2类(Class Ⅱ):Z5U 其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路、耦合、低直流偏压等电路中。 2类(Class Ⅱ):Y5V 是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性 较差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量、温度变化不大的电路中。

3类(ClassⅢ):或稱半導體陶瓷電容器 其电容量变化相似于2类,然而此型别在客户应用上是属于 非常等级。 高频类: 此类介质材料的电容器为1类电容器,包括通 用型高频C0G电容器和温度补偿型高频电容器,其中C0G电容器电性能最稳定, 几乎不随温度、电压、时间和变化而变化。 应用于低损耗、稳定性要求高的高频电路,如 虑波器,振动器和计时电路中。 温度补偿型: 温度系数系列,此为1 类电容器,电容量的变化与温度呈线性变化; 应用于工作温度变化较大,要求高的谐振电路 中,起到温度补偿之用,例电视机中的谐振器。 高Q值C0G: 此类电容器为1类电容器,使用频率在1MHz ~ 3GHz之间; 应用于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频 率响应的微波电路中。

滤波电容的选择

滤波电容起平滑电压的作用;容值大小与输入桥式整流的输入电压无关;一般是越大越好。但要明白它取值的原理:滤波电容的取值与后级电路的突变电流有关。 打个比方:电容就好比一个水桶,输入往这个水桶中倒水,输出(后级电路)从这个水桶中抽水。如果恒定的抽水,只要倒入的水量大于抽水量,那么水桶将永远是满的,所以这个水桶可以不需要(当然这是理想情况)。假如某时刻需要抽出大量的水,大于输入的量,你会怎么办? 你可以准备一个较大的水桶,在这个时刻到来之前,将这个水桶的水灌满;等到了抽水的时刻,水桶中已经有足够的水抽取,就不会出现缺水的情况。 滤波电容就好比这个较大的水桶! 至于它的具体值,你将后级电路的突变电流与电容充、放电系数联系起来考虑,相信你能领悟出合适的计算方法。 滤波电容的作用和大小是怎样的? 一般情况下,电解电容的作用是过滤掉电流中的低频信号,但即使是低频信号,其频率也分为了好几个数量级。因此为了适合在不同频率下使用,电解电容也分为高频电容和低频电容(这里的高频是相对而言)。 低频滤波电容主要用于市电滤波或变压器整流后的滤波,其工作频率与市电一致为50Hz;而高频滤波电容主要工作在开关电源整流后的滤波,其工作频率为几千Hz到几万Hz。当我们将低频滤波电容用于高频电路时,由于低频滤波电容高频特性不好,它在高频充放电时内阻较大,等效电感较高。因此在使用中会因电解液的频繁极化而产生较大的热量。而较高的温度将使电容内部的电解液气化,电容内压力升高,最终导致电容的鼓包和爆裂 滤波电容在电路中作用 滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。 容的容抗为1/ωC欧姆(类似电阻,如果是非电类大学以上学历就把它当作电容器的电阻看吧),ω为角频率,ω=2πf,f为频率。容抗与自身容量C和频率ω(或者说f)有关,当C一定时,频率越高,容抗越小,对电流的阻碍作用就越小;频率越低,容抗越大。……人们所说的“电容通高频阻低频,通交流阻直流”是在不同情况下说的,也可以说是在不同容量C的情况下说的,都是正确的。 到此就不必再多说了吧,分析1/ωC就行了。 电路中的电容滤波问题解析

贴片电容封装详细

贴片电容封装详细资料 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。? NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。? * NPO电容器? NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损

耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。? 封装 DC=50V DC=100V? 0805 ? 1206 ? 1210 560---5600pF 560---2700pF? 2225 μF μF? NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。? * X7R电容器? X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。?

去耦电容、旁路电容、滤波电容的选择和区别

区别去耦电容 去除在期间切换时从?高配到配电?网中 的RF能量量 储能作?用,供局部化的直流电源,减 少跨板浪涌电流 在VCC 引脚通常并联?一个去耦电容, 电容同交隔直将交流分量量从这个电容 接地 有源器?件在开关时产?生的?高频开关噪声江燕电源线传播, 去耦电容就是提供?一个局部的直流给有源器?件,减少开关 噪声在板上的传播并且能将噪声引导到地。 如果主要是为了了增加电源和地的交流耦合,减少交流信号 对电源的影响,就可以称为去耦电容; 旁路路电容 从元件或电缆中转移出不不想要的共模 RF 能量量。这主要是通 过产?生 AC 旁路路消除?无意的能量量进?入敏?感的部分,另外还可 以提供基带滤波功能(带宽受限)。 在电路路中,如果电容起的主要作?用是给交流信号提供低阻抗的通 路路,就称为旁路路电容; 电?子电路路中,去耦电容和旁路路电容都是起到抗?干扰的作?用,电容所处 的位置不不同,称呼就不不?一样了了。对于同?一个电路路来说,旁路路(bypass) 电容是把输?入信号中的?高频噪声作为滤除对象,把前级携带的?高频杂 波滤除,?而去耦 (decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的?干 扰作为滤除对象。 滤波电容选择 经过整流桥以后的是脉动直流,波动 ?方位很?大,后?面?一般?用?大?小两个电容 ?大电容?用来稳定输出,因为电容两端 电压不不能突变,可以使输出平滑,?小 电容?用来滤除?高频?干扰,使输出电压 纯净,电容越?小,谐振频率越?高,可 滤除的?干扰频率越?高 容量量的选择 ?大电容,负载越重,吸收电流的能?力力越强,这 个?大电容的容量量就要越?大 ?小电容,凭经验,?一般104 即可 1、电容对地滤波,需要?一个较?小的电容并联对地, 对?高频信号提供了了?一个对地通路路。 2、电源滤波中电容对地脚要尽可能靠近地。 3、理理论上说电源滤波?用电容越?大越好,?一般?大电容滤低频波,?小 电容滤?高频波。 4、可靠的做法是将?一?大?一?小两个电容并联,?一般要求相差两个 数量量级以上,以获得更更?大的滤波频段. 滤波电容电源和地直接连接去耦电容 1.为本集成电路路蓄能电容 2.滤除该期间产?生的?高频噪声,切断其通过供电回路路进?行行传播的通路路 3.防?止电源携带的噪声对电路路构成?干扰 滤波电容的选?用原则在电源设计中,滤波电容的选取原则是: C≥2.5T/R 其中: C 为滤波电容,单位为UF; T 为频率, 单位为Hz,R 为负载电阻,单位为Ω 当然,这只是?一般的选?用原则,在实际的应?用中,如条件(空间和成本)允许,都选取C≥5T/R. PCB制版电容的选择?一般的10PF 左右的电容?用来滤除?高频的?干扰信号,0.1UF 左右的?用来滤除低频的纹波?干扰,还可以起到稳压的作?用。滤波电容具体选择什什么容值要取决于你PCB 上主要的?工作频率和可能对系统造成影响的谐波频率,可以查?一下相关?厂商的电容资料料或者参考?厂商提供的资料料库软件,根据具体的需要选择。 如果你PCB 上主要?工作频率?比较低的话,加两个电容就可以了了,?一个虑除纹波,?一个虑除?高频信号。如果会出现?比较?大的瞬时电流,建议再加?一个?比较?大的钽电容。 实?用点的,?一般数字电路路去耦0.1uF 即可,?用于10M 以下;20M 以上?用1到10 个uF,去除?高频噪声好些,?大概按C=1/f 。旁路路?一般就?比较的?小了了,?一般根据谐振频率?一般为0.1 或0.01uF

贴片电容极性判别

贴片电容极性判别 贴片式电容有贴片式陶瓷电容、贴片式钽电容、贴片式铝电解电容。 贴片式陶瓷电容无极性(如图3),容量也很小(PF级),一般可以耐很高的温度和电压,常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻(因此有时候我们也称之为“贴片电容”),但贴片电容上没有代表容量大小的数字。 贴片式钽电容的特点是寿命长(如图4)、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于小容量的低频滤波电路中。 贴片钽电容与陶瓷电容相比,其表面均有电容容量和耐压标识,其表面颜色通常有黄色和黑色两种。譬如100-16即表示容量100μF,耐压16V。 贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量,其多见于显卡上,容量在300μF~1500μF之间,其主要是满足电流低频的滤波和稳压作用。 一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四 个系列,具体分类如下: 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V

贴片的钽电解电容(A/B/C/D壳)横杠是正极.或底盘(金属)上有缺口的那边是正极 贴片的圆型铝电解电容,横杠是负极. 瓷片电容对高频滤除效果最好; 电解电容对低频的抑制效果就比其他的好; 独石、钽电容等,在温度系数方面比瓷片的好,而在滤除高频方面远没有瓷片的好。 去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(Decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(By-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于CMOS电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于PDS(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了 铝电容容量较大、价格较低,但易受温度影响、准确度不高;而且随着使用时间会逐渐失效。钽电容寿命长、耐高温、准确度高,不过容量较小、价格高。除非是需要大容量滤波的地方(如CPU插槽附近),原则上最好都使用钽电容,因为它不易引起波形失真。 下图为SMD钽电容电容 下图为SMD铝电容

(完整版)贴片电容的介绍

X7R 性质: 1. 介电常数可达到3000,容温变化率小于15%,介电损耗小于3.5%; 2. 粉体粒径250-300nm,烧成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。 电镜照片: 用途: 1. 此介质材料为环保型粉料,无任何有毒镉(Cd)和铅(Pd)的化合物; 2. 适合于制备超薄层大容量贱金属内电极多层陶瓷电容器的生产:单层陶瓷膜片厚度5~10mm;层数从几十到几百层;电容量从 0.1 nF 到100 nF; 3. 由于瓷粉粒度小,分散性好,因此不需要再进行剧烈的球磨,以免改变瓷料的晶粒性质,使性能劣化。 Y5V贴片电容,MLCC Y5V多层陶瓷片式电容 贴片电容简述 COG(NPO)贴片电容选型表 X7R贴片电容选型表 创建时间:2006-1-13 最后修改时间:2006-1-13 简述 Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。

Y5V贴片电容特性 ?具有较差的电容量稳定性,在-25℃~85℃工作温度范围内,温度特性为+30%,-80%。 ?层叠独石结构,具有高可靠性。 ?优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 ?应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。 Y5V贴片电容各个生产厂家规格书 生产厂家规格书 AVX Datasheet 风华Datasheet 国巨Datasheet 太阳诱电Datasheet 村田Datasheet Y5V贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 符 号 A C E G J K M N P Q X Y Z 最 大 厚 度毫米(英寸) 0.33 (0.013 ) 0.56 (0.022 ) 0.71 (0.028 ) 0.86 (0.034 ) 0.94 (0.037 ) 1.02 (0.040 ) 1.27 (0.050 ) 1.40 (0.055 ) 1.52 (0.060 ) 1.78 (0.070 ) 2.29 (0.090 ) 2.54 (0.100 ) 2.79 (0.110 ) 0201~1210 Y5V贴片电容选型表 封装尺寸0201 0402 0603 0805 1206 1210 工作电压6. 3 1 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 电容量(pF ) 820 1000 2200 4700 A A A C 电容量(uF 0.01 0.02 2 A A A A C C C C C G G G G

去耦电容的选择、容值计算和布局布线

去耦电容的容值计算和布局布线 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播, 和将噪声引导到地。 去耦电容的容值计算 去耦的初衷是:不论I C对电流波动的规定和要求如何都要使电压限值维持在规定的允许误差范围之内。 使用表达式: C⊿U=I⊿t 由此可计算出一个I C所要求的去耦电容的电容量C。 ⊿U是实际电源总线电压所允许的降低,单位为V。 I是以A(安培)为单位的最大要求电流; ⊿t是这个要求所维持的时间。 x i l i n x公司推荐的去耦电容容值计算方法: 推荐使用远大于1/m乘以等效开路电容的电容值。 此处m是在I C的电源插针上所允许的电源总线电压变化的最大百分数,一般I C 的数据手册都会给出具体的参数值。 等效开路电容定义为: C=P/(f U^2) 式中: P——I C所耗散的总瓦数; U——I C的最大D C供电电压; f——I C的时钟频率。

一旦决定了等效开关电容,再用远大于1/m的值与它相乘来找出I C所要求的总去耦电容值。然后还要把结果再与连接到相同电源总线电源插针的总数相 除,最后求得安装在每个连接到电源总线的所有电源插针附近的电容值。 去耦电容选择不同容值组合的原因: 在去耦电容的设计上,通常采用几个不同容值(通常相差二到三个数量级,如0.1u F与10u F),基本的出发点是分散串联谐振以获得一个较宽频率范 围内的较低阻抗。 电容谐振频率的解释: 由于焊盘和引脚的原因,每个电容都存在等效串联电感(E S L),因此自身会形成一个串联谐振电路,L C串联谐振电路存在一个谐振频率,随着电力的频 率不同,电容的特性也随之变化,在工作频率低于谐振频率时,电容总体呈容性,在工作频率高于谐振频率时,电容总体呈感性,此时去耦电容就失去了去耦的效 果,如下图所示。因此,要提高串联谐振频率,就要尽可能降低电容的等效串联电感。 电容的容值选择一般取决于电容的谐振频率。 不同封装的电容有不同的谐振频率,下表列出了不同容值不同封装的电容的谐振频率:

贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)

AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高 介质损耗最大0。15% 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。适用于低损耗,稳定性要求要的高频电路 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 X7R此种材质比NPO稳定性差,但容量做的比NPO的材料要高,容量精度在10%左右。常规10000PF以下,10000PF-1UF也能生产但价格较高 介质损耗最大2。5%(25V与50V)3。5%(16V) 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

贴片电容材质及规格

贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%

退耦电容的并联组合

同容值电容的并联与反谐振(Anti-Resonance) 容值不同的电容具有不同的谐振点。图11画出了两个电容阻抗随频率变化的曲线。 图11 两个不同电容的阻抗曲线 左边谐振点之前,两个电容都呈容性,右边谐振点后,两个电容都呈感性。在两个谐振点之间,阻抗曲线交叉,在交叉点处,左边曲线代表的电容呈感性,而右边曲线代表的电容呈容性,此时相当于LC并联电路。对于LC并联电路来说,当L和C上的电抗相等时,发生并联谐振。因此,两条曲线的交叉点处会发生并联谐振,这就是反谐振效应,该频率点为反谐振点。

图12 不同容值电容并联后阻抗曲线 两个容值不同的电容并联后,阻抗曲线如图12所示。从图12中我们可以得出两个结论: a 不同容值的电容并联,其阻抗特性曲线的底部要比图10阻抗曲线的底部平坦得多(虽然存在反谐振点,有一个阻抗尖峰),因而能更有效地在很宽的频率范围内减小阻抗。 b 在反谐振(Anti-Resonance)点处,并联电容的阻抗值无限大,高于两个电容任何一个单独作用时的阻抗。并联谐振或反谐振现象是使用并联去耦方法的不足之处。 在并联电容去耦的电路中,虽然大多数频率值的噪声或信号都能在电源系统中找到低阻抗回流路径,但是对于那些频率值接近反谐振点的,由于电源系统表现出的高阻抗,使得这部分噪声或信号能量无法在电源分配系统中找到回流路径,最终会从PCB上发射出去(空气也是一种介质,波阻抗只有几百欧姆),从而在反谐振频率点处产生严重的EMI问题。因此,并联电容去耦的电源分配系统一个重要的问题就是:合理的选择电容,尽可能的压低反谐振点处的阻抗。 相同容值电容的并联 使用很多电容并联能有效地减小阻抗。63个0.0316 uF的小电容(每个电容ESL为1 nH)并联的效果相当于一个具有0.159 nH ESL的1.9908 uF电容。

旁路、耦合、退耦电容的选取

旁路、退耦、耦合电容的选取 高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则:“在电路板的电源接入端放置一个1~10μF 的电容,滤除低频噪声;在电路板上的电源与地线之间放置一个0.01~0.1μF 的电容,滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB 设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则(老外俗称Rule of Thumb )。但是为什么要这样使用呢?各位看官,如果你是电路设计高手,你可以去干点别的更重要的事情了,因为以下的内容仅是针对我等入门级甚至是门外级菜鸟。 做电路的人都知道需要在芯片附近放一些小电容,至于放多大?放多少?怎么放?将该问题讲清楚的文章很多,只是比较零散的分布于一些前辈的大作中。鄙人试着采用拾人牙慧的方法将几个问题放在一起讨论,希望能加深对该问题的理解;如果很不幸,这些对你的学习和工作正好稍有帮助,那我不胜荣幸的屁颠屁颠的了。(以上有些话欠砍,在此申明以上不是我所写) 什么是旁路? 旁路(Bypass ),在电路中为了改变某条支路的频率特性,使得它在某些频段内存在适当的阻值,而在另一些频段内则处于近似短路的状态,于是便产生了旁路电容的概念。旁路电容之所以为旁路电容,是因为它旁边还存在着一条主路, 而并不是某些电容天生就是用来做旁路电容的,也就是说什 么种类的电容都可以用来做旁路电容,关键在于电容容值的 大小合适与否。旁路电容并不是电解电容或是陶瓷电容的专 利。之所以低频电路中多数旁路电容都采用电解电容原因在 于陶瓷电容容值难以达到所需要的大小。 使用旁路电容的目的就是使旁路电容针对特定频率以上 的信号相对于主路来说是短路的。如图形式:要求旁路电容需要取值的大小; 已知:1、旁路电容要将流经电阻R 的频率高于f 的交流信号近似短路。求旁路电容的大小? Ic Ir

贴片陶瓷电容分类及温度特性

EIA Code Operation Temperature Range (?C) Temperature Coffcient CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/?C X5R-55~+850±15% X7R-55~+1250±15% X6S-55~+1050±22% Y5V-30~+85-82%~+22% X7S-55~+1250±22% X7T-55~+125-33%~+22% U2J-55~+125-750±120PPM/?C X7U-55~+125-56%~+22% X6T-55~+105-33%~+22% Z5U10~+85-56%~+22% MURATA X8G-55~+1500±30PPM/?C Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor) 过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),介质采用非铁电(顺电)配方,以TiO2为主要成分(介电常 数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度 补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适 用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补 Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor) 过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容 器 。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而 Y5V和Z5U属于可用级。 CLASS II

耦合电容、滤波电容、去耦电容、旁路电容

耦合电容器主要的作用是隔离直流信号。电容的阻抗和信号的频率成反比,信号的频率越高,衰减越小。理论上,对于直流信号的阻抗是无穷大。很多场合需要放大的是交流信号,所以,会用耦合电容去掉信号中的直流部分。 滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于去耦电容蓄能作用的理解 1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水, 这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了,等水过来,我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下, 阻抗Z=i*wL+R,线路的电感影响也会非常大,会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 (在vcc引脚上通常并联一个去藕电容,这样交流分量就从这个电容接地。) 2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 2.旁路电容和去耦电容的区别 去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量 。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。 我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用: 一是作为本集成电路的蓄能电容; 二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路; 三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。 去耦 在直流电源回路中,负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状态转换为另一种状态时,就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流,形成瞬变的噪声电压。

去耦电容的选取

高速电路板上使用最多的是什么东西?去耦电容! 关键词:去耦(decouple)、旁路(Bypass)、等效串联电感(ESL)、等效串联电阻(ESR)、高速电路设计、电源完整性(PI)、信号完整性(SI) 高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则:“在电路板的电源接入端放置一个1~10μF的电容,滤除低频噪声;在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01~0.1μF的电容,滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则(老外俗称Rule of Thumb)。但是为什么要这样使用呢?各位看官,如果你是电路设计高手,你可以去干点别的更重要的事情了,因为以下的内容仅是针对我等入门级甚至是门外级菜鸟。 做电路的人都知道需要在芯片附近放一些小电容,至于放多大?放多少?怎么放?将该问题讲清除的文章很多,只是比较零散的分布于一些前辈的大作中。鄙人试着采用拾人牙慧的方法将几个问题放在一起讨论,希望能加深对该问题的理解;如果很不幸,这些对你的学习和工作正好稍有帮助,那我不胜荣幸的屁颠屁颠的了。 首先就我的理解介绍两个常用的简单概念。

什么是旁路?旁路(Bypass),是指给信号中的某些有害部分提供一条低阻抗的通路。电源中高频干扰是典型的无用成分,需要将其在进入目标芯片之前提前干掉,一般我们采用电容到达该目的。用于该目的的电容就是所谓的旁路电容(Bypass Capacitor),它利用了电容的频率阻抗特性(理想电容的频率特性随频率的升高,阻抗降低,这个地球人都知道),可以看出旁路电容主要针对高频干扰(高是相对的,一般认为20MHz以上为高频干扰,20MHz以下为低频纹波)。 什么是退耦?退耦(Decouple),最早用于多级电路中,为保证前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的而采取的措施。在电源中退耦表示,当芯片内部进行开关动作或输出发生变化时,需要瞬时从电源线上抽取较大电流,该瞬时的大电流可能导致电源线上电压的降低,从而引起对自身和其他器件的干扰。为了减少这种干扰,需要在芯片附近设置一个储电的“小水池”以提供这种瞬时的大电流能力。 在电源电路中,旁路和退耦都是为了减少电源噪声。旁路主要是为了减少电源上的噪声对器件本身的干扰(自我保护);退耦是为了减少器件产生的噪声对电源的干扰(家丑不外扬)。有人说退耦是针对低频、旁路是针对高频,我认为这样说是不准确的,高速芯片内部开关操作可能高达上GHz,由此引起对电源线的干扰明显已经不属于

常见贴片陶瓷电容规格

【MC Series 】 Multilayer Ceramic Chip Capacitor ■Features -Wide capacitance range, extremely compost size -Low inductance of capacitor for high frequency application -Excellent solderability and resistance to soldering heat, suitable for flow and reflow soldering -Adaptable to high-speed surface mount assembly -Conform to EIAJ-RC3402, and also compatible with EIA-RS198 and IEC PUB. 384-10 .. ■Construction ■Dimensions MC / MCHL / MCRF Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol M B Paper tape Plastic tape 01 0201 0.6±0.03 0.3±0.03 0.3±0.03 L 0.15±0.05 15K - 02 0402 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 N 0.25 +0.05 / -0.10 10K - 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±010 S 4K 03 0603 1.60 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 X 0.40±0.15 4K - 0.60±0.15 A 4K - 0.80±0.10 B 4K - 2.00±0.15 1.25±0.10 D - 3K 0.85±0.10 T 4K - 05 0805 2.00±0.20 1.25±0.20 1.25±0.20 I 0.50±0.20 - 3K 0.80±0.10 B 4K - 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.15 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.15 1.15±0.15 J - 3K 3.20±0.20 1.60±0.20 1.60±0.20 G - 2K 06 1206 3.20+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 P 0.60±0.20 (0.50±0.20)*** - 2K 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.30 2.50±0.20 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.20 G - 2K 2.00±0.20 K - 1K 10 1210 3.20±0.40 2.50±0.30 2.50±0.30 M 0.75±0.25 - 1K 1.25±0.10 D - 2K 08 1808 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 2.03±0.25 2.00±0.20 K 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 1K 1.25±0.10 D - 1K 3.20±0.30 2.00±0.20 K - 1K 12 1812 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 3.20±0.40 2.50±0.30 M 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 0.5K ** For 1808/1812: 200~3KV , ***For 1206:1KV~3KV ; 1808/1812: 200~3KV Low Inductance Capacitors for MCLI Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol Ta min. Tb min. Paper tape Plastic tape MCLI43 0612 3.20±0.15 1.60±0.15 0.80±0.10 B 0.5 0.13 4K - 1Ceramic Material 3 Termination: 2 Inner Electrodes NPO: Ag/Ni/Sn dielectric X7R, Y5V, X5R: Cu/Ni/Sn dielectric 1 2 3

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值表 X7R贴片电容简述 X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的容量相对稳定。 X7R贴片电容特性 具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 X7R贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 0201~1206 X7R贴片电容选型表

1210~2225 X7R贴片电容选型表

NPO COG 贴片电容容量规格表 默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1 字号:大大中中小小 NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。 具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。 层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。其性能往往决定于其成份和结构。当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。 按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO); ③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。 按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。 按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。 高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大,介质损耗小,温度系数和范围广,一般在(+120~-5600)ppm/℃之间可调。高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品,其用途最广的地方就是振荡回路,像彩电高频头。大家知道,振荡回路都是由电感和电容构成,回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。因此,为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√ LC )不随温度变化而发生漂移,就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。 低频高介电容器是指强介铁电陶瓷,一般用作Ⅱ类瓷介电容器的介质。具有自发极化性质的非线性陶瓷材料,一般以钛酸钡(BaTiO3)为主体的铁电陶瓷,其特点是介电系数特别高,

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