模拟电路发展史

模拟电路发展史
模拟电路发展史

从电视机、手机、电脑到航天飞机、卫星,集成电路技术对人们生活及科学进步的作用令人瞩目。几十年来,集成电路单块芯片上集成的晶体管数目成指数规律上升。集成电路复杂度的增加使得集成电路的设计必须依靠EDA技术,集成电路模拟技术正是EDA中的关键技术之一。

面向不同应用的集成电路模拟技术

随着集成电路从中、小规模到大规模、超大规模、甚大规模乃至片上系统芯片的发展,电路模拟技术也经历了多个发展阶段。电路模拟技术的每一次飞跃都得益于应用更先进的数学方法和计算机软件技术来满足越来越复杂集成电路的规模和速度需求。下面将针对不同规模、不同应用类型的集成电路,分别介绍各种集成电路模拟技术。

通用电路模拟技术

电路模拟技术的发展始于通用电路模拟技术。通用电路模拟技术是电路级的模拟技术,通过晶体管、基本电路元件来描述集成电路的行为。借助高精度的晶体管模型和数值分析算法达到很高的模拟精度,但是模拟速度很慢,只适用于中小规模集成电路的模拟。

通用电路模拟的主要技术包含以下几个步骤。首先根据克希霍夫定律以及晶体管模型建立描述电路行为的电路方程,即非线性的微分代数方程组。第二步通过对微分方程进行时域离散得到非线性的代数方程组。第三步采用迭代方法将非线性代数方程组转化为线性代数方程组。最后对线性代数方程组进行求解,得到电路的响应。

通用电路分析程序经过了三代的发展。1962年,IBM公司发布了TAP的电路模拟程序,之后出现了第一代的电路模拟程序如NET、ECAP、CONNAP等。到了20世纪70年代,第二代的电路模拟技术开始出现,并在非线性电路方程解法及微分方程求解和稀疏矩阵求解方面取得了突破,但求解线性代数方程采用的是直接求解方法,复杂度较高。第二代电路模拟程序的代表有ASTAP、AOP、SPICE等。其中SPICE 于1975年诞生于美国加州大学伯克莱分校,后来被引入工业界,成为至今仍被广泛使用的通用电路模拟的经典软件工具。如表1列出的HSPICE、VIRTUOSO SPECTRE CIRCUIT SIMULATOR、Eldo分别是Synopsys、Cadence、Mentor

公司的目前的高精度通用电路模拟器,这些工具由SPICE衍变而来。

在70年代后期到80年代,随着大规模集成电路的出现,发展起来了以松弛迭代法替代直接求解线性方程组的第三代电路分析技术,比第二代电路分析的求解速度提高了一到二个数量级。第三代的电路模拟工具的代表有RELAX。

数字电路模拟技术

80年代以后,MOS集成电路特别是CMOS集成电路逐渐取代双极型集成电路成为集成电路的主流,并出现了超大乃至甚大规模数字CMOS集成电路。由于数字电路处理的信号为离散信号,同时对数字电路的模拟也只需要在电路状态改变的离散时间点上进行,因此数字电路模拟可以采用较为特殊的模拟方法。

数字电路模拟技术的抽象层次

数字电路的模拟可以在不同的抽象层次上进行,以实现对模拟精度和模拟速度的折衷。一般来说,模拟的抽象层次越低,模拟所花费的时间就越长,模拟的精度也越高。数字电路模拟的抽象层次分为电路级、开关级、门级、寄存器传输级和行为级。在电路级,可以采用通用电路模拟技术进行模拟。在开关级,采用只包含开和关两个状态的开关模型描述晶体管,因此模拟速度比电路级有很大提高。对超大和甚大规模数字电路,多采用门级模拟,其中逻辑门模型包含了实现逻辑门的实际电路功能及性能信息。寄存器传输级和行为级只能对电路逻辑功能进行验证,无法得到电路性能信息。

门级模拟技术

数字电路的门级模拟是模拟速度和模拟精度的最佳折衷,对数字电路功能和性能的验证通常在这一级进行。门级模拟通常采用事件驱动的模拟方式。数字电路中的一个事件是指电路中一个信号的改变。只有事件发生时,电路的状态才会发生变化,引发新的事件。基于事件驱动的模拟方式就是跟踪这些事件来模拟电路状态的改变,从而加快数字电路的模拟。表1列出了常见的门级电路模拟器。

形式验证和时序分析

门级模拟需要有适当的输入激励才能进行,这些输入激励需要电路设计者根据电路设计要求来设定。近年来,无输入激励的数字电路验证方式也开始出现。形式验证方法用数学方法对电路的逻辑等效性进行验证,验证速度很快,对电路的输入激励没有要求。静态时序分析对数字电路中信号经过的不同路径的延时进行计算并验证是否满足电路时序要求,验证速度也很快。采用形式验证和静态时序分析的方法可以满足超大和甚大规模集成电路模拟的要求。

互连线建模技术

上世纪90年代以来,集成电路进入深亚微米(0.25mm以下),互连线上的延迟逐渐大于逻辑门延迟,成为主宰芯片性能的主导因素。在当前的集成电路芯片中通常包含有千万乃至近亿个晶体管,为了完成这些晶体管之间的互连,在集成电路芯片中有6层到8层金属互连线层用于互连,使得互连线的规模十分庞大。另一方面,随着芯片工作频率的提高,信号在这些错综复杂的互连线上传输会产生延迟、衰减、失真和电磁串扰等复杂的电磁场行为,这使得互连线的建模工作十分复杂。

90年代以来,超深亚微米和纳米级集成电路的整个设计方法发生了质的变化,甚大规模和SoC集成电路设计变成以互连线为中心的设计。互连线建模和模拟也成为甚大规模和SoC集成电路设计的瓶颈和国内外研究的热点。

互连线等效模型

互连线的三维电磁场等效电路模型包括部分元等效模型(PEEC)和传输线等效模型。部分元等效模型将整个互连线结构划分成若干块,每个分块表示为一个电阻、电容和电感组成的电路单元。积分形式的麦克斯韦方程离散化后得到各单元之间的部分参数。另一类模型是传输线模型。该模型假设在互连线中传输的电磁波为横电磁波(TEM),因此对于非常高速的应用不

够精确。

互连线参数提取软件

提取互连线模型中的电阻、电感、电容参数,称为参数提取。为了提高三维参数提取的速度,对麦克斯韦方程组采用不同的近似形式进行求解。采用准静电场近似可以提取电容参数,典型的软件是美国的麻省理工学院J. White 1991年开发的FastCap,2003美国得州农机大学W.Shi开发的参数提取软件PhiiCap将FastCap的速度提高了60倍。在准静磁场近似下,可以提取电阻和电感参数,典型的软件是J. White 1994年开发的FastHenry。当电路工作频率非常高时,互连线的电容和电感效应已无法区分,必须采用似稳场或全波形式适用很宽的频率范围,这时提取的是阻抗参数。典型的阻抗提取软件是美国的麻省理工学院Z. Zhu 2003年开发的FastImp。

目前参数提取的商业软件主要有:Synopsys 系列:Star-RCXT、Arcadia、Raphael和Aurora;Cadence系列:Assura RCX和Fire & Ice QXC;Mentor Graphics 公司:Calibre xRC 等。

模型降阶技术

为了精确模拟互连线的传输行为,必须采用分布式电阻、电感、电容RLC模型。由于芯片中互连线数目多、长度长,且互连线间相互耦合,因此分布式互连电路规模相当庞大,电路阶数通常在104~106 量级。为了在合理时间内分析互连电路的性能,必须降低所需分析的分布式互连电路的规模。模型降阶技术通过有效的数学方法,将一个大规模的原始系统降阶为一个低阶的系统,然后对低阶系统进行电路模拟,从而大大提高电路分析的速度。

90年代以来,模型降阶技术得到了充分的发展。互连电路可以采用RLC模型,并被描述为一个一阶线性微分代数方程的形式。对于该一阶系统,模拟降阶的主流技术是基于Krylov 投影、矩匹配和合同变换的降阶方法。线性投影降阶的终极目标是同时保持降阶系统的结构、稳定性、无源性以及矩匹配的数目。这方面的先驱性工作是1990年美国得州大学奥斯汀分校的L. Pillage提出AWE方法,但该方法由于显示计算矩而失去了数值稳定性,无法获得高阶模型。1995年IBM公司R. Frued提出的PVL、MPVL类方法能够精确匹配矩,也能保证降阶电路的稳定性,但不能保证电路方程特有的块状结构。1998年L. Pillage提出的PRIMA可以保持降阶电路的稳定性,但不能同时保证降阶电路的对称性和无源性,也不能保证电路方程特有的块状结构。直到2004 年,R. Freud才提出了可以保持数值稳定性、无源性,以及保证降阶系统结构的SPRIM算法,全面解决了基于一阶系统的Krylov投影降阶问题。

近年来,用电感导纳来描述互连线的磁场耦合效应比采用电感具有更多优点。用电阻、电容和电感导纳表示的互连线模型一般采用二次系统来表示,一阶系统的降阶算法直接对二次系统降阶将不能保证无源性。针对二阶系统直接降阶的模型降阶算法应运而生。2001 年,Mentor公司的B. N. Sheehan提出了直接矩匹配的ENOR算法,但它存在数值不稳定的问题。2002年,美国卡内基·梅隆大学的L. Pillage提出空间投影的隐式矩匹配方法SMOR算法,但是由于投影空间存在近似,降阶系统精度不高。2004年,复旦大学苏仰锋和曾璇提出了采用二次Krylov子空间投影的SAPOR算法,完整地解决了二阶系统的模型降阶问题。SAPOR 算法可以同时保证数值稳定性、高的精度、无源性并能保证系统结构。由于采用了电感导纳模型替代电感模型,所以降阶的速度比SPRIM快。

除了基于矩匹配的模型降阶算法,另一类主流的模型降阶算法是基于奇异值分解的模型降阶算法。但这一算法计算复杂度过高且在降阶系统无源性方面存在困难,目前算法还未进入实用阶段。

数模混合集成电路模拟技术

在片上系统时代,数模混合集成电路的应用越来越广泛了。数模混合集成电路由于同时包含有数字和模拟电路,其模拟需要同时在不同的电路抽象层次进行。

数模混合集成电路的数字电路部分处理的是离散信号,在模拟时只需要跟踪电路中状态的改变,采用事件驱动的模拟方式进行模拟。模拟电路部分处理的是连续信号,在模拟时必须采用很小的时间步长进行模拟。因此,数模混合集成电路模拟的关键问题在于处理数字电路部分和模拟电路部分的离散/连续信号之间的转换和因为模拟时间步长不同引起的模拟同步问题。离散/连续信号的转换通常较为容易。不同模拟时间步长引起的模拟同步问题则是影响数模混合集成电路模拟效率的关键因素。

模拟同步的最简单的方法是锁定步长,即采用数字模拟部分电路分别模拟时间步长中较短步长作为混合电路模拟的时间步长。采用这一模拟方式,实现最为方便,但其模拟速度是最慢的。数字控制步长方式以数字电路的模拟为主,当数字电路部分需要等待模拟电路部分信号时才对模拟电路部分进行模拟,实现同步。而模拟控制步长方式则恰恰相反,以模拟电路部分的模拟为主,当模拟电路部分需要等待数字电路部分信号时,对数字电路进行模拟,实现同步。另外一种同步方式是通过滚回机制实现同步。在滚回同步方案中,数字电路和模拟电路轮流进行模拟,当两者模拟需要进行同步时,模拟时间进程靠前的部分其模拟时间滚回到同步时间点实现同步,然后从同步点重新开始模拟。当电路存在过多的反馈时,滚回同步方式的模拟效率会受到严重影响。表1列出了常见的数模混合集成电路模拟工具。

特殊电路模拟技术

对于模拟电路,SPICE是一个通用的电路模拟工具。但是针对特殊的模拟电路,比如开关电容和开关电流电路、射频电路等,采用通用电路模型工具耗时非常巨大,因此必须根据电路工作的特殊性,开发专用高效的模拟工具,以提高电路模拟的精度,加快电路模拟的速度。以下对这些专用模拟技术做简单介绍。

开关电路模拟技术。对于开关电容和开关电流电路这样的电路,由于这些电路的开关特性,如果采用传统的SPICE模拟器对这类电路进行模拟,必须采用很小的时间步长才能保证模拟结果的收敛。但这类电路通常只需要计算电路在某些特定时间点的行为,利用这一特性可以加快这类电路的模拟。在这类开关电路的模拟器如SWITCAP、SWAP和TOSCA中都利用了这一点。

射频电路模拟技术。随着无线通信的发展,射频电路逐渐得到了广泛应用。在射频电路设计中,通常需要得到射频电路在信号激励下的稳态响应。如果采用传统的SPICE模拟器对射频电路进行模拟,为了得到电路的稳态响应,通常需要经过很长的瞬态模拟时间,电路的响应才会稳定。

对于射频电路的稳态响应,可以采用特殊的模拟技术在较短的时间内获得。这些模拟技术包括:打靶法、谐波平衡法和小波平衡法。其中,打靶法的基本思想是求取电路的一个特殊的初始状态,从该初始状态出发电路直接进入稳态响应时期。由于该方法需要计算数值积分,因此计算复杂度很高。1986年美国加州大学伯克莱分校A. Sangiovanni-Vincentelli等人最早提出了谐波平衡法。该方法将电路状态变量近似写成傅立叶级数展开的形式。通常展开项必须取得足够大,以保证高次谐波对于模拟结果的影响可以忽略不计。谐波平衡法在目前的商用软件中得到了较好的应用。2002年复旦大学提出了小波平衡法,它针对射频高速电路中电路状态变量的奇异性,在时域中采用具有局域性的小波基函数对状态变量进行展开,通过求解小波基函数系数得到未知变量的解。基于小波的多分辨率特性和小波自适应计算,小波方法可以采用很小的基函数来获得均一误差分布,相比谐波平衡法具有更高精度和速度。

挑战及发展趋势

经过数十年的发展,集成电路模拟技术已经相当成熟。但集成电路的模拟技术仍然存在诸多挑战。

片上系统芯片全芯片宽频段、高精度互连线参数提取

虽然目前已经提出了多种快速的三维电磁场计算算法,但片上系统芯片中包含百万以上的互连线,采用三维电磁场计算来实现全芯片宽频段、高精度互连线参数提取几乎不可能。因此必须将电磁场计算、应用数学与高效的计算机软件技术相结合,来解决这一瓶颈问题。

大规模非线性电路的模型降阶

大规模非线性模拟电路要实现快速模拟,同样需要借助模型降阶技术。虽然模型降阶技术在互连线这样的线性电路分析中应用非常成功,但非线性的电路降阶由于非线性问题的引入使得降阶变得非常复杂。非线性模型降阶技术在国际上才刚刚开始,距实用化更遥远。

随机电路模拟技术

进入90纳米以后,集成电路的工艺随机偏差对电路性能的影响越来越严重,并严重地影响了电路的成品率。电路设计阶段如果不对存在工艺偏差的电路性能做出有效预测,生产得到的电路成品率会很低。因此,在当前工艺条件下,电路模拟还需要对存在工艺偏差的电路性能的分布进行模拟,预测电路在存在工艺偏差条件下的性能分布,提高集成电路的成品率。

对集成电路随机行为的模拟涉及到了多方面的内容,如对晶体管和互连线的随机行为进行建模和分析、对电路随机行为进行分析的电路模拟技术。这些技术是目前EDA技术的研究热点,这些技术会逐步发展成熟并集成到未来EDA工具当中。

数模混合集成电路的快速验证问题

数模混合集成电路的模拟虽然已发展得相当成熟,但目前的模拟方案是对数字电路部分和模拟电路部分分别进行模拟,采用同步和信号转换机制实现两种模拟方式的协调。采用这种模

拟方式模拟效率较低,模拟速度目前仍然不能满足应用要求。目前正在研究的数字模拟混合集成电路模拟技术是采用单一的模拟方式实现数字模拟电路的统一模拟,实现数字模拟混合集成电路的快速验证。同时,为了进一步提高数模混合模拟的速度,模拟电路有必要像数字电路那样建立比电路级更高的抽象层次,从而减小模拟电路的规模,高效自动的模拟电路的行为级建模技术是一个非常有前景的研究方向。

集成电路的发展历史及趋势

1947年美国物理学家肖克利和两位同事沃尔特·布兰坦和约翰·巴丁制作了一个简单的器件,实现电流的控制与放大,这就是后来引发电子革命的“晶体管”。1959年2月,美国德州仪器公司的工程师基尔比将四个晶体管通过金属线连接在了一起,这就是集成电路的雏形。2000年基尔比因发明世界上第一块集成电路,而获诺贝尔奖。

1964年,摩尔指出集成电路的集成度每18月翻一番,这就是著名的摩尔定律。在过去的几十年里,集成电路惊人地按照摩尔定律指数发展,经历了从小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、甚大规模集成电路到目前片上系统芯片的发展过程。

集成电路的发展主要体现在三个方面。第一是集成电路集成度的不断增加,第二是集成电路工作频率的不断提高,第三是集成电路中晶体管尺寸的不断缩小。集成电路发展到现在,在单个芯片上集成的晶体管数目达到了一个亿,芯片中晶体管的特征尺寸达到了90nm,芯片的工作频率也达到了数GHz。在当前的工艺条件下,一个复杂的电子系统可以在一块芯片上集成。支撑集成电路不断发展的动力是集成电路的工艺技术、设计方法学及设计自动化技术的不断进步。

集成电路模拟技术的意义

集成电路生产工艺在过去几十年里得到了极大的发展,但集成电路的生产成本却在不断提高,例如在90nm工艺下,集成电路制造成本已超过100万美元。集成电路制造成本如此之高,因此要求集成电路能够一次性设计生产成功。但是,集成电路功能如此之复杂,离开了设计自动化技术,设计者无法保证电路设计的正确性。集成电路模拟技术通过建立电路模型,采用数值分析技术和计算机软件工程技术开发电路模拟的软件工具。借助集成电路模拟工具,设计者可以在集成电路生产之前对电路行为进行仿真、功能进行验证,从而保证电路设计成功。因此,集成电路模拟技术是现代集成电路设计的关键技术之一。

电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。

第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。五十年代末期,世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。

由于,电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性,所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。

世界上第一台电子计算机于1946年在美国研制成功,取名ENIAC(Electronic Numerical Integrator and Calculator)。这台计算机使用了18800个电子管,占地170平方米,重达30吨,耗电140千瓦,价格40多万美元,是一个昂贵耗电的"庞然大物"。由于它采用了电子线路来执行算术运算、逻辑运算和存储信息,从而就大大提高了运算速度。ENIAC每秒可进行5000次加法和减法运算,把计算一条弹道的时间短为30秒。它最初被专门用于弹道运算,后来经过多次改进而成为能进行各种科学计算的通用电子计算机。从1946年2月交付使用,到1955年10月最后切断电源,ENIAC服役长达9年。

尽管ENIAC还有许多弱点,但是在人类计算工具发展史上,它仍然是一座不朽的里程碑。它的成功,开辟了提高运算速度的极其广阔的可能性。它的问世,表明电子计算机时代的到来。从此,电子计算机在解放人类智力的道路上,突飞猛进的发展。电子计算机在人类社会所起的作用,与第一次工业革命中蒸汽机相比,是有过之而无不及的。

ENIAC问世以来的短短的四十多年中,电子计算机的发展异常迅速。迄今为止,它的发展大致已经了下列四代:

第一代(1946~1957年)是电子计算机,它的基本电子元件是电子管,内存储器采用水银延迟线,外存储器主要采用磁鼓、纸带、卡片、磁带等。由于当时电子技术的限制,运算速度只是每秒几千次~几万次基本运算,内存容量仅几千个字。程序语言处于最低阶段,主要使用二进制表示的机器语言编程,后阶段采用汇编语言进行程序设计。因此,第一代计算机体积大,耗电多,速度低,造价高,使用不便;主要局限于一些军事和科研部门进行科学计算。

第二代(1958~1970年)是晶体管计算机。1948年,美国贝尔实验室发明了晶体管,10年后晶体管取代了计算机中的电子管,诞生了晶体管计算机。晶体管计算机的基本电子元件是晶体管,内存储器大量使用磁性材料制成的磁芯存储器。与第一代电子管计算机相比,晶体管计算机体积小,耗电少,成本低,逻辑功能强,使用方便,可靠性高。

第三代(1963~1970年)是集成电路计算机。随着半导体技术的发展,1958年夏,美国德克萨斯公司制成了第一个半导体集成电路。集成电路是在几平方毫米的基片,集中了几十个或上百个电子元件组成的逻辑电路。第三代集成电路计算机的基本电子元件是小规模集成电路和中规模集成电路,磁芯存储器进一步发展,并开始采用性能更好的半导体存储器,运算速度提高到每秒几十万次基本运算。由于采用了集成电路,第三代计算机各方面性能都有了极大提高:体积缩小,价格降低,功能增强,可靠性大大提高。

第四代(1971年~日前)是大规模集成电路计算机。随着集成了上千甚至上万个电子元件的大规模集成电路和超大规模集成电路的出现,电子计算机发展进入了第四代。第四代计算机的基本元件是大规模集成电路,甚至超大规模集成电路,集成度很高的半导体存储器替

代了磁芯存储器,运算速度可达每秒几百万次,甚至上亿次基本运算。

模拟电子技术发展史,就是早期电子技术发展史。自从发明集成电路之后,采用集成电路的电气设备逐渐发展了数字电子技术。以下电学发展史摘自Baidu Baike。

1.公元前的琥珀和磁石

希腊七贤中有一位名叫泰勒斯的哲学家。公元前600年前后,泰勒斯看到当明的希腊人通过摩擦琥珀吸引羽毛,用磁钱矿石吸引铁片的现象,曾对其原因进行过一番思考。据说他的解释是:“万物皆有灵。磁吸铁,故磁有灵。”这里所说的“磁”就是磁铁矿石。

希腊人把琥珀叫做“elektron”(与英文“电”同音)。他们从波罗的海沿岸进口琥珀,用来制作手镯和首饰。当时的宝石商们也知道摩擦琥珀能吸引羽毛,不过他们认为那是神灵或者魔力的作用。

在东方,中国人民早在公元前2500年前后就已经具有天然的磁石知识。据《吕氏春秋》一书记载,中国在公元前1000年前后就已经有的指南针,他们在古代就已经用磁针来辨别方向了。

2.磁,静电

通常所说的摩擦起电,在公元前人们只知道它是一种现象。很长时间里,关于这一种现象的认识并没有进展。

而罗盘则在13世经就已经在航海中得到了应用。那时的罗盘是把加工成针形的磁铁矿石放在秸秆里,使之能浮在水面上。到了14世纪初,又制成了用绳子把磁针吊起来的航海罗盘。

这种罗盘在1492年哥伦布发现美洲新大陆以及1519年麦哲伦发现环绕地球一周的航线时发挥了重要的作用。

(1)磁,静电与吉尔伯特

英国人吉尔伯特是伊丽莎白女王的御医,他在当医生的同时,也对磁进行了研究。他总结了多年来关于磁的实验结果,于1600年出了一本取名为《论磁学》的书。书中指出地球本身就是一块大磁石,并且阐述了罗盘的磁倾角问题。

吉尔伯特还研究了摩擦琥珀吸引羽毛的现象,指出这种现象不仅存在于琥珀上,而且存在于硫磺,毛皮,陶瓷,火漆,纸,丝绸,金属,橡胶等是摩擦起电物质系列。把这个系列中的两种物质相互摩擦,系列中排在前面的物质将带正电,排在后面的物质将带负电。

那时候,主要的研究方法就是思考,而他主张真正的研究应该以实验为基础,他提出这种主张并付诸实践,在这点上,可以说吉尔伯特是近代科学研究方法的开创者。

(2)雷和静电

在公元前的中国,打雷被认为是神的行为。说是有五位司雷电的神仙,其长者称为雷祖,雷祖之下是雷公和电母。打雷就是雷公在天上敲大鼓,闪电就是电母用两面镜子把光射向下界。

到了亚里斯多德时代就已经比较科学了。认为雷的发生是由于大地上的水蒸气上升,形成雷雨云,雷雨云遇到冷空气凝缩而变成雷雨,同时伴随出现强光。

认为雷是静电而产生的是英国人沃尔,那是1708年的事。1748年,富兰克林基于同样的认识设计了避雷针。

能不能用什么办法把这种静电收集起来?这个问题很多科学家都考虑过。1746年,莱顿大学教授缪森布鲁克发明了一种存贮静电的瓶子,这就是后来很有名的“莱顿瓶”。

缪森布鲁克本来想像往瓶子里装水那样把电装进瓶子里,他首先在瓶子里灌上水,然后用一根金属丝把摩擦玻璃棒能到水里。就在他的手接触到瓶子和棒的一瞬间,他被重重地“电击”了一下。据说他曾这样说过:“就算是国王命令,我也不想再做这种可怕的实验了”。

富兰克林联想到往莱顿瓶里蓄电的事,于1752年6月做了一个把风筝放到雷雨云里去的实验。其结果,发现了雷雨云有时带正电有时带负电的现象。这个风筝实验很有名,许多科学家都很感兴趣,也跟着做。1753年7月,俄罗斯科学家利赫曼在实验中不幸遭电击身亡。

通过用各种金属进行实验,意大利帕维亚大学教授伏打证明了锌,铅,锡,铁,铜,银,金,石墨是个金属电压系列,当这个系列中的两种金属相互接触时,系列中排在前面的金属带正电,排在后面的金属带负电。他把铜和锌做为两个电极置于稀硫酸中,从而发明了伏打电池。电压的单位“伏特”就是以他的名字命名的。

19世纪初,正是法国大革命后进入拿破仑时代。拿破仑从意大利归来,在1801年把伏打召到巴黎,让他做电实验,伏打也因此获得了拿破仑授予的金质奖章和莱吉诺-多诺尔勋章。

(3)伏打电池的利用与电磁学的发展

伏打电池发明之后,各国利用这种电池进行了各种各样的实验和研究。德国进行了电解水的研究,英国化学家戴维把2000个伏打电池连在一起,进行了电弧放电实验。戴维的实验是在正负电极上安装木炭,通过调整电极间距离使之产生放电而发出强光,这就是电用于照明的开始。

1820年,丹麦哥本哈根大学教授奥斯特在一篇论文中公布了他的一个发现:在与伏打电池连接了的导线旁边放一个磁针,磁针马上就发生偏转。

俄罗斯的西林格读了这篇论文,他把线圈和磁针组合在一起,发明了电报机(1831年),这可说是电报的开始。

其后,法国的安培发现了关于电流周围产生的磁场方向问题的安培定律(1820年),法拉第发现了划时代的电磁感应现象(1831年),电磁学得到了飞速发展。

另一方面,关于电路的研究也在发展。欧姆发现了关于电阻的欧姆定律(1826年),基尔霍夫发现了关于电路网络的定律(1849年),从而确立了电工学。

3.有线通信的历史

有人说科学技术是由于军事方面的需要而发展起来的,这种说法有一定的历史事实根据。

英国害怕拿破仑进攻,曾用桁架式通信机向自己的部队进报法国军队的动向。瑞典,德国,俄罗斯等国家也以军事为目的,架设了由这类通信机组成的通信网,据说都曾投入了庞大的预算。

将这种通信机改造成电通信方式的构想大概就是有线通信的开始。

(1)有线通信的原理

除了将前面所讲到的西林所发明的电磁式电报机以外,还有德国的简梅林发明的电化学式电报机,高斯和韦伯(德国)的电报机,库克和惠斯能(英国)的5针式电报机等。电报机的形式也是各种各样的,有音响式,印刷式,指针式,钟铃式等。其中,库克和惠斯通的

5针式电报机最为有名。1837年,这种电报机曾通过架设在伦敦与西德雷顿之间长达20公里的5根电线而投入实际使用。

(2)莫尔斯电报机

1837年,莫尔斯电报机在美国研制成功,发明人就是以莫尔斯电码而闻名的莫尔斯。莫尔斯电码是一种以点,划来编码的信号。

莫尔斯本来是想当一名画家,他为此在伦敦留学。1815年,他在回美国的船上听了波士顿大学教授杰克逊关于电报的一席谈话,萌发了莫尔斯电码和电报机的构想。为了铺设电报线,莫尔斯成立了电磁-电报公司,并于1846年在纽约-波士顿,费城-匹兹堡,多伦多-布法罗-纽约之间开通了电报业务。

莫尔斯的事业获得了极大成功,于是就在美国各地创办电报公司,电报业务逐渐扩大起来。

1846年,莫尔斯电报机装上了音响收报机,使用也更加方便。

(3)电话和交换机

1876年2月14日,美国的两位发明家贝尔和格雷分别递交了电话机专利的申请,贝尔的申请书比格雷的申请书早两个小时到达,因而贝尔得到了专利权。

1878年,贝尔成立了电话公司,制造电话机,全力发展电话事业。

从发展电话业务开始,交换机就担负着重要的任务。1877年前后的交换机称为传票式交换机,话务员收到通话请求,很把传票交给另一位话务员。

其后,经过反复改进,开发出了框图式交换机,进而又开发出了自动交换方式(1879年)。

1891年,史端乔式自动交换机研制成功。至此,自动交换的愿望就算实现了。之后研究仍在继续,又经过了几个阶段才达到现在的电子交换机。

(4)海底通信电缆

陆上通信网日渐完备,人们开始考虑在海底敷设通信电缆来实现跨海国家之间的通信。1840年前后,惠斯通就已经考虑到了海底电缆的问题。

海底电缆有很多问题需要解决,电缆的机械强度,绝缘及敷设方法都陆上电缆不同。

1845年,英吉利海峡海底电报公司成立,开始了从英国到加拿大并跨过多佛尔海峡到达法国的海底电缆敷设工程。

海底电缆敷设中碰到了电缆断裂等大难题,但敷设诲底电缆是时代的要求,各国都为此投稿了力量。

1851年,最早的加来-多佛尔海底电缆敷设完毕,成功地实现了通信。以此为契机,欧洲周边和美洲东部周边也敷设了许多电缆。

现在,世界上的大海里遍布着电缆,供通信使用。

4.无线通信的历史

世界上任何一个地区的信息都能显示在电视机上,这种方便是电波带给我们的。

最早的电波实验是德国的赫兹在1888年进行的。通过实验,赫兹弄清了电波和光一样,具有直线传播,反射和折射现象。

频率的单位赫兹就是来自他的名字。

(1)马可尼的无线电装置

在杂志上读到过赫兹实验文章的意大利人马可尼,在1895年研制出了最早的无线电装置,利用这一装置在相隔大约3公里远的距离之间进行了莫尔斯电码通信实验。他想到了要把无线通信企业化,就成立了一个无线电报与信号公司。

尽管马可尼在无线通信领域获得了诸多成功,但由于与海底电缆公司的利益相冲突,他想在纽芬兰设立无线电报局的事遭到了反对,马可尼的反对者还不在少数。

(2)高频波的产生

要实现无线通信,首先要产生稳定的高频电磁波。

达德尔采用由线圈和电容器构成的电路产生出了高频信号,但频率还不到50KHZ,电流

也只有2~3A,比较小。

1903年,荷兰的包鲁森利用酒精蒸气电弧放电产生出了1MHZ的高频波,彼得森又对其进行了改进,制成了输出功率达到1KW的装置。

其后,德国设计出了机械式高频发生装置,美国的斯特拉和费森登,德国的戈尔德施米特等人开发出了用高频交流机产生高频波的方法等,很多科学家和工程师都曾致力于高频波发生器的研究。

(3)无线电话

如果传送的不是莫尔斯信号而是人的语言,那就需要有运载有信号的载波。载波必须是高频波。

1906年,美国通用电气(GE)公司的亚历山德森制成了80KHZ的高频信号发生装置,首次成功地进行了无线电话的实验。

用无线电话传送语音,并且要收听它,这就需要有用于发送的高频信号发生装置和用于接收的检波器。费森登设计了一种多差式接收装置,并于1913年试验成功。

达德尔设计出了以包鲁森电弧发送器为发送装置,以电解检波器为接收装置的受话器方式。在当时,由于都是采用火花振荡器,所以噪声很大,实验阶段可说是成功了,但离实用化还很远。

要想使产生的电波稳定,接收到的噪声小,还得等待电子管的出现。

(4)二极管和三极管

1903年,爱迪生发现从电灯泡的热丝上飞溅出来的电子把灯泡的一部分都熏黑了,这种现象被称为爱迪生效应。

1904年,弗莱明从爱迪生效应得到启发,造出二极管,用它来进行检波。

1907年,美国的D。福雷斯特在二极管的阳极和阴极之间又加了一个叫做栅极的电极,发明了三极管。

这种三极管既可以用于放大信号电压,也可以配以适当的反馈电路产生稳定的高频信号,可说是一个划时代的电路元件。

三极管经过进一步的改进,能够产生短波,超短波等高频信号。此外,三极管具有能控制电子流的功能,随后出现的阴极射线管和示波器与此有密切的关系。

5.电池的历史

1790年,伽伐尼根据解剖青蛙实验提出了“动物电”,以此为开端,伏打发现了两种金属接触就有电产生的规律,可以说这就是电池的起源。

1799年,伏打在铜和锌之间夹入一层浸透盐水的纸,再把它们一层一层地迭起来,制成了“伏打电堆”。“电堆”的意思就是指把许多单个电池单元高高地堆在一起。

(1)一次电池

一次电池放完电后不能再用的电池称为一次电池。伏打对伏电电堆做了改进,制成了伏打电池。

1836年,英国人丹尼尔在陶瓷桶里放入阳极和氧化剂,制成了丹尼尔电池。与伏打电池相比,丹尼尔电池能长时间提供电流。

1868年,法国的勒克朗谢公布了勒克朗谢电池,1885年(明治18年)日本的尾井先藏发明了尾井乾电池。尾井乾电池是一种把电解液吸附在海绵里的特殊电池,具有搬运方便的特点。

1917年,法国的费里发明了空气电池,1940年,美国的鲁宾发明了水银电池。

(2)二次电池

放完电还可以充电再用的电池称为二次电池。1859年,法国的普朗泰发明了能够反复充电使用的铅蓄电池,其结构是稀硫酸中装有铅电极,这是最早的二次电池。现在,汽车里

使用的就是这种类型的电池。

1897年(明治30年),日本的岛津源藏开发出了具有10A*H容量的铅蓄电池,并把他本人名字GENZO SIMAZU的字头GS作为商品名称,取名为GS电池投放市场。

1899年,瑞典的容纳制成了容纳电池,1905年爱迪生制成了爱迪生电池。这些电池的电解液都用的是氢氧化钾,后来就被称为碱性电池。

1948年,美国的纽曼发明了镍镉电池。这是一种能充电的乾电池,是具有划时代意义的电池。

(3)燃料电池

1939年,英国人格罗夫发现氧和氢的反应中有电能产生,并由实验证明了燃料电池的可能性。也就是说,电解水的时候消耗了电能而生成了氧和氢,反过来,从外部给阳极一侧送入氧,给阴极一侧送入氢,就能够产生电能和水。

格罗夫当时只是做了实验,并未实用化。1958年,剑桥大学(英国)制成了5KW的燃料电池。

1965年,美国GE公司成功地开发出了燃料电池,这个电池就安装在1965年的载人飞船双子星5号上,用于供给宇航员饮用水的飞船电能。1969年登上月球的阿波罗11号飞船上的电源也使用了燃料电池作为飞船内电源。

(4)太阳能电池

1873年,德国人西门子发明了用硒和铂丝制成的光电池。现在照相机曝光表上所用的就是这种硒光电池。

1945年,美国的夏品发明了硅太阳能电池,这是一种当太阳光或灯光照到其PN结上时能产生电能的元件,广泛用于人造卫星,太阳能汽车,钟表,台式计算器等。提高这种元件转换效率的研究与开发工作仍在进行中。

6.照明的历史

18世纪60年代由英国兴起的产业革命使工厂进入了连续加工,批量生产的时代,夜间照明成了重要问题。

前面已经讲过,英国人戴维1815年曾做过用2000个伏打电池产生电弧的有名实验。

(1)白炽灯泡

1860年,英国人斯旺把棉线碳化后做成灯丝装入玻璃泡里,发明了碳丝灯泡。

然而,由于当时的真空技术不高,点灯时间不能过长,时间一长,灯丝就会在灯泡里氧化而烧掉。

斯旺所想到的白炽灯泡的原理是现在的白织灯的起源。随着灯丝研究和真空技术的进步,白炽灯最终达到了实用化。从这点不说,斯旺的发明是一项大发明。

1865年,施普伦格尔为研究真空现象而开发出水银真空泵。斯旺知道这件事后,就在1878年把玻壳内的真空度提高,又在灯丝上下了一番功夫。他先把棉线用硫酸处理,然后再碳化,最后,他公布了斯旺灯泡。斯旺的白炽灯泡曾在巴黎万国博览会上展出。

1879年,美国的爱迪生成功地把白炽灯泡的寿命延长到了40小时以上。1880年,爱迪生发现竹子是做白炽灯灯丝的优良材料,就把日本,中国,印度的竹子收集起来反复进行实验。

爱迪生把部下穆尔派到日本,在京都的八幡寻找优质竹子,若乾年后,用八幡竹子制造出了灯丝。为了制造这种竹灯丝的灯泡,1882年他在伦敦和纽约成立了爱迪生电灯公司。

在日本,1886年(明治19年)东京电灯公司成立,明治22年起,一般的家庭开始用上了白治灯泡。

1910年,美国的库利厅用钨丝做灯丝,发明了钨丝灯泡。

1913年,美国的兰米尔在玻壳里充入气体以防止灯丝蒸发,发明了充气钨丝灯泡。

1925年,日本的不破橘三发明了内壁磨砂灯泡。

1932年,日本的三浦顺一发明了双螺旋钨丝灯泡。

正是由于上述的不断探索,今天我们才能享受白炽灯照明的日常生活,想起来真是漫漫长路啊。

(2)放电灯

1902年,美国的休伊兹特在玻壳内装入水银蒸气,发明了弧光放电汞灯。由于这种汞灯在汞蒸气的气压较低时发出了紫外线较多,所以常作为杀菌灯使用。而当水银气压较高时,可发出很强的可见光。

现在广泛用于广场照明和道路照明的高压汞灯所发出的光是一种混合光,混合光包括水银电弧放电的光和紫外线照到涂敷在玻壳内壁的荧光材料上所发出的光。

1932年,荷兰菲利浦公司开发出了波长为590nm单色的钠灯,这种灯广泛用于公路的隧道照明。

1938年,美国的英曼发明了现在广泛使用的荧光灯。这种灯通过用水银电弧放电发出的紫外线照射涂敷在灯管内壁的不同荧光粉而发出不同颜色的光。通常,白色荧光灯用得最多。

7.电力设备的历史

可以说,1820年奥斯特所发现的电磁作用就是电动机的起源。

而1831年法拉第所发现的电磁感应就是发电机的变压器的起源。

(1)发电机

1832年,法国人毕克西发明了手摇式直流发电机,其原理是通过转动永磁体使磁通发生变化而在线圈中产生感应电动势,并把这种电动势以直流电压形式输出。

1866年,德国的西门子发明了自励式直流发电机。

1869年,比利时的格拉姆制成了环形电枢,发明了环形电枢发电机。这种发电机是用水力来转动发电机转子的,经过反复改进,于1847年得到了3。2KW的输出功率。

1882年,美国的戈登制造出了输出功率447KW,高3米,重22吨的两相式巨型发电机。

美国的特斯拉在爱迪生公司的时候就决心开发交流电机,但由于爱迪生坚持只搞直流方式,因此他就把两相交流发电机和电动机的专利权卖给了西屋公司。

1896年,特斯拉的两相交流发电机在尼亚拉发电厂开始劳动营运,3750KW,5000V的交流电一直送到40公里外的布法罗市。

1889年,西屋公司在俄勒冈州建设了发电厂,1892年成功地将15000伏电压送到了皮茨菲尔德。

(2)电动机

1834年,俄罗斯的雅可比试制出了由电磁铁构成的直流电动机。1838年,这种电动机开动了一艘船,电动机电源用了320个电池。此外,美国的文波特和英国的戴比德逊也造出了直流电动机(1836年),用作印刷机的动力设备。由于这些电动机都以电池作为电源,所以未能广泛普及。

1887年,前面所讲过的特斯拉两相电动机作为实用化感应电动机的发展计划开始启动。1897年,西屋公司制成了感应电动机,设立专业公司致力于电动机的普及。

(3)变压器

发电端在向外输送交流电的时候,要先把交流电压升高,到了用电端,又得把送来的交流电压降低。因此,变压器是必不可少的。

1831年,法拉第发现磁可以感应生成电,这就是变压器诞生的基础。

1882年,英国的吉布斯获得了“照明与动力用配电方式”专利,其内容就是将变压器用于配电,当时所用的变压器是磁路开放式变压器。

西屋引进了吉布斯的变压器,经过研究,于1885年开发出了实用的变压器。

此外,在此前一年的1884年,英国的霍普金森制成了闭合磁路式变压器。

(4)电力设备和三相交流技术

两相交流电是用四根电线输电的技术。德国的多勃罗沃尔斯基在绕组上想出了窍门,从绕组上每隔120度的三个地方引出抽头,得到了三相交流电。1889年,利用这种三相交流电的旋转磁场,制成了功率为100W的最早的三相交流电动机。

同年,多勃罗沃尔斯基又开发出了三相四线制交流接线方式,并在1891年的法兰克福输电实验(150VA三相变压器)中获得了圆满成功。

8.电子电路元器件的历史

当代,是包括计算机在内的电子学繁荣昌盛的时代,其背景与电子电路元器件由电子管-晶体管=集成电路的不断发展有着密切的关系。

(1)电子管

电子管是沿着二极管-三极管-四极管-五极管的顺序发明出来的。

二极管:前面曾经讲过,爱迪生发现了电灯泡灯丝发射电子的“爱迪生效应”。1904年,英国人弗莱明受到“爱迪生效应”的启发,发明了二极管。

三极管:1907年,美国的福雷斯特发明了三极管。当时,真空技术尚不成熟,三极管的制造水平也不高。但在反复改进的过程中,人们懂得了三极管具有放大作用,终于拉开了电子学的帷幕。

振荡器也从上面所讲过的马可尼火花装置发展为三极管振荡器。三极管有三个电极,阳极,阴极和设置在二者之间的控制栅极,这个控制栅极是用来控制阴极所发射的电子流的。

四极管:1915年,英国的朗德在三极管的控制栅极与阳极之间又加了一个电极,称为帘栅极,其作用是解决三极管中流向阳极的电子流中有一部分会流到控制栅极上去的问题。

五极管:1927年,德国的约布斯特在阳极与帘栅极之间又加了一个电极,发明了五极管。新加的电极被称为抑制栅。加入这个电极的原因是:在四极管中,电子流撞到阳极上时阳极会产生二次电子发射,抑制栅就是为抑制这种二次电子发射而设置的。

此外,1934年美国的汤绿森通过对电子管进行小型化改进,发明了适用于超短波的橡实管。

管壳不用玻璃而采用金属的ST管发明于1937年,经小型化后的MT管发明于1939年。

(2)晶体管

半导体器件大致分为晶体管和集成电路(IC)两大部分。第二次世界大战后,由于半导体技术的进步,电子学得到了令人瞩目的发展。

晶体管是美国贝尔实验室的肖克莱,巴丁,布拉特在1948年发明的。

这种晶体管的结构是使两根金属丝与低掺杂锗半导体表面接触,称为接触型晶体管。

1949年,开发出了结型晶体管,在实用化方面前进了一大步。

1956年开发出了制造P型和N型半导体的扩散法。它是在高温下将杂质原子渗透到半导体表层的一种方法。1960年开发出了外延生长法并制成了外延平面型晶体管。外延生长法是把硅晶体放在氢气和卤化物气体中来制造半导体的一种方法。

有了半导体技术的这些发展,随之就诞生了集成电路。

(3)集成电路

大约在1956年,英国的达马就从晶体管原理预想到了集成电路的出现。

1958年美国提出了用半导体制造全部电路元器件,实现集成电路化的方案。

1961年,得克萨斯仪器公司开始批量生产集成电路。

集成电路并不是用一个一个电路元器件连接成的电路,而是把具有某种功能的电路“埋”在半导体晶体里的一个器件。它易于小型化和减少引线端,所以具有可靠性高的优点。

集成电路的集成度在逐年增加。元件数在100个以下的小规模集成电路,100~1000个的中规模集成电路,1000~100000个大规模集成电路,以及100000个以上的超大规模集成电路,都已依次开发出来,并在各种装置中获得了广泛应用。

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式 第7章半导体器件 主要内容:半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点:半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点:双极型晶体管。 教学目标:掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章基本放大电路 主要内容:放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点:放大电路的工作原理、共射放大电路。难点:放大电路的工作原理。 教学目标:掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章集成运算放大器

主要内容:运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点:基本运算电路。难点:放大电路中的反馈。 教学目标:掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容:直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点:整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标:掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容:集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点:集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点:组合逻辑电路的设计。 教学目标:掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章 时序逻辑电路 主要内容:双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点:双稳态触发器。 难点:寄存器、计数器。 教学目标:掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示: )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中,i D 为流过二极管的电流,u D 。为加在二极管两端的电压,V T 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度,单位是K ;q 是电子的电荷量,q=×10-19 C ;k 为玻耳兹曼常数,k = ×10 -23 J /K 。室温下,可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即

模拟电子电路仿真和实测实验方案的设计实验报告111-副本

课程专题实验报告 (1) 课程名称:模拟电子技术基础 小组成员:涛,敏 学号:0,0 学院:信息工程学院 班级:电子12-1班 指导教师:房建东 成绩: 2014年5月25日

工业大学信息工程学院课程专题设计任务书(1)课程名称:模拟电子技术专业班级:电子12-1 指导教师(签名): 学生/学号:涛 0敏0

实验观察R B 、R C 等参数变化对晶体管共射放大电路放大倍数的影响 一、实验目的 1. 学会放大器静态工作点的调式方法和测量方法。 2.掌握放大器电压放大倍数的测试方法及R B 、R C 等参数对放大倍数的影响。 3. 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。偏置电阻R B1、R B2组成分压电路,并在发射极中接有电阻R E ,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号后,在放大器的输出端便可得到一个与输入信号相位相反、幅值被放大了的输出信号,从而实现了电压放大。 三、实验设备 1、 信号发生器 2、 双踪示波器 SS —7802 3、 交流毫伏表 V76 4、 模拟电路实验箱 TPE —A4 5、 万用表 VC9205 四、实验容 1.测量静态工作点 实验电路如图1所示,它的静态工作点估算方法为: U B ≈ 2 11B B CC B R R U R +? I E =E BE B R U U -≈Ic U CE = U CC -I C (R C +R E )

图1 晶体管放大电路实验电路图 实验中测量放大器的静态工作点,应在输入信号为零的情况下进行。 根据实验结果可用:I C ≈I E = E E R U 或I C = C C CC R U U U BE =U B -U E U CE =U C -U E 计算出放大器的静态工作点。 五.晶体管共射放大电路Multisim仿真 在Multisim中构建单管共射放大电路如图1(a)所示,电路中晶体管采用FMMT5179 (1)测量静态工作点 可在仿真电路中接入虚拟数字万用表,分别设置为直流电流表或直流电压 表,以便测量I BQ 、I CQ 和U CEQ ,如图所示。

模拟电子线路期末试题及其答案(两套)

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕 一、填空题(15分) 1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号; D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、

20个常用模拟电路

一. 桥式整流电路 1二极管的单向导电性:二极管的PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型: 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程: 当u 2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载R L 是的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压;在u 2的负半周,u 2的实际极性是下正上负,二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止,负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析:电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变,因而负载两端的电压也不会突变,使输出电压得以平滑,达到滤波的目的。 波形形成过程:输出端接负载R L 时,当电源供电时,向负载提供电流的同时也

向电容C充电,充电时间常数为τ 充=(Ri∥R L C)≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响,电容上电压将随u 2迅速上升,当ωt=ωt 1 时,有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0,所有二极管截止,这时电容C通过R L 放电,放电时间常数为R L C,放 电时间慢,u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时,u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大,又开始充电过程,u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0,ωt 3 后,电容通 过R L 放电。如此反复,周期性充放电。由于电容C的储能作用,R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大,要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间,输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧(3~5)T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中,经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ,每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器 1信号滤波器的作用:把输入信号中不需要的信号成分衰减到足够小的程度,但同时必须让有用信号顺利通过。 与电源滤波器的区别和相同点:两者区别为:信号滤波器用来过滤信号,其通带是一定的频率范围,而电源滤波器则是用来滤除交流成分,使直流通过,从而保持输出电压稳定;交流电源则是只允许某一特定的频率通过。 相同点:都是用电路的幅频特性来工作。 2LC串联和并联电路的阻抗计算:串联时,电路阻抗为Z=R+j(XL-XC)=R+j(ωL-1/ωC) 并联时电路阻抗为Z=1/jωC∥(R+jωL)= 考滤到实际中,常有R<<ωL,所以有Z≈

电子科技大学集成电路原理实验CMOS模拟集成电路设计与仿真王向展

实验报告 课程名称:集成电路原理 实验名称: CMOS模拟集成电路设计与仿真 小组成员: 实验地点:科技实验大楼606 实验时间: 2017年6月12日 2017年6月12日 微电子与固体电子学院

一、实验名称:CMOS模拟集成电路设计与仿真 二、实验学时:4 三、实验原理 1、转换速率(SR):也称压摆率,单位是V/μs。运放接成闭环条件下,将一个阶跃信号输入到运放的输入端,从运放的输出端测得运放的输出上升速率。 2、开环增益:当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。 3、增益带宽积:放大器带宽和带宽增益的乘积,即运放增益下降为1时所对应的频率。 4、相位裕度:使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。 5、输入共模范围:在差分放大电路中,二个输入端所加的是大小相等,极性相同的输入信号叫共模信号,此信号的范围叫共模输入信号范围。 6、输出电压摆幅:一般指输出电压最大值和最小值的差。 图 1两级共源CMOS运放电路图 实验所用原理图如图1所示。图中有多个电流镜结构,M1、M2构成源耦合对,做差分输入;M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载;M5、M8构成电流镜提供恒流源;M8、M9为偏置电路提供偏置。M6、M7为二级放大电路,Cc为引入的米勒补偿电容。 其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系:

转换速率:SR=I5 I I 第一级增益:I I1=?I I2 I II2+I II4=?2I I1 I5(I2+I3) 第二级增益:I I2=?I I6 I II6+I II7=?2I I6 I6(I6+I7) 单位增益带宽:GB=I I2 I I 输出级极点:I2=?I I6 I I 零点:I1=I I6 I I 正CMR:I II,III=I II?√5 I3 ?|I II3|(III)+I II1,III 负CMR:I II,III=√I5 I1+I II5,饱和 +I II1,III+I II 饱和电压:I II,饱和=√2I II I 功耗:I IIII=(I8+I5+I7)(I II+I II) 四、实验目的 本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置,为IC设计性实验。其目的在于: 根据实验任务要求,综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计,掌握基本的IC设计技巧。 学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法,并进行电路的模拟仿真。 五、实验内容 1、根据设计指标要求,针对CMOS两级共源运放结构,分析计算各器件尺寸。 2、电路的仿真与分析,重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析,能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。 3、电路性能的优化与器件参数调试,要求达到预定的技术指标。

模拟电路期末试卷及标准答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合;变压器 耦合; 在集成电路中通常采用 直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ,要消除此失真,应改 用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,h 接成 共基 组 态,T 2接成 共集 组态,R i 和R 2的作用是 为T1管提供基极偏置 。 I ------------ 1 ------------------------------ 曲叫 前卜L 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大。 7. 共射一共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小干 共基电路的上 限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是T (j ?) = -1,相应的振幅条件是T (j ) =1, 图1

相位条件是T 匸:吆

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示 (1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1 分, 共3 分) (2)估算(b)图晶体管的1和〉值 p 0.985 (各1分,共2分) 1 e , b ,c 极; I C 6 'LOT 60, 图2

模拟电路测验试题套和答案

模拟电路测验试题套和答案 1 / 29

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坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选() A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指() A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和() A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 1 / 29

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时,其空间电荷区将,使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中,耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号,而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象,这是属于失真。

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷 一.(24分) 1)射极输出器的特性归纳为:电压增益,电压跟随性好,输入阻抗,输出阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力,射极输出器的反馈类型是。 2)电压负反馈可以使放大器的输出稳定,电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3)在差分放大电路中,大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号;大小相等,极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4)在导体中导电的是,在半导体中导电的不仅有,而且有,这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5)PN结正向偏置时,反向偏置时,这种特性称为PN结的。 6)晶体三极管有两个PN结,即结和结,在放大电路中结必须正偏, 结必须反偏。 7)晶体三极管有型和型两种类型。 8)画放大器的直流通路时,将视为开路,画交流通路时,将和视为短;.

路。 二.(1.9分,2.9分,3.6分,共24分) 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ,R g2=100kΩ,R g3=2MΩ,R d=10kΩ,R2=10kΩ,+V DD=+20V,场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路; (2)求电压增益A v; (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问: a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U =0.7V,试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

模拟电子技术基础中的常用公式必备

word 资料 模拟电子技术基础中的常用公式 第7章 半导体器件 主要内容:半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。 重点:半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。 难点:双极型晶体管。 教学目标:掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。 第8章 基本放大电路 主要内容:放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。 重点:放大电路的工作原理、共射放大电路。 难点:放大电路的工作原理。 教学目标:掌握 放大电路的工作原理、共射放大电路。理解 放大电路的静态分析。了解共集放大电路。 第9章 集成运算放大器

主要内容:运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。 重点:基本运算电路。难点:放大电路中的反馈。 教学目标:掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。 第10章直流稳压电源 主要内容:直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。 重点和难点:整流电路、滤波电路、稳压电路。 教学目标:掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路 主要内容:集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 重点:集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点:组合逻辑电路的设计。 教学目标:掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。 - 71 -

word 资料 第12章 时序逻辑电路 主要内容:双稳态触发器、寄存器、计数器。 重点:双稳态触发器。 难点:寄存器、计数器。 教学目标:掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示: )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中,i D 为流过二极管的电流,u D 。为加在二极管两端的电压,V T 称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度,单位是K ;q 是电子的电荷量,q=1.602×10-19 C ;k 为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J /K 。室温下,可求得V T = 26mV 。I R(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比,即

Multisim模拟电路仿真实验

实验19 Multisim 数字电路仿真实验 1.实验目的 用Multisim 的仿真软件对数字电路进行仿真研究。 2.实验内容 实验19.1 交通灯报警电路仿真 交通灯故障报警电路工作要求如下:红、黄、绿三种颜色的指示灯在下 列情况下属正常工作,即单独的红灯指示、黄灯指示、绿灯指示及黄、绿灯 同时指示,而其他情况下均属于故障状态。出故障时报警灯亮。 设字母R 、Y 、G 分别表示红、黄、绿三个交通灯,高电平表示灯亮, 低电平表示灯灭。字母Z 表示报警灯,高电平表示报警。则真值表如表 19.1所示。 逻辑表达式为:RY RG G Y R Z ++= 若用与非门实现,则表达式可化为:RY RG G Y R Z ??= Multisim 仿真设计图如图19.1所示: 图19.1的电路图中分别用开关A 、B 、C 模拟控制红、黄、绿灯的亮暗,开关接向高电平时表示灯亮,接向低电平时表示灯灭。用发光二极管LED1的亮暗模拟报警灯的亮暗。另外用了一个5V 直流电源、一个7400四2输入与非门、一个7404六反相器、一个7420双4输入与非门、一个500 表19.1 LED_red LED1 图19.1

欧姆电阻。 在模拟实验中可以看出,当开关A、B、C中只有一个拨向高电平,以及B、C同时拨向高电平而A拨向低电平时报警灯不亮,其余情况下报警灯均亮。 实验19.2数字频率计电路仿真 数字频率计电路(实验13.3)的工作要求如下:能测出某一未知数字信号的频率,并用数码管显示测量结果。如果用2位数码管,则测量的最大频率是99Hz。 数字频率计电路Multisim仿真设计图如图19.2所示。其电路结构是: 用二片74LS90(U1和U2)组成BCD码100进制计数器,二个数码管U3和U4分别显示十位数和个位数。四D触发器74LS175(U5)与三输入与非门7410(U6B)组成可自启动的环形计数器,产生闸门控制信号和计数器清0信号。信号发生器XFG1产生频率为1Hz、占空比为50%的连续脉冲信号,信号发生器XFG2产生频率为1-99Hz(人为设置)、占空比为50%的连续脉冲信号作为被测脉冲。三输入与非门7410(U6A)为控制闸门。 运行后该频率计进行如下自动循环测量: 计数1秒→显示3秒→清零1秒→…… 改变被测脉冲频率,重新运行。

模拟电路期末复习

电子技术基础-模拟部分复习 第一章绪论 1.1 电子电路的基本概念 1.1.1 电子电路及其框图 理想电子电路:R i?∞, R o?0 1 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A的输出电压较大,这说明A的? 2 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B,分别由晶体管和场效应管构成,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A、B两电路哪个输出电压大? 3 两个放大电路负载开路时电压放大倍数为10dB,若将他们级联后构成两级放大器的总电压放大倍数是? 1.1.2 模拟信号与数字信号 模拟信号:是一种随时间连续变化的信号。正弦波信号就是一种常见的模拟信号,其幅值、频率或相位都是随时间连续变化的。 数字信号:是一种离散信号。矩型波信号就是一种常见的数字信号,其幅值、频率或相位都是离散的,它们通常用数字形式表示。 处理模拟信号的电路称为模拟电路,常用的模拟电路有放大电路、滤波电路和波形转换电路等。 处理数字信号的电路称为数字电路,常用的有编码电路、译码电路和记忆电路等。 1.2 电子电路的电路模型 1.2.1 电子电路的模型

工程(去精取粗)模型:就是常说的电路原理图,简称电路图。它着重表明了电子电路的工作原理,对与工作原理关系不大的细节通常不与表示。 物理(实际)模型:是分析电子电路或电子系统的分析模型,最终建立电子电路各变量和元件参数之间的数学表达式——数学模型。 第二章二极管与基本放大电路 二极管的物理模型: 死区电压:0.5V; 导通压降:0.6~0.8V 二极管理想模型:正向导通时压降为零, 反向截止时电流为零。 理想模型、管压降理想模型、考虑r be模型、小信号实际模型分别如下图:

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电路部分习题答案

模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1.填空 (1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会增大。 (3)PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 (4)晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体管通常工作在放大区区。 (5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该反偏。(正偏、反偏) 2-2.判断下列说法正确与否。 (1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。() (2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。() (3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。() (4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。() (5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。() (6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。() (7)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()

(8)若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,则其输入电阻会明显减小。() 答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。 (2)错;对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时,处于电中性的状态。 (3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。 (4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 (5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。 (6)对; N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。 (7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。 (8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS 大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏 答:可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻,正向时电阻很小,反向时电阻很大。 2-4.二极管电路如题2-4图所示,试判断图中的二极管是导通

模拟电路仿真实验

模拟电路仿真实验 实验报告 班级: 学号: 姓名:

多级负反馈放大器的研究 一、实验目的 (1)掌握用仿真软件研究多级负反馈放大电路。 (2)学习集成运算放大器的应用,掌握多级集成运放电路的工作特点。 (3)研究负反馈对放大器性能的影响,掌握负反馈放大器性能指标的测试方法。 1.测试开环和闭环的电压放大倍数、输入电阻、反馈网络的电压反馈系数的通频带; 2.比较电压放大倍数、输入电阻、输出电阻和通频带在开环和闭环时的差别; 3.观察负反馈对非线性失真的改善。 二、实验原理及电路 (1)基本概念: 1.在电子电路中,将输出量(输出电压或输出电流)的一部分或全部通过一定的电路形式作用到输入回路,用来影响其输入量(放大电路的输入电压或输入电流)的措施称为反馈。 若反馈的结果使净输入量减小,则称之为负反馈;反之,称之为正反馈。若反馈存在于直流通路,则称为直流反馈;若反馈存在于交流通路,则称为交流反馈。 2.交流负反馈有四种组态:电压串联负反馈;电压并联负反馈;电流串联负反馈;电流并联负反馈。若反馈量取自输出电压,则称之为电压反馈;若反馈量取自输出电流,则称之为电流反馈。输入量、反馈量和净输入量以电压形式相叠加,称为串联反馈;以电流形式相叠加,称为并联反馈。 3.在分析反馈放大电路时,“有无反馈”决定于输出回路和输入回路是否存在反馈支路。“直流反馈或交流反馈”决定于反馈支路存在于直流通路还是交流通路;“正负反馈”的判断可采用瞬时极性法,反馈的结果使净输入量减小的为负反馈,使净输入量增大的为正反馈;“电压反馈或电流反馈”的判断可以看反馈支路与输出支路是否有直接接点,如果反馈支路与输出支路有直接接点则为电压反馈,否则为电流反馈;“串联反馈或并联反馈”的判断可以看反馈支路与输入支路是否有直接接点,如果反馈支路与输入支路有直接接点则为并联反馈,否则为串联反馈。 4.引入交流负反馈后,可以改善放大电路多方面的性能:提高放大倍数的稳定性、改变输入电阻和输出电阻、展宽通频带、减小非线性失真等。实验电路如图所示。该放大电路由两级运放构成的反相比例器组成,在末级的输出端引入了反馈网路C f 、R f2和R f1,构成了交流电压串联负反馈电路。 R110kΩ R2100kΩ R3 10kΩ R43.9kΩ R53.9kΩ R63.9kΩ R7200kΩ R81kΩ R94.7kΩR10300kΩ U1A LM324N 3 2 11 41 U1C LM324N 10 9 11 4 8 C110uF C210uF C3 10uF J1 Key = Space J2 Key = A VCC 10V VEE -10V 1 4 10 8 11 12 13 7 3 6 5VEE VCC 2 9

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

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