电子电路中复习试卷
第10章电子电路中常用的元件习题参考答案
一、填空题：
1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7V 和0.3 V。
3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。
8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。
二、判断题：
1.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对）
2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）
3. 用万用表测试晶体管好坏时，应选择欧姆档中比较大的量程。（错）
4. PNP管放大电路中，U CC的极性为负，说明发射结反偏，集电结正偏。（错）
5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。（对）
6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。（错）
7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。（对）
8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM，则该管被击穿。（错）
9. 二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
三、选择题：
1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。
A、发射结正偏，集电结反偏；
B、发射结反偏，集电结反偏；
C、发射结正偏，集电结正偏；
D、发射结反偏，集电结正偏。
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3. 稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。
A、PNP管，CBE；
B、NPN管，ECB；
C、NPN管，CBE；
D、PNP管，
EBC 。
5. 用万用表R ×1K 的电阻挡检测某一个二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Ω,这说明该二极管是属于（ D ）。
A 、短路状态；
B 、完好状态；
C 、极性搞错；
D 、断路状态。
6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为V E ＝3V ，V B ＝3.7V ，V C ＝3.3V ，则该管工作在（ B ）。
A 、放大区；
B 、饱和区；
C 、截止区；
D 、击穿区。
7. PN 结加正向电压时，其正向电流是（ A ）。
A 、多子扩散而成；
B 、少子扩散而成；
C 、少子漂移而成；
D 、多子漂移而成。
8. 三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为V E ＝2.1V ，V B ＝2.8V ，V C ＝4.4V ，则此三极管已处于（ A ）。
A 、放大区；
B 、饱和区；
C 、截止区；
D 、击穿区。
四、计算题
1. 计算图7.1所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。
（1）U A ＝U B ＝0时；
（2）U A ＝E ，U B ＝0时；
（3）U A ＝U B ＝E 时。
解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。
当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下：
（1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0；
（2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E
?+919＝109E ；
（3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E
?+5.099＝1918E 。
2. 在图7.2所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。
解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知
识。
首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，理想二极
管电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否，就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高低，从而得知是否导通。
u o 与u i 的波形对比如右图所示：
3. 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－6.2V ；管脚②对地电位为－6V ；管脚③对地电位为－9V ，见图7.3所示。试判断各管脚所属电极及管子类型（PNP 或NPN ）。
解：该题考查的是不同类型晶体管的特点以及管脚之间的电位关系。
首先根据已知条件中三个管脚对地的电位均为负值可以看出，此晶体管使用的电源为负电源，即该管为PNP 型，然后可以根据管脚①和②两者的差值0.2V 判断应该为锗管（硅管应为0.7V ），并且据此可断定管脚①和②分别为该管的基极和发射极，而管脚③则为集电极。
4. 两个晶体管的共射极输出特性曲线如图7.4所示。试说明哪个管子的β值大？哪个管子的热稳定性好？
解：该题考查了晶体管输出特性和参数的相关知识。
从（a ）(b)两图可以看出：当I B 变化相同的值时，（a ）图中I C 变化要更大一些，由
B
C I I ??＝
β可知（a ）图管子的β值大，热稳定性差，而（b ）图由于β值小，热稳定性较好。
5. 试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个PN 结所具有的特点。
解：三极管工作在放大工作状态时，集电结反偏，发射结正偏。
三极管工作在饱和工作状态时，发射线和集电结均正偏。
三极管工作在截止工作状态时，发射线和集电结均反偏。
6.图示为硅三极管在工作时实测的各极对地电压值。试根据各极对地电压判断三极管的工作状态。
(a) U BE =1.7V –1V=0.7V>0，U BC =1.7V –1.3V=0.4V>0， NPN 型硅管，工作在饱和状态。 (b) U BE =0.7V>0，U BC =0.7V –3V=-2.3V<0， NPN 型硅管，工作在放大状态。
(c) U BE =0.5V-1.5V=-1V<0，U BC =0.5V –6V=-5.5V<0， NPN 型硅管，工作在截止状态。
(d)U BE=0.5V-1.5V=-1V<0，U BC=0.5V–6V=-5.5V<0 ，NPN型硅管，工作在截止状态。
第11章基本放大电路习题参考答案
一、填空题：
1. 放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。
2. 射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1，输入信号和输出信
号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
3. 放大器输出波形的正半周削顶了，则放大器产生的失真是截止失真，为消
除这种失真，应将静态工作点上移。
4. 放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态态，有交流信
号u i输入时，放大电路的工作状态称为动态态。在动态态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流静态分量和交流动态分量。放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
二、判断题
1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（错）
2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（对）
3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（错）
4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（对）
5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（对）
6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（错）
7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。（对）
8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（错）
9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（错）
10、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。（错）
11、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（错）
12.射极支路接入电阻R E的目的是为了稳定静态工作点。（对）
三、选择题：
1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；
B、交流成分；
C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；
B、交流信号；
C、交直流信号均有。
3、在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（C）
A、相位相同，幅度增大；
B、相位相反，幅度增大；
C、相位相同，幅度相似。
4、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。
A、放大电路的电压增益；
B、不失真问题；
C、管子的工作效率。
5、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）
A、带负载能力强；
B、带负载能力差；
C、减轻前级或信号源负荷。
6、基极电流i
的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
B
A、截止区；
B、饱和区；
C、死区。
7 、射极输出器是典型的（C）放大器。
A、电流串联负反馈；
B、电压并联负反馈；
C、电压串联负反馈。
四、问答题：
1. 放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？
答：为了不失真地放大交流信号，必须在电路中设置合适的静态工作点。若静态工作点高时，易造成饱和失真；若静态工作点设置低了时，又易造成截止失真。
2. 共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么？
答：共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是将集电极电流的变化转化为电压的变化，即让输出电压u0因R C上电压的变化而改变，从而使放大电路实现电压放大作用。
五、计算题
1. 试判断如图8.1所示的各电路能否放大交流电压信号？为什么？
解：(a)能 (b)不能，图缺少基极分压电阻R B，造成V B=U CC太高而使信号进入饱和区发生失真。(c)不能，图缺少集电极电阻R C，无法起电压放大作用。(d)能
2. 已知如图8.2所示电路中，三极管均为硅管，且β=50，试估算静态值I B、I C、U CE。
解：（a）
75
1
)
50
1(
100
7.0
12
=
?
+
+
-
=
B
I
（μA）
75
.
3
=
=
B
C
I
Iβ（mA）
825
.3
)
1(=
+
=
B
E I
Iβ
（mA）
75.01825.3275.312=?-?-=CE U (V)
(b) BE B B C C B CC U R I R I I U ++?+=)(
1610)501(2007.012)1(=?++-=++-=C b BE CC B R R U U I β（μA ）
8.0==B C I I β(mA) 84.310)016.08.0(12=?+-=CE U (V)
3. 晶体管放大电路如图8.3所示，已知U CC = 15 V ，R B =500 k Ω，R C = 5k Ω，R L =5k Ω，β=50。（1）求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
解：(1)
30=-=
B BE C
C B R U U I （μA ） 5.1==B C I I β (mA)
53.1)1(=+=B E I I β(mA)
5.7=?-=C C CC CE R I U U (V)
167.126)
1(300=++=E be I r β (K Ω) (2)
(3)
107//-=-=be L C u r R R A β
167.1//≈=be B i r R R (K Ω) 5==C O R R (K Ω)
4. 在上题图8.3的电路中，已知I C =1.5 mA ， U CC = 12V ，β=37.5，r be =1 k Ω，输出端开路，若要求u A
= -150，求该电路的R B 和R C 值。
解：由于
150//-=-=-=be C be L C u r R r R R A ββ
则4=C R (K Ω)
Ω=?==-K I U R B CC B 3001040126
5. 如下图所示放大电路中，已知U CC = 12 V ，R B =240 k Ω， R C =3k Ω，R E1 =200Ω， R E2 =800Ω，硅三极管的β=40。（1）试估算静态工作点（2）画出微变等效电路；（3）求放大倍数、输入电阻、输出电阻。
解：
（参考答案：（1）40μA 1.6mA 5.53 V （2）略 （3）-13.1 8.8 K Ω 3 K Ω）
第12章 集成运算放大器 习题参考答案
一、填空题：
1. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是 同相输入端与反相输入端两点电位相等，在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
2. 将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 并联电压 负反馈、 串联电压 负反馈、 并联电流 负反馈和 串联电流 负反馈。
3. 若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入 负 反馈；若要集成运放工作在非线性区，则必须在电路中引入 开环 或者 正 反馈。集成运放工作在线性区的特点是 输入电流 等于零和 输出电阻 等于零；工作在非线性区的特点：一是输出电压只具有 高电平、低电平两种稳定 状态和净输入电流等于 零 ；在运算放大器电路中，集成运放工作在 线性 区，电压比较器集成运放工作在 非线性 区。
4. 集成运放有两个输入端，称为 同相 输入端和 反相 输入端，相应有 同相输入 、 反相输入 和 双端输入 三种输入方式。
5. 放大电路为稳定静态工作点，应该引入 直流 负反馈；为提高电路的输入电阻，应该引入 串联 负反馈；为了稳定输出电压，应该引入 电压 负反馈。
6. 理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点是“虚短”和 “虚断” 。
二、判断题：
1. 放大电路一般采用的反馈形式为负反馈。 （ 对 ）
2．集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（ 错 ）
3. 电压比较器的输出电压只有两种数值。 （ 对 ）
4. 集成运放未接反馈电路时的电压放大倍数称为开环电压放大倍数。 （ 对 ）
5. “虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。 （ 对 ）
6. “虚地”是指该点与接地点等电位。 （ 对 ）
7．“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。 （ 错 ）
8、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。 （ 对 ）
9、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。 （ 错 ）
10、各种比较器的输出只有两种状态。 （ 对 ）
11、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。 （ 对 ）
三、选择题：（每小题2分，共16分）
1.集成运算放大器能处理（ C ）。
A 、直流信号；
B 、交流信号；
C 、交流信号和直流信号。
2. 为使电路输入电阻高、输出电阻低，应引入（ A ）。
A 、电压串联负反馈；
B 、电压并联负反馈；
C 、电流串联负反馈；
D 电流并联负反馈。
3. 在由运放组成的电路中，运放工作在非线性状态的电路是（ D ）。
A 、反相放大器；
B 、差值放大器；
C 、有源滤波器；
D 、电压比较器。
4. 集成运放工作在线性放大区，由理想工作条件得出两个重要规律是（ C ）。
A 、U ＋＝U －＝0，i ＋＝i －；
B 、U ＋＝U －＝0，i ＋＝i －＝0；
C 、U ＋＝U －，i ＋＝i －＝0；
D 、U ＋＝U －＝0，i ＋≠i －。
5．分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B ）。
A 、虚地；
B 、虚短；
C 、虚断。
6. 集成运放的线性应用存在（C ）现象，非线性应用存在（B ）现象。
A 、虚地；
B 、虚断；
C 、虚断和虚短。
7. 理想运放的两个重要结论是（B ）。
A 、虚短与虚地；
B 、虚断与虚短；
C 、断路与短路。
8. 集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B ）。
A 、正反馈与负反馈；
B 、线性与非线性；
C 、虚断和虚短。
四、问答题：
1. 集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？
答：集成运放一般输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大位数（103～107），一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低
的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。
2. 何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？
答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有i i =i f 成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。
3. 集成运放的理想化条件是哪些？
答：集成运放的理想化条件有四条：①开环差模电压放大倍数A U0=∞； ②差模输入电阻r id =∞；
③开环输出电阻r 0=0；
④共模抑制比K CMR =∞。
4.集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？ 答：同相端所接电阻起平衡作用。
五、计算题：
1. 电路如图1所示，求下列情况下，U O 和U i 的关系式。
（1）S 1和S 3闭合，S 2断开时；
（2）S 1和S 2闭合，S 3断开时。
解：(1)这是反相比例运算电路，代入公式，得
i u u -=0 （2）由虚短和虚断原理得：u +=u -=u i ，i +=i -=0
故有u o =u i 2. 图2所示电路中，已知R 1＝2K Ω，R f ＝5K Ω，R 2＝2K Ω，R 3＝18K Ω，U i ＝1V ，
图2
求输出电压U o 。
解：此电路为同相输入电路。
V 15.39.0)251(V 9.0118
2180=?+==?+==+-U U U
3. 在图3中，已知R f = 2R 1，u i = -2V 。试求输出电压u o 。
解：前一级是电压跟随器电路，后一级是反相比例运算电路，所以
V u R R u i f 410=-=。
第14章 逻辑门电路 习题参考答案
一、 填空题：
1. 在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。
2. 数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 关系，对应的电路称为 与 门、 或 门和 非 门。
3．在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。
4. 在正常工作状态下，TTL 门的高电平为 3.6 伏，低电平为 0.3 伏。
5. 最简与或表达式是指在表达式中 与项 最少，且 变量个数 也最少。
6．功能为有1出1、全0出0门电路称为 或 门； 相同出0,相异出1 功能的门电路是异或门；实际中 与非 门应用的最为普遍。
7. 在逻辑中的“1”和“0”用来表示 “真”和“假”、“高”和“低”…… 。
二、选择题：
1．逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。
A 、逻辑加
B 、逻辑乘
C 、逻辑非
2．十进制数100对应的二进制数为（ C ）。
A 、1011110
B 、1100010
C 、1100100
D 、1000100
3．和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。
A 、
B A + B 、B A ?
C 、B B A +?
D 、A B A +
4. 数字电路中机器识别和常用的数制是（A ）。
A 、二进制
B 、八进制
C 、十进制
D 、十六进制
5. 一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（C ）。
A 、与非门
B 、或门
C 、或非门
D 、异或门
三、问答题：
1．如图1所示当ｕA 、ｕB 是两输入端门的输入波形时，对应画出下列门的输出波形。
① 与门 ② 与非门 ③ 或非门 ④ 异或门 解：
①与门“有0出0，
全1出1”
②与非门“有0出1, 全1出0”
③或非门“有1出0,
全0出1” ④异或门“相异出1,相同出0”
四、计算题
1.在图2示的电路中，判断三极管工作在什么状态？
u A t u B t
图1 u A t u B t t u 0 u A u A t u B t t u 0 t u B t t u 0 u A t u B t t u 0
解：(a)26.04712==B I (mA)
85.112==
CS I (mA) 2.0408===βC BS I I (mA)
因B I >BS I ,所以三极管处于饱和状态。 (b) 12.0506==B I (mA)
12112==CS I (mA)
24.05012===βC
BS I I (mA)
因0
(c)因U BE <0，所以三极管处于截止状态。
(d)因36.1)6(511515-=-?+=B U <0
所以三极管处于截止状态。
2. 化简下列逻辑函数 ①B A C B A F ++=)(＝C B A + ②BC B A C A F ++=＝B C A +
③ABC C B A C AB BC A C B A F ++++=＝BC B A AB ++
④D C B AB BC A F +++=＝BD BC AB ++ ⑤C B AB C A C B A F ++++=)(＝B A C ++
⑥C B C B B A F ++=＝C B A +
第15章 组合逻辑电路 习题选解及参考答案
一、填空题：
1．组合逻辑电路的输出仅与输入的状态 有关。
2．共阳极的数码管输入信号的有效电平是低电平。
二、选择题：
1.组合电路的输出取决于（ a ）。
a.输入信号的现态
b.输出信号的现态
c.输入信号的现态和输出信号变化前的状态
2.组合电路的分析是指（ c ）
a.已知逻辑图，求解逻辑表达式的过程
b.已知真值表，求解逻辑功能的过程
c.已知逻辑图，求解逻辑功能的过程
3.电路如图所示，其逻辑功能为（ b ）
a.“与”门，其表达式F=ABCD
=+
b.”与或非“门，其表达式F AB CD
=*
c.”与非“门，其表达式F AB CD
4.组合逻辑电路的设计是指（ a ）
a.已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程
b.已知逻辑要求，列真值表的过程
c.已知逻辑图，求解逻辑功能的过程
5. 组合电路是由（ a ）
a.门电路构成
b.触发器构成
c. a和b
三、判断正误题：
1．组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。（对）
2. 组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元。（错）
四、分析、化简：
1．写出图示逻辑电路的逻辑表达式及真值表。
解： (a)12312312Y
A B C Y A B Y Y Y Y B A B C A B B ABC AB B Y Y Y B AB B AB B A A B AB ?=++??=+==++=+++++=++??=++??=+=+=+（1+）或 （b ）()()()F A B B C AB AC BC AB AC B B BC AB BC =++=++=+++=+
(a)真值表 (b)真值表
2．化简下列逻辑函数
① ABC C B A C AB BC A C B A ++++ ② D C B AB BC A +++ ③ ()C B AB C A C B A ++++ 解：①BC BA B A BC A AB B A ABC C B A C AB BC A C B A ++=++=++++
②1(1)A BC AB BCD A BC AB BCD A BC AB C BCD BC AB BCD BC D AB BCD BC AB BD +++=?++=?+++=++=+++=++（）
③()()()A B C AC AB BC AC BC AC AB BC C A B B C C AC AB BC C A AB BC C A BC C A B ++++=+++?=+++=+++=+++=++=++
模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
电子电路基础知识69440
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
模拟电子线路习题习题答案(DOC)
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
电子电路基础知识点总结
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
模拟电子技术试卷五套 含答案
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V， V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则 复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
模拟电路基础知识大全
模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
电子电路基础知识点总结
电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的
11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。
模拟电子电路技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。 9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）
信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型HOS场效应管结构的区别：对于适当的电压偏置(Es>OV,仏>%), 画出P沟道增强型HOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽熨场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压入产生沟道。 氧化层 源极(S稠极(G) /涌极(D) 甘底WB) (a) 随着役逐渐增人，栅极下面的衬底农闻会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到?定时, 栅极下闻的衬底农闻空穴浓度会超过电犷浓度,从而形成了?个''新的P型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上?个负电压bs，那么空穴就会沿着新的P型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为当咲?定，而l，SD持续增人时，则相应的1&；减小，近漏极端的沟道深度进-步减小，直至沟道预夹断，进入饱和区。电流咕不再随的变化而变化，而是?个恒定值。 考虑?个N沟道MOSFET,其监二50 u A/V\ K = IV,以及疗Z = 10。求下列情况下的漏极电流： (1)Ks = 5V且仏二IV： (2)= 2V 且仏二： (3)Vis = J L =: (4)Ks = ^ = 5Vo (1)根据条件v GS^V；, v DS<(v GS-V,),该场效应管工作在变阻区。 Z D = K 7；［(V GS _V t)V DS - | V DS = (2)根据条件v GS^V；, v IJS>(y GS-V l),该场效应管工作在饱和区。 (3)根据条件该场效应管工作在截止区，咕=0 (4)根据条件匕2?，%>(沧一?)，该场效应管工作在饱和区B =4；学(心 -％)SmA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确宦夹断电压或开启电压值。
电子电路基础知识点总结
知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
模拟电路试题库
1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。
电路与模拟电子技术基础(第2版)-习题解答-第8章习题解答
第8章 滤波电路及放大电路的频率响应 习 题 8 8.1 设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。 （1）理想情况下，当0f =和f →∞时的电压增益相等，且不为零； （2）直流电压增益就是它的通带电压增益； （3）理想情况下，当f →∞时的电压增益就是它的通带电压增益； （4）在0f =和f →∞时，电压增益都等于零。 解：（1）带阻 （2）低通 （3）高通 （4）带通 V A (2)理理理理 (3)理理理理 (4)理理理理 (1)理理理理 H A A A A V A V A V A 8.2 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。 （1）希望抑制50Hz 交流电源的干扰； （2）希望抑制500Hz 以下的信号； （3）有用信号频率低于500Hz ； （4）有用信号频率为500 Hz 。 解：（1）带阻 （2）高通 （3）低通（4）带通 8.3 一个具有一阶低通特性的电压放大器，它的直流电压增益为60dB ，3dB 频率为1000Hz 。分别求频率为100Hz ，10KHz ，100KHz 和1MHz 时的增益。 解：H Z o 100H ,60dB f A ==，其幅频特性如图所示
3dB -20dB/理 理理理 20 40 60 f/Hz Z v 20lg /dB A ? ??(a)理理理理 u 100Hz,60dB f A == u H 10KHz,6020lg 40,40dB f f A f =-== u H 100KHz,6020lg 20,20dB f f A f =-== u H 10MHz,6020lg 0,0dB f f A f =-== 8.4 电路如图8.1所示的，图中C=0.1μF ，R=5K Ω。 （1）确定其截止频率； （2）画出幅频响应的渐进线和－3dB 点。 图8.1 习题8.4电路图 解：L 36 11 318.3(Hz)225100.110 f RC ππ--= ==????
电子电路基础习题册参考题答案_第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。
模拟电路基础知识大全
一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)第四章答案
4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 1W i k v V v v ??'=--???? =1.75mA (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 1W i k v V '=-=4mA 4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
模拟电路基础 教案
教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处
第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。
模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。填空： （1）静态时，I BQ 的表达式为 B B E Q CC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为 BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -= （2）电压放大倍数的表达式为 be L u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0； （3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，u A 将 C ，R i 将 C ，R o 将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数 A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻 u 为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模拟电子电路基础答案第四章答案
简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。 随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。 考虑一个N 沟道MOSFET ，其n k '=?50μA/V 2，V t ?=?1V ，以及W /L ?=?10。求下列情况下的漏极电流： （1）V GS?=?5V 且V DS?=?1V ； （2）V GS?=?2V 且V DS?=?； （3）V GS?=?且V DS?=?； （4）V GS?=?V DS?=?5V 。 (1) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。 ()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ??'=--???? = (2) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-= (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i = (4) 根据条件GS t v V …，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区 ()2 D n GS t 12W i k v V L '=-=4mA 由实验测得两种场效应管具有如图题所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。 图题 图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 一个NMOS 晶体管有V t?=?1V 。当V GS?=?2V 时，求得电阻r DS 为1k?。为了使r DS?=?500?，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。 解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L '≈- ()n GS t 1DS DS D v r i W k v V L =≈'-