最新电力电子技术复习资料汇总

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2012电力电子技术复

习资料

一、填空

1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:

电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。双向晶闸管的

,它的三个极分是第一阳极T1、第二阳极T2、和门极G。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压

为800V伏、额定有效电流为 100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。

9、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

10、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管; 200表示表示 200A,9表示900V。

11、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触

发大功率的晶闸管。

12、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240o度;正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o度,实际移相范围只有150o。

15、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。

1、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极A ,阴极K

和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断。

2、可关断晶闸管的图形符号是;电力场效应晶体管的图形符号是

绝缘栅双极晶体管的图形符号是;电力晶体管的图形符号是;

3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o变化,在阻感性负载时移相范围在 —180o变化。

4、变流电路的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流等四种。

5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相

数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。

6、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有 快速熔断器 ; 电路串电抗器 ; 过流时快速移相 ;和 直流快速开关 等几种。

7、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等参数有关。

8、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 22U 2 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 6U 2 。(电源相电压为U 2)

9、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用 大于60o小于120o的宽脉冲 触发;二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲 触发。

10、在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达 240o 度;实际移相才能达 0o-180 o 度。

11、软开关电路种类很多,大致可分成 零电压 电路、 零电流 电路两大类。

12、逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 、而不流经 负载 的电流,环流可在电路中加 采用串联电抗器 来限制。

13、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极,以 以电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。 14、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角,用 α 表示。

15.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。

1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流

经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可)

10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。

11、双向晶闸管的触发方式有:

I+ 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G

接正电压,T2接负电压。

I- 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接负电压,T2接正电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压,门极G

接正电压,T2接负电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G

接负电压,T2接正电压。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。

13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管; 200表示表

示200A,9表示900V。

15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶

闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触

发大功率的晶闸管。

16、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的电流

有效值为15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为

()V

220

2

2

5.1倍

-;晶闸管的额定电流可选为()A

57

.1

15

2

5.1倍

-

17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关

电路种类很多,但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。

18、对异步电动机实施变频调速控制,通常的控制方式有 恒压频控制 、 转差频率控制、 矢量控制 、 直接转矩控制 等四种。 19、PWM 逆变电路的控制方法有 计算法 、 调制法 、 跟踪控制法 三种。其中调制法又可分为 异步调控法 、 同步调控法 两种。 20、通常变流电路实现换流的方式有 器件换流、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。

21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 π→0 ,负载是阻感

性时移相范围是 π?→ 。

22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有 避雷器 ; 阻容吸收 ; 硒

堆 ; 压敏电阻 和 整流式阻容吸收 等几种。

23、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 几种。

24、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件

有 GTO 、 GTR 、 MOSFET 、 IGBT 几种。

25、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是 阳极A , 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ;关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断 。

26、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是

绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ;

27、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极,以 电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。

28、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有 快速熔断器 ; 电路串电抗器 ; 过流时快速移相 ;和 直流快速开关 等几种。

29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗X B、平均电流

I d、电源相电压U2等到参数有关。

30、双向晶闸管的图形符号是,三个电极分别是第一阳极T1,第二阳极T2和门极G;双向晶闸管的的触发方式有 I+、 I-、III+、 III

31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压

为U2。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压

为U2。(电源相电压为U2)32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60o小于120o的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发。

33、在同步电压为锯齿波的触发电路中,锯齿波底宽可达240o度;实际移相才

能达0o-180o度。

34、异步电动机变频调速时,对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制。

35、软开关电路种类很多,大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。

36、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断

的。

37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角,用 a 表示。

38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。

39、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。

40、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额

定电流为100安。

41、实现有源逆为的条件为要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压和逆变桥必须工作在β<90o(即α>90o)区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。

42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流

装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态、逆变状态。

43、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。

44、给晶闸管阳极加上一定的正向电压;在门极加上正向门极电压,并形成

足够的门极触发电流,晶闸管才能导通。

45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。

电力电子技术汇总题库

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库

第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。

电力电子技术考核点总结--填空选择教学文案

电力电子技术考核点总结--填空选择

1 简要说明四类基本的电力电子变流电路表 答:交流变直流,即整流电路 交流变交流,即交流电力控制电路或变频变相电路 直流变直流,即直流斩波电路 直流变交流,即逆变电; 2 美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述,认为电力电子学是由电力学,电子学,控制理论三个学科交义而形成的。 3 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,其电力变换常分为四大类:直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。 4 根据二极管反向恢复时间的长短,可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。 5 驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离和磁隔离。 6 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压,其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。 7 电力电子系统一般由控制电路,驱动电路,主电路组成 8 电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗 9 单相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是【0~π】,晶闸管导通角沒和触发角α之间的关系是α+β=π或互补 10 三相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是0-150度,输出电压连续时触发角α移相范围是0-30度 11 同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大,锯齿波的形成和脉冲移相,同步环节三个基本环节 12 一般来说,电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负载换流、电网换流和强迫换流。 13 直流斩波电路主要有三种控制方式:脉宽调制、脉频调制和混合调制。 14 正弦脉宽调制(SPWM)中,根据载波比N是否为固定值,可以分为同步调制和异步调制 15 PWM控制方案优劣体现在输出波形谐波的多少、直流侧电压利用率; 一个周期内的开关次数。 16 PWM整流电路根据是否引入电流反馈可分为直接电流控制和间接电流控制 17 根据电力电子电路中的功率器件开关过程中是否产生损耗,其开关方式可以分为软开关和硬开关。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属

电力电子技术期末复习资料汇总

电力电子技术复习题库 第二章: 1.使晶闸管导通的条件是什么? ①加正向阳极电压;②加上足够大的正向门极电压。 备注:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流。 2.由于通过其门极能控制其开通,但是不能控制其关断,晶闸管才被称为(半控型)器件。 3.在电力电子系统中,电力MOSFET通常工作在( A )状态。 A. 开关 B. 放大 C. 截止 D. 饱和 4.肖特基二极管(SBD)是( A )型器件。 A. 单极 B. 双极 C. 混合 5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为: ①不可控器件;②半控型器件;③全控型器件 6.下列电力电子器件中,(C)不属于双极型电力电子器件。 A. SCR B. 基于PN结的电力二极管 C. 电力MOSFET D. GTR 7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为(电流驱动型)和(电压驱动型)两类。 8.同处理信息的电子器件类似,电力电子器件还可以按照器件部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为(单极性器件)、(双极型器件)和(复合型器件)。 9.(通态)损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时,(开关)损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。(填“通态”、“断态”或“开关”) 10.电力电子器件在实际应用中,一般是由(控制电路)、(驱动电路)和以电力电子器件为核心的(主电路)组成一个系统。 11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,肖特基二极管(SBD)属于(不可控)

型器件。 12.型号为“KS100-8”的晶闸管是(双向晶闸管)晶闸管,其中“100”表示(额定有效电流为100A ),“8”表示(额定电压为800V)。 13.型号为“KK200-9”的晶闸管是(快速晶闸管)晶闸管,其中“200”表示(额定有效电流为200A),“9”表示(额定电压为900V )。 14.单极型器件和复合型器件都是(电压驱动)型器件,而双极型器件均为(电流驱动)型器件。(填“电压驱动”或“电流驱动”) 15. 对同一晶闸管,维持电流I H<擎住电流I L。(填“>”、“<”或“=”) 16.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流); 要使晶闸管由导通变为关断,可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。在实际电路中,常采用使阳极电压反向、减小阳极电压,或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。 17.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:CTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ,由普通晶闸管的分析可得:1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。 1 a + 2 a >1,两个等效晶体管过饱和而导通;1 a + 2 a <1,不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同: ②GTO 在设计时2 a 较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO 关断; ②GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1,普通晶闸管1 a + 2 a 31.15,而GTO 则为1 a + 2 a 1.05,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; ③多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区

#电力电子技术实验报告答案

实验一锯齿波同步移相触发电路实验 一、实验目的 (1)加深理解锯齿波同步移相触发电路的工作原理及各元件的作用。 (2)掌握锯齿波同步移相触发电路的调试方法。 三、实验线路及原理 锯齿波同步移相触发电路的原理图如图1-11所示。锯齿波同步移相触发电路由同步检测、锯齿波形成、移相控制、脉冲形成、脉冲放大等环节组成,其工作原理可参见1-3节和电力电子技术教材中的相关内容。 四、实验内容 (1)锯齿波同步移相触发电路的调试。 (2)锯齿波同步移相触发电路各点波形的观察和分析。 五、预习要求 (1)阅读本教材1-3节及电力电子技术教材中有关锯齿波同步移相 触发电路的内容,弄清锯齿波同步移相触发电路的工作原理。 (2)掌握锯齿波同步移相触发电路脉冲初始相位的调整方法。 六、思考题 (1)锯齿波同步移相触发电路有哪些特点? (2)锯齿波同步移相触发电路的移相范围与哪些参数有关? (3)为什么锯齿波同步移相触发电路的脉冲移相范围比正弦波同步移相触发电路的移相范围要大? 七、实验方法 (1)将DJK01电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧,使输出线电压为200V(不能打到“交流调速”侧工作,因为DJK03-1的正常工作电源电压为220V 10%,而“交流调速”侧输出的线电压为240V。如果输入电压超出其标准工作范围,挂件的使用寿命将减少,甚至会导致挂件的损坏。在“DZSZ-1型电机及自动控制实验装置”上使用时,通过操作控制屏左侧的自藕调压器,将输出的线电压调到220V左右,然后才能将电源接入挂件),用两根导线将200V交流电压接到DJK03-1的“外接220V”端,按下“启动”按钮,打开DJK03-1电源开关,这时挂件中所有的触发电路都开始工作,用双踪示波器观察锯齿波同步触发电路各观察孔的电压波形。 ①同时观察同步电压和“1”点的电压波形,了解“1”点波形形成的原因。 ②观察“1”、“2”点的电压波形,了解锯齿波宽度和“1”点电压波形的关系。 ③调节电位器RP1,观测“2”点锯齿波斜率的变化。 ④观察“3”~“6”点电压波形和输出电压的波形,记下各波形的幅值与宽度,并比较“3”点电压U3和“6”点电压U6的对应关系。 (2)调节触发脉冲的移相范围

(最新整理)4月全国自考电力电子变流技术试题及答案解析

全国2018年4月自学考试电力电子变流技术试题 课程代码:02308 一、单项选择题(本大题共10小题.每小题1分,共10分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.电阻性负载三相半波可控整流电路,在合理的控制角范围内,当控制角α为何值时,输出负载电压出现断续( ) A.<30° B.>30° C.>45° D.>90° 2.电阻性负载三相半波可控整流电路中,该输入电源相电压有效值为U2,晶闸管所承受的最大反向电压U Rm等于多少( ) A.U Rm=3U2 B. U Rm=6U2 2U2 C. U Rm=2 2U2 D. U Rm=3 3.三相桥式不控整流电路中,二极管在自然换相点按1、2、3、4、5、6、l的顺序每隔多少度换相一次( ) A.45° B.60° C.90° D.120° 4.三相全控桥式整流电路中,共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( ) A.60° B.90° C.120° D.150° 5.单相全波可控整流电感性负载电路中,在理想的条件下( ) A.电感消耗的能量大于电阻消耗的能量 B.电感消耗的能量小于电阻消耗的能量 C.电感消耗的能量等于电阻消耗的能量 D.电感本身不消耗能量 6.单相全控桥式整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( ) 1

A.90° B.120° C.150° D.180° 7.下面给出的四个电力半导体器件中,哪个是全控型电力半导体器件( ) A.二极管 B.晶闸管 C.功率晶体管 D.逆导晶闸管 8.单相桥式全控电压源型逆变电路,直流侧电压为E,采用180°导电控制,则输出方波电压的有效值为( ) 1 A.E B.E 2 C.2E D.0 9.变流电路能进行有源逆变的条件之一是( ) A.直流侧接有续流二极管 B.电阻性负载 C.直流侧接有RC保护电器 D.直流侧有直流电动势E d 10.三相半波可控变流电路,输出电压U d的脉动频率与交流电源的频率之比为( ) A.6 B.3 C.2 D.1 二、填空题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 请在每小题的空格中填上正确答案.错填、不填均无分。 11.单相全控桥式整流电路电阻负载,控制角α=____时,整流输出电压平均值U d=0。 12.单相全桥相控电阻性负载电路中,设触发角为α,则晶闸管的导通角为_____。 13.单相半波可控整流纯电阻负载电路,控制角α=_____时,负载电流的平均值最大。 14.按照控制信号的性质来分,晶闸管是属于_______驱动型电力电子器件。 15.电压型三相桥式逆变电路中,采用180°导电控制方式时,同一相上、下两桥臂控制信号的相位差_____度。 16.SPWM调制,设正弦调制波的幅值为U rm,三角载波的幅值为U cm,则调制比为_____。 17.单相桥式逆变电路采用双极性SPWM调制,设逆变器直流侧电压幅值为U d,则输出电压有-U d和______。 18.将直流电能转换为交流电能,直接提供给交流_______的逆变电路称为无源逆变器。 19.三相桥式不控整流电路中,在—个输入电源周期内每个整流二极管换相_____次。 20.对同一只晶闸管,擎住电流I L和维持电流I H的大小关系为I L____I H。 2

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子复习题及总结答案

电力电子必胜 绪论 填空题: 1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。 2.电能变换的含义是在输入与输出之间,将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。 3.电力变换的四大类型是:________、________、________、________。 4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在________状态,这样才能降低________。 5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类,即: ________、________、________。 6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:________________ 技术和________技术。 7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术,以及构成________装置和________系统的技术。 8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。 9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。 简答题 1. 什么是电力电子技术? 2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关? 3. 电力变换电路包括哪几大类? 电力电子器件 填空题: 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________、________、________三类。 5.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:、 和。 6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为________和________两类。。 7. 电力二极管的主要类型有、、。 8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为Hz以下的

电力电子技术实验报告

实验一 DC-DC 变换电路的性能研究 一、实验目的 熟悉Matlab 的仿真实验环境,熟悉Buck 电路、Boost 电路、Cuk 电路及单端反激变换(Flyback )电路的工作原理,掌握这几种种基本DC-DC 变换电路的工作状态及波形情况,初步了解闭环控制技术在电力电子变换电路中的应用。 二、实验内容 1.Buck 变换电路的建模,波形观察及相关电压测试 2.Boost 变换电路的建模,波形观察及相关电压测试; 3.Cuk 电路的建模,波形观察及电压测试; 4.单端反激变换(Flyback )电路的建模,波形观察及电压测试,简单闭环控制原理研究。 (一)Buck 变换电路实验 (1)电感电容的计算过程: V V 500=,电流连续时,D=0.4; 临界负载电流为I= 20 50 =2.5A ; 保证电感电流连续:)1(20D I f V L s -?= =5 .210002024.0-150????) (=0.375mH 纹波电压 0.2%= s s f LCf D V ?8-10) (,在由电感值0.375mH ,算出C=31.25uF 。 (2)仿真模型如下: 在20KHz 工作频率下的波形如下:

示波器显示的六个波形依次为:MOSFET的门极电压、流过电阻两端的电流、电感电流、输出电压、MOSFET电流及续流二极管电流的波形。 在50KHz工作频率下的波形如下: 示波器显示的六个波形一次为:MOSFET的门极电压、流过电阻两端的电流、电感电流、输出电压、MOSFET电流及续流二极管电流的波形; 建立仿真模型如下:

(3)输出电压的平均值显示在仿真图上,分别为49.85,49.33; (4)提高开关频率,临界负载电流变小,电感电流更容易连续,输出电压的脉动减小,使得输出波形应更稳定。 (二)Boost 变换电路实验 (1)电感电容的计算过程: 升压比M= S V V 0=D -11,0V =15V,S V =6V,解得D=60%; 纹波电压0.2%=s c f f D ? ,c f RC 1=,s f =40KHz,求得L=12uH,C=750uf 。 建立仿真模型如下:

全国自考电力电子变流技术试题及答案解析.doc

??????????????????????精品自学考试资料推荐?????????????????? 全国 2018 年 7 月自考电力电子变流技术试题 课程代码: 02308 一、填空题 (每小题 1 分,共 15 分) 1.对于普通晶闸管,在没有门极触发脉冲的情况下,有两种因素会使其导通,一是正向阳极电压U A过高,二是 _________________。 2.为防止晶闸管误触发,应使干扰信号不超过_________________ 。 3.由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_________________ 4.单相全控桥能在Ⅰ、_________________象限中工作。 5.逆变失败是指工作在逆变状态的变流器由于某种原因,出现了U d和 E d _______________ 的状态。 6.采用α1=π-α2配合有环流的控制的单相反并联(双重 )全控桥式整流电路,当变流器Ⅱ工作在逆变状态时,变流器Ⅰ工作在_________________状态。 7.常用的抑制过电压的方法有两种,一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 二是用 _________________ 元件限制过电压的幅值。 8.在整流电路中,晶闸管的换流属于_________________。 9 .若用集成触发电路KC04触发三相全控桥,则KC04的引脚 1 和15 分别接至三相全控桥 _________________ 的上下两只晶闸管。 10.电压型单相桥式逆变电路中,与开关管反并联的二极管起着_________________ 和防止开关器件承受反压的作用。 11.脉冲宽度调制(PWM) 电路的调制比M 愈高,输出电压基波幅值愈_________________。 12.为了使电力晶体管安全、可靠地运行,驱动电路和主电路应该实行_________________ 。 13.为防止过电压和抑制功率晶体管的du/dt ,对功率晶体管需加接_________________ 。 14.普通晶闸管为半控型器件,在直流斩波电路中,由触发脉冲控制其开通,关断则由_________________ 完成。 15.三相全控桥中,晶闸管的控制角的起算点在_________________。 二、单项选择题 (在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。 每小题 1 分,共 20 分 ) 1.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为()。 A .维持电流B.擎住电流 C.浪涌电流D.额定电流 2.为了减小门极损耗,晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压,门极加()。 A .正脉冲B.负脉冲 C.直流D.正弦波 3.在 GTR 作为开关的电路中,若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象,则说明晶体管()。 A .失控B.二次击穿 C.不能控制关断D.不能控制开通 4.下列器件中为全控型器件的是()。 1

电力电子技术试卷3份答案

《电力电子技术》试卷1答案 一、填空(每空1分,36分) 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-四种。 二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×) 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失 控现象。(√) 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中 一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。(×) 3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。(×) 4、逆变角太大会造成逆变失败。(×) 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。(√) 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。(×) 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。(×) 8、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取U2。(×) 9、在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。(×) 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 (√) 三、选择题(每题3分,15分)

电力电子总结完美版

一、填空题 1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件,其中要用交流 电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型 器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生 二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ;属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO 要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM I I ,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数;其定义式为= |DS DS U GS I ≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管,但要求其反向恢复特性要软。 6、在电力电子电路中,半导体器件总是工作在开关状态,分析这类电路可以用理想开关等效电路;电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术,追求的目标是高效地处理电力。 7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗,主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠,为了解决该缺陷,最好使电力电子器件工作在零电压开通,零电流关断状态;也可采用由无源元件构成的缓冲技术,但它们一般是有损耗 的。 8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。 9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制,若交流电路的大感性 负载阻抗角为80度,则SCR 开通角的移相范围80度到180度。 10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时,其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件;其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件;SCR 的换流方式都为电网 换流。 11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上;加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=- 12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波;其逆变桥各臂都要反并联 二极管。 13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制,这种技术可以控制输出交流的大小;产 生SPWM 波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。 14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组,构成磁复位 电路; 反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ,耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短,正向压降小,耐压低,效率高等特点。 16、GTR 关断是工作点应在 截止 区,导通时工作点应在 饱和 区;它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。

《电力电子技术》实验报告-1

河南安阳职业技术学院机电工程系电子实验实训室(2011.9编制) 目录 实验报告一晶闸管的控制特性及作为开关的应用 (1) 实验报告二单结晶体管触发电路 (3) 实验报告三晶闸管单相半控桥式整流电路的调试与分析(电阻负载) (6) 实验报告四晶闸管单相半控桥式整流电路的研究(感性、反电势负载) (8) 实验报告五直流-直流集成电压变换电路的应用与调试 (10)

实验报告一晶闸管的控制特性及作为开关的应用 一、实训目的 1.掌握晶闸管半控型的控制特点。 2.学会晶闸管作为固体开关在路灯自动控制中的应用。 二、晶闸管工作原理和实训电路 1.晶闸管工作原理 晶闸管的控制特性是:在晶闸管的阳极和阴极之间加上一个正向电压(阳极为高电位);在门极与阴极之间再加上一定的电压(称为触发电压),通以一定的电流(称为门极触发电流,这通常由触发电路发给一个触发脉冲来实现),则阳极与阴极间在电压的作用下便会导通。当晶闸管导通后,即使触发脉冲消失,晶闸管仍将继续导通而不会自行关断,只能靠加在阳极和阴极间的电压接近于零,通过的电流小到一定的数值(称为维持电流)以下,晶闸管才会关断,因此晶闸管是一种半控型电力电子元件。 2.晶闸管控制特性测试的实训电路 图1.1晶闸管控制特性测试电路 3.晶闸管作为固体开关在路灯自动控制电路中的应用电路 图1.2路灯自动控制电路 三、实训设备(略,看实验指导书)

四、实训内容与实训步骤(略,看实验指导书) 五、实训报告要求 1.根据对图1.1所示电路测试的结果,写出晶闸管的控制特点。记录BT151晶闸管导通所需的触发电压U G、触发电流I G及导通时的管压降U AK。 2.简述路灯自动控制电路的工作原理。

电力电子变流技术试卷A带答案

电力电子变流技术练习题A 一、选择题 1、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A、导通状态C、饱与状态D、不定 2、带平衡电抗器得双反星型可控整流电路适用于( )负载。 B 高电压, C 电动机 D 发电机 3.为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入( )。 A 三极管, C 保险丝 D 电抗器 4、、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 5、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受得最大正向电压为( ) A、U2C、2 U2D、U2 6、三相半波可控整流电路得自然换相点就是 ( ) A、交流相电压得过零点 C、比三相不控整流电路得自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路得自然换相点滞后60° 7、普通晶闸管得通态电流(额定电流)就是用电流得( )来表示得。 A 有效值 B 最大值不一定 8、快速熔断器可以用于过电流保护得电力电子器件就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 MOSFET 9、可实现有源逆变得电路为( )。

、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路。 10、在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路得输出就是( ) A、 C、1、414U2 D、1、732U2 11、属于半控型电力电子器件得就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 12、当三相桥式全控整流电路正常工作时,同时处于导通状态得晶闸管数量就是多少个( ) A、1个、3个 D、2个与3个交替 13、对于可控整流电路,以下说法正确得就是 ( )。 将直流变成交流, C 将交流变成交流 D 将直流变成直流14、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 二、填空题 1、在1个工频周期内,当负载电流连续时,在典型三相桥式全控整流电路中,每个晶闸管得导通角为 120 度,度 2.三相半波可控整流电路中,当触发角α在正常范围内增大时,输出电压 3.无流整流电路得输入就是 输出就是。 4、有源逆变产生得条件有 5 6 三、简答题 1.简述下图所示得降压斩波电路工作原理。

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

东南大学电力电子技术考点总结

第二章变流器运行(6%) 一、换流重叠角 1、换流重叠角:由于电源电感引起的换流时间所对应的电角度,用表示。是换流开始到 结束所占的电角度。 2、产生原因:进线电抗、电流不能突变、换流需要时间。 3、换流期间,整流输出电压是换流两相电压之平均值。 4、对整流的影响:换流角存在时,输出电压平均值减小(换流压降的存在),换流压降与延迟角无关,只取决于负载电流及电源交流侧阻抗。 二、有源逆变 1、产生条件:负载侧负载侧存在一个直流电源E ,由它提供能量,其电势极性与变流器 的整流电压相反,对晶闸管为正向偏置电压; 变流器在其直流侧输出应有一个与原整流电压极性相反的逆变电压,其平均值,以 吸收能量,并将其能量馈给交流电源。 2、两个电源之间的能量交换必须同极性相连。 3、是电路能够进行换流运行的极限,是变流器工作在整流和逆变的分界点。即区间,电路工作在有源逆变工作状态(三相半波可控整流电路)。 4、为超前角,为的起点,。 5、逆变失败(倾覆):,不能进行换流,两个电源短路。最小超前角°° 6、带有续流二极管的全控电路或半控电路不能工作在有源逆变状态,有源逆变电路必须是全控电路。 第三章门极触发脉冲(8%) 一、门极触发信号的种类 1、直流信号:使晶闸管损耗增加,有可能超过门极功耗,在晶闸管反向电压时,门极直流信号将使反向漏电流增加,也有可能使晶闸管损坏。可用来判断晶闸管是否损坏。 2、交流信号:在温度变化和交流电压幅值波动时,其延迟触发角不稳定。变化范围较小,精度低,不能太大。 3、脉冲信号:便于控制脉冲出现时刻,降低晶闸管门极功耗,通过变压器的双绕组或多绕组输出,实现信号间的绝缘隔离和同步输出。P86 二、晶闸管对门极触发信号电路的要求 1、触发脉冲应有一定的幅值和功率 2、触发脉冲要有一定的宽度 3、触发脉冲前沿要陡 4、要与主电路同步并有一定的移相范围

电力电子实验报告

实验题目:MPD-15实验设备《电力电子技术》班级:自动化1405 姓名:KZY 学号:0901140450X 指导老师:XXX

实验一、三相脉冲移相触发电路 1.实验目的:熟悉了解集成触发电路的工作原理、双脉冲形成过程及掌握集成触发电路的 应用。 2.实验内容:集成触发电路的调试及各点波形的观察与分析。 3.实验设备:YB4320A型双线示波器一台;万用表一块;MPD-15实验设备中“模拟量可逆 调速系统”控制大板中的“脉冲触发单元”。 4.实验接线:见图1 图1 该实验接好三根线:即SZ与SZ1,GZ与GND,U GD与U CT连接好就行了。 5.实验步骤: (1)将实验台左下方的三相电源总开关QF1合上;(其它开关和按钮不要动) (2)将模拟挂箱上左边的电源开关拨至“通”位置,此时控制箱便接入了工作电源和三相交流同步电源U sa U sb U sc (注:U sa U sb U sc 与主回路电压:U A16 U B16 U C16相位一致)。 (3)将模拟挂箱上正组脉冲开关拨至“通”位置,此时正组脉冲便接至了正组晶闸管。 (4)用示波器观察U sa U sb U sc孔的相序是否正确,相位是否依次相差120°(注:用示波器的公共端接GND孔,其它两信号探头分别依次检查三个同步信号)。 (5)触发器锯齿波斜率的整定 (6)触发器相位特性整定:

实验二三相桥式整流电路的研究 一、实验目的 1、熟悉三相桥式整流电路的组成、研究及其工作原理。 2、研究该电路在不同负载(R、R+L、R+L+VDR)下的工作情况,波形及其特性。 3、掌握晶体管整流电路的试验方法。 二、实验设备 1、YB4320A型双线示波器一台 2、万用表一块 3、模拟量挂箱一个 4、MPD-08试验台主回路 三、实验接线 1、先断开三相电源总开关QF1; 2、触发器单元接线维持实验一线路不变; 3、主回路接线按图5进行。 A N0 图5 三相桥式整流电路(虚线部分用导线接好) 四、实验步骤(注意:根据表1中 所对应的Uct数据来调节Uct大小)

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