微电子器件与IC设计基础第2版课后答案
课后习题答案
1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。
在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢k 建立联系的，即 k n c h p h E ηη====υω
υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢k 。
1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？
解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2ψψψ*
=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2
,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。
解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和
绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大
(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所
以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小，
只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价
带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的
导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在
一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。
1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？
解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002
式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。
1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
解：当半导体中掺入施主杂质后，在其导带底的下方，距离导带底很近的范围内可以引入局域化的量子态能级。该能级位于禁带中，称之为施主杂质能级。同理，当半导体中掺入受主杂质后，在其价带顶的上方，距离价带顶很近的范围内也可引入局域化的受主杂质能级。
施主能级距离导带底很近，施主杂质电离后，施主能级上的电子跃迁进入导带，其结果向导带提供传导电流的准自由电子；而受主能级距离价带顶很近，受主杂质电离后，价带顶的电子跃迁进入受主能级，其结果向价带提供传导电流的空穴。
1.6 试比较N 型半导体与P 型半导体的异同。
解：对同种材料制作的不同型号的半导体来说，具有以下相同点：二者都具有相同的晶格结构，相同的本征载流子浓度，都对温度很敏感。不同点是，N 型半导体所掺杂质是施主杂质，主要是靠电子导电，电子是多数载流子，空穴是少数载流子：而P 型半导体所掺杂质是受主杂质，主要靠空穴导电，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
1.7 从能带的角度说明杂质电离的过程。
解：杂质能级距离主能带很近，其电离能一般都远小于禁带宽度。因此，杂质能级与主能带之间的电子跃迁也比较容易完成。以施主杂质为例，施主能级上的电子就是被该施主原子束缚着的电子。它在室温下吸收晶格振动的能量或光子的能量（只要其能量高于杂质的电离能）后，就可以挣脱施主原子核对它的束缚，跃迁进入导带成为准自由电子。这一过程称之为杂质电离。电离以后的杂质带有正电荷，电离以前的杂质是电中性的。
1.8 什么是迁移率？什么是扩散系数？二者有何关系？
解：迁移率是描述载流子在电场作用下输运能力的一个物理量；扩散系数是描述载流子在其浓度梯度作用下输运能力的物理量。二者可以通过以下爱因斯坦关系建立联系：
q
kT =μD
1.9 说明载流子的两种输运机制，并比较它们的异同。
解：载流子的输运机制可分为扩散运动和漂移运动两种。扩散运动是在半导体中存在载流子的浓度梯度时，高浓度一边的载流子将会向低浓度一边输运。这种运动称为载流子的扩散运动。扩散运动的强弱与浓度梯度的大小成正比，即与载流子的分布梯度有关。漂移运动是半导体中的载流子在电场力作用下的定向运动。其强弱只与电场的大小成正比，与载流子的分布没有关系。
1.10 什么是费米能级？什么是准费米能级？二者有何差别？
解：在热平衡条件下，半导体中能量为E 的能级被电子占据的几率f(E)服从费米-狄拉克分布
()kT E E F
e E
f -+=11
式中的E F 就是费米能级。它是一个描述半导体电子系统中电子填充能带水平的标志性参数，也称为热平衡系统的化学势。
准费米能级是半导体系统在非平衡条件下（如关照或有电注入下），有非平衡载流子存在时，为了描述导带电子在导带各能级上的分布以及价带空穴在价带各个能级上的分布而引入的一个参考量。其大小也反映了电子和空穴填充能带的水平。值得注意的是，一个能带内消除非平衡的影响仅仅需要s 121110~10--，而少子寿命约为s 610-。所以，在非平衡载流
子存在的绝大部分时间内主能带的电子都处于平衡分布。
1.11 什么是扩散长度？扩散长度与非平衡少数载流子寿命有何关系？
解：扩散长度是描述载流子浓度随着扩散深度增加而衰减的特征长度。扩散长度与非平衡少数载流子寿命的关系如下：
n n n p p D L ττ==,D L p
1.12 简述半导体材料的导电机理。
解：半导体的导电机理与金属是不同的。金属中只有一种载流子（电子）参与导电，而半导体中同时有两种载流子（电子和空穴）参与导电。本征半导体中导电的载流子是由于本征激发而产生的电子和空穴。它们是同时出现的，且i n p n ==00，两种载流子对电流的贡献相同。但是，在杂质半导体中往往有00p n >>，或者00p n <<，存在着多数载流子和少数载流子。所以，多数载流子对电流的贡献占据主要地位，而少数载流子对电流的贡献却可以忽略不计。
习 题1
1.1 计算速度为s cm 7
10的自由电子的德布洛意波长。 解：()m mv h p h 953134
1028.710
101.910626.6---?=???===λ 1.2 如果在单晶硅中分别掺入31510cm 的磷和31510cm 的硼，试计算300K 时，电子占据杂质能级的概率。根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。 解：查表可知，磷作为硅晶体中的施主杂质，其电离能为eV 0.044E D =?, 硼作为硅晶体中的受主杂质，其电离能为eV 0.045E A =?。于是有
()eV E E D g
i 516.0044.056.02E -E E -E D F D =-=?-==
能级为E D 的量子态被被电子占据的几率为
9104.21026.0516.0ex p 1ex p 1-?=+??? ??=??
? ??-=kT E E f i D E D 上述结果说明，施主能级上的电子几乎全部电离。
能级为E A 的量子态被空穴占据的几率为
9104.21026.0515.0ex p 11ex p 1A -?=+??? ??=+??
? ??-=kT E E f A i E
上述计算结果说明受主能级上的空穴几乎全部被电离。
1.3 硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的。
解：若假设非简并的条件为kT E E F C 2≥-, 那么，非简并时导带电子浓度为
()
3182190108.3108.22ex p ex p -?=?=??? ??=??? ??-=cm e kT kT N kT E E N n C F C C 非简并时，最高施主杂质浓度为
()3180108.3-?==cm n N D
1.4某单晶硅样品中每立方厘米掺有1510个硼原子，试计算K 300时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。如果掺入的是磷原子它们又是多少？
解：硼原子掺入硅晶体中可以引入受主杂质，材料是P 型半导体：3
51A 10-=cm N
该样品的空穴是多子，其浓度为351A 010-==cm N p 电子是少子，其浓度为()()35152
100201004.1101002.1-?=?==cm p n n i 费米能级为
()eV E E eV n p kT E E i i i i F 299.01002.110ln 026.0ln 10150-=???? ???-=???
? ??-= 即费米能级在本征费米能级的下方0.299eV 处。
1.5某硅单晶样品中掺有31610-cm 的硼、31610-cm 的磷和31510-cm 镓，试分析该材料是N 型半导体还是P 型半导体？准自由电子和空穴浓度各为多少？
解：由硼、磷、镓掺入硅中分别成为受主、施主和受主，它们在硅晶体中引入的杂质浓度依次为316110-=cm N A 、31610-=cm N D 、315210-=cm N A
由于01031521>=-+-cm N N N D A A ，即受主原子总数大于施主原子总数，所以该材料是P 型半导体。此时，硅材料中
空穴浓度为 315010-=cm p
准自由电子浓度为 ()()35152
1002010101002.1-≈?==cm p n n i 1.6有两块单晶硅样品，它们分别掺有3
1510-cm 的硼和磷，试计算300K 时这两块样品的电
阻率，并说明为什么N 型硅的导电性比同等掺杂的P 型硅好。
解：查P.22图 1.4.2可得空穴迁移率()s V cm p ?≈2400μ，电子迁移率)s V cm n ?≈21200μ 于是，掺硼的单晶硅电阻率为cm q p p B ?Ω=???==-625.15400
106.1101119150μρ 掺磷的单晶硅电阻率为cm q n n p ?Ω=???==-208.51200
106.1101119150μρ 因为电子的迁移率大于空穴的迁移率，所以在其它条件不变的情况下，N 型硅的导电性较P 型硅的导电性高。
1.7实验测出某均匀掺杂N 型硅的电阻率为cm ?Ω2，试估算施主杂质浓度。
解：本查P.301附录A 可得3
15103.2-?=cm N D ，再查P.22图1.4.2可得电子的迁移率为)s V cm n ?≈21200μ。则施主杂质的浓度为
()
31519106.21200106.1211--?=???==
cm q N n n D μρ
1.8假设有一块掺有31810-cm 施主杂质的硅样品，其截面积为m m μμ5.0
2.0?，长度为m μ2。如果在样品两端加上5V 电压，通过样品的电流有多大？电子电流与空穴电流的比值是多少？
解：掺有施主杂质浓度31810-=cm N D 的硅样品，其电子浓度为()
318010-==cm N n D ，再查P.22可得电子的迁移率)s V cm n ?≈2380μ，于是，该材料的电导率为
()cm q n n ?Ω=???==-18.60380106.11019180μσ
在该样品两端加上5V 电压后的电场强度为()cm V L V E 44105.210
25?=?==- 于是，电子电流密度为()
2641052.1105.28.60cm A E j n ?=??==σ 如果在样品两端加上5V 电压，通过样品的电流为()A A j I n n 34461052.1105.0102.01052.1---?=?????=?=
平衡空穴浓度为()()
3182
02004.104101002.1-=?==cm n n p i
再查P.22图1.4.2可得空穴迁移率为()s V cm
p ?≈2190μ，于是电子电流与空穴电流的比值为 1618001092.1190
10438010?=??==p n p n p n I I μμ
1.9有一块掺杂浓度为31710-cm 的N 型硅样品，如果在m μ1的范围内，空穴浓度从31610-cm 线性降低到31310-cm ，求空穴的扩散电流密度。
解：查P.22图1.4.2可得当31710-=cm N 时，()
s V cm p ?=2210μ，所以 ()
cm q kT D p P 246.5210026.0=?==μ ()
419413
162111099.9101010cm x p p dx dp ?=-=?-=- ()
219193.871099.946.5106.1cm A dx dp qD j p
p =????==- 1.10 光照射在一块掺杂浓度为3
1710-cm 的N 型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为31310-cm ，求少数载流子浓度和电阻率，并画出光照前后的能带图。已知s p n μττ2==，)s V cm n ?=21350μ，)s V cm p ?=2500μ，310105.1-?=cm n i 。
解：
317010-==cm N n D ，
317010-≈?+=cm p n n ()()3172
1020225010105.1-=?==cm N n p D i 少数载流子浓度为()
37701021022250-?≈?+=?+=cm p p p 电导率为
()cm s pq nq p 6.21106.16.21500
106.11021350106.11091971917≈?+=????+???=+=---μμσ 电阻率为()cm ?Ω?===-21063.46
.2111
σρ
1.11 写出下列状态下连续性方程的简化形式：
（1）无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态；
（2）无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态。
解： 以P 型半导体为例，电子为少数载流子，完整的连续性方程为
n n n n n n n G x E n x n E x
n D t n τμμ022--+??+??+??=?? （1） 无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态情况下上式可以简化为
n n n n G τ0
-=
因为无浓度梯度，所以含有浓度梯度的项均等于零，即
022=??+??x n E x
n D n n μ 因为无外加电场，所以，含有电场的项也为零，即
0=??+??x
E n x n E n n μμ 又因为有光照，所以产生率G 不等于零；因为讨论的是稳态情况，所以，载流子浓度不随时间变化
0=??t
n （2） 同理，无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生，稳态情况下连续性方程可以
简化为
n n n n x
n D τ022-=?? 对于空穴来说，根据空穴的连续性方程
p
p p p p p p G x E p x p E x p D t p τμμ022--+??-??-??=??，作相应的简化，同样可以得到 （1）p p p p G τ0
-=和（2）p p p p x p D τ022-=??。
C++程序设计基础课后答案 第八章
8.1 阅读下列程序，写出执行结果 1．#include
cout << p3 -> fun() << endl; } 2．#include 课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。 1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？ 《计算机程序设计基础》 习 题 册 班级学号姓名成绩一、单选题 1.C++源程序文件的默认扩展名为A。 A) cpp B) exe C) obj D) lik 2.由C++源程序文件编译而成的目标文件的默认扩展名为C。 A) cpp B) exe C) obj D) lik 3.由C++目标文件连接而成的可执行文件的默认扩展名为B。 A) cpp B) exe C) obj D) lik 4.编写C++程序一般需经过的几个步骤依次是B。 A)编译、编辑、连接、调试 B)编辑、编译、连接、调试 C)编译、调试、编辑、连接 D)编辑、调试、编辑、连接 5.程序中主函数的名字为 A 。 A) main B) MAIN C) Main D) 任意标识符 6.下面四个选项中,均是不合法的用户标识符的选项的是C。 A) A p_o do B)float lao _A C)b-a goto int D)_123 temp INT 7.下列变量名中合法的是C。 A) B)C)Tom B) 3a66 C) _6a7b D) $ABC 8.存储以下数据，占用存储字节最多的是 D 。 A) 0 B) ‘0’ C) “0” D) 0.0 9.在C++语言中，字符型数据在内存中的存储形式是D。 A) 补码 B) 反码 C) 原码 D) ASCII码 10.若有说明语句：char c =’\072’；则变量c A。 A) 包含1个字符 B) 包含2个字符 C) 包含3个字符 D) 说明不合法，变量的值不确定 二、填空题 1.C++头文件和源程序文件的扩展名分别为.h和.cpp 。 2.C++语言规定，标识符只能由字母、数字、下划线三种字符组成，而且第一个字符必须是字母或下划线。 3.一条表达式语句必须以__分号_;___作为结束符。 4.用于从键盘上为变量输入值的标准输入流对象是___cin____；用于输出表达式值的标准输出流对象是__cout____。 5.在一个C++程序文件中，若要包含另外一个头文件或程序文件，则应使用以_#include___标识符开始的预处理命令 课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢k 建立联系的，即 k n c h p h E ====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢k 。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。 1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不 能导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？ 7-1解：（1）先求解该图功的比例尺。 （2 ）求最大盈亏功。根据图7.5做能量指示图。将和曲线的交点标注， ，，，，，，，。将各区间所围的面积分为盈功和亏功，并标注“+”号或“-” 号，然后根据各自区间盈亏功的数值大小按比例作出能量指示图（图7.6）如下：首先自向上做 ，表示区间的盈功；其次作向下表示区间的亏功；依次类推，直到画完最后一个封闭 矢量。由图知该机械系统在区间出现最大盈亏功，其绝对值为： （3 ）求飞轮的转动惯量 曲轴的平均角速度：； 系统的运转不均匀系数：； 则飞轮的转动惯量： 图7.5图7.6 7-2 图7.7 图7.8 解：（1）驱动力矩。因为给定为常数，因此为一水平直线。在一个运动循环中，驱 动力矩所作的功为，它相当于一个运动循环所作的功，即： 因此求得： （2）求最大盈亏功。根据图7.7做能量指示图。将和曲线的交点标注， ，，。将各区间所围的面积分为盈功和亏功，并标注“+”号或“-”号，然后根据各自区间盈亏 功的数值大小按比例作出能量指示图（图7.8）如下：首先自向上做，表示区间的盈功； 其次作向下表示区间的亏功；然后作向上表示区间的盈功，至此应形成一个封闭区间。 由图知该机械系统在区间出现最大盈亏功。 欲求，先求图7.7中的长度。如图将图中线1和线2延长交于点，那么在中， 相当于该三角形的中位线，可知。又在中，，因此有： ，则 根据所求数据作出能量指示图，见图7.8，可知最大盈亏功出现在段，则 。 （3）求飞轮的转动惯量和质量。 7-3解：原来安装飞轮的轴的转速为，现在电动机的转速为，则若将飞轮 安装在电动机轴上，飞轮的转动惯量为： 7-4解：（1）求安装在主轴上飞轮的转动惯量。先求最大盈亏功。因为是最大动能与最小 动能之差，依题意，在通过轧辊前系统动能达到最大，通过轧辊后系统动能达到最小，因此： 则飞轮的转动惯量： （2）求飞轮的最大转速和最小转速。 Ｊavａ程序设计基础课后习题参考答案 第2章 1、关于Jａｖa Applicａｔion得入口方法maｉn（）得检验: ｍａin（）方法得参数名就是否可以改变? maｉｎ（）方法得参数个数就是否可以改变？ 该方法名就是否可以改变？ 参考答案:（1)maｉn（）方法得参数名可以改变.(2）maiｎ()方法得参数个数不可以改变。（3）该方法名不可以改变。 2、当一个程序没有main（)方法时，能编译吗?如果能编译，能运行吗? 参考答案:当一个程序没有ｍaｉn(）方法就是，就是可以编译通过得,但就是不能给运行,因为找不到一个主函数入口。 3、下列语句能否编译通过？ bytｅi =127； ｂｙｔｅj = １28； longｌ1 = ９99９９９； ｌoｎg l２= ９9９9999999； 参考答案：ｂyｔe i 与long l１可以编译通过。而bｙte j 与ｌongｌ2 超出自身数据类型范围,所以编译失败。 4、下列语句能否编译通过？ float f1 =3、５； floａt f2 = 3.5f; 参考答案：java中浮点型得数据在不声明得情况下都就是doublｅ型得，如果要表示一个数据就是ｆloaｔ型得,必须在数据后面加上“Ｆ”或“ｆ”；因此,floatｆ1 无法编译通过。 5、验证ｉnt 与char，ｉnt与doｕbｌｅ等类型就是否可以相互转换。 参考答案:(１）cｈar类型可以转换为iｎt 类型得，但就是inｔ类型无法转换为chａｒ类型得;（２）iｎt 可以转换为ｄoubｌe类型得，但就是ｄｏuble类型无法转换为int 类型得。 6、计算下列表达式,注意观察运算符优先级规则。若有表达式就是非法表达式,则指出不合法之处且进行解释。 （1)4+5 ＝= 6＊2 ?（2) （4=5）/6?? (3）９%2*7/3＞17（4）(4＋5）<=6/3 ? (5) 4＋5％３！=7－2????（６）４+5/6〉=10％2 参考答案：表达式（２）为不合法表达式，只能将值赋值给一个变量,因此其中（4=5）将5赋值给4就是不合法得. 7、下列（）就是合法得Ｊava标识符。 (１）Counter1 ??（2）$indeｘ， (3) nａmｅ-7 ??(4）_bytｅ 第一章 思考题： 1.1简单解释原子能级和晶体能带之间的联系和区别。 答：在孤立原子中，原子核外面的电子受到这个原子核所带正电荷的作用，按其能量的大小分布在不同的电子轨道上绕核运转。 原子中不同轨道上电子能量的大小 用彼此有一定间隔的横线段组成的 能级图来表示（见图1.1b）。能级的 位置越高，表示该能级上电子的能量 就越大。原子结合成晶体后，一个原 子核外的电子除了受到这个原子核 所带正电荷以及核外电子所带负电 荷的作用以外，还要受到这个原子周 围其它原子所带正负电荷的作用。也 就是说，晶体中的电子是在原子核的 正电荷形成的周期性势场中作如图 1.1（a）中箭头所示的共有化运动。 正因为如此，原来描述孤立原子中电 子能量大小的能级就被分裂成为一 系列彼此相距很近的准连续的能级， 其形状好似一条条反映电子能量大小的带子，故称之为能带，见图1.1（b）。 1.2以硅为例，解释什么是施主杂质和施主能级？什么是受主杂质和受主能级？ 答：以硅为例，见图1.2（a）， 如果在单晶硅中掺入Ⅴ族元素 的杂质磷（P+），磷原子()P将 取代Ⅳ族的硅(Si)原子的位置 而成为所谓的施主杂质。因为 磷原子外层有五个价电子，它 和周围的四个硅原子形成共价 键后还多出一个电子，这个多 余的电子受到磷原子核的微弱 束缚力而绕着该原子核做一定 半径的圆周运动，它只需要吸 收很小的能量（百分之几个电 子伏特）就能挣脱磷原子核的 束缚而成为可以在整个晶体中 运动的准自由电子，原来的磷 原子则成为了磷离子()+P，称 之为正电中心。从电子能量大小的观点来看，导带底能量E C表示导带中速度为零的电子所 《计算机程序设计基础》课后练习题1 一．判断题 (1)（错）事件过程由某个用户事件或系统事件触发执行，但不能被其他过程调用。 (2)（错）若X＝2, Y＝5，则表达式 Y－2>X AND X＋2＞Y 的结果为：True。 (3)（错）常量是指在程序运行过程中其值可以改变的那些量。 (4)（错，timer没有）VB工具箱中的所有控件都具有宽度（Width）和高度（Height）属 性。 (5)（错）定义变量：Dim max,min as Single , 则max 和 min 的数据类型均为Single。 (6)（对）如果创建的菜单项的标题是一个减号“-”，则该菜单项显示为一条分隔线。 (7)（错）标准模块文件的扩展名是“*.VBP”。 (8)（错，都不能）定时器控件可以响应Click事件，但不能响应DbClick事件。 (9)（错）在默认情况下，数组下标下界的缺省值为1。 (10)（对）在使用字体对话框时，需要对其Flags属性先进行相应设置。 二．单选题 (11)在Visual Basic中，表示鼠标单击事件的是 C 。 A）Activate B）DoubleClick C）Click D）MouseDown (12)用于设置计时器时间间隔的属性是 A 。 A）Interval B）Name C）Left D）Top (13)函数Int(10*Rnd)是在 D 范围内的整数。 A）[1，10] B）[1，10] C) [0，9) D）[0，9] (14)Select case语句结构的结尾应使用 D 。 A）End B） End Case C） End Sub D） End Select (15)改变了容器的坐标系后，该容器的 A 属性值不会改变。 A）left B）scaleleft C）scaletop D）scalewidth (16)执行下列语句后，列表框中各表项顺序为 D List1.Clear For i=1 to 4 : List1.AddItem i-1,0 ：Next i A）B）C）D） (17)输入对话框InputBox的返回值的类型是 A 。 “微电子器件”课程复习题 一、填空题 1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163 A 1.510cm N -=?，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（ ）和（ ）。 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。 3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小），势垒 电容C T 就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 5、硅突变结内建电势V bi 可表为（ ），在室温下的典型值为 （0.8）伏特。 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒 高度会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒 高度会（增高）。 8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关 系可表示为（ ）。若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=?，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（ ）。 9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN 结的正向电流由（空穴扩散Jdp ）电流、（电子扩散电流Jdn ）电流和（势垒区复合电流Jr ）电流三部分所组成。 11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN 结外加正向电压时，由N 区注入P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正 向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化为（ ）。 14、在PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电 压较高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩 散长度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。 机械设计基础习题参考答案 机械设计基础课程组编 武汉科技大学机械自动化学院 第2章 平面机构的自由度和速度分析 2-1画运动简图。 2-2 图2-38所示为一简易冲床的初拟设计方案。设计者的思路是：动力由齿轮1输入，使轴A 连续回转；而固装在轴A 上的凸轮2与杠杆3组成的凸轮机构将使冲头4上下运动以达到冲压的目的。 4 3 5 1 2 解答：原机构自由度F=3?3- 2 ?4-1 = 0，不合理 ， 2-3 试计算图2-42所示凸轮—连杆组合机构的自由度。 b) a) A E M D F E L K J I F B C C D B A 解答：a) n=7; P l=9; P h=2，F=3?7-2 ?9-2 =1 L处存在局部自由度，D处存在虚约束 b) n=5; P l=6; P h=2，F=3?5-2 ?6-2 =1 E、B处存在局部自由度，F、C处存在虚约束2-4 试计算图2-43所示齿轮—连杆组合机构的自由度。 B D C A (a) C D B A (b) 解答：a) n=4; P l=5; P h=1，F=3?4-2 ?5-1=1 A处存在复合铰链 b) n=6; P l=7; P h=3，F=3?6-2 ?7-3=1 B、C、D处存在复合铰链 2-5 先计算如图所示平面机构的自由度。并指出图中的复合铰链、局部自由度和虚约束。 A B C D E 解答： a) n=7; P l =10; P h =0，F=3?7-2 ?10 = 1 C 处存在复合铰链。 b) n=7; P l =10; P h =0，F=3?7-2 ?10 = 1 B D E C A c) n=3; P l =3; P h =2，F=3?3 -2 ?3-2 = 1 D 处存在局部自由度。 d) n=4; P l =5; P h =1，F=3?4 -2 ?5-1 = 1 A B C D E F G G' H A B D C E F G H I J e) n=6; P l =8; P h =1，F=3?6 -2 ?8-1 = 1 B 处存在局部自由度，G 、G'处存在虚约束。 f) n=9; P l =12; P h =2，F=3?9 -2 ?12-2 = 1 C 处存在局部自由度，I 处存在复合铰链。 考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷） 考试时间180分钟考试总分150分 一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN结空间电荷区的形成 4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图 7）PN结的少子分布图 8) PN结的直流伏安特性 9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点 11）大注入效应 12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN结的交流小信号参数与等效电路 15）PN结的开关特性与少子存储效应 2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的特点 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图 9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算 13）晶体管的小信号参数 14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素 《程序设计基础——C#.NET》练习 参考答案： 一、选择题 https://www.360docs.net/doc/9b11655567.html,的目的就是将____A____作为新一代操作系统的基础,对互联网的设计思想进行扩展。A．互联网 B. Windows C. C# D. 网络操作系统 2.假设变量x的值为10,要输出x值,下列正确的语句是__C__。 A．System.Console.writeline(“x”) B. System.Cosole.WriteLine(“x”) C. System.Console.WriteLine(“x={0}”,x) D. System.Console.WriteLine(“x={x}”) 3.要退出应用程序的执行,应执行下列的_A___语句。 A. Application.Exit(); B. Application.Exit; C. Application.Close(); D. Application.Close; 4.关于C#程序的书写,下列不正确的说法是__D________。 A．区分大小写 B．一行可以写多条语句 C．一条语句可以写成多行 D．一个类中只能有一个Main（）方法，因此多个类中可以有多个Main（）方法 5. 在C#语言中，下列能够作为变量名的是__C__。 A．if B. 3ab C. b_3a D. a-bc 7. 能正确表示逻辑关系“a≥5或a≤0”的C#语言表达方式是__D__。 A．a>=5 or a<=0 B. a>=5|a<=0 C. a>=5&&a<=0 D. a>=5||a<=0 8. 以下程序的输出结果是___C_____。 A. 5 B. 4 C. 6 D. 不确定 9. If语句后面的表达式应该是__A___。 A．逻辑表达式 B. 条件表达式 C. 算术表达式 D. 任意表达式10．有如下程序: 微电子器件 钟智勇 办公室：<微电子楼>217室 电话：83201440 E mail: zzy@https://www.360docs.net/doc/9b11655567.html, -mail:zzy@uestc edu cn 8:00--10:00 周二晚上8:00 答疑时间：周二晚上 答疑时间： 教材与参考书 1、教材与参考书 教材： 教材 微电子器件（第3版），陈星弼，张庆中，2011年 参考书 参考书： 1.半导体器件基础，B.L.Anderson, R.L.Anderson, 清华大学出版社，2008年 2.半导体器件基础，Robert F. Pierret, 电子工业出版社，2004年 2半导体器件基础Robert F Pierret电子工业出版社 3.集成电路器件电子学（第三版），Richard S. Muller,电子工业出版社， 2004年 4.半导体器件物理与工艺（第二版），施敏，苏州大学出版社，2002年 5.半导体物理与器件（第三版），Donald A. Neamen, 清华大学出版社， 2003年 6. Physics of Semiconductor Devices( 3th Edition), S M Sze, Wiley- Interscience, 2007 2、学时、成绩构成与考核 总学时数：72学时 其中课堂讲授：60学时，实验：12 学时 成绩构成： 70分期中考试：分平时：10分实验：10 期末考试：70 分、期中考试：10分、平时：10 分、实验：10 分考试形式：闭卷考试 3、课程要求 1、网上只公布教材的标准课件与参阅资料，请做好笔记！ 网址：网络学堂：http://222.197.183.243/wlxt/course.aspx?courseid=0311下载密码i 下载密码：micro 2、请带计算器与作业本上课！ 请带计算器与作业本上课！ 3、鼓励学生学习，以下情况加分（最高加分为5分）： 鼓励学生学习以下情况加分（最高加分为 3.1 完成调研作业并在期末做presentation(ppt)者 3.2 在黑板上完成课堂练习者 3.3 指出教材错误及对教学/教材提出建设性意见者 第一章程序与编程环境 一、填空题 1. 工程，Form_Load 2. 事件（触发） 3. 窗体，Name 4. CurrentX, CurrentY 5. maxButton, BorderStyle = 1 or 3 or 4 or 5 6. Alignment, 空缺，AutoSize 7. Style, LoadPicture 8. Line, Shape 9. 重画10. FillStyle ll. MultiLine, maxLength, Locked 12. Font 13. sub, 对象名，事件名14. 方法，Object.Method, text1.setfocus() 15. Name, minButtom, CurrentX(Y), Caption 16. Interval, Enable 17. timer, Interval, ms(毫秒) 18. Mouse Down, Click, LoastFocus 19. .Frm, .Frx, .bas. cls. Vbp 20. 注释, “Rem 语句”或者“’语句” 第二章数据的类型、表示以及运算 一、请指出下列哪些是VB的合法常量，并说明原因 （1）√（2）X 常量不能加类型说明符号改成123.4 （3）X与上题类似，如果是常量，则类型说明符放在后面（4）√等价于2E3 (5) √（6）√等于十进制的4113 (7)X 如果是16进制要写&符号（8）X 指数不能为小数（9）X 月份超过12，日超过31 （10）√（11）√（12）√等价于上一题(13)X 8进制数每一位不能超过8 （14）√（15）X 变量，常量要为基本数据类型的值（16）√ 二、找出合法变量 （1）√（2）√如果与控件Label1同在一个应用程序里面，该变量会屏蔽掉控件Label1 (3) X 保留字（4）√（5）X 变量不能以数字开头（6）变量不能有小数点 （7）√（8）√数组变量（9）X保留字（10）√可以，但rnd()不可以，rnd()是函数 (11) √（12）√（13）√（14）X ’符号表示注释（15）X 这是表达式，不是变量（16）X 同上，是表达式 三、指出下列数据x,y,z的声明是否正确，如果正确请指明其类型 （1）√ x--long, y—variant, z—integer (2) √ x—long, y—long, z—integer (3) √ x—double, y—double, z—integer (4) X 变量x &中间不能有空格 （5）√自动转换成字符串 （6）X 变量声明不能直接赋值 （7）√ （8）√自动转换成字符串 （9）X 常量不能把函数写上去 （10）√ 四、写出下列表达式的结果 （1）1 (2) 1 (3)false (4) ab12 (5)123 (6)出错，加法表达式中如果有一个是数值类型，则“+”表示加号，而不是字符的链接符号（7）False (8)true (9) true (10) false 默认转换成相同类型（数值），建议这里把2改成D试试 （P.S. 布尔类型TRUE = -1, FALSE = 0; 优先顺序：^(乘方)→-(求负)→*、/→\(整除)→MOD→+、-） 五、写出下列函数的结果 机械设计基础 1-5至1-12 指出（题1-5图~1-12图）机构运动简图中的复合铰链、局部自由度和虚约束，计算各机构的自由度，并判断是否具有确定的运动。 1-5 解 F =H L P P n --23=18263-?-?=1 1-6 解F =H L P P n --23=111283-?-?=1 1-7 解F =H L P P n --23=011283-?-?=2 1-8 解F =H L P P n --23=18263-?-?=1 1-9 解F =H L P P n --23=24243-?-?=2 1-10 解F =H L P P n --23=212293-?-?=1 1-11 解F =H L P P n --23=24243-?-?=2 1-12 解F =H L P P n --23=03233-?-?=3 2-1 试根据题2-1图所标注的尺寸判断下列铰链四杆机构是曲柄摇杆机构、双曲柄机构还是双摇杆机构。 题2-1图 答 : a ）160907015011040=+<=+，且最短杆为机架，因此是双曲柄机构。 b ）1707010016512045=+<=+，且最短杆的邻边为机架，因此是曲柄摇杆机构。 c ）132627016010060=+>=+，不满足杆长条件，因此是双摇杆机构。 d ）1909010015010050=+<=+，且最短杆的对边为机架，因此是双摇杆机构。 2-3 画出题2-3图所示个机构的传动角和压力角。图中标注箭头的构件为原动件。 题2-3图 解： 2-5 设计一脚踏轧棉机的曲柄摇杆机构，如题2-5图所示，要求踏板CD 在水平位置上下各摆10度，且500CD l mm =，1000AD l mm =。（1）试用图解法求曲柄AB 和连杆BC 的长度；（2）用式（2-6）和式（2-6）’计算此机构的最小传动角。 《C++程序设计基础》（第4版）（上） 习题与解答 第1章基本数据与表达式 1.1 选择题 1．一个最简单的C++程序，可以只有一个（C ）。 （A）库函数（B）自定义函数（C）main函数（D）空函数 2．用C++语言编写的源程序要成为目标程序必须要经过（D ）。 （A）解释（B）汇编（C）编辑（D）编译3．C++程序中的简单语句必须以（B ）结束。 （A）冒号（B）分号（C）空格（D）花括号4．假设有说明int a=0; double x=5.16;，则在以下语句中，（C ）属于编译错误。 （A）x=a/x; （B）x=x/a; （C）a=a%x; （D）x=x*a; 5．执行C++程序时出现的“溢出”错误属于（C ）错误。 （A）编译（B）连接（C）运行（D）逻辑 6．在下列选项中，全部都是C++关键字的选项为（C ）。 （A）while IF Static （B）break char go （C）sizeof case extern （D）switch float integer 7．按C++标识符的语法规定，合法的标识符是（A ）。 （A）_abc （B）new （C）π（D）"age" 8．在C++语句中，两个标识符之间（A ）不能 ．．作为C++的分隔符。 （A）数字（B）; （C）: （D）+ 9．下列正确的八进制整型常量表示是（B ）。 （A）0a0 （B）015 （C）080 （D）0x10 10．下列错误的十六进制整型常量表示是（C ）。 （A）0x11 （B）0xaf （C）0xg （D）0x1f 11．在下列选项中，全部都合法的浮点型数据的选项为（B ）。 （A）-1e3.5 15. 2e-4 （B）12.34 -1e+5 0.1E-12 （C）0.2e-2 -12345. e-5 （D）5.0e（1+4）0.1 8e+2 12．在下列选项中，正确的字符常量为（D ）。 （A）"a" （B）'name' （C）a （D）'\101' 13．在下列选项中，（D ）不能 ．．交换变量a和b的值。 （A）t=b; b=a; a=t; （B）a=a+b; b=a-b; a=a–b; （C）t=a; a=b; b=t; （D）a=b; b=a; 14．关于下列语句，叙述错误的是（A ）。 重点与难点 第1章半导体器件基本方程 一般来说要从原始形式的半导体器件基本方程出发来求解析解是极其困难的，通常需要先对方程在一定的具体条件下采用某些假设来加以简化，然后再来求其近似解。随着半导体器件的尺寸不断缩小，建立新解析模型的工作也越来越困难，一些假设受到了更大的限制并变得更为复杂。简化的原则是既要使计算变得容易，又要能保证达到足够的精确度。如果把计算的容易度与精确度的乘积作为优值的话，那么从某种意义上来说，对半导体器件的分析问题，就是不断地寻找具有更高优值的简化方法。要向学生反复解释，任何方法都是近似的，关键是看其精确程度和难易程度。此外，有些近似方法在某些条件下能够采用，但在另外的条件下就不能采用，这会在后面的内容中具体体现出来。 第2章PN结 第2.1节PN结的平衡状态 本节的重点是PN结空间电荷区的形成、内建电势的推导与计算、耗尽区宽度的推导与计算。 本节的难点是对耗尽近似的理解。要向学生强调多子浓度与少子浓度相差极其巨大，从而有助于理解耗尽近似的概念，即所谓耗尽，是指“耗尽区”中的载流子浓度与平衡多子浓度或掺杂浓度相比可以忽略。 第2.2节PN结的直流电流电压方程 本节的重点是对PN结扩散电流的推导。讲课时应该先作定性介绍，让学生先在大脑中建立起物理图象，然后再作定量的数学推导。当PN结上无外加电压时，多子的扩散趋势正好被高度为qV bi的势垒所阻挡，电流为零。外加正向电压时，降低了的势垒无法阻止载流子的扩散，于是构成了流过PN结的正向电流。正向电流的电荷来源是P区空穴和N区电子，它们都是多子，所以正向电流很大。外加反向电压时，由于势垒增高，多子的扩散变得更困难。应当注意，“势垒增高”是对多子而言的，对各区的少子来说，情况恰好相反，它们遇到了更深的势阱，因此反而更容易被拉到对方区域去，从而构成流过PN结的反向电流。反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。 本节的难点是对有外加电压时势垒区两旁载流子的运动方式的理解、以及电子（空穴）电流向空穴（电子）电流的转化。 第2.3节准费米能级与大注入效应 本节的重点是PN结在外加正向电压和反向电压时的能带图、大注入条件及大注入条件下的PN结电流公式。 本节的难点是大注入条件下自建场的形成原因。要向学生说明，大注入自建场的推导与前面进行过的非均匀掺杂内建场的推导在本质上是相同的，都是令多子电流密度方程为零而解出电场，这也是分析微电子器件时的一种常用方法。 第2.4节PN结的击穿 本节的重点是利用雪崩击穿临界电场和通过查曲线来求得雪崩击穿电压的方法，以及PN结的实际结构（高阻区的厚度和结深）对击穿电压的影响，这些都是实际工程中的常见问题。 课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率和波矢 k 建立联系的，即 E h h p n k c 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率和波矢k。 1.2量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量 的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用r , t 表示粒子的德布洛意 r ,t 2 r , t 表示波的强度，那么，t 时刻在 r 附近的小体积元 波的振幅，以r ,t x y z 中检测到粒子的概率正比于 2 r ,t x y z 。 1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图 1.3 所示，从能带的观点来看，半导体和 绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV) ，室温下本征激发的载流子近乎为零，所 以绝缘体室温下不能导电。半导体禁带宽度较小， 只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价 带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的 导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在 一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有 良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，n0 p0 n i。对于某一确定 的半导体材料，其本征载流子浓度为 2 n0 p0 N C N V e E g kT n i 式中， N C，N V以及 Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 第一章：程序设计基础知识 一、单项选择题 1、以下( )是面向过程的程序设计语言。 A)机器语言B)汇编语言C)高级语言D)第四代语言 2、程序设计一般包含以下四个步骤，其中其中首先应该完成的是( )。 A)设计数据结构和算法B)建立数学模型 C)编写程序D)调试和运行程序 3、以下常用算法中适合计算等差级数的算法是( )。 A)枚举法B)递推法C)分治法D)排序法 4、以下不属于算法基本特征的是( )。 A)有穷性B)有效性C)可靠性D)有一个或多各输出 5、以下描述中不正确的是( )。 A)程序就是软件，但软件不紧紧是程序。 B)程序是指令的集合，计算机语言是编写程序的工具。 C)计算机语言都是形式化的语言，它有一个语法规则和定义。 D)计算机语言只能编写程序而不能表示算法。 6、下面描述中，正确的是( ) A)结构化程序设计方法是面向过程程序设计的主流。 B)算法就是计算方法。 C)一个正确的程序就是指程序书写正确。 D)计算机语言就是编写程序的工具而不是表示算法的工具。 7、下面描述中，不正确的是( )。 A)递归法的关键是必须有一个递归终止的条件。 B)递归算法要求语言具有反复自我调用子程序的能力。 C)对于同一个问题，递推算法比递归算法的执行时间要长。 D)递推算法总可以转换为一个递归算法。 8、N－S图与传统流程图比较，主要优点是( )。 A)杜绝了程序的无条件转移。 B)具有顺序、选择和循环三种基本结构。 C)简单、只管。 D)有利于编写程序。 A)B)C)D) 二、填空题 1、在流程图符号中，判断框中应该填写的的是________。(判断条件) 2、结构化程序设计是__________应遵循的方法和原则。(面向过程编程) 3、结构化程序必须用__________程序设计语言来编写。(具有结构化控制语句) 4、可以被连续执行的一条条指令的集合称为计算机的________。(程序) 5、只描述程序应该“做什么”，而不必描述“怎样做”的语言被称为________。(面向对象) 6、任何简单或复杂的算法都是由_____和_____这两个要素组成。（数据结构算法） 7、算法的_______特征是指：一个算法必须在执行有限个操作步骤后终止。(有穷性) 8、在三种基本结构中，先执行后判断的结构被称为_________。(直到型循环结构) 9、在程序设计中，把解决问题确定的方法和有限的步骤称为______。（算法） 10、程序设计风格主要影响程序的________。（可读性） 11、用模块组装起来的程序被成为________结构化程序。(模块化) 12、采用自上而下，逐步求精的设计方法便于____________。（结构化和模块化） 三、应用题微电子器件_刘刚前三章课后答案
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