淫欲多了对人有危害
为什么淫欲多了，等于一只脚踏进了地狱？细思极恐
青山居士说2019-08-14 17:03:09
现代时代更开明，也更开放了，社会上出现的一些关于“性”的负面词语，大家都懂的，已经是屡见不鲜，甚至还一度成为人们的饭后谈资，有些人还谈得津津有味而不以为羞耻，甚至带着羡慕嫉妒恨的情绪。
然而，邪淫多了必然会给人带来灾难。这是毋庸置疑的！
为什么淫欲多了，等于一只脚踏进了地狱？细思极恐
人体是有能量场的，或者叫做磁场。如果一个人的磁场稳定，能量场强大，外在的表现就是人体精力充沛，运势比较好，做事业也更容易成功。
然而，每个人的能量场都是不一样的。万物负阴而抱阳，阴阳的变化也不一样，携带的正面、负面的信息也不一样。
为什么淫欲多了，等于一只脚踏进了地狱？细思极恐
我们在生活中经常可以看到那些满身正气的人，充满正能量的人，自然的就会想亲近，因为他身上散发出更多的是让人感觉到舒适安宁的气息；相反，那些整天愁眉苦脸，心中忧郁，或者充满邪恶的人，人人都会想远离，因为这样的人散出的气息是让人不舒服的。人体有自然区分能量场的本能。
我们再想想那些邪淫的人，不论是男人还是女人，是不是都是充满着负能量的人？有些人是被逼无奈，有些人是自甘堕落，还有些人纯粹就是用钱买欢乐故意伤害别人。这些人从一开始能量场就是负面的。如果一个人邪淫多了，也就意味着他的能量场会混乱不堪。这个人体能量场一旦被破坏，就会被各种各样的阴邪之气干扰破坏掉，人焉能不出问题？
为什么淫欲多了，等于一只脚踏进了地狱？细思极恐
首先是表现在身体健康方面，因为好的营卫之气被破坏掉，相当于人的防护罩被破坏掉了，身体自然就会出现灾变；再者，万事万物都是有定数的，人体内的精子数量或者女性身体内的卵子数量都是有限的，如果一个人提前把这些人体宝贵的精元耗泄掉了，身体自然会提早衰落。
其次是运势方面，人的身体不健康了，运势自然也就不好了，因为会被大量的阴邪之气干扰，事业还能顺风顺水吗？
那为什么有些人在邪淫之后，没什么坏变化出现呢？那是因为这个人他原本的能量场很强，或者身体很好，不容易被阴邪之气干扰。如果说，邪淫多了，必然会出现问题的。就像是一座坚固的城池一样，被围攻的次数多了久了，就会城破人亡。
为什么淫欲多了，等于一只脚踏进了地狱？细思极恐
古人讲得好，万恶淫为首。这个淫字有两方面的含义，一是关系到性的方面，指的是不正当的“性”行为，其二是太多太滥。一个人若是在性的方面是不正当的，又太多太滥，迟早会出问题的。看看许多贪官污吏落马，都是和性扯上了关系。
所以，凡事洁身自好，适当而行，才可以长久啊。
芯片可靠性测试d
芯片可靠性检测 2011-08-08 11:00 电子元器件可靠度评估分析 可靠性评估分析的意义 可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 如上图示意,集成电路得失效原因大致分为三个阶段: Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等； Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。 ·军工级器件老化筛选 ·元器件寿命试验 ·ESD等级、Latch_up测试评价 ·高低温性能分析试验 ·集成电路微缺陷分析 ·封装缺陷无损检测及分析 ·电迁移、热载流子评价分析 根据试验等级分为如下几类: 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL ①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） 目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。 参考标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） 目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考数据：
IC产品的质量与可靠性测试
IC产品的质量与可靠性测试 (IC Quality & Reliability Test ) 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命。 质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？ 为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如: JESD22-A108-A、EIAJED- 4701-D101，注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一；EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。 在介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的 生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 ⅠⅡⅢ Region (I) 被称为早夭期（Infancy period） 这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺 陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）在这个阶段产品的failure rate保持稳
0212IC可靠性测试项目及参考标准[001]
版本创建 试用 用 文件使 Ⅲ Ⅱ Ⅰ ） 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（ ）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别， ）的要求， 是否符合各项性能指标的问题。可靠性（ 的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通 ）则是对产品耐久力的测量，它回答了 一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（ 测试在 ）解决的是 现阶段的问题，可靠性（ 而言 我们发现， 产品 保证 过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达 到 准 的标 的要求， 这种 的设计和制 造单位就可以 进行 。 相 对 ， 的问题 似 乎就 变 的 十分棘手 ， 这 个产品能用多 久， 谁 能 今天 能用， 明天 就一定能用 ？ 为 了解决 这 个问题， 人 们制定了各 种 各 样 ， 如 : 、 介绍 ， 注： 为流行 （ ，我们 之前 的测试方法 ） 电子 设 备工 程 联 合 委员会 , ， 著名国际电子行业 标 准化组织之 一。 条浴缸曲线 ：日本电子工业协会 ， 著名国际电 子行业 标 准化组织之 一。 在 一 些目前 较 的 先 来 认识 一 下 产品的 生命周期。 典型 的 产品的生命周期可以用一 （ ）来 表示 。 质量（ 产品的生命。 ）在一定程度上可以说是 ）和可靠性（ 质量（ ( ) 产品的质量与可靠性测试
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芯片可靠性测试(汇编)
芯片可靠性测试 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。 解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。 Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求，是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。 知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如 MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依，从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题
海思芯片可靠性测试总体规范
海思可靠性测试技术总体规范 拟制：克鲁鲁尔 审核： 批准： 日期：2019-11-06
历史版本记录
适用范围: 本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。适用于量产芯片验证测试阶段的所有测试需求。 简介： 本标准描述芯片研发或新工艺升级，芯片规模量产前对可靠性相关测试的验收基准。这些测试能够激发半导体器件电路和封装的薄弱或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。相比正常使用场景，该系列测试通常以温度、湿度、电压加速的方式促成故障早期激发。 引用文件： 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.器件可靠性测试要求1.1 电路可靠性测试 High Temperature Operating Life JESD22-A108, JESD85 HTOL T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax 3 Lots/77 units1000 hrs/ 0 Fail R Early Life Failure Rate JESD22-A108, JESD74 ELFR T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax See ELFR Table48 ≤ t ≤ 168 hrs R Low Temperature Operating Life JESD22-A108LTOL T≤ 50℃ Vcc ≥ Vccmax 1 Lot/3 2 units1000 hrs/0 Fail C High Temperature Storage Life JESD22-A103HTSL T≥ 150 °C 3 Lots/25 units1000 hrs/0 Fail R Electrical Parameter Assessment JESD86ED Datasheet 3 Lots/10 units T per datasheet R Latch-Up JESD78LU Class I or Class II 1 Lot/3 units0 Fail R Human Body Model ESD JS-001ESD-HBM T = 25 °C 3 units Classification R Charged Device Model ESD JS-002ESD-CDM T = 25 Stress Ref.Abbv.Conditions Requirements Required (R)/ Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/Accept °C 3 units Classification R Accelerated Soft Error Testing JESD89-2, JESD89-3 ASER T = 25 °C 3 units Classification C “OR” System Soft Error Testing JESD89-1SSER T = 25 °C Minimum of 1E+06 Device Hrs or 10 fails. Classification C J J J A A A A A A 1 2 注1：ELFR可包含在HTOL测试中，HTOL测试会在168h回测。 注2：ED一般在首样回片测试阶段完成，包含在电气性能测试，可靠性测试过程不用关注。注3：样本量SS(Sample Size)及可接受失效量Accept的取值由附录1给出，下文同。
芯片封装可靠性试验专业术语
可靠性试验的常用术语 Biil of material:BOM 材料清单 可靠性试验常用术语 试验名称英文简称常用试验条件备注 温度循环TCT —65C ~150C, dwell15min, 100cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮PCT 121 C，100RH., 2ATM,96hrs 此试验也称为高压蒸汽，英文也称为autoclave 热冲击TST —65 C ~150C, dwell15min, 50cycles 此试验原理与温度循环相同，但温度转换速率更快，所以比温度循环 更严酷。 稳态湿热THT 85C ,85%RH., 168hrs 此试验有时是需要加偏置电压的，一般为Vcb=~, 此时试验为THBT。易焊性solderability 235C,2 ±此试验为槽焊法，试验后为1 0~40倍的显微镜下看管脚的上锡面积。 耐焊接热SHT 260C ,10 ±1s 模拟焊接过程对产品的影响。 电耐久Burn in Vce=, Ic=P/Vce,168hrs 模拟产品的使用。（条件主要针对三极管） 高温反偏HTRB 125C, Vcb=~, 168hrs 主要对产品的PN结进行考核。 回流焊IR reflow Peak C 高温贮存超声波检测225C) HTST SAT 泡、裂缝。但产品表面一定要平整。 IC 产品的质量与可靠性测试 、使用寿命测试项目Life test items 只针对SME产品进行考核，且最多只能做三次。 150C ,168hrs 产品的高温寿命考核。 检测产品的内部离层、气)：EFR, OLT (HTOL), LTOL
(产品管理)IC产品的质量与可靠性测试
（产品管理）IC产品的质量与可靠性测试
IC产品的质量和可靠性测试 (ICQuality&ReliabilityTest) 质量（Quality）和可靠性（Reliability）于壹定程度上能够说是IC产品的生命。 质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了壹个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了壹个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是壹段时间以后的问题。知道了俩者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位于产品生产出来后，通过简单的测试，就能够知道产品的性能是否达到SPEC的要求，这种测试于IC的设计和制造单位就能够进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，谁会能保证今天产品能用，明天就壹定能用？ 为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如:JESD22-A108-A、EIAJED-4701-D101，注：JEDEC（JointElectronDeviceEngineeringCouncil）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之壹；EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之壹。 于介绍壹些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识壹下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期能够用壹条浴缸曲线（BathtubCurve）来表示。 ⅠⅡⅢ Region(I)被称为早夭期（Infancyperiod） 这个阶段产品的failurerate快速下降，造成失效的原因于于IC设计和生产过程中的缺陷；
集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术【半导体封装测试】
UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁 芯片互连技术 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )
UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )
芯片封装可靠性试验专业术语
Biil of material:BOM 材料清单 可靠性试验常用术语 试验名称英文简称常用试验条件备注 温度循环 TCT －65℃~150℃, dwell15min, 100cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮 PCT 121℃，100RH., 2ATM,96hrs 此试验也称为高压蒸汽，英文也称为autoclave 热冲击 TST －65℃~150℃, dwell15min, 50cycles 此试验原理与温度循环相同，但温度转换速率更快，所以比温度循环更严酷。 稳态湿热 THT 85℃,85%RH., 168hrs 此试验有时是需要加偏置电压的，一般为Vcb=~,此时试验为THBT。 易焊性 solderability 235℃,2±此试验为槽焊法，试验后为10~40倍的显微镜下看管脚的上锡面积。 耐焊接热 SHT 260℃,10±1s模拟焊接过程对产品的影响。 电耐久 Burn in Vce=, Ic=P/Vce,168hrs 模拟产品的使用。（条件主要针对三极管） 高温反偏 HTRB 125℃, Vcb=~, 168hrs 主要对产品的PN结进行考核。 回流焊 IR reflow Peak ℃ （225℃）只针对SMD产品进行考核，且最多只能做三次。高温贮存 HTST 150℃,168hrs 产品的高温寿命考核。 超声波检测 SAT --------- 检测产品的内部离层、气 泡、裂缝。但产品表面一定要平整。 IC产品的质量与可靠性测试 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL 1）EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） 2）HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） O u二、环境测试项目（Environmental test items） 1）PRE-CON:预处理测试（ Precondition Test ）
芯片质量与可靠性测试
芯片质量与可靠性测试 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生 命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品 验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就 是what, how , where 的问题了。 解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产 品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加 以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。 Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求， 是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了 一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的 是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。 知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设 计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是 否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而 言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁 会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各 种各样的标准，如 MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依， 从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要 专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题 在简单的介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认 识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线 （Bathtub Curve）来表示，如图所示 Region (I) 被称为早夭期（Infancy period） 这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生 产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period） 在这个阶段产品的failure rate保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如