太阳电池组I-V件测试方法

太阳能电池板的生产工艺流程

太阳能电池板的生产工艺流程 太阳能电池板的生产工艺流程 封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的太阳能电池板。电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增强了电池的抗击强度。产品的高质量和高寿命是赢得客户满意的关键，所以太阳能电池板的封装质量非常重要。 (1)流程 电池检测——正面焊接——检验——背面串接——检验——敷设(玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设)——层压——去毛边(去边、清洗)——装边框(涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶)——焊接接线盒——高压测试——组件测试——外观检验——包装入库。 (2)组件高效和高寿命的保证措施 高转换效率、高质量的电池片；高质量的原材料，例如，高的交联度的EVA、高黏结强度的封装剂(中性硅酮树脂胶)、高透光率高强度的钢化玻璃等； 合理的封装工艺，严谨的工作作风， 由于太阳电池属于高科技产品，生产过程中一些细节问题，如应该戴手套而不戴、应该均匀地涂刷试剂却潦草完事等都会严重地影响产品质量，所以除了制定合理的工艺外，员工的认真和严谨是非常重要的。 (3)太阳能电池组装工艺简介 ①电池测试：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效地将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数进行分类；电池测试即通过测试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类。以提高电池的利用率，做出质量合格的太阳能电池组件。如果把一片或者几片低功率的电池片装在太阳电池单体中，将会使整个组件的输出功率降低。因此，为了最大限度地降低电池串并联的损失，必须将性能相近的单体电池组合成组件。 ②焊接：一般将6～12个太阳能电池串联起来形成太阳能电池串。传统上，一般采用银扁线构成电池的接头，然后利用点焊或焊接(用红外灯，利用红外线的热效应)等方法连接起来。现在一般使用60％的Sn、38％的Pb、2％的Ag 电镀后的铜扁丝(厚度约为100～200μm)。接头需要经过火烧、红外、热风、激

薄膜太阳能电池分类

薄膜太阳能电池分类 21世纪初之前，太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主，超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领，但自2003年以来，晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨，因此，业内人士自热而然将目光转向了成本较低的薄膜电池。薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm，目前转换效率最高可达13%以上。薄膜电池太阳电池除了平面之外，也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其使用范围大，可和建筑物结合或是变成建筑体的一部份，使用非常广泛。 1.硅基薄膜电池 硅基薄膜电池包括非晶硅薄膜电池、微晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池，而目前市场主要是非晶硅薄膜电池产品。非晶硅的禁带宽度为1.7eV，通过掺硼或磷可得到p型或n型a-Si。为了提高效率和改善稳定性，还发展了p-i-n/p-i-n双层或多层结构式的叠层电池。 2.碲化镉（CdTe）薄膜电池 碲化镉薄膜电池是最早发展的太阳电池之一，由于其工艺过程简单，制造成本低，实验室转换效率已超过16%，大规模效率超过12%，远高于非晶硅电池。不过由于镉元素可能对环境造成污染，使用受到限制。近年来美国FirstSolar公司采取了独特的蒸气输运法沉积等特殊措施，解决了污染问题，开始大规模生产，并为德国建造世界最大的光伏电站提供40MW 碲化镉太阳电池组件。 3.铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池 铜铟镓硒薄膜电池是近年来发展起来的新型太阳电池，通过磁控溅射、真空蒸发等方法，在基底上沉积铜铟镓硒薄膜，薄膜制作方法主要有多元分布蒸发法和金属预置层后硒化法等。基底一般用玻璃，也可用不锈钢作为柔性衬底。实验室最高效率已接近20%，成品组件效率已达到13%，是目前薄膜电池中效率最高的电池之一。 4.砷化镓（GaAs）薄膜电池 砷化镓薄膜电池是在单晶硅基板上以化学气相沉积法生长GaAs薄膜所制成的薄膜太阳电池，其直接带隙1.424eV，具有30%以上的高转换效率，很早就被使用于人造卫星的太阳电池板。然而砷化镓电池价格昂贵，且砷是有毒元素，所以极少在地面使用。 5.染料敏化薄膜电池 染料敏化太阳电池是太阳电池中相当新颖的技术产品，由透明导电基板、二氧化钛(TiO2)纳米微粒薄膜、染料(光敏化剂)、电解质和ITO电极所组成。目前仍停留在实验室阶段，实验室最高效率在11%左右。 非晶硅薄膜电池 简介 非晶硅（amorphous silicon α-Si）又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。非晶硅的化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等) 在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业使用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。 非晶硅薄膜电池的起源 非晶硅薄膜太阳能电池由Carlson和Wronski在20世纪70年代中期开发成功，80年代其生产曾达到高潮，约占全球太阳能电池总量的20％左右，但由于非晶硅太阳能电池转化效率

光伏电站验收标准

太阳能光伏发电系统验收考核办法 第一章总则 为确保太阳能光伏发电系统在现场安装调试完成后，综合检验太阳能光伏发电系统的安全性、功率特性、电能质量、可利用率和噪声水平，并形成稳定生产能力，制定本验收标准。 第二章验收标准 第一条编制依据 （一）太阳能光伏发电系统验收规范CGC/GF003.1-2009 （二）建筑工程施工质量验收统一标准GB50300 （三）建筑结果荷载规范GB50009-2001 （四）电气设备交接试验标准GB50150 （五）电气装置安装工程接地装置施工及验收规范GB50169 （六）电气装置安装工程盘、柜及二次回路结线施工及验收规范GB50171 （七）电气装置安装工程低压电器施工及验收规范GB50254 （八）电器安装工程高压电器施工及验收规范GBJ147 （九）建筑电气工程施工质量验收规范GB50303 （十）光伏组件（PV）安全鉴定第一部分：结构要求GB/T20047.1-2006

（十一）光伏系统性能监测测量、数据交换和分析导则GB/T20513-2006 （十二）（所有部分）交流1000V和直流1500V以下低压配电系统电气安全-防护措施的试验测量或监控设备GB/T18216 （十三）光伏系统并网技术要求GB/T19939 （十四）光伏（PV）系统电网接口特性GB/20046 （十五）地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型IEC:61215 2005 （十六）并网光伏发电系统文件、试运行测试和检查的基本要求ICE:62446:2009 （十七）保护装置剩余电流动作的一般要求ICE/TR60755:2008 （十八）400V以下低压并网光伏发电专用逆变器技术要求和试验方法CNCA/CTS0004-2009 （十九）太阳能光伏发电运行规程 （二十）电力建设施工及验收技术规程DL/T5007 （二十一）太阳能光伏发电系统技术说明书、使用手册和安装手册 （二十二）太阳能光伏发电系统订货合同中的有关技术性能指标要求 （二十三）太阳能光伏发电系统基础设计图纸与有关标准 第二条验收组织机构 太阳能光伏发电工程调试完成后，建设单位组建验收领导小

太阳能光伏电池检验测试结果与分析

H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 近代光学创新实验 实验名称：太阳能光伏电池测试与分析院系： 专业： 姓名： 学号： 指导教师： 实验时间： 哈尔滨工业大学

一、实验目的 1、了解pn结基本结构和工作原理； 2、了解太阳能电池的基本结构，理解工作原理； 3、掌握pn结的IV特性及IV特性对温度的依赖关系； 4、掌握太阳能电池基本特性参数测试原理与方法，理解光源强度、波长、环境温度等因素对太阳能 电池特性的影响； 5、通过分析PN结、太阳能电池基本特性参数测试数据，进一步熟悉实验数据分析与处理的方法，分 析实验数据与理论结果间存在差异的原因。 二、实验原理 1、光生伏特效应 半导体材料是一类特殊的材料，从宏观电学性质上说它们导电能力在导体和绝缘体之间，导电能力随外界环境（如温度、光照等）发生剧烈的变化。半导体材料具有负的带电阻温度系数。从材料结构特点说，这类材料具有半满导带、价带和半满带隙，温度、光照等因素可以使价带电子跃迁到导带，改变材料的电学性质。通常情况下，都需要对半导体材料进行必要的掺杂处理，调整它们的电学特性，以便制作出性能更稳定、灵敏度更高、功耗更低的电子器件。基于半导体材料电子器件的核心结构通常是pn结，pn结简单说就是p型半导体和n型半导体的基础区域，太阳能电池本质上就是pn结。 常见的太阳能电池从结构上说是一种浅结深、大面积的pn结，如图1所示，它的工作原理的核心是光生伏特效应。光生伏特效应是半导体材料的一种通性。当光照射到一块非均匀半导体上时，由于内建电场的作用，在半导体材料内部会产生电动势。如果构成适当的回路就会产生电流。这种电流叫做光生电流，这种内建电场引起的光电效应就是光生伏特效应。 非均匀半导体就是指材料内部杂质分布不均匀的半导体。pn结是典型的一个例子。N型半导体材料和p型半导体材料接触形成pn结。pn结根据制备方法、杂质在体内分布特征等有不同的分类。制备方法有合金法、扩散法、生长法、离子注入法等等。杂质分布可能是线性分布的，也可能是存在突变的，pn结的杂质分布特征通常是与制备方法相联系的。不同的制备方法导致不同的杂质分布特征。

金属镀层表示方法

指导性技术文件 0BD.600.027 金属镀覆和化学处理表示方法 １范围 本标准依据GB/T13911—92《金属镀履和化学处理表示方法》而制定的。本标准规定了金属镀覆和化学处理表示方法；及各种使用条下防止腐蚀的电镀层。本标准适用于本公司产品零件、部件的金属镀覆和化学处理的表示方法。 2 引用标准 GB9799—1988《金属覆盖层钢铁上的锌电镀层》 GB9798—1988《金属覆盖层镍电镀层》 GB9800—1988《电镀锌和电镀镉的铬酸盐转化膜》 GB12599—1990《金属覆盖层锡电镀层》 GB12306—1990《金属覆盖层工程用银和银合金电镀层》 3 表示方法 3.1 金属镀覆的符号按下列顺序表示： 基体材料镀覆方法。镀覆层名称镀覆层厚度镀覆层特征。后处理 3.1.1 基本材料在图样或有关的技术文件中有明确规定时，允许省略。 3.1.2 镀覆层特征、镀层厚度或后处理无具体要求时，允许省略。 例1 Fe/Ep.Zn12.c2C (钢材,电镀锌12μm以上,彩虹铬酸盐处理2级C型) 例2 Fe/Ep .Cu10Ni10bCr0.3mc

例3 Cu/ Ep .Ni10bCr0.3r(铜材,电镀光亮镍10μm 以上,普通铬0.3μm 以上) 例4 Cu/ Ep .Ag10（铜材，电镀银10μm 以上） 例5 Cu/ Ep .Sn8 （铜材，电镀锡8μm 以上） 3.2 化学处理和电化学处理的符号按下列顺序表示 。3.2.1 基体材料在图样或有关的技术文件中有明确规定时，允许省略。 3.2.2 对化学处理或电化处理的处理特征、后处理或颜色无具体要求时，允许省略。 例1 AI/Et .A .CI （BK ）（铝材，电化学处理，阳极氧化，着黑色） 例2 Cu/Ct .P （铜材，化学处理，钝化） 例3 Fe/ Ct .MnPh (钢材，化学处理，磷酸锰盐处理) 例4 AI/Et .Ec （铝材，电解着色） 4 表示符号 4.1 基体材料表示符号 常用基体材料的表示符号见表1 表1 4.2 镀覆方法、处理方法表示符号 镀覆方法、处理方法表示符号见表2

#什么是太阳能电池量子效率,如何测试

什么是太阳能电池量子效率,如何测试 请教大家,什么是太阳能电池量子效率啊?Quantum efficiency of a solar cell, QE 太阳能电池量子效率和太阳能电池光谱响应,太阳能电池IPCE有什么区别啊?spectral response, IPCE, Incident Photon to Charge Carrier Efficiency 太阳能电池这些特性如何测试啊? 什么是太阳能电池量子效率?如何测试啊?Quantum efficiency of a solar cell, QE 太阳能电池的量子效率是指太阳能电池的电荷载流子数目和照射在太阳能电池表面一定能量的光子数目的比率。因此，太阳能电池的量子效率和太阳能电池对照射在太阳能电池表面的各个波长的光的响应有关。太阳能电池的量子效率和光的波长或者能量有关。如果对于一定的波长，太阳能电池完全吸收了所有的光子，并且我们搜集到由此产生的少数载流子（例如，电子在P型材料上），那么太阳能电池在此波长的量子效率为1。对于能量低于能带隙的光子，太阳能电池的量子效率为0。理想中的太阳能电池的量子效率是一个正方形，也就是说，对于测试的各个波长的太阳能电池量子效率是一个常数。但是，绝大多数太阳能电池的量子效率会由于再结合效应而降低，这里的电荷载流子不能流到外部电路中。影响吸收能力的同样的太阳能电池结构，也会影响太阳能电池的量子效率。比如，太阳能电池前表面的变化会影响表面附近产生的载流子。并且，由于短波长的光是在非常接近太阳能电池表面的地方被吸收的，在前表面的相当多的再结合将会影响太阳能电池在该波长附近的太阳能电池量子效率。类似的，长波长的光是被太阳能电池的主体吸收的，并且低扩散深度会影响太阳能电池主体对长波长光的吸收能力，从而降低太阳能电池在该波长附近的太阳能电池量子效率。用稍微专业点的术语来说的话，综合器件的厚度和入射光子规范的数目来说，太阳能电池的量子效率可以被看作是太阳能电池对单一波长的光的吸收能力。 太阳能电池量子效率，有时也被叫做IPCE，也就是太阳能电池光电转换效率(Incident-Photon-to-electron Conversion Efficiency)。 太阳能电池（光伏材料）光谱响应测试、量子效率QE（Quantum Efficiency）测试、光电转换效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 测试等。广义来说，就是测量光伏材料在不同波长光照条件下的光生电流、光导等。 测试原理 用强度可调的偏置光照射太阳能电池，模拟其不同的工作状态，同时测量太阳能电池在不同波长的单色光照射下产生的短路电流,从而得到太阳能电池的绝对光谱响应和量子效率。

电镀层标识方法

请问螺丝表面处理：Fe/Ep.Zn7.c2c是什么意思？ 悬赏分：10 - 提问时间2005-10-11 12:33 提问者：欧顺利 - 童生一级其他回答共 1 条 铁表面镀锌7微米吧，Ep应为：electroplate 电镀 这是新国标13911-1992 GB/T代替1238-1976表示电镀的D .c2c表示电镀锌后铬酸盐处理——彩红铬酸盐处理 c2C 代替老国标DC 光亮铬酸盐处理 clA /漂白铬酸盐处理 clB （代替DB ）/彩红铬酸盐处理 c2C （代替DC）/深色铬酸盐处理 c2D 请参考GB/T 13911-1992 《金属镀覆和化学处理表示方法》 Fe/Ep·Zn 25 腐蚀严重的工作条件，一般不推荐使用 Fe/Ep·Zn 18 腐蚀严重的工作条件，汽车底盘零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep·Zn 12 腐蚀中等的工作条件，如发动机舱内零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep·Zn 10 腐蚀中等的工作条件，螺纹紧固件 Fe/Ep·Zn 8 腐蚀轻微的工作条件，如乘客舱内零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep·Zn 5 腐蚀轻微的工作环境，如电镀后需进行涂装的零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep·Zn 3 腐蚀轻微的工作环境，螺丝紧固件 yvhk 2006-12-18 16:04 电镀层标识方法 在对镀层的技术要求的标识上可以参照下面的办法： 1．金属镀层标识时采用下列顺序表示： 基体材料/镀覆方法.镀覆层名称镀覆层厚度镀覆层特征.后处理 1）基体材料：材料名称及符号：铁Fe铜及其合金Cu铝及其合金Al锌及其合金Zn镁及其合金Mg塑料PL硅酸盐材料CE其它非金属NM。 2）镀覆方法：工艺方法及符号：电镀Ep化学镀Ap电化学处理Et化学处理Ct。 3）镀覆层名称：镀覆层名称采用镀层的化学元素符号表示。 4）镀覆层厚度：镀覆层厚度单位为μm，一般标识镀层厚度的下限，必要时可以标注镀层厚度范围。 5）镀覆层特征：光亮b半光亮s暗m缎面st普通r导电cd绝缘i。 6）后处理：处理名称及符号：钝化P磷化Ph氧化O着色Cl涂装Pt。 上面的电镀层标识说明不全面，比如Fe/Ep.Zn7.c2C中的c2C是什么后处理，I dont known。请大侠指教！ djde_2000 2006-12-18 16:28 光亮铬酸盐处理 clA /漂白铬酸盐处理 clB （代替DB ）/彩红铬酸盐处理 c2C （代替DC）/深色铬酸盐处理 c2D c2C就是彩虹钝化！

(整理)薄膜太阳能电池种类

薄膜太阳能电池种类 为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。 上述电池中，尽管硫化镉薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代。砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。 砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。 磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。 GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LPE技术，其中 MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错，反应压力，III-V比率，总流量等诸多参数的影响。GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底，MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓，多晶砷化镓，镓铝砷--砷化镓异质结，金属-半导体砷化镓，金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。 砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备，有晶体生长法，直接拉制法，气相生长法，液相外延法等。由于镓比较稀缺，砷有毒，制造成本高，此种太阳电池的发展受到影响。除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb，GaInP等电池材料也得到了开发。 1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳能电池转换效率为 24.2%，为欧洲记录。首次制备的GaInP电池转换效率为14.7%。另外，该研

光伏发电工程验收规范GBT50796-2012

光伏发电工程验收规范（GB/T 50796-2012） 1总则 1.0.1为确保光伏发电工程质量，指导和规范光伏发电工程的验收，制定本规范。 1.0.2本规范适用于通过380V及以上电压等级接人电网的地面和屋顶光伏发电新建、改建和扩建工程的验收，不适用于建筑与光伏一体化和户用光伏发电工程。 1.0.3光伏发电工程应通过单位工程、工程启动、工程试运和移交生产、工程竣工四个阶段的全面检查验收。 1.0.4各阶段验收应按要求组建相应的验收组织，并确定验收主持单位。 1.0.5光伏发电工程的验收，除按本规范执行外，尚应符合国家现行有关标准的规定。

2术语 2.0.1光伏发电工程photovoltaic power project 指利用光伏组件将太阳能转换为电能、并与公共电网有电气连接的工程实体，由光伏组件、逆变器、线路等电气设备、监控系统和建（构）筑物组成。 2.0.2光伏电站photovoltaic power station 指利用光伏组件将太阳能转换为电能、并按电网调度部门指令向公共电网送电的电站，由光伏组件、逆变器、线路、开关、变压器、无功补偿设备等一次设备和继电保护、站内监控、调度自动化、通信等二次设备组成。 2.0.3光伏发电单元photovoltaic power unit 光伏电站中，以一定数量的光伏组件串，通过直流汇流箱多串汇集，经逆变器逆变与隔离升压变压器升压成符合电网频率和电压要求的电源。这种一定数量光伏组件串的集合称为光伏发电单元。 2.0.4观感质量quality of appearance 通过观察和必要的量测所反映的工程外在质量。 2.0.5绿化工程plant engineering 由树木、花卉、草坪、地被植物等构成的植物种植工程。 2.0.6安全防范工程security and protection engineering 以保证光伏电站安全和防范重大事故为目的，综合运用安全防范技术和其他科学技术，为建立具有防入侵、防盗窃、防抢劫、防破坏、防爆安全检查等功能（或其组合）的系统而实施的工程。

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理 性能及特点： 太阳能电池分为单晶硅太阳电池（坚固耐用，使用寿命一般可达20年。光电转换效率为15％。）多晶硅太阳电池（其光电转换效率约14.5％，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低非晶硅太阳电池。）非晶硅太阳能电池（其光电转换率为10%，成本低，重量轻，应用方便。） 太阳能发电原理： 太阳能不象煤和石油一样用交通工具进行运输，而是应用光学原理，通过光的反射和折射进行直接传输，或者将太阳能转换成其它形式的能量进行间接传输。直接传输适用于较短距离。基本上有三种方法：基本上有三种方法：通过反射镜及其它光学元件组合，改变阳光的传播方向，达到用能地点；通过光导纤维，可以将入射在其一端的阳光传输到另一端，传输时光导纤维可任意弯曲；采用表面镀有高反

射涂层的光导管，通过反射可以将阳光导入室内。间接传输适用于各种不同距离。将太阳能转换为热能，通过热管可将太阳能传输到室内；将太阳能转换为氢能或其它载能化学材料，通过车辆或管道等可输送到用能地点；空间电站将太阳能转换为电能，通过微波或激光将电能传输到地面。 太阳能的光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程，通常叫做"光生伏打效应”,太阳电池就是利用这种效应制成的。 当太阳光照射到半导体上时，其中一部分被表面反射掉，其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光，当然有一些变成热，另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞，于是产生电子-空穴对。这样，光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能、如果半导体内存在P-n结，则在P型和n型交界面两边形成势垒电场，能将电子驱向n 区，空穴驱向P区，从而使得n区有过剩的电子，P区有过剩的空穴，在P-n结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。光生电场的一部分除抵销势垒电场外，还使P型层带正电，n型层带负电，在n区与p区之间的薄层产生所谓光生伏打电动势。若分别在P型层和n型层焊上金属引线，接通负载，则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。 太阳能发电原理图如下：

中国薄膜太阳能电池生产厂商列表12资料

天津 S i 薄天津津能电池 科技有限公司 www.jnsolar.c a-Si/a-Si双结及 柔性电池,1.245m x Energ y Solar 技术来自南 开大学 25MW量产中

膜https://www.360docs.net/doc/9b1306652.html,0.635m,Pm=40W,Vm =46V,Eff=5.5% 河北 S i 薄膜保定天威薄膜 光伏有限公司 a-si/uc-Si双结, 1.1m x 1.3m， Pm=125W，Eff=9.3% Oerli kon 天威保变的 控股子公司 CEO&CTO--- 麦耀华 50MW 6月试生 产成功， 预计8月 量产 S i 薄膜保定风帆光伏 能源有限公司 http://www.sa https://www.360docs.net/doc/9b1306652.html,/ a-Si/a-Si双 结,1.245m x 0.635m,Pm=40W,Ef f=5.5% 美国 Ameli o Solar 公司 Turn- key线 由风帆股份 与美国 Amelio Solar公司 合资成立, 技术来自美 国Amelio 公司，Dr Zoltan Kiss 一期 5MW，二 期25MW 2009年5 月1日厂 房改造， 设备尚未 move in S i 薄膜新奥光伏新能 源有限公司（廊 坊） http://www.en https://www.360docs.net/doc/9b1306652.html, a-si/uc-Si双结, 2.2m x 2.6m， Pm=458W，Vm=220V， Im=2.08A，Eff=8% AMAT turn- key CEO蔡洪秋， 总经理万克 家，北京研 发中心总经 理周民，北 美研究院院 长周德颂， 副院长郭铁 60MW 试生产成 功,6月通 过TCUV 认证 S i 薄膜常源光伏科技 有限公司（衡 水） http://www.ev https://www.360docs.net/doc/9b1306652.html,/ a-Si单结,1.1m x 1.4m,Pm=100W, Vm=75V，Im=1.34A， Eff=6.5% ULVAC25MW 设备正在 move in 河南 S i 薄膜阿格斯新能源 有限公司（郑 州） http://www.ar https://www.360docs.net/doc/9b1306652.html, a-Si单结,1.245m x 0.635m,Pm=43W, Vm=45.2V， Im=0.95A， Eff=5.5% 金太 阳集 团下 属公 司提 供设 备， EPV系 列，设 备投 资 CEO赵一辉 博士 25MW 设备调试 中

电镀层标识方法

请问螺丝表面处理： Fe/Ep.Zn7.c2c 是什么意思？ 悬赏分： 10 - 提问时间 2005-10-11 12:33 提问者： 欧顺利 - 童生 一级 其他回答 共 1 条 铁表面镀锌 7 微米吧， Ep 应为： electroplate 电镀 这是新国标 13911-1992 GB/T 代替 1238-1976表示电镀的 D .c2c 表示电镀锌后铬酸盐处理——彩红铬酸盐处理 c2C 代替老国标 DC 光亮铬酸盐处理 clA /漂白铬酸盐处理 clB （代替 DB ）/彩红铬酸盐处理 c2C （代替 DC ） / 深色铬酸盐处理 c2D 请参考 GB/T 13911-1992 《金属镀覆和化学处理表示方法》 Fe/Ep ? Zn 25腐蚀严重的工作条件，一般不推荐使用 Fe/Ep ? Zn 18腐蚀严重的工作条件，汽车底盘零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep ? Zn 12腐蚀中等的工作条件，如发动机舱内零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep ? Zn 10腐蚀中等的工作条件，螺纹紧固件 Fe/Ep ? Zn 8腐蚀轻微的工作条件，如乘客舱内零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep ? Zn 5腐蚀轻微的工作环境，如电镀后需进行涂装的零件、螺纹紧固件等 Fe/Ep ? Zn 3腐蚀轻微的工作环境，螺丝紧固件 yvhk 2006-12-18 16:04 电镀层标识方法 在对镀层的技术要求的标识上可以参照下面的办法： 1．金属镀层标识时采用下列顺序表示： 基体材料 /镀覆方法 .镀覆层名称 镀覆层厚度 镀覆层特征 .后处理 1 ） 基体材料：材料名称及符号：铁 Fe 铜及其合金 Cu 铝及其合金 Al 锌及其合金 Zn 镁 及其合金 Mg 塑料 PL 硅酸盐材料 CE 其它非金属 NM 。 2） 镀覆方法：工艺方法及符号：电镀 Ep 化学镀Ap 电化学处理Et 化学处理Ct 。 3） 镀覆层名称：镀覆层名称采用镀层的化学元素符号表示。 4） 镀覆层厚度：镀覆层厚度单位为 卩m, —般标识镀层厚度的下限，必要时可以标 注 镀层厚度范围。 5） 镀覆层特征：光亮b 半光亮s 暗m 缎面st 普通r 导电cd 绝缘i 。 6） 后处理：处理名称及符号：钝化 P 磷化Ph 氧化O 着色Cl 涂装Pt 。 djde_2000 2006-12-18 16:28 光亮铬酸盐处理 clA /漂白铬酸盐处理 clB （代替 DB ） /彩红铬酸盐处理 c2C （代替 DC ） / 深色铬酸盐处理 c2D c2C 就是彩虹钝化！ 金属材料介绍 发布者：北京时代集团广州新技术有限公司 Audo look6.0 下载 金属材料介绍 金属材料是最重要的工程材料，包括金属和以金属为基的合金。工业上把金属和其合 金分为两 上面的电镀层标识说明不全面,比如 请大侠指教！ Fe/Ep.Zn7.c2C 中的 c2C 是什么后处理, I dont known 。 发布时间： 2007年 12月 14 日

三种主要的薄膜太阳能电池详解

三种主要的薄膜太阳能电池详解 摘要：上述电池中，尽管硫化镉薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代。砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。 关键字：薄膜太阳能电池, 砷化镓, 单晶硅电池 单晶硅是制造太阳能电池的理想材料，但是由于其制取工艺相对复杂，耗能大，仍然需要其他更加廉价的材料来取代。为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。来源:大比特半导体器件网 上述电池中，尽管硫化镉薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代。砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。来源:大比特半导体器件网 砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为 1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台，同时砷化镓原材料成本高出硅很多，最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种，一种是化学的MOCVD，一种是物理的MBE。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用MOVPE和LP E技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错，反应压力，III-V比率，总流量等诸多参数的影响。GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右) ，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底，MOCVD技术

2020年 太阳能组件玻璃检验标准 A-0-工艺部-三级文件-安全作业管理

文件制修/ 订记录表

1 目的 明确玻璃检验标准. 2 范围 本规范适用于各种规格型号太阳能组件专用玻璃的进厂质量检验。 3 定义 无 4 相关文件 《太阳能电池组件玻璃检验作业检验指导书》 GB/T9963-1998钢化玻璃国家检验标准 5 职责 5.1 质量部：依照标准制定相应检验指导书。 5.2 采购部：将标准传递至供应商，并与供应商签订技术协议。 6 管理内容 6.1 外观检验

6.2 几何尺寸检验 6.2.1 长度，宽度符合订货协议要求，允许偏差为±1.0mm。 6.2.2 厚度尺寸公差为±0.2mm。 6.2.3 对角线L﹤1000mm,偏差为≤1.5mm;1000mm≤L≤2000mm,偏差为≤3mm 3.2.4 倒角 2.0mm~5.0mm 6.3 性能检验 6.3 性能检验 6.4 检测仪器，仪表及工卡量具 钢板尺或钢卷尺、游标卡尺或千分尺、钢球。 6.5 检验方法 6.5.1 外观检验 在较好的自然光或自然散射光下，距玻璃表面600mm用肉眼进行观察，必要时使用 放大镜进行检查。 6.5.2 尺寸检验 依据订货协议技术要求用钢板尺或钢卷尺进行多点长宽尺寸测量，取其平均值；用 精度为0.01mm的千分尺测量玻璃各边中心的厚度，取其平均值。 6.5.3 弯曲度检验 以平面钢化玻璃制品为试样。试样垂直立放，水平放置直尺贴紧试样表面进行测量。 弓形时以弧的高度与弦的长度之比的百分率表示。波形时，用波谷到波峰的高与波

峰到波峰或波谷到波谷的距离之比的百分率表示。 6.5.4 机械强度检验 6.5.4.1 将试样放置在高50mm宽15mm与试样外形尺寸大小一致的木框上。 6.5.4.2 将重1040g的钢球自1.0m高度自由落下，冲击点应距试样中心25mm范围 内。每块试样中心只限一次。（备注：试样玻璃单独放置，不可流入生产线使用） 6.5.4.3 试样完好无损。 6.5.5 其它各项性能检验以采购部从厂家索取的性能检验报告为准，性能检验报告完全符 合3.3标准条款时方可认为性能合格，否则认为性能指标不合格。（针对不同厂家、 不同项目定期进行委托检验）. 7 安全 无 8 职工健康 无 9 记录 无 10 附件 无

太阳能电池板标准测试方法

太阳能电池板标准测试方法 (2011-03-14 21:30:56) 转载 标签： 杂谈 太阳能电池板标准测试方法 （模拟太阳能光） 一、开路电压：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，直接测试值为开路电压； 二、短路电流：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，直接测试值为短路电流； 三、工作电压：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，正负极并联一个相对应的电阻，（电阻值的计算：R=U/I），测试值为工作电压； 四、工作电流：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，串联一个相对应的电阻，（电阻值的计算：R=U/I），测试值为工作电流。 问:太阳能电池板在阴天或日光灯下能产生电吗? 答:准确的说法是产生很小的电流.基本上可以说是忽略不计. 问:在白炽灯下或阳光下能产生多大电流? 答:在白炽灯下距离远近都是有差别的.同样阳光下上午,中午,下午,产生的电流也是不同的. 问:太阳能测试标准是什么?在白炽灯下多大灯泡多远距离测试算标准呢?

答:太阳能测试标准光照强度为:40000LUX,温度:25度.我们做过测试一般 白炽灯100W, 距离0.5-1CM,这样测试和标准测试相差不大. 问:太阳能电池板寿命是多长时间? 答:一般封装方式不同使用寿命会不同,一般钢化玻璃/铝合金外框封装寿命20年以上.环氧树脂封装15年以上. 问:为什么太阳能电池在太阳底下和出厂测试参数不同? 答: 99%工厂用流明计测出的是光通量的数值.但是实际上太阳能电池板是根据照度来转换电能的，照度越强功率值越大 太阳能电池和电池板测试解决方案 已有 158 次阅读2011-6-25 11:51|个人分类:光伏文档|关键词:解决方案太阳能电池电池板 迅速增长的太阳能产业对太阳能电池及电池板测试有极为紧迫的需要。如今的解决方案大体又有两种： 一是全套专用的系统， 二是利用现有标准化仪器及软件进行系统集成。集成的方案能建造更低成本的测试系统，并可根据测试要求的变化修改测试系统。例如，如果您的测试要求更高精度或更宽电流范围，需要更换的就只是测试系统中的个别仪器，而不是整个系统。此外，标准化的硬件和软件也可用于其它的测试系统。太阳能电池在研发、质量保证和生产中都需要测试。虽然对于不同的行业和应用，如用于太空或在地面上，测量精度、速度和参数的重要性会有不同，但有一些在任何测试环境都必

薄膜太阳能电池基础知识整理

非晶硅薄膜太阳能电池基础知识 一、优点： 1.光谱特性好（弱光性好、光谱吸收范围宽） 2.温度特性好（温度上升时电池效率下降很小） 3.成本能耗低（硅用量少:2um、生产温度底：200度） 4.生产效率高（连续，大面积，自动化生产） 5.使用方便（重量轻,厚度薄.可弯曲,易携带） 6.无毒无污染、美观大方 缺点： 二、非晶硅薄膜太阳能电池的四个效应： 1.光电效应 2.光致衰退效应（薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而 使薄膜的使用性能下降,简称为S-W效应） 3.边缘效应（边缘效率比中心效率低） 4.面积效应（面积越大，效率越低） 三、结构 1.一般结构 2.非晶\微晶硅叠层结构

衬底：玻璃、不锈钢、特种塑料 TOC ：透明导电氧化膜（要求：透光性>80%、表面绒面度12~15% 面电阻R 9~13 Ω ） 四、原理 非晶硅太阳电池的工作原理是基于半导体的光伏效应。当太阳光照射到电池上时，电池吸收光层（i 层）能产生光生电子—空穴对，在电池内建电场Vb 的作用下，光生电子和空穴被分离，空穴漂移到P 边，电子漂移到N 边，形成光生电动势VL, VL 与内建电势Vb 相反，当VL = Vb 时，达到平衡; IL = 0, VL 达到最大值，称之为开路电压Voc ; 当外电路接通时，则形成最大光电流，称之为短路电流Isc ，此时VL= 0;当外电路加入负载时，则维持某一光电压VL 和光电流IL 。其I--V 特性曲线见图 3 SiO2(20~40nm) TCO(700~1000nm) a-si(~300nm) SiO2(100nm) μc-Si (~1.7μm ) AZO (~100nm) Ag (130~200nm)

太阳能电池板标准测试方法

太阳能电池板标准测试方法（模拟太阳能光） 一、开路电压：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，直接测试值为开路电压； 二、短路电流：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，直接测试值为短路电流； 三、工作电压：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，正负极并联一个相对应的电阻，（电阻 值的计算：R=U/I），测试值为工作电压； 四、工作电流：用500W的卤钨灯，0～250V的交流变压器，光强设定为3.8~4.0万LUX，灯与测试平台的距离大约为15-20CM，串联一个相对应的电阻，（电阻值的计算：R=U/I），测试值为工作电流。 问:太阳能电池板在阴天或日光灯下能产生电吗? 答:准确的说法是产生很小的电流.基本上可以说是忽略不计. 问:在白炽灯下或阳光下能产生多大电流? 答:在白炽灯下距离远近都是有差别的.同样阳光下上午,中午,下午,产生的电流也是不同的. 问:太阳能测试标准是什么?在白炽灯下多大灯泡多远距离测试算标准呢? 答:太阳能测试标准光照强度为:40000LUX,温度:25度.我们做过测试一般白炽灯100W, 距离0.5-1CM,这样测试和标准测试相差不大. 问:太阳能电池板寿命是多长时间? 答:一般封装方式不同使用寿命会不同,一般钢化玻璃/铝合金外框封装寿命20年以上. 环氧树脂封装15年以上. 问:为什么太阳能电池在太阳底下和出厂测试参数不同? 答: 99%工厂用流明计测出的是光通量的数值.但是实际上太阳能电池板是根据照度来 转换电能的，照度越强功率值越大 迅速增长的太阳能产业对太阳能电池及电池板测试有极为紧迫的需要。如今的解决方 案大体又有两种：一是全套专用的系统，二是利用现有标准化仪器及软件进行系统 集成。集成的方案能建造更低成本的测试系统，并可根据测试要求的变化修改测试系统。例如，如果您的测试要求更高精度或更宽电流范围，需要更换的就只是测试系统 中的个别仪器，而不是整个系统。此外，标准化的硬件和软件也可用于其它的测试系统。太阳能电池在研发、质量保证和生产中都需要测试。虽然对于不同的行业和应用，

浅谈表面处理工艺之喷涂和电镀

浅谈表面处理工艺之喷涂和电镀 喷涂和电镀作为常见的两种表面处理工艺的手法，被广泛应用于汽车、家电、笔记本电脑等各大制造业领域。其中电镀工艺，以其抗氧化性、抗腐蚀性、可增加硬度等功能性以及表面美观的优点而被广泛应用于防护装饰领域、防腐领域、性能提升等方面。作为表面处理行业龙头，电镀在我们生活中的应用十分庞大，大到航天，小到眼镜架、小饰品等等。尽管电镀工艺被广泛应用在生活中各种领域，但是，电镀行业是一种需要消耗大量水资源的行业，对环境的污染危害性大，属于重污染行业。特别是废水排放中含有重金属铬，大大增加了对环境的危害。此外，电镀工艺还存在大气污染的弊端，溶剂类的废气则可能存在致癌的风险。 近年来随着中国大气污染、水污染问题的逐步升级，政府部门加大了对于环境保护的投入力度，出台了一系列的整治环境污染的政策法规。特别是这些治理措施中常常涉及对于像电镀工艺这样重污染行业的限制。伴随着这些政策法规的出台，相关行业一直在寻找替代方案，各种替代电镀的声音在不同场所及专业领域出现。其中，化学镀、PVD、EPD等技术目前发展相对比较成熟。但是此类技术要不无法解决废水中的金属离子层含量、后期污水处理难以达到要求的问题，要不就是需要购买专用设备，并且对底材的形状、尺寸有限制，工件在工厂间来回移动产生不必要的物流成本等问题而被各大喷涂厂所诟病。那么，有没有一款既能发挥电镀或PVD等工艺的金属色外观又安全环保且无需投资专用设备就可轻松实现客户诉求的完美产品呢？对此，武藏涂料经过多年潜心研究，目前有多个系列的产品可以应对这个痛点。其中，以HAIUREX PGRANDE BONUL GPX79以及ECO HAI UREX-P BRIGHTONE EC-SW62- 最为经典，在汽车、手机通讯等领域有着广泛的采用实绩。为响应市场对产品质感、成本上的更高诉求，武藏涂料于2020年3月份又推出了EC-SW62-的升级版EC-SW62-GG双组分仿电镀VA涂

电镀与表面处理的表示方法

这就是电镀与表面处理得表示方法【基体材料】/【处理方法】、【处理名称】【处理特征】、【后处理(颜色)】处理方法有：Ｅp-－电镀、Ａp--化学镀、Eｔ－-电化学处理、Ct－-化学处理处理名称有:Ｐ--钝化、O--氧化、Ａ--阳极化(包括草酸、硫酸、铬酸与磷酸)、Ｅｃ--电解着色等处理特征有:b－-光亮、s--半光亮、m--暗、ｈd--硬质、cd--导电、i--绝缘等等后处理有：Ｐ--钝化、O-－氧化、Ｃl--着色、S－-封闭、Pt--封闭等等例如: Al /Et、Ahd铝合金电化学硬质阳极化Ａl /Et、A、Cl(ｂk）铝合金电化学阳极化并着黑 金属电镀与喷涂表示方法 金属电镀与喷涂表示方法 (摘录标准:SJ2081８-200２电子设备得金属镀覆与化学处理） A1、1 金属镀覆表示方法: 基体材料/镀覆方法．镀覆层名称镀覆层厚度镀覆层特征.后处理 镀覆层特征、镀覆层厚度或后处理无具体要求时,允许省略。 例1：Ｆｅ/ Ep、Zn7、ｃ2C (钢材,电镀锌7μm以上，彩虹铬酸盐处理2级C型。) 例2:Ｆe / Eｐ、Nｉ２5dCr０、３mｐ (钢材,电镀双层镍2５μm以上,微孔铬0、3μm以上。） 例3：Ｃｕ/ Ｅp、Ni５bＣｒ０、3r (铜材，电镀光亮镍5μm以上,普通装饰铬0、３μm以上。) 例4:Ａｌ/Ap、Ｎi-P１3、Ep、Aｇ1０b/At、ＤJB-82３ (铝材，化学镀镍磷合金13μm以上,电镀光亮银10μm以上,涂ＤJB-823防变色处理。) A１、２化学处理与电化学处理得表示方法： 基体材料／处理方法.处理名称覆盖层厚度处理特征.后处理(颜色) 若对化学处理或电化学处理得处理特征,镀覆层厚度,后处理或颜色无具体要求时,允许省略。