电子技术基础自测题第3套

()A Y A C =+()0B Y AB C =??()C Y AB =

A +）（C BC A +）（

B B

A +）（A C

B AB Y +=）（

C C

B AB Y ?=）（A C

B AB Y ?=）（B 电子技术基础自测题（第3套）

一、选择填空（共30分，每空2分）

1. 在图示电路中，稳压二极管管D Z1和D Z2的稳定电压分别为8V 和12V ，其正向压降可忽略不计，则U O 为（）。

A. 0V

B. 8V

C.12V

图题1 图题2

2．在图示电路中，忽略二极管的正向压降，U O 为（）。

A. 6V

B. 10V

C. 4V

3．固定偏置基本放大电路出现饱和失真时，应调节R B ，使其阻值（）。 A 增大 B 减小 C 先增大后减小 4．甲乙类功率放大电路中，放大管的导通角（）。

A 等于180度

B 等于360度

C 大于180度，小于360度

D 小于180度 5．在线性区运用时，集成运放工作在（）状态。

A ．开环

B ．正反馈

C ．负反馈

D ．极限 6．理想集成运放的两个输入端的电压相等称为（）；两输入电流为零称为（）。

A ．虚短

B ．虚断

C ．虚地

7．稳压电源中的稳压二极管工作于（）状态。

A. 正向导通

B. 反向截止

C. 反向击穿 8．三端集成稳压器W7800 系列 3端为（）。

A. 公共端

B. 输出端

C. 输入端

9．为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接（）。 A 、变频器 B 、滤波器 C 、稳压器 10. 下图所示门电路的逻辑式为（）。

11. 与BC A A +相等的为（）。

12. 下图所示组合逻辑电路式为（）。

13. 一个触发器可记录一位二进制代码，它有（）个稳态。

A.0

B.1

C.2

D.3

E.4 14．一位8421BCD 码计数器至少需要（）个触发器。

A.3

B.4

C.5

D.10

二、是非题（共10分，每小空1分）

1. P 型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。（）

2. 晶体管的控制方式为输入电流控制输出电流。（）

3．由理想运放构成的线性应用电路，其电路的放大倍数与运放本身的参数有关。（） 4．振荡器若不接输入信号，线路就不能起振，更不能维持振荡。（） 5．单相桥式整流电路利用了电源的整个周期。（） 6．整流是指将交流电压变换为单向脉动电压。（） 7. 逻辑运算中1+1=1。（） 8. 译码器是个时序逻辑电路。（）

9. RS 触发器的约束条件RS=0表示不允许出现R=S=1的输入。（）

10. D 触发器的特性方程为Q n+1=D ，与Q n

无关，所以它没有记忆功能。（）

三、简答题（共30分）

1. 测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示，在圆圈中画出管子，并说明它们PNP 管还是NPN 管，是硅管还是锗管。（7分）

-11V

-6V

-6.7V

2.试说明功率放大电路的三种工作状态？（9分）

3. 在右图所示的电路中，A 为理想运算放大器，问：

（1）图示电路属于什么类型的反馈电路（正、负；直流、交流；串联、并联；电压、电流）？（4分）

（2）图示电路是什么类型（比例、加法、减法、比较；

同相、反相）的信号运算电路？（2分）

（3）电路的输入电阻、输出电阻与无反馈时相比，分别

－＋u o

u i ＋

－＋

u i

(b )

(a )

R f

△

∞△

∞

Ｑ1

Ｑ0

ＱＱ J J K K F 1

F 0 C

有什么变化（增大、减小）？（2分）

（4）电路的电压放大倍数是多少（写出表达式）（2分）？ 4. 应用逻辑代数运算法则证明等式B A B A B A B A +=++成立。（4分）

四、分析及计算题（共30分）１．在下图分压式偏置放大电路中，已知 U CC = 12 V ，R C = 2 k Ω， R E = 2 k Ω，R B1 = 20 k Ω，

R B2 = 10 k Ω， R L = 6 k Ω，晶体管的。

(1)试求静态值；（6分） (2)计算该电路的 A u ，（4分）

2．在下图所示的电路中，已知u I = 1 V ，求u o 。（10分）

3．分析下图所示电路，写出电路状态方程，画出电路的状态转换图，并说明其逻辑功能。（10分）

37.5=β

答案

一、选择填空

1. B

2. A

3. A ４. C 5. C 6. A .B 7. C 8 A 9. B 10. C 11. C 12. C 13．C 14．B

二、是非题

1. 错

2. 对

3. 对 4 错 5. 对 6 对 7. 对 8.错 9．对 10．错三、解答题 1.

（3分）

是PNP 管（2分），硅管（2分） 2. (1) 甲类工作状态

静态工作点 Q 大致在负载线的中点。这种工作状态下，放大电路的最高效率为 50%。 (2) 甲乙类工作状态

静态工作点 Q 沿负载线下移，静态管耗减小，但产生了失真。 (3) 乙类工作状态

静态工作点下移到 I C ≈ 0 处，管耗更小，但输出波形只剩半波了。 3. （1）交直流串联电压负反馈电路

（2）同相比例运算电路（电压跟随器）（3）输入电阻增大、输出电阻减小

（4）

4. B A B A B B A B A A B A B A B A +=+=++=

++)（

四、分析计算题 ] (1) V 412102010

CC B2B1B2B =?+=+≈

U R R R V

mA 7.1A 10

.043

E BE B E C =?-=-=

≈R U V I I mA 045.0mA 5

.377.1C B ===

βI I 111

f i o f =+==R R

u u A u

C E C CC CE )(I R R U U +-≈[]

V 2.5107.110)22(1233=???+-=-

(2) ΩΩmA mV 26)

1(200E be I r ++≈βΩΩΩk 79.0mA

7.1mV

26)5.371(200=++=

27179

0626

2537be L ...u -=+??-='

-=r R βA

2．u o =－6V 3. 状态方程：1

0100;

n n

n n Q Q Q Q Q ++=⊕=

状态图： Q 1Q 0

逻辑功能：二位二进制加法计数器

现代电力电子技术作业

三相桥式SPWM逆变电路仿真一、设计的技术指标：直流母线电压输入：650V；输出三相交流相电压：220V；调制方式：SPWM；频率调制比：N=5；幅值调制比为：0.8；二、工作原理三相桥式逆变电路如图所示，图中应用V1-V6作为逆变开关，也可用其它全控型器件构成逆变器，若用晶闸管时，还应有强迫换流电路。从电路结构上看，如果把三相负载看成三相整流变压器的三个绕组，那么三相桥式逆变电路犹如三相桥式可控整流电路与三相二极管整流电路的反并联，其中可控电路用来实现直流到交流的逆变，不可控电路为感性负载电流提供续流回路，完成无功能量的续流和反馈，因此VD1～VD6称为续流二极管或反馈二极管。在三相桥式逆变电路中，各管的导通次序同整流电路一样，也是T1、T2、T3……T6、T1……各管的触发信号依次互差60?。根据各管的导通时间可以分为180?导通型和120?导通型两种工作方式，在180?导通型的逆变电路中，任意瞬间都有三只管子导通，各管导通时间为180?，同一桥臂中上下两只管子轮流导通，称为互补管。在120?导通型逆变电路中，各管导通120?，任意瞬间只有不同相的两只管子导通，同一桥臂中的两只管子不是瞬时互补导通，而是有60?的间隙时间，当某相中没有逆变管导通时，其感性电流经该相中的二极管流通。

上图中的uao`、ubo`与uco`是逆变器输出端a、b、c分别与直流电源中点o`之间的电压，o`点与负载的零点o并不一定是等电位的，uao`等并不代表负载上的相电压。令负载零点o与直流电源中点o`之间的电压为uoo`，则负载各相的相电压分别为 (3-1) 将式(3-1)中各式相加并整理后得一般负载三相对称，则uao+ubo+uco=0，故有 (3-2) 由此可求得a相负载电压为 (3-3) 在图3.3中绘出了相应的负载a相电压波形，ubo和uco波形与此相似。三、仿真电路图

电力电子技术基础参考资料(doc 10页)

思考题与习题 1. 独立思考以下各小题，分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。（1）（）是半控器件，（）和（）是全控器件。（2）（）和（）所需驱动电路的静态功耗接近于0。（3）如果希望导通电流为15A时，器件主回路的导通压降小于220mV，则应选用（）作为主开关器件。（4）除功率MOSFET外，（）的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。（5）（）在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。（6）（）的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。（7）如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V 直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，则应选用（）作为主开关器件。（8）（）如果已经导通，在主回路电流大于10A条件下，即使控制信号变为负值，它也不能关断。 2. 分析比较SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO （可关断晶闸管）、GTR（电力双极型晶体管）、功率MOSFET和IGBT

（9）当U IN变化20%时，哪几种整流电路输出电压平均值的变化可小于3%？（10）哪几种整流电路的功率因数低？（11）哪几种整流电路的对交流输入电源造成的干扰小？（12）如果在整流电路的输出与R L之间串接平波电感L，并希望在I RL达100A时R L两端电压的纹波因数小于1%，问：选用哪种整流电路所需L的电感量最小？ 6. 单相桥式二极管整流电路的交流输入电压有效值为220V，分别计算下列两种不同负载条件下整流输出电压的平均值U d、负载电流的平均值I d、每只整流二极管电流的平均值I DT 和有效值I T：（1）负载为纯阻性，R=10Ω。（2）负载为电阻与电感相串联，R=10Ω，L可视为无穷大。 7. 由晶闸管构成的单相桥式全控整流电路的交流输入电压之有效值为100V，负载R=2Ω，L可视为无穷大，反电动势E=50V。试求α=30°时整流输出电流的平均值I d、每只晶闸管电流的平均值I dT和有效值I T。 8. 设晶闸管三相桥式可控整流电路输出带阻感负载，R=10Ω，L可视为∞？，它的三相交流输入线电压之有效值和全控整流输出电压之平均值分别为U lL和U d，U lL随电网电压波动的变化范围是320V至420V，晶闸管的导通压降可视为0，试求：

第5套量子力学自测题

量子力学自测题5 一、填空题（本题20分） 1．Planck 的量子假说揭示了微观粒子特性，Einstein 的光量子假说揭示了光的性。Bohr 的氢原子理论解决了经典电磁场理论和原子的之间的矛盾，解决了原子的的起源问题。 2．力学量算符必须是算符，以保证它的本征值为。对一个量子体系进行某一力学量的测量时，所得到的测量值肯定是当中的某一个，测量结果一般来说是不确定的，除非体系处于。测量结果的不确定性来源于。两个力学量同时具有确定值的条件是。二、（本题15分） 1．设算符a ?具有性质{} 1?,?,0?2==+a a a 。求证：（1）a a N ???+ ≡本征值必为实数。（2）N N ??2= （3）N ?的本征值为0或者1。 2．利用对易式σσσi 2=?，求证： {}0,=j i σσ，),,,(z y x j i =，其中，j i σ σ,为 Pauli 矩阵。三、（本题15分） 1．设氦原子中的两个电子都处于1s 态，（不简并）两个电子体系的空间波函数为 )()(),(2100110021r r r r ψψψ= （1）写出两个电子体系的四个可能的自旋波函数4321,,,χχχχ。（2）写出对两个电子的交换反对称的总体波函数),,,(2121z z s s r r ?（同时考虑空间自由度和自旋自由度）。 2．一电子处于自旋态)(2 1z z ↓+↑= ψ，求：（1）在自旋态ψ下，z S ?的可能测值与相应的几率。（2）在自旋态ψ下，x S ?的可能测值与几率。四、（本题15分）设一个类氢离子的电荷数由Z 变成Z+1，试用微扰方法计算基态能量的一级近似值。已知：类氢离子的基态能量本征值和本征函数分别为 a e Z E n 222-=，a Zr e a Z - ? ? ? ??=2 /31001πψ

现代电力电子技术的发展(精)

现代电力电子技术的发展浙江大学电气工程学院电气工程及其自动化992班马玥 (浙江杭州310027 E-mail: yeair@https://www.360docs.net/doc/b114366330.html,学号:3991001053 摘要:本文简要回顾电力电子技术的发展,阐述了现代电力电子技术发展的趋势,论述了走向信息时代的电力电子技术和器件的创新、应用,将对我国工业尤其是信息产业领域形成巨大的生产力,从而推动国民经济高速、高效可持续发展。关键词:现代电力电子技术;应用;发展趋势 The Development of Modern Power Electronics Technique Ma Yue Electrical Engineering College. Zhejiang University. Hangzhou 310027, China E-mail: yeair@https://www.360docs.net/doc/b114366330.html, Abstract: This paper reviews the development of power electronics technique, as well as its current situation and anticipated trend of development. Keywords: modern power electronics technique, application, development trend. 1、概述自本世纪五十年代未第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装臵,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。

东北大学《模拟电子技术基础》期末考试必备真题集(含答案)01

模拟电子技术基础一．计算分析题 1．已知放大电路如图8所示，三极管的β=50，U BE =。回答下列问题：（1）求I CQ =？U CEQ =？（2）画微变等效电路（3）求？==i o u U U A ？ ==s o usm U U A （4）R i =？R o =？图8 (1) I CQ ≈I EQ = (mA) +V R C e R R R C C + _ _ R e U U o R U 20k Ω 2 10kΩ 2kΩ4k 30μF 30100μ F (+12V) 1+ ++ _ _ ) (410 2012 102b1CC 2BQ V R R V R U b b =+?=+= )mA (65.12 7 .04e BE BQ EQ =-= -= R U U I

U CEQ = V CC ―I CQ ( R c +R e )= ×4 = (V) (2) (3) (4)R i ≈r be =(k Ω) R o = R c = 2 (k Ω 2．已知电路如图9所示，β1=β2=60，U BE1=U BE2=，ΔU I1=1V ，ΔU I2=。求：①双端输出时的ΔU o=？②从T 1单端输出时的ΔU O1=？ )k (1.165 .126 6130026) 1(EQ bb'be Ω≈?+=++=I r r β微变等效电路 U 6 .601.1)4//2(50'be L i o u -=?-=-==r R U U A β 5.311.11)4//2(50'be s L i s i u s o us -=+?-=+-≈+==r R R R R R A U U A β R R R R r R R + _ + _ U I U s β I I R

第22套量子力学自测题参考答案

量子力学自测题（22）参考答案 1、（a ），（b ）各10分（a ）能量有确定值。力学量（不显含t ）的可能测值及概率不随时间改变。（b ）（n l m m s ）→（n’ l’ m’ m s ’）选择定则：l ?＝1±，m ?＝0,1±，s m ?＝0 根据：电矩m 矩阵元-e →r n’l’m’ms’，n l m ms ≠0 2、（a ）6分（b ）7分（c ）7分（a ）∧K 是厄米算符，所以其本征值必为实数。（b ）∧F ψ＝λψ， ψ∧F ＝λψ K ＝ψ∧K ψ＝i ψ∧F ∧G -∧G ∧F ψ ＝i λ｛ψ∧G ψ-ψG ψ｝＝0 （c ）(∧F +i ∧G )(∧F -i ∧G )=∧F 2+∧G 2-∧ K ψ(∧F +i ∧G )(∧F -i ∧G ) ψ=︱(∧F -i ∧G )ψ︱2≥0 ∴<∧F 2+∧G 2-∧ K >≥0，即2F +2G ≥K 3、(a)，(b)各10分 (a) ∧H ＝ω∧z S +ν∧x S ＝2 ω［1001-］+2 ν［0110］＝2 ［ωνν ω -］ ∧H ψ＝E ψ，ψ＝［b a ］，令E ＝2 λ，则［λωννλω---］［b a ］＝0，︱λων ν λω---︱＝2λ-2ω-2ν＝0 λ＝±22νω+，E 1＝-2 22νω+，E 2＝2 22νω+ 当ω?ν，22νω+＝ω（1+22ων）1/2≈ω（1+222ων）＝ω+ων22 E 1≈-2 ［ω+ων22］，E 2 ＝2 ［ω+ων22］

（b ）∧H ＝ω∧z S +ν∧x S ＝∧H 0+∧H ’，∧H 0＝ω∧z S ，∧H ’＝ν∧ x S ∧H 0本征值为ω 21±，取E 1（0）＝-ω 21，E 2（0）＝ω 21 相当本征函数（S z 表象）为ψ1(0)＝[10]，ψ2(0)＝[01 ] 则∧ H ’之矩阵元（S z 表象）为 '11H =0，'22H =0，'12H ＝'21H ＝ν 21 E 1＝E 1（0）+'11H + )0(2)0(12'21E E H -＝-ω 21+0-ων 2241＝-ω 21-ων241 E 2＝E 2（0）+'22H +) 0(1)0(22'12E E H -＝ω 21+ων241 4、E 1＝2222ma π，)(1x ψ＝?????0sin 2a x a π a x x a x ≥≤<<,00 x ＝dx x a ?021ψ＝2sin 202a dx a x x a a =?π x p ＝-i ?=a dx dx d 011ψψ-i ?=a a x d a 020)sin 21(2π x xp ＝-i ??-=a a a x d a x x a i dx dx d x 00 11)(sin sin 2ππψψ ＝ ?-a a x xd a i 02)(sin 1π ＝0sin [12a a x x a i π --?a dx a x 02]sin π ＝0+?=a i dx ih 0 2122 ψ 四项各5分 5、（i ），（ii ）各10分

东大18年6月考试《模拟电子技术基础I》考核作业

https://www.360docs.net/doc/b114366330.html, ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东北大学继续教育学院模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下） B 卷（共 4 页）注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。一、(10分)半导体器件的分析。判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40k Ω，R b2=20k Ω，R c =R L =2k Ω，U BE =0.7V ，β=50，R e =2k Ω， U CES ≈0V 。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R ，和o R 。四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN 结正偏时（），反偏时（），所以PN 结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

第8套量子力学自测题

量子力学自测题8 一、填空题（本题25分） 1．自由粒子平面波函数ikx ce x =)(ψ的动量不确定度=?p ，坐标不确定度=?x 。 2．波函数kx x cos )(=ψ是否自由粒子的能量本征态？答：。如果是，能量本征值是。该波函数是否是动量本征态？答：，因为。 3．设B A ??是两个互为不对易的厄米算符。在下列算符（1）B A ?,?；（2）B A ??—A B ??；（3）2 ?A ；（4）B A ??+A B ?? 中，算符和的本征值必为实数。 4．设两个电子散射波的自旋波函数()↓↑+↑↓= 2 1χ，则散射波的空间波函数应为。因此微分散射截面。 5．设一个二能级体系的两个能量本征值分别为E 1和E 2，相应的本征矢量为21n n 和。则在能量表象中，体系Hamilton 量的矩阵表示是，体系的可能状态是，在各可能状态下，能量的可能测值是，相应的几率是。二、（本题15分） 1．已知在坐标表象中，自由粒子的坐标本征函数为 )()(0x x x -=δψ 求在动量表象中坐标的本征函数。 2．氢原子中的电子在径向坐标dr r r +→的球壳内出现的几率为 dr r r R dr r P nl nl 22)()(=。已知，0/2/30 1012)(a r e a r R -???? ??=，求IS 电子的径向几率最大的位置。三、（本题15分） 1．求证：iz y +=1ψ，ix z +=2ψ，iy x +=3ψ分别为角动量算符z y x l l l ?,?,?的本征值为的本征态。 2．试证明：在电子的任意自旋态??? ? ??=b a χ下，只要22b a =，则自旋角动量z S ?的平均值必为零。四、（本题15分） 1．已知),())((B A i B A B A ??+?=??σσσ其中，A 、B 为与Pauli 矩阵z y x σσσ,,对易的任意两个矢量算符。试证明：

东北大学考试《模拟电子技术基础I》考核作业

东北大学继续教育学院模拟电子技术基础 I 试卷（作业考核线下） B 卷（共 4 页）总分题号一二三四五六七八九十得分注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。一、(10分)半导体器件的分析。判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50，R e =2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ，和o R 。四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN 结正偏时（），反偏时（），所以PN 结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。图4阻容耦合放大图5 功率放大电路 u u o +V CC T 1 T 2 R L CC + +_ _ (+12V (-12V

《电力电子技术基础》读书笔记

电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。而电力电子技术的不断发展，新材料、新结构器件的陆续诞生，计算机技术的进步为现代控制技术的实际应用提供了有力的支持，在各行各业中的应用越来越广泛。电力电子技术在电力系统中的应用研究与实际工程也取得了可喜成绩。电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体地说，就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，主要用于电力变换。目前所用的电力电子器件均用半导体制成，故也称电力半导体器件。通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术（理论基础是半导体物理）和变流技术（理论基础是电路理论）两个分支。电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术则是电力电子技术的核心。电力电子技术的发展史自 20 世纪50 年代末第一只晶闸管问世以来，电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台，以此为基础开发的可控硅整流装置，是电气传动领域的一次革命，使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代，这标志着电力电子技术的诞生。在随后的40 余年里，电力电子技术在器件、变流电路、控制技术等方面都发生了日新月异的变化，在国际上，电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为电力电子技术的诞生奠定了基础。晶闸管自诞生以来，电力电子器件已经走过了五十多年的概念更新、性能换代的发展历程。第一代电力电子器件以电力二极管和晶闸管(SCR)为代表的第一代电力电子器件，以其体积小、功耗低等优势首先在大功率整流电路中迅速取代老式的汞弧整流器，取得了明显的节能效果，并奠定了现代电力电子技术的基础。电力二极管对改善各种电力电子电路的性能、降低电路损耗和提高电源使用效率等方面都具有非常重要的作用。目前，硅整流管已形成普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管三种主要类型。晶闸管诞生后，其结构的改进和工艺的改革，为新器件的不断出现提供了条件。由晶闸管及其派生器件构成的各种电力电子系统在工业应用中主要解决了传统的电能变换装置中所存在的能耗大和装置笨重等问题，因而大大提高电能的利用率，同时也使工业噪声得到一定程度的控制。第二代电力电子器件自20世纪70 年代中期起，电力晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、电力场控晶体管(功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、MOS 控制晶闸管(MCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等通断两态双可控器件相继问世，电力电子器件日趋成熟。一般将这类具有自关断能力的器件称为第二代电力电子器件。全控型器件的开关速度普遍高于晶闸管，可用于开关频率较高的电路。第三代电力电子器件进入20 世纪90 年代以后，为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减少，常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式，这给应用带来了很大的方便。后来，又把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC），也就是说，电力电子器件的研究和开发已进入高频化、标准模块化、集成化和智能化时代。电力电子器件的高频化是今后电力电子技术创新

曾谨言《量子力学教程》(第3版)配套题库【课后习题-量子跃迁】

第11章量子跃迁 11.1 荷电q的离子在平衡位置附近作小振动（简谐振动），受到光照射而发生跃迁，设照射光的能量密度为ρ（w），波长较长．求：（a）跃迁选择定则；（b）设离子原来处于基态，求每秒跃迁到第一激发态的概率．解：（a）具有电荷为q的离子，在波长较长的光的照射下，从n→n'的跃迁速率为而根据谐振子波函数的递推关系（见习题2.7）可知跃迁选择定则为（b）设初态为谐振子基态（n＝0），利用可求出而每秒钟跃迁到第一激发态的概率为 11.2 氢原子处于基态，受到脉冲电场的作用．试用微扰论计算它跃迁到各激发态的概率以及仍然处于基态的概率（取E0沿z轴方向来计算）．

【解答与分析见《量子力学习题精选与剖析》[上]，10.2题，l0.3题】 10.2 氢原子处于基态，受到脉冲电场作用，为常数．试用微扰论计算电子跃迁到各激发态的概率以及仍停留在基态的概率．解：自由氢原子的Hamilton量记为H0，能级记为E n，能量本征态记为代表nlm 三个量子数），满足本征方程如以电场方向作为Z轴，微扰作用势可以表示成在电场作用过程中，波函数满足Schr6dinger方程初始条件为令初始条件（5）亦即以式（6）代入式（4），但微扰项（这是微扰论的实质性要点!）即得以左乘上式两端，并对全空间积分，即得再对t积分，由即得

因此t＞0时（即脉冲电场作用后）电子已经跃迁到态的概率为根据选择定则终态量子数必须是即电子只跃迁到各np态（z＝1），而且磁量子数m＝0．跃迁到各激发态的概率总和为其中 a o为Bohr半径．代入式（9）即得电场作用后电子仍留在基态的概率为 10.3 氢原子处于基态，受到脉冲电场作用，为常数．求作用后（t ＞0）发现氢原子仍处于基态的概率（精确解）．解：基态是球对称的，所求概率显然和电场方向无关，也和自旋无关．以方向作z 轴，电场对原子的作用能可以表示成

电力电子技术基本概念和基础知识练习(大工复习)

电力电子技术基本概念和基础知识练习：（王兆安、黄俊第四版）第1章电力电子器件填空题： 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、________ ________三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为________。 6.电力二极管的主要类型有________、________、________。 7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。 11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。 15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。 21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。 24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。第2章整流电路填空题： 1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________。 2.阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________ ，其承受的最大正反向电压均为________，续流二极管承受的最大反向电

第21套量子力学自测题参考答案

量子力学自测题（21） 1、已知一维运动的粒子在态)(x ψ中坐标x 和动量x p 的平均值分别为0x 和0p ，求在态 )()(0/0 x x e x x ip +=-ψ? 中坐标x 和动量x p 的平均值。解：已知粒子在态)(x ψ中坐标x 和动量x p 的平均值分别为 0* )()(x dx x x x x == ?+∞ ∞-ψψ 0*)()(p dx x x i x p x =?? ? ? ???-= ?+∞ ∞ -ψψ 现粒子处在)(x ?态，坐标x 和动量x p 的平均值 )())(()()()()(000*00** =-=''-''=++==???∞ +∞ -+∞ ∞ -+∞ ∞ -x x x d x x x x dx x x x x x dx x x x x ψψψψ?? )()()]()()[()]([)()()(00*00/0/00*/0/0*/*00000=+-=''??? ?? '??-'+-=+??? ????-++-+= +??? ?? ??-+=??? ????-=????∞ +∞ -∞ +∞ ---+∞ ∞ --+∞∞-p p x d x x i x p dx x x x i e x x e p x x e dx x x e x i x x e dx x x i x p x ip x ip x ip x ip x ip x ψψψψψψψ?? 2、一体系服从薛定谔方程 ),(),(21)(22121221222 12r r E r r r r k m ψψ=?? ????-+?+?- （1）指出体系的所有守恒量（不必证明）；（2）求基态能量和基态波函数。解：（1）体系的哈密顿量为 2 212222122 122r r k m m H -+?-?-= 引入质心坐标R 和相对坐标r ： )(2 121r r R += 21r r r -= 在坐标变换r R r r ,,21?下，体系的哈密顿量变为 2 22222 122kr M H r R +?-?-= μ 2/2m m M ==μ

东北大学考试《模拟电子技术基础ⅠX》考核作业参考240

东北大学继续教育学院模拟电子技术基础IX试卷（作业考核线上2）A 卷（共6 页）总分题号一二三四五六七八九十得分一、(40分) 单项选择题（选一个正确答案填入括号里，每题2分）型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（ C ） A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素 2.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 3.二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压Uab为（ A ）。图1 A、-12V B、-6V C、0V D、+6V 4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、和-6V，则这只三极管属于（ C ）。 AC、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型 5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。 A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、提高输入电阻 6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ A ）， A、差 B、和 C、平均值 7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（B ）。 A、差 B、和 C、平均值 8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第二级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用（ B ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第二级应采用（ A ）。

第2套量子力学自测题

量子力学自测题（２）一、填空题（本题20分） 1．在量子力学中，体系的量子态用Hilbert 空间中的来描述，而力学量用描述。力学量算符必为算符，以保证其为实数。当对体系进行某一力学量的测量时，测量结果一般来说是不确定的。测量结果的不确定性来源于。 2．在量子力学中，一个力学量是否是守恒量只决定于的性质，也就是说，决定于该力学量是否与体系的对易，而与体系的无关。一个力学量是否具有确定值，只决定于体系的，也就是说，决定于体系是否处于该力学量的，无论该力学量是否守恒量。二、（本题15分） 1．设全同二粒子的体系的Hamilton 量为H ?（1，2，），波函数为ψ（1，2，），试证明交换算符12 ?P 是一个守恒量。 2．设U ?是一个幺正算符，求证+?=U dt U d i H ??? 是厄米算符。 3．设y σ为Pauli 矩阵，（1）求证：θσθθσsin cos y i i e y += （2）试求：y i Tre θσ 三、（本题10分）求证：z y x xyz ++=)(ψ是角动量平方算符2?l 的本征值为2 2 的本征函数。四、（本题15分）设一量子体系处于用波函数)cos sin (41 ),(θθπ?θψ?+=i e 所描述的量子态。求：（1）在该态下，z l ?的可能测值和各个值出现的几率。（2）z l ?的平均值。如有必要可利用， θπcos 4310=Y ，?θπ i e Y ±±=sin 8311 。

五、（本题20分）已知，在一维无限深方势阱中运动粒子的能量本征值和本征函数分别为 22 222m a n E n π=，a x n a n πψsin 2=，（n=1，2，3…）设粒子受到微扰： ???????-='),(2,2)(?x a a k x a k x H a x a a x <<<<220 求基态（n=1）能量的一级近似值。如有必要，可利用积分公式? +=y y y ydy y sin cos cos 。六、（本题20分）设),3,2,1( =n n 表示一维谐振子的能量本征态，且已知 ??????-+++= 121211n n n n n x α， ωαm = （1）求矩阵元n x m 2。（2）设该谐振子在t=0时处于基态0，从t>0开始受微扰kt e x H 22-='的作用。求：经充分长时时)(∞→t 以后体系跃迁到2态的几率。

东大21年1月考试《模拟电子技术基础X》考核作业【标准答案】

学习中心：院校学号：姓名课程名称: 模拟电子技术基础X 1 东北大学继续教育学院模拟电子技术基础X 试卷（作业考核线上2） A 卷（共 8 页） 1.N 型半导体是在本征半导体中加入（ D ）后形成的。 A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 2.其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入（ D ） A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是（ B ） A 、 B 、 C 、 4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电路中出现的失真是( C ) 失真。 A 、饱和 B 、截止 C 、交越 5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入（ A ）。 A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区（ B ）。 A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是（ A ）。 A 、输出电压与输入电压相位相同 B 、输入电阻，输出电阻适中 C 、电压放大倍数大于1 D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ B ）。 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 9. 场效应管与双极型晶体管相比，具有（ A ）。 A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为（ C ）。 A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 1=F A 1 -=F A 1|1|>>+F A

电力电子技术基础参考资料.doc

思考题与习题 1. 独立思考以下各小题，分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT 和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。（1）（）是半控器件，（）和（）是全控器件。（2）（）和（）所需驱动电路的静态功耗接近于0。（3）如果希望导通电流为15A时，器件主回路的导通压降小于220mV，则应选用（）作为主开关器件。（4）除功率MOSFET外，（）的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。（5）（）在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。（6）（）的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。（7）如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，则应选用（）作为主开关器件。（8）（）如果已经导通，在主回路电流大于10A条件下，即使控制信号变为负值，它也不能关断。 2. 分析比较SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO（可关断晶闸管）、GTR（电力双极型晶体管）、功率MOSFET和IGBT等电力电子器件的性能，回答下列问题：（1）哪种器件的工作频率最高？（2）哪种器件的容量较小？

（3）哪种器件既可由控制信号正向开通，也可由控制信号反向开通？（4）哪些是半控器件？（5）哪些是全控器件？（6）Ron是哪种器件的参数？（7）哪种器件的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似，而且它的输出特性与GTR的输出特性类似？（8）在器件的通态电流与300A条件下，为了将它关断，哪种器件的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值应超过60A？（9）如果在静态（电流、电压、控制信号的幅值和电路参数保持不变）条件下，测得一个器件的控制极电压为+10V，主电路的电流为20A，主回路的管压降为200mV。问：它属于哪种器件？（10）如果希望在每个工作周期内，器件导通和关断的持续时间各为约10ms,那么，哪些可控器件相应的控制信号为高电平的持续时间必须大于5ms？而另外哪些可控器件相应的控制信号为高电平的持续时间可小于5ms？ 3. 普通晶闸管（SCR）与负载电阻串联接单相交流市电，其标称值为220V（有效值），电网电压波动不超过20%。试计算晶闸管实际承受的最高反向电压是多少？若考虑晶闸管的安全裕量电压（安全裕量可按2.5倍考虑），则应选用额定电压不少于多少伏的晶闸管？ 4. 设上题中晶闸管的通态平均电流为100A，若晶闸管的电流安全裕量按1.5或2倍考虑，试分别计算导通角为180°和90°时，允许流过晶闸管的峰值电流各是多少？

《现代电力电子技术》离线作业答案

《现代电力电子技术》离线作业答案一、单项选择题(只有一个选项正确，共4道小题)1、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( ) (A) 干扰信号 (B) 触发电压信号 (C) 触发电流信号 (D) 干扰信号和触发信号正确答案：A2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) (A) 导通状态 (B) 关断状态 (C) 饱和状态 (D) 不定正确答案：B3、晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（） (A) 阳极电流 (B) 门极电流 (C) 阳极电流与门极电流之差 (D)

阳极电流与门极电流之和正确答案：A4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U2，当控制角α=0时，整流输出电压平均值等于（） (A) 1、41U2 (B) 2、18U2 (C) 1、73U2 (D) 1、17U2正确答案：D 四、主观题(共14道小题)5、电力电子技术的研究内容？参考答案：主要包括电力电子器件、功率变换主电路和控制电路。 6、电力电子技术的分支？参考答案：电力学、电子学、材料学和控制理论等。 7、电力变换的基本类型？参考答案：包括四种变换类型：（１）整流ＡＣ－ＤＣ（２）逆变ＤＣ－ＡＣ（３）斩波ＤＣ－ＤＣ（４）交交电力变换ＡＣ－ＡＣ。8、电力电子系统的基本结构及特点？参考答案：电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路，功率变换主电路是属于电路变换的强电电路，控制电路是弱电电路，两者在控制理论的支持下实现接口，从而获得期望性能指标的输出电能。9、电力电子的发展历史及其特点？参考答案：主要包括史前期、晶闸管时代、全控型器件时代和复合型时代进行介绍，并说明电力电子技术的未来发展趋势。

电力电子技术基础简答题及答案

电力电子技术基础简答题及答案《电力电子技术基础》涉及电力电子变换系统的基本原理和分析设计方法，主要内容包括电力半导体器件；功率变换电路的拓扑、分析方法和参数设计；开关器件的驱动和缓冲技术；开关变换系统的调制、建模和闭环控制技术等。以下是整理的电力电子技术基础简答题及答案，欢迎阅读。答：晶闸管的阳极与阴极间有正向压降，幅值要适当;门极与阴极间加触发信号。答：阳极电流必须大于维持电流Ih ，使阳极电流小于维持电流Ih阳极与阴极间加反向电压、去掉或降低正向阳极电压、增大阳极回路电阻。答：换流方式有 4 种：器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。晶闸管电路不能采用器件换流，根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流 3 种方式。

载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。载波比N等于常数，并在变频时使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制。分段同步调制是把逆变电路的输出频率划分为若干段，每个频段的载波比一定，不同频段采用不同的载波比。其优点主要是，在高频段采用较低的载波比，使载波频率不致过高，可限制在功率器件允许的范围内。而在低频段采用较高的载波比，以使载波频率不致过低而对负载产生不利影响。答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。造成逆变失败的原因很多，大致可归纳为四类，今以三相半波逆变电路为例，加以说明。 1.触发电路工作不可靠：触发电路不能适时地，准确地给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失，脉冲延迟等，致使晶闸管工作失常。如图3－6所示，当a相晶闸管T1导通到ωt1时刻，正常情况时ug2触发T2管，电流换到b相，如果在