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电子技术基础题库

一、填空题

1.模拟信号的特点是在___和___上是连续的。

2.在N型半导体中_____是多子。在P型半导体中______是少子。

3.用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为∞,则此二级管____,若两次读数都接近尽于0,则此二极管____,若一次读数很大、一次读数小,则此二极管____。

4.PN结加正向电压时__,加反向电压时___,这种特性称为PN结的___特性。

5.常温下,硅二极管的开启电压约__V,导通后在较大电流下的正向压降约__V;锗二极管的开启电压约__V,导通后在较大电流下的正向压降约__V。

6.加在二极管两端电压与流过它的电流两者不成线性比例关系,因此具有____特性。其伏安特性曲线可分为四个不同的工作区:_____区、______区、____区和______区。

7.稳压管正常工作时工作在______状态,其两端的电压称为_______。

8.单相桥式整流电容滤波电路,其变压器次级电压有效值U2=10V,则输出直流电压U0=___V,若其中一只二极管断路时其输出直流电压U0=___V,若电容再断路时其输出直流电压U0=___V。

9.变容二极管工作时需要加______电压。

10.整流电路的任务是将电网____电压变换成单向脉动____电压,再通过滤波电路滤去其中的____成分,得到比较平滑的直流电压。

11.在一个交流放大电路中,测出某三极管三个管脚对地电位①端为,②端为4V,③端为,则①端为__极,②端为___极,③端为__极。该管为___型三极管。

12.放大电路的静态工作点Q随温度变化,是由于三极管的参数__、__和__随温度变化引起的。

13.当三极管上所加直流电压使得_____、______时,三极管工作在放大状态。

14.工作在放大状态的三极管,其各极电流之间关系式为___________。

15.工作在放大状态的NPN型三极管三个电极的电位关系是:__________。

16.三极管输出特性曲线族可以分为_____区、______区和_____区。

17.放大电路中直流分量符号,例如基极电流用__表示;交流分量符号,例如基极电流用__表示;直流分量与交流分量之和的符号,例如基极电流的总量用____表示。

18.放大器_____时的直流工作状态叫静态。

19.放大器必须设置__________,才能避免产生非线性失真。

20.有两支9013的晶体三极管,当I B变化相同的值时,I C变化大一些的管子,β值大。______。I C变化小一些管子,β值小,______。

21.交流通路是放大器的____等效电路,是放大器____信号的流经途径。

它的画法是,将_____和______视为短路,其余元器件照画。

22.放大电路的分析方法有______、______、___________。

23.当温度变化时,三极管参数会变化,共射基本放大电路的静态工作点也会___,通常采用_______电路可以稳定工作点。

24.由于三极管非线性造成的失真叫做_____,放大器对不同频率信号放大倍数

不同而造成的失真叫做放大器的_________。

25.放大器的通频带常用公式_________表示。

26.一般多级放大器在结构上主要分三级:____级、____级和____级。

27.多级级间放大电路耦合方式有_____、______和_______三种。28.既要放大直流信号又要放大交流信号可选择________的级间耦合方式。

29.多级放大电路的输入电阻等于___级的输入电阻,输出电阻等于____级的输出电阻。多级放大电路总电压放大倍数应为_______________。

30.由于输入和输出电路公共端的选择不同,放大器存在三种基本组合状态:_____、_______、________。共集放大电路又称为_______,其电压放大倍数____________。

31.场效应管的输出特性曲线分为______、______和______三个区,起放大作用时应工作在______区。

32. 场效应管是利用_______来控制输出电流的器件,称为______型器件。根据结构和工作原理不同,场效应管可分为_____和______两种类型。

33. 场效应管也有三个电极,分别叫_____、_______和_______。

34.场效应管和普通晶体三极管结合使用,组成_______、________、___________的多级放大电路。

35.反馈是将放大电路____的一部分或全部经过一定的电路送回到_____,并与原输入量叠加,共同_____放大电路。

36.反馈信号起到增强原输入信号的反馈称为_______;反馈信号起到减弱原输入信号的反馈称为________。

37.判断反馈的类型应从以下三点着手:(l)是把______短路,如这时反馈信号消失,即净输入信号为零,则为并联反馈;如此时反馈信号没有消失,则为串联反馈;(2)是把______短路,即输出电压为零时,若反馈信号也为零,反馈消失,则为电压反馈;反之若输出电压u o为零而反馈信号不为零,反馈仍然存在,则是电流反馈。(3)用_

____法判断是正反馈还是负反馈。

38.串联电路总是以____________的形式作用于输入回路, 并联电路总是以____________的形式作用于输入回路。

39.引人负反馈后,放大器的放大倍数_______,其稳定性_______。

40.______负反馈可以稳定输出电压,______负反馈可以稳定输出电流。

41.____负反馈可以稳定静态工作点,___负反馈能改善放大电路的动态性能。

42.射极输出器是一种典型的_________反馈放大器。

43.用来放大缓慢变化的信号或某个直流量的变化的放大电路称为____放大器。

44.直流放大器存在两种特殊问题:一是________,二是________。

45.直流放大器工作时受到_______、________等外界因素的影响,会产生零漂现象,采用________电路可以有效抑制。

46.通常把____________的输入信号叫做共模信号;把__________________的输入信号叫差模信号。

47. 理想运算放大器由于两个输入端间的电压为零,而又不是短路,故称为____。

48.差动放大器的共模抑制比定义为其________和______之比。其数值越高,则______能力越强,理想情况下应是______。

49.集成运放主要由以下四部分组成:____、____、______和______。

50.工作于线性区的理想运放具有如下的特点:①两输入端电位差________;②输入电流______。

51.一个理想运放应具备下列条件:①开坏电压放大倍数A od→____;②输入电阻r id →____;③输出电阻r od→____;④共模抑制比K CMR →____。

52.比例运算放大器的闭环电压放大倍数与集成运放本身的参数_____,与外围电阻_____的比值有关,这是引入______的结果。

53.差动输入放大电路输入和输出电压关系的公式是_____________。

54.在同相比例运算电路当R f =0,R1=∞时,这是电路称为_________。

55.功率放大器通常位于多级放大器的____级,其主要任务是放大______。

56.双电源互补对称功放电路简称___电路,单电源互补对称功放电路简称___电路。

57.功放电路出现交越失真,可在两功放管之间串入__________,供给功放管一定的______,使之在静态时处于_____状态,从而消除交越失真。

58.复合管的电流放大系数约等于两只管子电流放大系数________。

59.复合管组合的原则是:(1)保证参与复合的每只管子三个电极的______按各自的正确方向流动;(2)复合管的类型由________管子的类型所决定。

60.复合管的优点是__________,缺点是_________,使其热稳定性变差,克服这一缺点,可在第一只管子的发射极接一_______。

61. LM386有两个信号输入端,脚2为________,脚3为________。脚1 和8之间用外接电阻、电容元件以调整电路的_____。脚7是起_______。脚5为_______。脚4、6是接___和___端子。

62.整流滤波电路可以输出较平滑的直流电压,但当________和____发生变化时,会引起输出直流电压的波动。

63.三极管可视为受_____控制的可变电阻,将其串入稳压电路,可利用其阻值变化来稳压,这种用于调整输出电压使其稳定的三极管称为_____。

64.直流稳压电源通常由____、____、____、______四部分组成。

65.具有放大环节的串联型稳压电源有以下四部分组成:___、___、___、__。

66.只要改变取样电路的_______,即调节R

p ,就可调整输出电压V

的大小。

67.当负载电流较大时,为了减少推动调整管的控制电流,可以采用____来做调整管。

68.固定式三端集成稳压器的三端为____、____、_____,可调式三端集成稳压的三端为_____、_____、______。

69.用LC电路作为_____的正弦波振荡器称为LC振荡器,在结构上主要是利用_____回路代替了一般放大器中的集电极电阻。

70.当f =f0时,LC并联回路发生_____,此时阻抗最大,电路呈_____性,f0=___________。

71.若使放大电路产生自激振荡,在满足相位条件的情况下,电路的放大倍数为1000,则引入反馈的反馈系数应大于。

72.三点式振荡器有__________三点式和__________三点式,它们的共同点都是从LC回路中引出三个端点和三极管的__________相连。

73.正弦波振荡器由______、_____、______和_____四部分组成。

74.自激振荡电路的条件有两个:一是_________条件,用公式_____表示;二是_______条件,用公式_______表示。

75.根据选频网络的不同,正弦振荡电路主要来分____振荡电路和____振荡电路两大类。改变选频网络的电参数,可以调节电路的_______。

76.石英晶体具有_________效应,一定条件下会产生________谐振,因此可用于振荡器。它的优点是_________。

77.石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是______,此时它等效于____;另一个是______,此时它等效于_________。

78.可控整流电路是使输出___________可以调节的电路。

79.单向晶闸管有三个电极__________、____________和____________。

80.可控整流电路的控制角越__________导通角___________整流输出直流电压越低;最大导通角为_____________。

81.可控硅又称______,常用的有_____和_____两大类,广泛应用于______和_____设备中。

82.利用____元件的____特性可实现整流,若要实现可控整流可采用___元件。

83.单向可控硅内部有_____个PN结,双向可控硅有____个PN结。

84.要使导通的可控硅关断,必须___________________。

85.可控硅具有____电控制_____电的作用。

86.单向可控硅触发电路常用___________组成触发电路,双向可控硅常用___________组成触发电路。

87.单结晶体管的负阻特性指的是当______电流增加时,_____反而减少。

88.双向可控硅有三个电极______、_______和________。

89.二极管的状态有___和____,三极管的状态有___、___、____,可控硅的状态有_____和______。

90.单向可控硅导通必须具备两个条件:一是_______________,二是________________。

91.电子线路中的电信号按其信号形式分为_______和_______两大类,其中_______和_______都是离散的信号叫数字信号。

92.数字信号的基本工作信号是___________进制的数字信号,对应在电路上需要在______种不同状态下工作,即________和________。

93.数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的_______关系。

94.二极管作为开关使用时,应满足条件:其________电阻和_____电阻有_______差别。

95.三极管_____时,相当于开关的接通;三极管_______时,相当开关的断开。也就是说,三极管相当于一个由_______控制的无触点开关。

96.数字电路的工作信号是____信号,基本单元电路为_____和_____,基本的分析方法是_____。

97.反相器是最基本的开关电路,它的工作特点是____与_____呈反相关系。

98.作为开关管时,三极管只工作在_____、_____两种状态,_____状态只做为饱和和截止转换过程中一个很短暂的过渡状态时。

99.在数字电路中通常用_______和______表示某一事物的对应关系。

100.用“1”表示高电平,“0”表示低电平,称为_____;反之,称为____。

101.常用的基本逻辑门为_______、_______、_______。

102.与逻辑的表达式为_____,其逻辑功能为全__出__,有___出___。或逻辑的表达式为______,其逻辑功能为全__出__,有__出__。异或逻辑的表达式为_____,其逻辑功能为同出___,异出___。

103.COMS集成门电路的主要特点有___、___、___和___。

104.TTL集成逻辑门指____逻辑门电路,它的输入端和输出端是由____组成。

105.CMOS电路指由_____管和________管组成的互补电路。

106.在数字电路中广泛应用的是______进制,它有_____个基本数码,按逢____进一的原则计数。

107.逻辑代数与普通代数的区别:(1)逻辑变量是二值变量,它们的取值范围只有__和___两个值。(2)逻辑变量的此二值代表的是_____。

108.[33]

10=[]

2

=[]

8421BCD

109.逻辑函数的化简方法有两种:________和________。

110.逻辑函数的表示方法有四种:______、_______、______、______,从本质上讲它们是相通的,可以相互转换。

111.卡诺图表示法与真值表表示法的重要区别是:卡诺图中输入变量的标号顺序必须体现___________原则。

112.组合逻辑电路的特点是任何时刻的输出状态直接由_______所决定,而与

_______无关,电路_______(有无)记忆能力。

113.编码过程中,若用n位二进制数则有_____个状态,可表示______个特定的含义。

114.译码是______的反过程,它将_____________的过程。

115.从结构上看,组成组合逻辑电路的基本单元是_______________ 。

116.若想将一组并行输入的数据转换成为串行输出,应采用_______电路。

117.显示器是译码器的_____,它将译码器输出的数字信号在数码管上直观地

反映出______。数字电路中常用_______显示数码管。

118.半加器指两个一位二进制数求和,只考虑________,不考虑_____。

119.分段数码显示器有______、____及____等几种,虽然它们结构各异,但____是相同的。

120.同步计数器中各个触发器都在___计数脉冲作用下工作,其计数速度____。

121.触发器具备____种稳定状态,即____状态和________状态。

122.根据逻辑功能不同,可将触发器分为_____、______、______。

123.通常规定触发器 Q端状态为触发器状态,如 Q=0与Q=1时称为触发器___

态;Q= 1与Q=0时称触发器______态。

124.基本RS触发器中R端、S端为____电平触发。R端触发时,S触发器状态为____态,因此R端称为____端;S端触发时,触发器状态为____态,因此S端称为____端。

125.同步型触发器只有在______端出现时钟脉冲时,触发器才动作,而触发器

状态仍由其_____端信号决定。

126.触发器在触发脉冲作用下,其状态会发生_______,而在触发脉冲过去后,状态将_____,这就是它的______功能。

127.在一个CP脉冲作用期间,触发器状态产生二次或多次翻转称______现象。

128.按电路结构不同,触发器可分为____、_____、_____、____。

129.JK触发器的逻辑功能为_____、______、______和_____。

130.将JK触发器的两个输入端接在一起,就构成了______触发器,其逻辑功能为______和__________。

131.JK触发器中,若J=______,K =_________,则实现计数功能。

132.边沿型触发器仅在CP脉冲的_______或_______的突变瞬间触发。

133.按照逻辑功能和电路组成不同,数字电路可分为____电路和___电路两大类。

134.时序逻辑电路按状态转换情况分为________和_______两大类。

135.时序逻辑电路的特点:任一时刻的输出,不仅取决于该时刻的______,而

且与电路________有关。

136.时序逻辑电路主要由以下两部分组成:_________和________。137.一个触发器有两种稳定状态,可以存放_______位二进制数码。

138.寄存器具有_____和_____的功能,它分为______和_____。139.移位寄存器除了有_____功能,还具有___功能。

140.十进制计数器按计数的变化的趋势,可分为___、___和___计数器。141.在编码电路中,用n位二进制数可表示______个状态,对十进制的十个数

字0-9进行编码,需要________位二进制数。

142.计数器能对_________作计数操作。

143.脉冲指在___________变化,作用时间____的电压和电流。144.多谐振荡器没有_____态,电路不停地在两个_____态之间翻转,因此

又称_______。

145.触发脉冲作用下,单稳态触发器从______转换到____后,依靠自身电

容的放电作用,可自行回到_______。

146.单稳态触发器主要用于______、_______和________。147.施密特触发器有______个稳态,它的状态的保持和翻转由_____决定,两个稳态翻转的触发电平不同,存在_________。

148.A/D转换是把______信号转换为________信号;D/A转换是把__

_____信号转换为_______信号。

149.常见的DAC电路有两种:_________和________。

150.模数转换器通常由____、____、_____和______四个部分组成。

151.ADC电路中的量化过程指把采样电压转换为以______的整数倍的过程,编

码指用_____来表示量化后的_______。

152.在ADC转换器中,通过采样一个在时间上______变化的_______信号转换为随时间________变化的________信号。

153.根据写入方式的不同,ROM分为______,____和______等等。

154.半导体存储器是一种___的器件,根据信息存取方式,可分为___和__两类。

二、单项选择题

1.在P型半导体中()。

A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有自由电子D. 以上都不对

2.空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是()。

A.纯净半导体B. 杂质半导体 C. P型半导体 D . N型半导体

3.大功率整流电路应用的二极管类型为( )

A . 点接触型硅管

B .面接触型硅管

C .点接触型锗管

D . 面接触型锗管

结的基本特性是( )

A . 放大

B . 稳压

C . 单向导电性

D . 伏安特性

5当反向电压增大到一定数值时,二极管反向电流突然增大这种现象称为( )

A. 正向稳压

B. 正向死区 C . 反向截止D. 反向击穿

6.需要工作在正向电压下的特殊二极管是( )

A . 稳压二极管

B . 光电二极管

C . 发光二极管 C 变容二极管

7. 稳压值为6V 的稳压二极管,温度升高,稳压值:( )

A .略有上升

B .略有降低

C .基本不变

D .根据情况而变

8.光电二极管当受到光照时电流将( )

A 不变

B 增大

C 减小

D 都有可能

9.变压器次级交流电压有效值为10V ,单相桥式整流时,负载上的平均电压为:( )

A .9V

B .18V

C .20V

D .28V

10.在单相桥式整流电容滤波电路中,若发生负载开路情况时,输出电压为( )

A .

B .

C .22U

D .222U

11.桥式整流电路的输出电压的正极应接二极管的(

A 共负极端

B 共正极端

C 正负共接端

D 不确定

12.下列说法错误的是:( )

A .I E = I

B + I c 适合各类三极管

B . I c =βI B 适合各类三极管

C .所有三极管放大都要满足发射结正偏、集电结反偏

D .所有三极管放大,三极电位都要满足:U c >U b >U e

13.工作在放大区的某三极管当 I B1= 40uA 时, I c1 = l mA ,当 I B2= 60μA 时,I c2

=,则其β值为:()

A. 50 B. C.60 D.

14.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=,U E=,U C=3V,该三极管处在()状态。

A.导通 B.截止 C.放大 D.饱和

15.NPN型三极管工作在饱和区时的主要特征:()

A.U BE> B.U BE< C.U BE≥U CE D.U BE≤U CE

16.三极管的两个PN结都反偏,则晶体三极管的状态是:()

A.放大 B.饱和 C.截止 D.导通

型三极管在饱和区时的电位大小为( )

A U

B 最高 B U

E

最高 C U

C

最高 D 不能确定

18.用万用表判别在放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时,最方便的方法是测出( )

A 各极对地的电阻

B 各极对地的电压

C 各极对地的电流

D 那种都行

19.共射基本放大电路中的集电极电阻R

C

的主要的作用是( )

A 实现电流放大

B 提高输出电阻

C 实现电压放大

D 都不对

20.单管基本放大电路出现饱和失真时,应使R

b

的阻值( )

A 增大

B 减小

C 不变

D 不确定

21.在分压式偏置电路中,若更换晶体管β由50变为100则电路的电压放大倍数( )

A 约为原来的1/2

B 基本不变

C 约为原来的2倍

D 约为原来的4倍

22.希望电路的带负载能力强,可选用( )

A 共射放大电路

B 共集放大电路

C 共基放大电路

D 那种都行

23.在放大电路中,通常用作调整静态工作点的元件是:()

A.基极偏置电阻 B.集电极负载电阻 C.电源 D.三极管

24.关于放大器输入、输出电阻的说法,错误的是:()

A.输入、输出电阻是一个等效电阻,并不是指电路中某一个实际电阻。

B.输入、输出电阻可以用来分析电路的静态工作情况。

C.对放大器的要求是输人电阻大、输出电阻小。

D.从输入、输出电阻角度来看,共集电极电路性能最优。

25.在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压为:()

A. u0=i C·R C B.u0=-i C·R C C.u0=-I C·R C D.u0=I C·R C 26.某NPN型晶体管c、e、b的电位分别是、2V、,则该管工作在( )

A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态

27.可以实现电路间阻抗变换使负载获得最大输出功率的耦合方式是:()A.直接耦合 B.阻容耦合 C.变压器耦合 D.以上三种都可以28.某三级放大电路,每级电压放大倍数为A u,则总的电压放大倍数为:()A3 C.A u/3 D.A u

A.3 A u B.u

29.某三级放大电路,每级的通频带f Bw,则总的通频带为:()

A.f bw B.3f bw C.小于f bw D.大于f bw

30.关于射极跟随器,下列说法错误的是:()

A.无任何放大作用 B.无反相作用 C.r

i 大 r

小 D.无电

压放大作用

31.对三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( )

A.三极管可把小能量放大成大能量B.三极管把小电流放大成大电流

C.三极管可把小电压放大成大电压D.三极管用较小的电流控制较大电流

结加反向电压会变( )

A. 宽 B 窄 C 不变 D 不定

33.有反馈的放大器的电压放大倍数( )

A 一定提高

B 一定降低

C 保持不变 D. 说法都不对.

34.下列哪种电路属于正反馈电路的应用( )

A. 分压式偏置电路 B 射极输出器 C自激振荡器 D线性集成电路

35.有一放大电路需要稳定输出电压,提高输入电阻,则需引入( )

A 电压串联负反馈

B 电流串联负反馈

C 电压并联负反馈

D 电流并联负反馈

36.同相比例运放中的反馈类型为( )

A .电压串联负反馈

B 电流串联负反馈

C 电压并联负反馈

D 电流并联负反馈

37.关于深度负反馈说法错误的是( )

A 反馈深度很大

B 1+AF≥10

C 放大倍数只与反馈系数有关

D 放大倍数由电路参数决定

38.负反馈能改善放大器的非线性失真,下面说法正确的是( )

A 使放大器的输出电压如实反映了放大了的输出电压波形.

B 无论输入信号是否失真放大器的输出信号均无失真.

C 负反馈只能减小放大器本身所产生的失真.

D 较好的负反馈能消除失真.

39.引入负反馈后,放大器的放大倍数:()。

A.变大 B.变小 C.不变 D.不确定

40.引入负反馈后,放大器的频带:()

A.变宽 B.变窄 C.不变 D.不确定

41.电压串联负反馈对输入电阻是:()

A.增大 B.减小 C.不变 D.近似不变

42.一晶体管的极限参数为P CM=100mW,I CM=20mA,U(BR)CEO=15V,试问在下列情况下,哪种是正常工作。()

A.U CE =6V,I C=20mA B.U CE =2V,I C =40mA C.U CE =3V,I C =10mA D.都不行

型晶体三极管的P

CM =100mW,I

CM

=20mA,U

(BR)CEO

=30V,如果将它用在I

C

=15mA,U

CE

=20V的电路

中则该管()

A. 被击穿

B. 工作正常C.功耗太大过热以至烧坏 D.无法确定44.直流放大器主要采用哪种级间耦合方式?()

A.直接耦合 B.阻容耦合 C.变压器耦合 D.不一定

45.对称式差动放大器在差模输入时的放大倍数与电路中每一级基本放大电路的放

大倍数的关系为:()

A.一半 B.相等 C.二者之和 D.二者之积

46.反相比例运算放大器中的反馈类型为:()

A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈

47.直接耦合放大器存在零点漂移的主要原因是()

A电源电压的波动 B 参数受温度的影响 C 电阻的误差 D晶体管参数的分散性

48.下列哪种失真不属于非线性失真:()

A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真

49.OCL电路采用的直流电源是:()

A.正电源 B.负电源 C.正负双电源 D.不能确定

50.OCL电路输入,输出端的耦合方式为:()

A.直接耦合 B.阻容耦合 C.变压器耦合 D.三种都可能

51.OTL电路中,静态时输出耦合电容 C上电压为(设电源电压为V cc)()

A.+ V cc B.V cc/2 C.0 D,-V cc

52.串联型稳压电源中调整管工作于()状态

A.放大 B.截止 C.饱和 D.开关

53.要求输出稳定电压-5V,集成稳压器应选用的型号是()

A.W7812 B. W317 C.W7905 D. W337

54.查手册可知,集成稳压器CW337L输出稳定电压是()

A.+17 B. –17V C.在~37V范围可调 D. 在– ~ –37V范围可调

55.衡量稳压电源的好坏,常用稳压系数和输出电阻来表示,稳压性能越好则( )

A. 稳压系数大.输出电阻小 B稳压系数大.输出电阻大

C稳压系数小.输出电阻小 D稳压系数小.输出电阻大

56.开关电源比一般的串联稳压电源效率高的原因是( )

A 调整管工作在开关状态

B 调整管工作在放大状态

C 可以不用电源变压器

D 输出端有LC滤波器

57.带有放大环节的串联型稳压电源的输出电压降低的话,电路中调整管的基极电流和集电极——发射极电压U

CE

会_________使得输出电压稳定

A .I

B 增大U

CE

增大 B I

B

增大 U

CE

.减小 C I

B

减小U

CE

增大D .I

B

减小U

CE

. 减小

58.正弦波振荡器的振荡频率取决于()

A.电路的放大倍数 B. 正反馈的强度 C. 触发信号的频率 D. 选频网络的参数

59.RC桥式正弦波振荡器电路要满足相位平衡条件,要求放大器的输入端与输出端的信号相位差为:()

A.1800 B.900 C.450 D.00

60.文氏电桥振荡器指的是:()

A.电容反馈式振荡器 B.电感反馈式振荡器 C.RC振荡器 D.石英晶体振荡器

61.关于正弦波振荡器, 下列说法正确的是( )

A 选频网络只能是LC回路

B 选频网络只能是RC回路

C选频网络可以是LC回路,也可以是RC回路 D选频网络只能是RLC回路

62.正弦波振荡器起振的振幅条件是( )

A AF>1

B AF=1

C AF<1

D AF=0

63.石英晶体振荡器运用于计算机上的主要原因是( )

A 能产生低频信号

B 能产生高频信号

C 频率的稳定性高

D 容易制造

64.要产生稳定的低频正弦波,最好使用( )

A.石英晶体振荡器 B LC振荡器 C 电感三点式 D电容三点式

65.下列晶体管中什么管子具有负阻特性()

A.二极管 B.三极管 C.场效应管 D.单结管

66.用万用表R×1K档对单向晶闸管进行简易检测( )

A 阳极与阴极之间的正反向电阻都应很大

B阳极与阴极之间的正反电阻应有明显区别

C控制极与阴极之间的正反向电阻都应很大

D控制极与阴极之间的正反向电阻应有明显区别

67.要降低晶闸管整流输出负载平均电压( )

A增大控制角B增大导通角C同时增大控制角和导通角 D 同时减小控制角和导通角

68.三极管工作在开关状态下,其“开”态和“关”态,分别指三极管的()

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路: A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000o ui i U A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A .便于设计 B .放大交流信号 C .不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A .克服温漂 B .提高输入电阻 C .稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。 A .差模放大倍数数值增大 B .抑制共模信号能力增强 C .差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时 0.7BEQ U V ≈。试求: (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2=?,电压放大倍数为多少?

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA 变为2mA,那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降 UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈;【】 A.2V B.3V C.6V U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW, (2)当 i 则输出电压的幅值将;【】 A.减小 B.不变 C.增大 U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大(3)在 i 输入电压,则输出电压波形将;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】 A.输入电阻增大B.输出量增大 C.净输入量增大D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。【】 A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/ad10829799.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/ad10829799.html, 1,电子技术的发展,电子技术的发展,促进计算机技术的发展,使其“无处不在”,广泛用过的!广播和通信:发射机,接收机,公共地址,录音,程控交换机,电话,移动电话;网络:路由器,ATM交换机,收发器,调制解调器;行业:钢铁,石化,机械加工,数控机床;运输:飞机,火车,轮船,汽车;军事:雷达,电子导航;航空航天:卫星定位,监测医疗:伽马刀,CT,B超检查,微创手术;消费类电子产品:家用电器(空调,冰箱,电视,音响,摄像机,照相机,电子手表),电子玩具,各种警报器,安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/ad10829799.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年,1947年和1958年,从电子管到半导体管再到集成电路,集成电子管应运而生,晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管,晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/ad10829799.html,半导体组件的发展,贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管,在1958年制造了集成电路,在1969年制造了LSI,在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管,而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测,集成度将提高10倍/ 6年,到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术!hch a tsin https://www.360docs.net/doc/ad10829799.html,要记住的一些科学家!第一个晶体管的发明者(由贝尔实验室的John Bardeen,William schockley和Walter bradain发明)在1947年11月底发明了该晶体管,并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年,他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日,第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后,他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础试题与答案解析

电子电工专业试卷 说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分,考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷(选择题,共35分) 注意事项: 每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术基础试题(含答案)

(120) 1.纯净的半导体叫()。掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。 A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子 2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。 A.扩散B.漂移C.小D.大 3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。A.双极B.空穴C.单极D.自由电子 4.负反馈放大电路的含义是()。 A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路之外还有信号通路 D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB 6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。 A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路 7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。 A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容 8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。 A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强 9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。 A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。 A.带阻B.带通C.低通D.有源 11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。 A.比较B.滤波C.调整 (210) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。() 3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。() 4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() 5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。() 1.设图3-1中二极管、为理想二极管,判断它们是导通还是截止?输出电压= ?(4分)

《模拟电子技术基础》题库

《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12(第一章) 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________,它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了__________电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是,PN结具 有特性。 5、发射结偏置,集电结偏置,则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子,自由电子为载流子。 7、PN结正偏时,反偏时,所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。 9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。 10当温度升高时,三极管的等电极电流I,发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。 12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与 外加电压。 13-19(第二章) 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二 级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多 级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______, 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。 20-26(第三章) 20、甲类功放的最大缺点是_______; 21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压,才能正常放大工作。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1 u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id =20V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时, 可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固 定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

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